一种DCDC上用于防止MOSFET管过压击穿的有源钳位电路的制作方法

一种dcdc上用于防止mosfet管过压击穿的有源钳位电路
技术领域
1.本实用新型属于电路设计领域，尤其是涉及一种dcdc上用于防止mosfet管过压击穿的有源钳位电路。


背景技术：

2.在目前使用的很多的dcdc开关管缓冲电路中，通过像dsp这种能够输出pwm波来控制缓冲电路的设计很少，所以通过dsp输出pwm脉冲来控制主电路mos管的缓冲电路是很有必要的，可以大大提高稳定性和同步性。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本实用新型旨在提出一种dcdc上用于防止mosfet管过压击穿的有源钳位电路，通过钳位电路防止mos管两端出现尖峰电压击穿管子，而且由于耗能电阻的接入和断开，也有了节能的效果，设计简单实用。
4.为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：
5.一种dcdc上用于防止mosfet管过压击穿的有源钳位电路，包括并联电路和有源钳位电路，并联电路用于限制mos管关断时刻的过电压，有源钳位电路通过主电路mos管触发信号控制，有源钳位电路与并联电路连接，用于控制并联电路。
6.进一步的，有源钳位电路包括电阻r1至r10、电容c1和c2、npn型的mos1、pnp型的mos2、npn型三极管、pnp型三极管；
7.电阻r1、电阻r2、电容c1的第一端连接电源正极，电源负极接地，电容c1第二端接地，电阻r1、电阻r2的第二端连接mos1的d极；
8.mos1的g极连接电阻r6和电阻r7的第一端，电阻r6的第二端连接pwm；
9.npn型的mos1的d极还连接npn型三极管、pnp型三极管的b极，npn型三极管的c极连接电源正极；
10.npn型三极管的e极、pnp型三极管的e极连接电阻r5的第一端，电阻r5的第二段连接电容c2的第一端；
11.电阻r3的第一端连接电源正极，电阻r3的第二端以及电容c2的第二端连接pnp型的mos2的g极；
12.pnp型的mos2的d极连接电阻r8、电阻r9、电阻r10的第一端，电阻r8、电阻r9、电阻r10的第二端连接并联电路；
13.电阻r7的第二端、mos1的s极、pnp型三极管的c极、pnp型的mos2s极接地。
14.进一步的，并联电路包括电容c3、电容c4、二极管d1，电容c3的第一端、电容c4的第一端、二极管d1的阳极与有源钳位电路连接，电容c4的第二端、二极管d1的阴极接地。
15.相对于现有技术，本实用新型所述的一种dcdc上用于防止mosfet管过压击穿的有源钳位电路具有以下有益效果：
16.本实用新型所述的一种dcdc上用于防止mosfet管过压击穿的有源钳位电路防止
mosfet管过压击穿的有源钳位电路通过微机控制，利用钳位电路有效实现了主电路mos管并联电路的切换，而且通过微机生成的pwm波同步，提高了传统的保护电路的可靠性。
附图说明
17.构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：
18.图1为本实用新型实施例所述的用于连接主电路mos管并联电路的有源钳位电路图；
19.图2为本实用新型实施例所述的主电路mos管过电压保护的并联缓冲电路图；
20.图3为本实用新型实施例所述的主电路mos管过电压保护的并联缓冲处理流程电路图。
具体实施方式
21.需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
22.下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
23.一种dcdc上用于防止mosfet管过压击穿的有源钳位电路，包括由主电路mos管触发信号控制的有源钳位电路和主电路mos管并联电路。其特征在于，在dcdc电路中的mos管并联电路，用于限制mos管关断时刻的过电压；还包括控制mos管并联电路的有源钳位电路。
24.所述电路为电容和二极管的串联电路，通过有源电路，利用mos管的触发脉冲控制受控点的电位；当主电路mos管的触发脉冲从高电平变为低电平时，mos1管关断，使npn三极管导通，则pnp型mos管的栅源极电压为0而关断，使“pwm_钳位”点悬空，所以主电路mos管的两端只并联一个电容；当主电路mos管的触发脉冲由低电平变为高电平时，mos1管导通，使pnp三极管导通，电容c2放电，则pnp型mos管的栅极电压为负而开通，使主电路mos管的两端并联一个电容变为并联了rc吸收回路，能够使主电路mos管正常开通。
25.在使用过程中，本方案包括有源电源、钳位电路以及mos管并联电路。
26.通过微机控制使主电路mos管并联电路切换。
27.所述钳位电路中当主电路mos管的触发脉冲从高电平变为低电平时，mos1管关断，使npn三极管导通，则pnp型mos管的栅源极电压为0而关断，使“pwm_钳位”点悬空，所以主电路mos管的两端只并联一个电容。
28.当主电路mos管的触发脉冲由低电平变为高电平时，mos1管导通，使pnp三极管导通，电容c2放电，则pnp型mos管的栅极电压为负而开通，使主电路mos管的两端并联一个电容变为并联了rc吸收回路，能够使主电路mos管正常开通。
29.如图1所示，当pwm波为低电平时，mos1管关断，所以npn型三极管处于放大区域，因此电路中的电流总流向为电源-npn三极管-r5-c2-二极管－gnd。这个过程中有源电源给c2开始充电且mos2管子栅源端由于并联二极管的作用使电压为0，所以mos 2管不导通，因此pwm钳位点呈现出来的使悬空状态。再看图2，因为pwm钳位点电位悬空，所以并联电路为电容c3和二极管串联，在关断瞬间能够起到稳压的作用。
30.当pwm波为高电平时，mos 1开通，所以pnp型三极管处于放大状态，npn型三极管处于截止状态，这时充完电的电容c2开始通过pnp型三极管、r5和r4构成回路开始放电。由于mos2管并联的二极管承受反压，因此二极管截止，则r4的两端的电位差使mos2管子的栅源两端电压为负，所以能够触发pnp型mos2管子的导通，所以pwm钳位点串联电阻接地。再看图2，并联电容组成了rc吸收回路。
31.电路设计的目的就是通过微机生成的pwm触发信号来选择主电路mos管的并联电路，当mos管从开通变为关断时，并联电路为电容，通过电容的稳压作用，减小主电路mos管两端的尖峰电压。当主电路mos管从关断变为开通时，由于管子两端电容电压需要释放，所以通过钳位电路时其并联电路变为rc吸收回路，使主电路mos管能够导通。
32.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。
33.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。