抑制高压瞬态电流的位线电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种抑制高压瞬态电流的位线电路。
【背景技术】
[0002]传统的FLASH (闪存)位线电路如图1所示，包括M1、M2、M3、M4、M5、M6和电荷泵。其中，Ml为nshort管(即普通nMOS管)，M2为pshort管(即普通pMOS管)，Ml和M2组成逻辑电路，M3、M4、M5、M6这四管组成NVM flash标准操作单元，电荷泵用于产生NVM flash的写操作必需的正高压VPOS和负高压VNEG、VNEG_HALF。
[0003]电流产生机理为:Charge pump (电荷泵)正常工作时输出两个电位:VNEG和VNEG-HALF。在高压启动初期，由M3、M4、M5、M6组成的位线电路中，在Pe (Charge pump电荷泵启动的使能信号)至高的一段时间内(图2的A区域)，由于负载的不同，VNEG-HALF值小于VNEG，此时，图1中的Ml和M2关闭，位线电路中间节点wl处于悬空状态，电位将高于VNEGJiALF和VNEG，M3和M4导通；由于电荷泵产生的VPOS为正高压，M5和M6导通；位线电路中间节点BLO的电位高于VNEG。至此，大电流由BLO经由M6、M4、M3、M5通路形成，瞬态大电流由BLO流向M5的源端,而M5源端所接电位为Charge pump的输出端VNEG,由此导致功耗大幅增加，更为严重的是在新型shrink3平台上，瞬态大电流会导致FLASH的Chargepump输出的VNEG电位被钳位而至产生高压失败,导致Charge pump功能失效。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题是提供一种抑制高压瞬态电流的位线电路，它可以有效抑制FLASH位线电路在高压启动初期的瞬态电流。
[0005]为解决上述技术问题，本发明的抑制高压瞬态电流的位线电路，包括有M1、M2、M3、M4、M5、M6和电荷泵，其中，Ml为普通nMOS管，M2为普通pMOS管，Ml与M2组成一逻辑电路；M3、M4、M5、M6组成NVM flash标准操作单元；此外，该位线电路还包括有一个开关控制管，连接在M5和电荷泵之间，用于在高压启动初期关断从位线电路中间节点BLO至电荷泵负高压VNEG的大电流通路。
[0006]所述开关控制管可以是一个NHV高压NMOS管。
[0007]本发明的抑制高压瞬态电流的位线电路，通过在原有电路基础上增加一个开关控制管，在高压启动初期关断从BLO至VNEG的大电流通路，使FLASH位线电路高压瞬态电流得到有效抑制，从而使FLASH位线电路能成功应用于EF130新型shrink3平台上，避免了FLASH的Charge pump电位被钳位而至功能失效。
【附图说明】
[0008]图1是传统FLASH的位线电路图。
[0009]图2是传统位线电路各电压时序图。
[0010]图3是本发明的抑制高压瞬态电流的位线电路图。
[0011]图4是本发明的抑制高压瞬态电流的位线电路各电压时序图。其中，虚线表示电路优化前位线电路中间节点wl的电流。
【具体实施方式】
[0012]为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合附图，详述如下:
[0013]为了抑制大电流，本发明的抑制高压瞬态电流的位线电路，在原有电路基础上增加了一个M7作为开关控制管。如图3所示，该M7为一个NHV高压NMOS管，连接在M5与电荷泵之间，用于控制M5源端电压的关闭和开启。
[0014]如图4所示，在电荷泵高压启动初期，即处于A时序区域内时，M6、M4、M3、M5导通(此时VNEG-HALF〈VNEG)，M7关闭，使从位线电路中间节点BLO至电荷泵负高压VNEG的电流通路在A时序区域内被关断，高压瞬态大电流被抑制；当处于A时序区域外时，将M7导通，此时VNEG_CS=VNEG，瞬态大电流被有效抑制达90%。
[0015]这样，通过控制M5源端电压的开闭，使M5源端在A时序区域外时才打开，就有效地抑制了电荷泵启动初期瞬态大电流的产生。
【主权项】
1.抑制高压瞬态电流的位线电路，包括有Ml、M2、M3、M4、M5、M6和电荷泵，其中，Ml为普通nMOS管，M2为普通pMOS管，Ml与M2组成一逻辑电路；M3、M4、M5、M6组成NVMflash标准操作单元；其特征在于，还包括有一个开关控制管，连接在M5和电荷泵之间，用于在高压启动初期关断从位线电路中间节点BLO至电荷泵负高压VNEG的大电流通路。
2.根据权利要求1所述的位线电路，其特征在于，所述开关控制管为NHV高压NMOS管。
【专利摘要】本发明公开了一种抑制高压瞬态电流的位线电路，该位线电路除原有的M1、M2、M3、M4、M5、M6和电荷泵外，还在M5和电荷泵之间增加了一个开关控制管，用于在高压启动初期关断从位线电路中间节点BL0至电荷泵负高压VNEG的大电流通路。本发明通过在原有电路基础上增加一个开关控制管，在高压启动初期关断大电流通路，使FLASH位线电路高压瞬态电流得到了有效抑制，从而使FLASH位线电路能成功应用于EF130新型shrink3平台上，避免了FLASH的Charge？pump电位被钳位而至功能失效。
【IPC分类】H02H9-02
【公开号】CN104578015
【申请号】CN201310485706
【发明人】刘芳芳, 沈文超, 姚翔
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2013年10月17日