一种手机的浪涌保护电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种手机的浪涌保护电路。
【背景技术】
[0002]手机充电功能与手机的使用安全息息相关，电网电压波动以及用户的异常操作可能引起充电器输出浪涌电压，如果充电过程中浪涌电压冲击手机，将造成安全隐患。
[0003]普通手机充电器的自调整能力有限，一般只能调整30KHz (Kilo hertz，千赫兹)到60KHz频率的电压波动，而在实际使用过程中，某些地区的电网会发生电压波动，或者用户先将充电器接到手机上，再将充电器插入插座充电等情况。
[0004]上述情况，都可能引起高于60KHz电压波动，使手机充电器失去自调能力而输出浪涌电压，比如充电器插入插座的瞬间，会输出一个持续20ns (Nano seconds，纳秒)左右，峰峰值(Vpp)为30V的浪涌电压。浪涌电压进入手机，将对手机造成冲击，很可能致使手机损坏或者导致其它不良后果。
[0005]请参阅图1，其为常规手机的充电电路，其包括充电端口 101、电容C0、M0S管MO、二极管D0、电阻RO和PMU (Power Management，电源管理单元)单元102。充电端口 101的输出端与PMU单元102的第一输入端连接，所述电容CO的一端连接PMU单元102的第一输入端，另一端接地。MOS管MO的源极连接PMU单元102的第一输入端，栅极连接PMU单元102的输出端，漏极通过二极管DO与电阻RO连接，电阻RO则与电池连接。并且二极管RO的阴极与PMU单元的第二输入端连接，电池BO的正极与PMU单元102的第二输入端连接。
[0006]上述手机的充电电路中，没有针对浪涌电压的保护电路，一旦发生浪涌，手机电源输入、各控制端口以及电池本身都将受到冲击。市场上虽然有OVP(over voltageprotect1n,过压保护)器件，但其反应时间为5us左右，不能对浪涌起到有效保护，而且成本较高。
[0007]因而现有手机的浪涌保护技术还有待改进和提高。
【发明内容】
[0008]鉴于上述现有技术的不足之处，本发明的目的在于提供一种手一种手机的浪涌保护电路，能在手机充电时能消除充电时产生的浪涌电压，起到浪涌保护作用。
[0009]为了达到上述目的，本发明采取了以下技术方案:
[0010]一种手机的浪涌保护电路，与手机的充电端口、PMU单元和电池连接，所述浪涌保护电路包括三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容和第二电容；
[0011]所述第一电阻的一端连接充电端口，第一电阻的另一端连接PMU单元的CHARGERDETECT端、三极管的发射极和第二电容的一端、也通过第一电容接地；所述第二电容的另一端连接三极管的基极、还通过第二电阻连接PMU单元的PMU CONTROL端，三极管的集电极连接二极管的正极，二极管的负极连接PMU单元的ISENSE端、还通过第三电阻连接电池的正极和PMU单元的VBAT端，电池的负极接地。
[0012]所述的手机的浪涌保护电路中，所述第一电阻的阻值为330Ω，第一电容的容值为IuF0
[0013]所述的手机的浪涌保护电路中，所述三极管为PNP三极管。
[0014]所述的手机的浪涌保护电路中，所述第二电阻的阻值为10ΚΩ。
[0015]所述的手机的浪涌保护电路中，所述第三电阻的阻值为0Ω。
[0016]本发明提供的一种手机的浪涌保护电路，在手机充电时，充电电流从充电端口依次流过第一电阻、三极管、二极管、第一电阻再到电池。这样手机充电时通过上述两级保护电路的保护，有效保护了手机的各个端口和电池。
【附图说明】
[0017]图1为现有技术手机的充电电路图。
[0018]图2为本发明手机充电浪涌保护电路示意图。
【具体实施方式】
[0019]本发明提供一种一种手机的浪涌保护电路，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0020]手机一包括充电端口 110、PMU单元120、电池BI，请参阅图2，本发明的一种手机的浪涌保护电路包括:三极管Ql、第一电阻Rl、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容Cl和第二电容C2。其中，所述PMU单元120包括用于检测充电器是否插入的CHARGER DETECT端，用于对充电开关进行控制的PMU CONTROL端、用于检测充电电流的ISENSE端和用于检测电池输入电压的VBAT端。
[0021]所述第一电阻Rl的一端连接充电端口 110，第一电阻Rl的另一端连接PMU单元120的CHARGER DETECT端、三极管Ql的发射极和第二电容C2的一端、也通过第一电容Cl接地；所述第二电容C2的另一端连接三极管Ql的基极、还通过第二电阻R2连接PMU单元的PMU CONTROL端，三极管Ql的集电极连接二极管Dl的正极，二极管Dl的负极连接PMU单元的ISENSE端、还通过第三电阻R3连接电池BI的正极和PMU单元的VBAT端，电池BI的负极接地。
[0022]本实施例中，所述第一电阻的阻值为330 Ω，第一电容的容值为luF，所述第一电阻和第一电容构成低通滤波电路，该低通滤波电路为手机的第一级保护电路，主要用于衰减手机充电时产生的浪涌电压，从而大幅减少进入手机的浪涌能量。
[0023]具体实施时，所述三极管Ql为PNP三极管，所述第二电阻R2的阻值为10ΚΩ，所述第三电阻R3的阻值为O Ω。其中，三极管Q1、第二电阻R2、第三电阻R3、二极管D1、第二电容C2构成开头控制电路，当加在所述三极管Ql上的电压仍然存在浪涌能量时，关断手机的充电通路，以达到保护后端电路的目的。
[0024]在手机充电时，该第二电容C2主要用于将浪涌电压从三极管Ql的集电极耦合到基极，使三极管基极的电压升高，强制三极管Ql截止，以达到保护后端电路的目的。本实施例中，所述第二电阻R 2主要用于提供三极管Ql的基极的耦合电位，也起到保护PMU单元120端口的作用。
[0025]在手机充电时，充电电流从充电端口 110依次流过第一电阻R1、三极管Q1、二极管Dl、第一电阻R2再到电池BI。这样手机充电时通过上述两级保护电路的保护，有效保护了手机的各个端口和电池。
[0026]本发明只在现有手机常规的充电电路上增加了两个电阻和一个电容，并将MOS管选用电流控制特征的三极管替代，构成了一个两级充电保护电路，在电路上比较容易实现，而且其成本也比较低。
[0027]可以理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种手机的浪涌保护电路，与手机的充电端口、PMU单元和电池连接，其特征在于，所述浪涌保护电路包括三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容和第二电容； 所述第一电阻的一端连接充电端口，第一电阻的另一端连接PMU单元的CHARGERDETECT端、三极管的发射极和第二电容的一端、也通过第一电容接地；所述第二电容的另一端连接三极管的基极、还通过第二电阻连接PMU单元的PMU CONTROL端，三极管的集电极连接二极管的正极，二极管的负极连接PMU单元的ISENSE端、还通过第三电阻连接电池的正极和PMU单元的VBAT端，电池的负极接地。
2.根据权利要求1所述的手机的浪涌保护电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值为330 Ω，第一电容的容值为luF。
3.根据权利要求1所述的手机的浪涌保护电路，其特征在于，所述三极管为PNP三极管。
4.根据权利要求1所述的手机的浪涌保护电路，其特征在于，所述第二电阻的阻值为1K Ω 0
5.根据权利要求1所述的手机的浪涌保护电路，其特征在于，所述第三电阻的阻值为0Ω。
【专利摘要】本发明公开了一种手机的浪涌保护电路，与手机的充电端口、PMU单元和电池连接，所述浪涌保护电路包括三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容和第二电容，在手机充电时，充电电流从充电端口依次流过第一电阻、三极管、二极管、第一电阻再到电池。这样手机充电时通过上述两级保护电路的保护，有效保护了手机的各个端口和电池。
【IPC分类】H02J7-00
【公开号】CN104701946
【申请号】CN201510133362
【发明人】黎凯华
【申请人】黎凯华
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2015年3月25日