射极相连接。
[0046]如上所述，便可以很好的实现本发明。
【主权项】
1.一种基于损耗抑制的双闭环控制直流调速系统，由变压器T，整流滤波电路，与整流滤波电路输出端相连接的双闭环控制电路，与双闭环控制电路相连接的微调电路，与变压器T副边相连接的线性驱动电路，与线性驱动电路相连接的稳压电路，与稳压电路输出端相连接的运算放大电路，以及与运算放大电路输出端相连接的输出电路组成；其特征在于:在双闭环控制电路与输出电路之间还设置有损耗抑制电路；所述双闭环控制电路和微调电路均与变压器T的原边相连接；所述的损耗抑制电路由抑制芯片U3，三极管VT7，三极管VT8，三极管VT9，正极顺次经电阻R31、电阻R34后与三极管VT8的发射极相连接、负极经电阻R30后与双闭环控制电路相连接的极性电容C14，N极经电阻R23后与抑制芯片U3的SW管脚相连接、P极顺次经电阻R33、二极管D9、电阻R24、极性电容C16后与抑制芯片U3的SENSEl管脚相连接的二极管D8，正极经可熔电阻R32后与三极管VT7的基极相连接、负极经电阻R35后与三极管VT8的极相连接的极性电容C15，正极与二极管D8的N极相连接、负极与抑制芯片U3的IN管脚相连接的极性电容C17，P极与抑制芯片U3的COMP管脚相连接、N极经可变电阻R27后与三极管VT9的基极相连接的二极管D10，负极经电阻R25后与抑制芯片U3的PWM管脚相连接、正极经电阻R26后与三极管VT9的发射极相连接的极性电容C17，P极经极性电容C13后与三极管VT9的集电极相连接、N极顺次经电阻R29、二极管Dll后与抑制芯片U3的VDD管脚相连接的二极管D13，以及P极经电阻R28后与三极管VT8的集电极相连接、N极与输出电路相连接的二极管D12组成；所述三极管VT7的发射极与极性电容C16的正极相连接、其集电极则与二极管DlO的P极相连接，三极管VT8的集电极接地；所述抑制芯片U3的SENSE2管脚与二极管D9与电阻R24的连接点相连接、其GND管脚接地、其PWM管脚还同时与二极管D13的N极和二极管D12的P极相连接； 所述的线性驱动电路由驱动芯片U2，三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，正极与变压器T副边电感线圈L3的同名端相连接、负极经电阻R16后与驱动芯片U2的INl管脚相连接的极性电容C10，一端与三极管VT6的集电极相连接、另一端经电阻R18后与三极管VT3的基极相连接的电阻R17，正极与三极管VT6的基极相连接、负极与驱动芯片U2的INl管脚相连接的极性电容C12，正极与驱动芯片U2的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C11，一端与三极管VT6的发射极相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接的电阻R20，一端与三极管VT5的基极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R19，N极与三极管VT6的集电极相连接、P极与三极管VT5的集电极相连接的二极管D6，正相端与三极管VT6的集电极相连接、反相端与三极管VT4集电极相连接的非门K，一端与三极管VT4发射极相连接、另一端经电阻R21后与三极管VT3的发射极相连接的电阻R22，P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R21和电阻R22的连接点相连接的二极管D7组成；所述驱动芯片U2的VCC管脚与三极管VT6的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管VT5的集电极相连接，三极管VT5的集电极还与三极管VT4的基极相连接、其发射极与三极管家VT3的基极相连接，三极管VT3的集电极接地，二极管D7的N极与稳压电路相连接。2.根据权利要求1所述的一种基于损耗抑制的双闭环控制直流调速系统，其特征在于:所述的整流滤波电路包括熔断器FUl，熔断器FU2，二极管桥式整流器U，电容CO ;熔断器FUl和熔断器FU2分别与二极管桥式整流器U的两个输入端相连接，电容CO的一端同时与二极管桥式整流器U的一个输出端以及双闭环控制电路相连接、另一端接地；所述的二极管桥式整流器U的另一输出端接地。3.根据权利要求2所述的一种基于损耗抑制的双闭环控制直流调速系统，其特征在于:所述的双闭环控制电路由控制芯片Ul，场效应管MOS，一端与电容CO相连接、另一端经电位器R5后与控制芯片Ul的VCC管脚相连接的电阻R4，N极与电阻R4和电位器R5的连接点相连接、P极与变压器T原边电感线圈L2的同名端相连接的二极管D1，一端与二极管Dl的N极相连接、另一端接地的电容Cl，一端与二极管Dl的N极相连接、另一端经电阻R2后接地的电阻R1，一端与控制芯片Ul的COMP管脚相连接、另一端与电阻Rl和电阻R2的连接点相连接的电容C2，一端与控制芯片Ul的VREF管脚相连接、另一端接地的电容C3，一端与控制芯片Ul的VREF管脚相连接、另一端经电容C4后与电容C3相并联电阻R3，一端与控制芯片Ul的GD管脚相连接、另一端与场效应管MOS的栅极相连接的电阻R7，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端接地的电阻R8，一端与控制芯片Ul的IS管脚相连接、另一端经电阻RlO后接地的电阻R9，以及一端与控制芯片Ul的IS管脚相连接、另一端接地的电容C5组成；所述场效应管MOS的漏极分别与变压器T原边电感线圈LI的非同名端和电感线圈L2的同名端相连接，其源极则与电阻R9和电阻RlO的连接点相连接；控制芯片Ul的VFB管脚与电阻Rl和电阻R2的连接点相连接，其RC管脚与电阻R3和电容C4的连接点相连接，其GND管脚接地；所述变压器T原边电感线圈L2的非同名端接地；所述场效应管MOS的源极还经电阻R31后与电容C14的负极相连接；所述控制芯片Ul为NE556集成芯片。4.根据权利要求3所述的一种基于损耗抑制的双闭环控制直流调速系统，其特征在于:所述的微调电路由二极管D2，电容C6，电阻R6组成；二极管D2的N极经电容C6和电阻R6后回到其P极；所述二极管D2的P极同时与电容CO和电阻R4的连接点以及变压器T原边电感线圈LI的同名端相连接，其N极则与变压器T原边电感线圈LI的同名端相连接；电阻R6和电容C6的连接点与变压器T原边电感线圈LI的非同名端相连接。5.根据权利要求4所述的一种基于损耗抑制的双闭环控制直流调速系统，其特征在于:所述的稳压电路由稳压二极管D4，电阻R11，电容C7，二极管D3组成；稳压二极管D4的N极经电阻Rll和电容C7后回到其P极；二极管D3的N极与电阻Rll和电容C7的连接点相连接，其P极则与变压器T副边电感线圈L3的非同名端相连接；稳压二极管D4的N极还与输出电路相连接，其P极则同时与输出电路以及二极管D7的N极相连接。6.根据权利要求5所述的一种基于损耗抑制的双闭环控制直流调速系统，其特征在于:所述的运算放大电路包括运算放大器P1，运算放大器P2，电阻R13，电阻R12，二极管D5，电容C8，电容C9 ;运算放大器Pl的负极顺次经电阻Rl3和二极管D5以及电容C8后接地，其正极与稳压二极管D4的P极相连接，输出极则与运算放大器P2的正极相连接；所述运算放大器P2的负极与其输出极相连接；电阻R12串接在运算放大器Pl的正极和输出极之间；电容C9的一端与运算放大器P2的输出端相连接，其另一端则同时与稳压二极管D4的P极和输出电路相连接。7.根据权利要求6所述的一种基于损耗抑制的双闭环控制直流调速系统，其特征在于:所述的输出电路由三极管VT1，三极管VT2，以及一端与三极管VT2的集电极相连接、另一端则经电阻R14后与稳压二极管D4的N极相连接的电阻R15组成；所述三极管VT2的基极与稳压二极管D4的N极相连接，发射极接地；三极管VTl的基极同时与稳压二极管D4的P极和二极管D12的N极相连接，其集电极与三极管VT2的基极相连接，其发射极则与三极管VT2的发射极相连接。8.根据权利要求1?7任一项所述的一种基于损耗抑制的双闭环控制直流调速系统，其特征在于:所述的驱动芯片U2为LM387集成芯片；所述抑制芯片U3为SD42560集成芯片。
【专利摘要】本发明公开了一种基于损耗抑制的双闭环控制直流调速系统，由变压器T，整流滤波电路，与整流滤波电路输出端相连接的双闭环控制电路，与双闭环控制电路相连的微调电路，与变压器T副边相连的线性驱动电路，与线性驱动电路相连的稳压电路，与稳压电路输出端相连接的运算放大电路，以及与运算放大电路输出端相连的输出电路组成；其特征在于：在双闭环控制电路与输出电路之间还设置有损耗抑制电路；所述双闭环控制电路和微调电路均与变压器T的原边相连；所述的损耗抑制电路由抑制芯片U3，三极管VT7，三极管VT8，三极管VT9等组成。本发明采用损耗抑制电路，该电路降低其做功时的损耗，从而提高了调速系统的速度和准确性。
【IPC分类】H02P7/292
【公开号】CN104993754
【申请号】CN201510324055
【发明人】雷明方
【申请人】成都颉盛科技有限公司
【公开日】2015年10月21日
【申请日】2015年6月14日
【公告号】CN104467569A