一种直流高压输出稳压和恒流电源的控制系统的制作方法_3

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,继而达到对电晕放电的衍生物即臭氧产生量的有效抑制。
[0030]当高压输出与负载额定匹配时,其输出电压、电流、功率是相对稳定的。但当集尘组件负载意外脱离高压电源后,如不加限制,空载后的高压电源输出电压会陡然升高至一一额定工作电压值的1.414倍,将达到1.5万伏之高!该级别的高压足已击穿20毫米的空气介质,破坏安全绝缘,会对人身、设备、财产安全构成极大的威胁。本发明设计的高压空载稳压功能,能有效地限制空载高压的上升,如本发明的控制电路设定的高压稳定值为-10KV(稳定精度±5% ),额定负载时的工作电压为-9KV。正常工作时稳压系统不动作,额定负载输出电压值优先,负载任何时刻开路时高压稳定电路动作,输出电压钳位限定,可有效防范灾害事故的发生和臭氧的超剂量产生。其原理是;经高压变压器TR1隔离耦合的高频方波交变电压,通过多级倍压整流滤波后,变换成平滑的直流高压,施加在“电离集尘组件”负载上,形成高压电场,产生吸附尘埃的电场力。该高压输出稳压控制电路包含有高压电压检测、电阻分压取样、倒相放大、幅度比较、控制脉冲输出等功能模块。电阻R13、R15与输出高压分压取样,C取样点的电位表达式为:UC = UAXR13/R15+R13,且电压取样点C处的电位极性较参考地B点为负极性,须经倒相放大器IC2倒相放大后,送入脉宽调制集成芯片IC1的第10脚,该第10脚为“闭锁控制端”,当进入该脚电压达到0.7V时芯片将进行逐脉冲操作,在小范围内调整输出高压趋于稳定。意外情况下,高压负载异常或开路,高压输出会瞬间升高,达到最大峰值,超万伏以上,此时高压取样、倒相放大电路输出电压同步升高,当第10脚电位高至1.7V时,脉宽调制集成芯片IC1内PWM锁存器关闭脉冲输出,此时高压输出端的储能电容端电压逐渐下降,倒相放大器IC2的输出电压亦正比下降,当脉宽调制集成芯片IC1第10脚电位低于0.7V以下时,输出脉冲恢复,输出高压又上升,再达到上述阀值时脉冲输出又会关闭,如此周而复始,令输出高压稳定在设定值上,实现了高压输出开路稳压限幅之目的。
[0031]本发明结构设计简单、合理,能有效地限制空载高压的上升,可实现对输出电流、电压予以高精密度控制,可有效防范灾害事故的发生和臭氧的超剂量产生,适于推广与应用。
【主权项】
1.一种直流高压输出稳压和恒流电源的控制系统,其特征在于:所述控制系统的控制电路主要由脉宽调制集成芯片IC1、电容Cl?C16、电阻Rl?R18、场效应晶体管VTl?VT3、变压器TR1、稳压二极管DZl?DZ3、二极管D2?D7、倒相放大器IC2连接组成;所述电阻R3?R6、电阻Rll?R12、电容C4?C5、二极管D2、稳压二极管DZ3组成了高压输出恒流控制电路;所述电阻R13、电阻R15?R18、电容C15、倒相放大器IC2组成了高压输出稳压控制电路。2.如权利要求书I所述的直流高压输出稳压和恒流电源的控制系统,其特征在于:所述电容Cl、C2均一端接地,另一端连接+9?26V电源;所述电容C3 —端接地,另一端连接所述脉宽调制集成芯片ICl的第13脚;所述电容C4连接于所述脉宽调制集成芯片ICl的第I脚和第12脚之间;所述电容C5 —端连接所述脉宽调制集成芯片ICl的第16脚,另一端接地;所述电容C6 —端接地,另一端连接所述脉宽调制集成芯片ICl的第5脚; 所述电阻Rl —端连接所述脉宽调制集成芯片ICl的第9脚,另一端连接所述脉宽调制集成芯片ICl的第I脚;所述电阻R2 —端连接+9?26V电源,另一端连接所述脉宽调制集成芯片ICl的第13脚;所述电阻R3 —端接地,另一端连接所述脉宽调制集成芯片ICl的第I脚;所述电阻R4连接于脉宽调制集成芯片ICl的第16脚和第2脚之间;所述电阻R5 —端接地,另一端连接于所述脉宽调制集成芯片ICl的第2脚;所述电阻R6 —端连接所述脉宽调制集成芯片ICl的第I脚,另一端连接所述二极管D2的阴极端;所述电阻R7 —端连接所述脉宽调制集成芯片ICl的第5脚,另一端连接所述脉宽调制集成芯片ICl的第7脚;所述电阻R8 —端接地,另一端连接所述脉宽调制集成芯片ICl的第6脚;所述电阻R9 —端连接所述脉宽调制集成芯片ICl的第14脚,另一端连接所述场效应晶体管VT2的栅极;所述电容C7并联于所述电阻R9两端;所述电阻RlO —端连接所述脉宽调制集成芯片ICl的第11脚,另一端连接所述场效应晶体管VT3的栅极;所述电容CS并联于所述电阻RlO两端;所述电容C9的正极端连接所述场效应晶体管VTl的栅极,所述电容C9的负极端接地;所述场效应晶体管VTl的源极接地,漏极连接所述脉宽调制集成芯片ICl的第8脚;所述电容C16正极端连接所述脉宽调制集成芯片ICl的第8脚,负极端接地;所述场效应晶体管VT2和VT3的漏极分别连接于所述变压器TRl的原边线圈两端,所述场效应晶体管VT2和VT3的源极彼此相连并一起接地;所述变压器TRl的抽头一端连接+9?26V电源,所述变压器TRl的抽头另一端连接所述电容ClO的正极端;所述电容ClO的负极端接地; 所述稳压二极管DZl的阳极端接地,阴极端连接所述场效应晶体管VTl的栅极;所述稳压二极管DZ2的阳极端连接所述场效应晶体管VTl的栅极,阴极端连接所述二极管D3的阴极端;所述稳压二极管DZ3的阳极端接地,阴极端连接所述变压器TRl的副边线圈正极端;所述二极管D3的阳极端连接所述二极管D2的阳极端;所述电阻Rll —端连接于所述二极管D2、D3的阳极端,另一端连接所述变压器TRl的副边线圈正极端;所述电阻R12 —端接地,另一端连接所述变压器TRl的副边线圈正极端;所述电阻R13 —端连接所述变压器TRl的副边线圈正极端,另一端连接所述电阻R15并通过所述电阻R15连接至电离集尘组件的负极端;所述电阻R16 —端连接所述电容C15并通过所述电容C15接地,另一端连接所述电阻R13与电阻R15之间的连接点; 所述倒相放大器IC2的同相输入端通过所述电阻R17接地,反相输入端连接至所述电阻R16与电容C15之间的连接点,输出端连接于所述脉宽调制集成芯片ICl的第10脚;所述电阻R18连接于所述倒相放大器IC2的反相输入端与输出端之间;所述二极管D4的阴极端连接于所述变压器TRl的副边线圈正极端,阳极端连接于所述二极管D5的阴极端;所述二极管D5的阳极端连接于所述二极管D6的阴极端;所述二极管D6的阳极端连接于所述二极管D7的阴极端;所述二极管D7的阳极端连接电离集尘组件的负极端;所述电容Cll 一端连接于所述变压器TRl的副边线圈负极端,另一端连接于所述二极管D4和D5之间的连接点;所述电容C12 —端连接所述二极管D4和D5之间的连接点,另一端连接于所述二极管D6和D7之间的连接点;所述电容C13 —端连接于所述变压器TRl的副边线圈正极端,另一端连接所述二极管D5和D6之间的连接点;所述电容C14 一端连接所述二极管D5和D6之间的连接点,另一端连接电离集尘组件的负极端。3.如权利要求2所述的直流高压输出稳压和恒流电源的控制系统,其特征在于:所述电容Cl、C3、C9、C1、C16为极性电容。4.如权利要求2所述的直流高压输出稳压和恒流电源的控制系统,其特征在于:所述脉宽调制集成芯片ICl的第I脚为误差电压反向输入端,所述脉宽调制集成芯片ICl的第2脚为与接基准电压源的同相输入端,所述脉宽调制集成芯片ICl的第5、6、7脚共同构成锯齿波产生电路和死区控制电路,所述脉宽调制集成芯片ICl的第8脚为软启动控制端,所述脉宽调制集成芯片ICl的第9脚为集成电路内误差放大器的输出端,所述脉宽调制集成芯片ICl的第10脚为电流限制关闭端,所述脉宽调制集成芯片ICl的第13脚为内部图腾柱驱动管供电端,所述脉宽调制集成芯片ICl的11、14脚为双通道图腾柱式输出驱动端,所述脉宽调制集成芯片ICl的16脚为基准电压输出端。5.如权利要求2所述的直流高压输出稳压和恒流电源的控制系统,其特征在于:所述二极管D2的阳极端与所述电阻Rll之间还引出有端子FG ;所述端子FG为高压电流取样检测输出端。
【专利摘要】本发明涉及一种直流高压输出稳压和恒流电源的控制系统,其应用于“电晕或电离式空气放电型”空气净化和清新类机具产品。本发明的控制电路由脉宽调制集成芯片IC1、电容C1~C16、电阻R1~R18、场效应晶体管VT1~VT3、变压器TR1、稳压二极管DZ1~DZ3、二极管D2~D7、倒相放大器IC2连接组成;所述电阻R3~R6、电阻R11~R12、电容C4~C5、二极管D2、稳压二极管DZ3组成了高压输出恒流控制电路;电阻R13、电阻R15~R18、电容C15、倒相放大器IC2组成了高压输出稳压控制电路。本发明能有效地限制空载高压的上升,可实现对输出电流、电压予以高精密度控制,可有效防范灾害事故的发生和臭氧的超剂量产生,适于产品升级换代推广与应用。
【IPC分类】H02M3/335
【公开号】CN105245111
【申请号】CN201510783232
【发明人】肖培荣, 于文莹
【申请人】营口营成电子设备有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年11月13日
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