一整流电路150与所述第一电磁器件120相连，用于对所述第一电磁器件120输出的电信号进行整流，所述第二整流电路160与所述第二电磁器件140相连，用于对所述第二电磁器件140输出的电信号进行整流。其中，所述第一整流电路150和第二整流电路160可以为桥式整流电路。
[0069]其中，参见图3、图4和图5，本申请上述实施例公开的所述第一IGBT逆变模块110和所述第二 IGBT逆变模块130可以均为Η桥逆变电路或半桥逆变电路。
[0070]参见图3，当所述第一IGBT逆变模块110和所述第二IGBT逆变模块130均为Η桥逆变电路时，所述第一电磁器件120和所述第二电磁器件140均为变压器。每个所述Η桥逆变电路的结构包括:
[0071]并联的第一开关管支路和第二开关管支路，所述第一开关管支路和第二开关管支路的两个公共端分别作为所述第一 IGBT逆变模块110和所述第二 IGBT逆变模块130的正输入端和负输入端可与电网相连；
[0072]所述第一开关管支路和第二开关管支路均包括:
[0073]第一开关管Κ1;
[0074]第一端与所述第一开关管Κ1的第二端相连的第二开关管Κ2;
[0075]与所述第一开关管Κ1反向并联的第一二极管D1，所述第一二极管D1的阳极与所述第一开关管Κ1的第二端相连；
[0076]与所述第二开关管Κ2反向并联的第二二极管D2，所述第二二极管D2的阳极与所述第二开关管Κ2的第二端相连；
[0077]所述第一开关管支路中所述第一开关管Κ1和第二开关管Κ2的公共端作为所述第一IGBT逆变模块110和所述第二IGBT逆变模块130的正输出端，所述第二开关管支路中所述第一开关管Κ1和第二开关管Κ2的公共端分别作为所述第一 IGBT逆变模块110和所述第二IGBT逆变模块130的负输出端。具体的，所述第一开关管Κ1和第二开关管Κ2的类型可以根据用户需求自行选择，例如其可以为三极管、IGBT和M0S管，参见图3，图3中的所述第一开关管Κ1和第二开关管Κ2均为IGBT和PM0S管时，其中所述第一开关管Κ1和第二开关管Κ2的第一端指的是所述PM0S管的漏极和IGBT的集电极，第二端指的是所述PM0S管的源极和IGBT的源极的发射极。
[0078]作为所述第一电磁器件120的变压器的初级线圈的两端分别与所述第一IGBT逆变模块110的正输出端和负输出端对应相连，作为所述第一电磁器件120的变压器的次级线圈与所述第一整流电路150的输入端相连;作为所述第二电磁器件140的变压器的初级线圈的两端分别与所述第二 IGBT逆变模块130的正输出端和负输出端对应相连，作为所述第二电磁器件140的变压器的次级线圈与所述第二整流电路160的输入端相连。
[0079]在连接所述第一IGBT逆变模块和第二 IGBT逆变模块相对应的变压器时，用户可以依据需要自行连接，例如，参见图3，所述变压器的初级线圈的同名端与其对应的IGBT逆变模块的正输出端相连、异名端与其对应的IGBT逆变模块的负输出端相连，所述变压器的次级线圈与其对应的整流电路的输入端相连，当其对应的整流电路为桥式整流电路时，所述变压器的次级线圈的同名端与该桥式整流电路的正输入端相连，所述次级线圈的异名端与该桥式整流电路的负输入端相连。
[0080]参见图4和图5，当所述第一IGBT逆变模块110和所述第二IGBT逆变模块130均为半桥逆变电路时，所述第一电磁器件120和所述第二电磁器件140可以为变压器或电抗器。每个所述半桥电路包括:
[0081]串联的第三开关管K3和第四开关管K4;所述第三开关管K3的第二端与第四开关管K4的第一端相连，且所述第三开关管K3的第一端与第四开关管K4的第二端分别作为所述第一 IGBT逆变模块110和所述第二 IGBT逆变模块130的正输入端和负输入端；
[0082]第三开关管K3两端反向并联第三二极管D3，所述第三二极管D3的阳极与所述第三开关管K3的第二端相连；
[0083]第四开关管K4两端反向并联第四二极管D4，所述第四二极管D4的阳极与所述第四开关管K4的第二端相连；
[0084]所述第四开关管K4的第一端分别作为所述第一IGBT逆变模块110和所述第二 IGBT逆变模块130的正输出端;所述第四开关管K4的第二端分别作为所述第一 IGBT逆变模块110和所述第二 IGBT逆变模块130的负输出端；
[0085]作为所述第一电磁器件120的变压器的初级线圈的两端分别与所述第一IGBT逆变模块110的正输出端和负输出端对应相连，该变压器的次级线圈与所述第一整流电路150的输入端相连；作为所述第二电磁器件的变压器的初级线圈的两端分别与所述第二IGBT逆变模块130的正输出端和负输出端一一对应相连，所述该变压器的次级线圈与所述第二整流电路160的输入端相连。
[0086]其中，所述第三开关管K3和第四开关管K4的类型可以根据用户需求自行选取，例如，其可以为三极管、IGBT和M0S管，参见图4和5时，当所述第三开关管K3和第四开关管K4为IGBT或M0S管时，第一端指的是所述M0S管的漏极和IGBT的集电极，第二端指的是所述M0S管的源极和IGBT的发射极，S卩，所述第三开关管K3的源极或发射极与所述第三二极管D3的阳极相连、漏极或集电极与所述第三二极管D3的阴极相连;所述第四开关管K4的源极或发射极与所述第四二极管D4的阳极相连、漏极或集电极与所述第四二极管D4的阴极相连。
[0087]参见图4，当所述第一IGBT逆变模块110和所述第二IGBT逆变模块130均为半桥逆变电路时，所述第一电磁器件120和所述第二电磁器件140均为变压器时，所述变压器的初级线圈的一端与其对应的IGBT逆变模块的正输出端相连、另一端与其对应的IGBT逆变模块的负输出端相连，所述变压器的次级线圈与其对应的整流电路的输入端相连。具体的，参见图4，所述变压器的初级线圈的同名端与其对应的IGBT逆变模块的正输出端相连、异名端与其对应的IGBT逆变模块的负输出端相连，所述变压器的次级线圈与其对应的整流电路的输入端相连，当所述第一整流电路150和第二整流电路160为桥式整流电路时，所述变压器的次级线圈的同名端与其对应的桥式整流电路的正输入端相连，所述次级线圈的异名端与其对应的桥式整流电路的负输入端相连。
[0088]参见图5，当所述第一IGBT逆变模块110和所述第二IGBT逆变模块130均为半桥逆变电路时，所述第一电磁器件120和所述第二电磁器件140均为电抗器时，作为所述第一电磁器件120的电抗器的第一端与所述第一IGBT逆变模块110的正输出端相连、第二端与所述逆变模块200的输入端相连，作为所述第二电磁器件120的电抗器的第一端与所述第二 IGBT逆变模块130的正输出端相连、第二端与所述逆变模块200的输入端相连，其中，所述逆变模块200可以包括正输入端和负输入端，此时，作为所述第一电磁器件120和第二电磁器件140的电抗器的第二端与所述逆变模块200的正输入端相连，所述逆变模块200的负输入端与第一 IGBT逆变模块110和第二 IGBT逆变模块130的负输出端相连。
[0089]当然，为了隔离所述IGBT模块向与其对应的变压器输出的直流信号，参见图3和4，上述降压隔离模块中还可以包括:
[0090]设置于所述第一 IGBT逆变模块110和作为所述第一电磁器件120的变压器之间的隔直电容C0;
[0091]设置于所述第二IGBT逆变模块130和作为所述第二电磁器件140的变压器之间的隔直电容C0;
[0092]具体的，所述隔直电容C0设置于IGBT逆变模块的正输出端与与其对应的变压器的初级线圈的同名端之间。
[0093 ]可以理解的是，为了保证所述第一 IGBT模块和第二 IGBT逆变模块的输入电流的稳定性，参见图3、4和5，本申请上述实施例公开的技术方案中，所述降压隔离模块10