用于运行有源整流器的方法、电路装置和计算机程序的制作方法
【专利摘要】提出用于运行具有多个能够操控的半导体开关元件（AH?EH、AL?EL）的有源整流器（4）的方法，其中为了操控所述半导体开关元件（AH?EH、AL?EL）在第一操控模式（M1）和第二操控模式（M2）之间转变并且相反地转变，其中所述半导体开关元件（AH?EH、AL?EL）在所述第一操控模式（M1）中以第一切换时间被操控并且在所述第二操控模式（M2）中以第二切换时间被操控，其中所述第二切换时间比所述第一切换时间长，所述方法具有随后的步骤a）至c）和/或d）至f）：a）检测所述整流器的电气输出参量的输出参量值，b）将所述输出参量值与比较值比较，c）当所述输出参量值比所述比较值大时，从所述第一操控模式（M1）转变到所述第二操控模式（M2）中，d）检测所述半导体开关元件（AH?EH、AL?EL）之一的电气运行参量的运行参量值，e）将所述运行参量值与比较值比较，f）当所述运行参量值比所述比较值大时，从所述第二操控模式（M2）转变到所述第一操控模式（M1）中。相应的电路装置（2）和计算机程序同样是本发明的主题。
【专利说明】
用于运行有源整流器的方法、电路装置和计算机程序
技术领域
[0001]本发明涉及用于运行有源整流器的方法、电路装置和计算机程序。
【背景技术】
[0002 ]在常规的机动车中通过14V发电机给14V车载电网供应电能。发电机一般是由机动车的内燃机所驱动并且产生交流电的三相或多相电机，所述交流电由整流器来整流。
[0003]因为发电机的励磁绕组具有非常高的电感，所以在突然的也被称为“Load -Dump(抛负载)”的负载下降的情况下首先继续将未降低的电流输出到车载电网中并且产生高的电压。根据存在于车载电网中的电容，电压值在几毫秒之内已经升高超出车载电网的最大电压极限。发电机电流随着励磁场的时间常数而衰减，由此得出几百ms的最大抛负载时间。
[0004]整流器可以由齐纳二极管构成，所述齐纳二极管在正常运行中作为电流阀(Stromventi I)起作用并且引起整流，然而在特殊情况下抛负载也可以限制出现的过电压，其方式是，发电机电流通过齐纳击穿被导向地，而不是被输出到车载电网中。这被称为无源整流并且这种类型的电压限制被称为箝位。
[0005]在有源整流的情况下每个二极管被一个功率MOSFET代替，所述功率MOSFET具有与其在漏极和源极之间的沟道反并联的固有的体二极管，所述体二极管在不操控MOSFET的栅极的情况下与二极管整流器相同地运转。通过借助于栅极驱动器的合适的、快速的电压加速(Spannungsf orci erung )，可以正好总是在相电流应当流经MOSFET、即MOSFET的固有的二极管通过其沟道被短路时接通M0SFET。以这种方式与无源整流器相比在源极-漏极沟道处出现显著减小的导通电压并且与此相应地在低转速的情况下提高发电机的效率以及输出功率。快速地操控MOSFET是必需的，以便实际上在过零时切换，以便不产生被整流的输出电压的附加的纹波。为此不仅需要快速地分析相电压而且需要足够高的栅极驱动电流，即尽可能低欧姆地操控栅极。
[0006]在抛负载的情况下，分析电路检测有源整流器的正极处的过电压并且使所连接的相相对参考电位(地)或相对有源整流器的正极电气地短路。在多相系统中，要么针对每个相自给自足地要么通过同步线路控制相短路，在所有另外的相处造成相短路，使得发电机不再将电流输出给车载电网。
[0007]在去激活/激活相短路期间MOSFET栅极处的电压梯度太陡的情况下，由于发电机电流的与之关联的大的梯度与车载电网中的电容和具有有源整流的发电机之间的连接线路的电缆电感相关联地出现数值上高的电压峰值。这些电压峰值可能损害发电机的控制。因此，用于去激活/激活相短路的切换过程有利地缓慢地、即以长的切换时间来实施。
[0008]而在正常的整流器运行中、特别是在具有高转速和高发电机电流的运行情况中切换过程必须快速地、即以较短的切换时间来实施。
[0009]切换在此表示状态“导通”和“不导通”之间的过渡。“长的切换时间”或者“缓慢的切换”在这里所叙述的上下文中意味着状态“导通”和“不导通”之间的缓慢的过渡;而“短的切换时间”或者“快速的切换”意味着快速的过渡。
[0010]缓慢的切换可以在相短路期间通过高欧姆地操控MOSFET栅极来达到，快速的切换可以在有源整流期间通过低欧姆地操控MOSFET栅极来达到。
[0011]为了满足这两个要求:在相短路期间去激活/激活时高欧姆的操控以及在有源整流器运行期间低欧姆的操控，在两个驱动机制之间转换。在正常运行中低欧姆地提供电压，而在相短路运行中将精确地被调整的电流源与输出端连接。
[0012]决定性的是执行高欧姆运行和低欧姆运行之间的转变。如果在错误的时间点转变，则可能发生不期望的快速切换并且因此发生电压峰值，所述电压峰值可能导致损坏控制器的电气组件。
[0013]因此存在对用于确定用于转变操控的时间点的方法的需求。
【发明内容】
[0014]在此背景下，本发明提出具有独立专利权利要求的特征的用于运行有源整流器的方法、电路装置以及计算机程序。
[0015]本发明的优点
本发明的一个主要的方面在于:在用于运行具有多个能够操控的半导体开关元件的有源整流器的方法中，其中为了操控半导体开关元件在第一操控模式和第二操控模式之间转变并且相反地转变，下列步骤a)至c)和/或d)至f)被执行:
a)检测整流器的电气输出参量的输出参量值，
b)将输出参量值与比较值比较，
c)当所述输出参量值比所述比较值大时，从所述第一操控模式转变到所述第二操控模式中，
d)检测半导体开关元件之一的电气运行参量的运行参量值，
e)将所述运行参量值与比较值比较，
f)当所述运行参量值比所述比较值大时，从所述第二操控模式转变到所述第一操控模式中，
其中半导体开关元件在第一操控模式中以第一切换时间被操控并且在第二操控模式中以第二切换时间被操控，其中所述第二切换时间比所述第一切换时间长。由此达到:防止在错误的时间点的转变。因此避免电压峰值，所述电压峰值否则由于太短的切换时间可能导致损坏电气组件、例如电路装置的控制器。
[0016]根据另一实施方式，运行电压被用作电气运行参量。由此达到:使用简单的要检测的以及要进一步处理的测量参量。
[0017]根据另一实施方式，具有各一个体二极管的MOSFET被用作半导体开关元件，其中半导体开关元件之一的漏极-源极电压被用作运行电压。由此达到:可靠的以及价格便宜的构件可以被用于构造电路装置。此外达到:在转变到第一操控模式中时不产生超出确定的极限的电压峰值或电压扰动，因为由于体二极管的通电在漏极-源极沟道导通的情况与漏极-源极沟道不导通的情况之间仅存在漏极-源极电压的小的差异。
[0018]根据另一实施方式，运行电压的值位于O伏特和在体二极管上降落的电压之间。由此达到:使用体二极管的天然的电压限制，使得电路装置在没有附加的另外的构件的情况下具有特别简单的构造。
[0019]根据另一实施方式，在整流器处检测输出侧的卸载，并且根据输出侧的卸载从第一操控模式转变到第二操控模式中。由此达到:防止在错误的时间点的转变，在错误的时间点的转变将损害电路装置的功能能力。
[0020]根据一种实施方式，为了检测卸载，检测整流器的电气输出参量的值，将所述值与阈值相比较，并且当所述值比阈值大时，从第一操控模式转变到第二操控模式中。由此达到:以特别简单的方式来可靠地检测卸载。
[0021]根据另一实施方式，电气输出参量被滤波以便确定值。由此达到:干扰信号从测量结果中被消除，使得操控模式的由于与测量结果叠加的干扰信号的转变被避免。
[0022]根据另一实施方式，输出电压被用作输出参量。由此达到:使用可简单地检测的以及要进一步处理的测量参量。
[0023]另一方面涉及具有有源整流器的电路装置，所述有源整流器具有多个能够操控的半导体开关元件，其中半导体开关元件能够在第一操控模式中以及在第二操控模式中运行，其中半导体开关元件在第一操控模式中以第一切换时间被操控并且在第二操控模式中以第二切换时间被操控，其中所述第二切换时间比所述第一切换时间长，并且其中所述电路装置具有控制器，所述控制器被构造用于实施如之前所说明了的以及随后进一步解释的方法的所有步骤。
[0024]所述方法以计算机程序的形式的实现也是有利的，因为这尤其在实施的处理装置还被用于另外的任务并且因此总归存在时造成特别低的成本。用于提供计算机程序的合适的数据载体尤其是磁盘、硬盘、闪存、EEPR0MXD-R0M、DVD以及其它等等。通过计算机网络(互联网、内联网等)来下载程序也是可能的。本发明尤其涉及具有相应的、存储在其上的计算机程序的机器可读存储介质。在此，计算机程序可以具有如下组成部分，所述组成部分被构造用于运行根据所述方法的电路装置。
[0025]本发明的另外的优点和设计方案从说明书和所附的附图中得出。
[0026]可以理解，前面所提到的以及随后还要解释的特征能够不仅以分别所说明的组合而且以其它组合或单独地在不离开本发明的范围的情况下被使用。
【附图说明】
[0027]借助实施例在附图中示意性地示出了本发明并且下面参照附图来详细地描述本发明。
[0028]图1以示意性子图示出具有有源整流器、发电机和控制装置的车载电网，
图2详细地示出图1的一部分，
图3以示意图示出电压变化过程，
图4以示意图示出方法流程，
图5详细地示出在一个方法步骤期间图2的一部分，
图6详细地示出在另一方法步骤期间图2的一部分，
图7详细地示出在另一方法步骤期间图2的一部分，以及图8详细地示出在另一方法步骤期间图2的一部分。
【具体实施方式】
[0029]在图1中示意性地示出了车载电网12、诸如机动车的车载电网的一部分。所述部分包括具有有源整流器4的电路装置2，所述电路装置与发电机10导电连接。
[0030]有源整流器4在图1中所示出的实施例中被构造为十脉冲桥式整流器，所述十脉冲桥式整流器被构造用于交流电的整流，所述交流电在当前实施例中由被构造为五相的发电机10提供。然而，以相同方式例如也可以采用三相、四相、六相或七相发电机以及相应地与此适配的六脉冲、八脉冲、十二脉冲或十四脉冲桥式整流器。
[0031]有源整流器4在当前实施例中具有5个半桥A至E。
[0032]半桥A至E分别具有两个半导体开关元件AH至EH和AL至EL。在当前实施例中，半导体开关元件AH至和AL至EL具有各一个MOSFET。五个半桥A至E中的每个在当前实施例中分别具有各一个高侧MOSFET和低侧M0SFET。所述高侧MOSFET和低侧MOSFET分别被内连到各个半桥A至E的上支路H(高侧)和下支路L(低侧)中。此外，每个半桥A至E分别具有各一个中间抽头M。每个中间抽头M与五个发电机相或者相应的相连接端子U至Y中的各一个导电连接。
[0033]半桥A至E以其末端分别与直流电压连接端子B+和地连接端子26、例如电池组极和/或车载电网12的相应的供电线路连接。
[0034]相连接端子U至Y可以按照有源半导体开关元件AH至EH和AL至EL的相应的布线分别与直流电压连接端子B+或地连接端子26低欧姆地电连接。如果两个或更多相连接端子U至Y分别与相同的直流电压连接端子B+或地连接端子26连接，则这等于通过相应的直流电压连接端子B+或者地连接端子26使这些相连接端子U至Y短路。
[0035]半导体开关元件AH至EH和AL至EL的布线通过其相应的栅极连接端子G由控制器6来进行。为此可以将控制器6与栅极连接端子G通过操控线路(未示出)导电连接。在当前实施例中，控制器6共同地被设置用于所有的半桥A至E。替代于此，半桥A至E中的每个也可以具有单独的控制器。如果情况是后者，则功能可以任意地被分布在单独的控制器和共同的控制器6之间。
[0036]发电机10的正常运行包括操控半导体开关元件AH至和AL至EL，使得在相连接端子U至Y处施加的电流信号交替地如原则上已知的那样向直流电压连接端子B+和地连接端子26导通。
[0037]可以在图1中所示出的装置中例如根据在直流电压连接端子B+处施加的电压来探测卸载和在车载电网12中所需要的电流的由此所引起的突然的减小。控制装置6为此通过电气线路8与直流电压连接端子B+连接。如果有源整流器4的电气运行参量、例如直流电压连接端子B+处的电压的值超出阈值，则存在卸载。
[0038]在检测到卸载时有源整流器4的操控可以包括以在时间上受限制的方式利用直流电压连接端子B+或者地连接端子26使相连接端子U至Y短路。随后，被馈入到车载电网12中的电流下降到零，通过线路8所检测的电压降低。相应的短路可以通过同时操控以及因此接通一些或所有半导体开关元件一方面AH至或另一方面AL至EL、即整流器支路H或L的一些或所有半导体开关元件来建立。如果有源整流器4的电气运行参量、例如直流电压连接端子B+处的电压的值未超出另一阈值，则相短路又被解除。如果这种短路被解除，则被馈入到车载电网12中的电流的值升高，并且通过线路8所检测的电压值同样上升。
[0039]在图2中示出了在图1中所示出的电路装置2的用于相U至Y之一的整流的一部分。相应地，在图1中所示出的电路装置2针对相U至Y中的每个相具有在图2中所示出的部分。图2涉及当前实施例，在所述实施例中进行相对于地连接端子26的相短路。在此情况下，仅第二子控制器16能够在第一操控模式Ml和第二操控模式M2之间转换，然而控制器6的第一子控制器14不能在第一操控模式Ml和第二操控模式M2之间转换。
[0040]图2示出:在当前实施例中除了第一子控制器14之外第二子控制器16被分配给控制器6。在此，根据当前实施例，第一子控制器14被构造用于操控上支路(高侧)中的半导体开关元件AH至EH，而第二子控制器16被构造用于操控下支路L(低侧)中的半导体开关元件AL 至 EL。
[0041]根据当前实施例，第一子控制器14为了操控上支路(高侧)中的半导体开关元件AH至而在输出侧与栅极连接端子G导电连接。
[0042]根据当前实施例，第二子控制器16具有驱动器18、用于高欧姆的第二操控模式M2(HiZ模式)的能够转换的阻抗20、电流源22和例如被构造为齐纳二极管的箝位元件24。在这种情况下，低欧姆的驱动器18与半导体开关元件AL至EL的源极连接端子导电连接。能够转换的阻抗20与驱动器18导电串联。电流源22和箝位元件24与由驱动器18和能够转换的阻抗20组成的串联电路导电并联。第二子控制器16为了操控下支路(低侧)中的半导体开关元件AL至EL在输出侧与栅极连接端子G导电连接。箝位元件24用于将在所分配的半导体开关元件AL至EL的栅极G处的电压限制在对于半导体开关元件AL至EL来说不关键的值内。
[0043]根据当前实施例，第一子控制器14在半导体开关元件AH至EH的栅极连接端子G和分别所分配的相的中间抽头M之间仅具有与第二子控制器16中的驱动器18类似的具有低内阻的驱动器(未示出)以及与第二子控制器16中的箝位元件24类似的箝位元件(未示出)。
[0044]现在借助图3至9描述电路装置2的工作方式和用于运行整流器4的方法流程。
[0045]在图3中示出了有源整流器4的直流电压连接端子B+处的电压Ua和相U至Y之一的具有梯形变化过程的交流电压U，所述交流电压被整流器4整流。此外示范性地说明了相同相的基本上正弦形的发电机电流Iph的正和负半波的序列。
[0046]借助图3可以识别:在时间段t0至t500中电路装置2的所观察的相利用有源整流器4在第一操控模式Ml中被运行，而在时间段t500至t700中电路装置2的所观察的相利用有源整流器4在第二操控模式M2中被运行。在t700之后的时间段中电路装置2的所观察的相利用有源整流器4又在第一操控模式Ml中被运行，直至又存在到操控模式M2的条件。其它相相对于所观察的相具有相移，然而在考虑其相位以及关于用于在操控模式Ml和M2之间过渡的标准的情况下与所观察的相类似地表现。这明确地意味着:所述相理想地在相同的时间点t500从操控模式Ml转变到操控模式M2中。用于进入以及离开相短路的标准的识别、评估和实现理想地也在相同的时间点t500和t3进行。然而，从操控模式M2转变回操控模式Ml中如随后所描述的那样依赖于相位并且因此相对于所观察的相时间偏移地进行。
[0047]在第一操控模式Ml中半导体开关元件AH至EH和AL至EL以第一切换时间被操控并且在第二操控模式M2中半导体开关元件AL至EL以第二切换时间被操控，其中第二切换时间比第一切换时间长。根据当前实施例，第一操控模式Ml中的运行在有源整流器运行期间进行，而第二操控模式M2中的运行在相短路期间进行直至进入用于返回到第一操控模式Ml中的条件。
[0048]如果随后又转向相A至E中的下面示范性地以X表示的一个相(开关元件相应地以XH和XL表示，中间抽头以MX表示并且电压以UX表示)，则根据本发明的表现如下: 在开始时在时间点to(见图3)在第一步骤100(见图4)中上支路中的半导体开关元件XH和下支路中的半导体开关元件XL理想地处于如下状态中，在所述状态中漏极-源极路径D-S的漏极-源极沟道不导电(见图5)。
[0049]在时间点t0和tl之间(见图3)交流电压UX的负半波施加在中间抽头MX处。在第二步骤200(见图4)中下支路中的半导体开关元件XL由第二子控制器16操控，使得漏极-源极路径D-S的漏极-源极沟道导电，而上支路中的半导体开关元件XH由第一子控制器14操控，使得漏极-源极路径D-S的漏极-源极沟道不导电(见图7)。根据在中间抽头M处施加的电压UX的极性，电流流经下支路中的半导体开关元件XL。因此存在有源整流器运行。
[0050]在时间点11(见图3 )在另一步骤300 (见图4)中上支路中的半导体开关元件XH和下支路中的半导体开关元件XL理想地处于如下状态中，在所述状态中漏极-源极路径D-S的漏极-源极沟道不导电(见图5)。
[0051 ]从时间点11起(见图3)，交流电压UX的正半波施加在中间抽头MX处。在另一步骤400(见图4)中，上支路中的半导体开关元件XH由第一子控制器14操控，使得漏极-源极路径D-S导电，而下支路中的半导体开关元件XL由第二子控制器16操控，使得漏极-源极路径D-S的漏极-源极沟道不导电(见图6)。根据在中间抽头MX处施加的电压UX的极性，电流流经上支路中的半导体开关元件XH。因此存在有源整流器运行。
[0052]在时间点t2出现负载下降(见图3)，因此如开头所描述的那样有源整流器的连接端子B+处的电压升高。为了检测负载下降，整流器4的电气输出参量的值被检测。将该值与阈值相比较，并且在步骤500(见图4)中当所述值比阈值大时从第一操控模式Ml转变到第二操控模式M2中。在此，检测和比较被理解为:不断地检测值并且连续地将所述值与参考值相比较。在此根据当前实施例规定:电气输出参量被滤波以便确定值，其中干扰参量被滤出。电气输出参量在当前实施例中是施加在直流电压连接端子B+处的输出电压UA。当施加在直流电压连接端子B+处的输出电压Ua的值比阈值大时，从第一操控模式Ml转变到第二操控模式M2中。
[0053]从第一操控模式Ml到第二操控模式M2中的转变根据一个实施例在两个子步骤中进行。在第一子步骤中，上支路中的所有半导体开关元件AH至由第一子控制器14操控，使得漏极-源极路径D-S的漏极-源极沟道不导电。此外，使能够转换的阻抗20从低欧姆状态到高欧姆状态中。然后，在第二子步骤中，下支路中的半导体开关元件AL至EL由第二子控制器16借助于电流源22缓慢地操控，使得漏极-源极路径D-S的漏极-源极沟道缓慢地变为导电(终止状态，见图7 )。现在存在相短路。存在第二操控模式M2中的运行。
[0054]在时间点t3(见图3)，所述值未超出另一阈值。这触发步骤600(见图4)中的过程，在所述过程中在第一阶段中上支路中的半导体开关元件XH由第一子控制器14操控，使得只要US UA，漏极-源极路径D-S的漏极-源极沟道就保持不导电，而下支路中的半导体开关元件XL的漏极-源极路径D-S的漏极-源极沟道由第二子控制器16的电流源22操控，使得其变为不导电(见图8)。在这种情况下，根据一个实施例，下支路中的半导体开关元件XL根据第二操控模式M2、即以更长的第二切换时间被操控，以便减小或者完全避免由于电感而出现的电压峰值。随后，漏极-源极电压UX的值改变并且因此中间抽头M处的电压改变。如果漏极-源极电压U超过直流电压连接端子B+处的电压UA，则上支路中的半导体开关元件XH由第一子控制器14操控，使得漏极-源极路径D-S的漏极-源极沟道变为导电。电流在此情况下一直从所观察的相的中间抽头M经过半导体开关元件XH流向直流电压连接端子B+，直到电流改变其方向并且下支路中的半导体开关元件XL的体二极管28被通电。上支路中的半导体开关元件XL为此必要时由第一子控制器14相应地操控。
[0055]在一种替代的实施方式中，代替输出电压Ua的检测以及分析也可以进行高侧半导体开关元件AH至的漏极-源极电压的检测和分析，以便发起相短路的解除。
[0056]为了检测是否需要从第二操控模式M2到第一操控模式Ml的转变，半导体开关元件AL至EL的电气运行参量的值被检测，并且所述值与比较值相比较。当所述值比比较值大时，从第二操控模式M2被转变到第一操控模式Ml中。
[0057]在所描述的示例中(见图3)在时间点t700情况如此;在步骤700中实行转变。
[0058]根据当前实施例在此规定，电压Ud被用作电气运行参量。因此根据当前实施例规定，半导体开关元件AL至EL的漏极-源极电压被用作电压UD，所述漏极-源极电压在不导通的漏极-源极沟道的情况下是在体二极管28上降落的电压UD。在此，在电流从源极流向漏极的情况下涉及正电压。该电压的值比电压的在导通的漏极-源极沟道和从源极向漏极的电流流动的情况下出现的值大。
[0059]此外，电压的比较值根据当前实施例位于电压的最大值之上，所述最大值在导通的漏极-源极沟道和从源极向漏极的最大电流的情况下出现。在此同样涉及正电压。
[0060]因为在所选择的示例中存在电流的负半波并且UX<0V，所以下支路中的半导体开关元件XL由第二子控制器16如在操控模式Ml的步骤200中那样在t0和tl之间的时间段中被操控，使得漏极-源极路径D-S的漏极-源极沟道导电，而上支路中的半导体开关元件XH由第一子控制器14操控，使得漏极-源极路径D-S的漏极-源极沟道不导电。因此又达到在图6中所示出的状态。
[0061]另一实施方式与刚才所描述的实施方式的区别在于:上支路中的半导体开关元件AH至EH在t3和t700之间的时间段中不由第一子控制器14来操控，使得当U>UA时漏极-源极路径D-S的漏极-源极沟道变为导电。在此情况下，电流在相应的相位的情况下从所观察的相的中间抽头M经过半导体开关元件AH至EH的体二极管28流到直流电压连接端子B+。由第一子控制器14操控上支路中的半导体开关元件AH至EH使得漏极-源极路径D-S变为导电在返回到操控模式Ml中之后才又变为可能并且然后以针对有源整流所描述的方式被实行。
[0062]根据另一实施方式，进行相对有源整流器4的直流电压连接端子B+的相短路。在此情况下，仅第一子控制器14能够在操控模式Ml和M2之间转换;然而第二子控制器16不能在操控模式Ml和M2之间转换。
[0063]相应地，子控制器16在此情况下包括如下实施方式的子控制器14的组成部分和电路，在所述实施方式中相短路相对于地连接端子26被执行，并且反之亦然。而用于从操控模式Ml转变到操控模式M2中以及用于去激活/激活相连接端子的标准与子控制器14与半导体开关元件AH至以及子控制器16与半导体开关元件AL至EL的电接线一样保持不变。而用于从操控模式M2转变到操控模式Ml的标准被修改，使得将电压U与输出电压Ua相比较并且当电压U至少超过输出电压Ua—个比较值时进行过渡，所述比较值比电压的最大值大，所述最大值在导通的漏极-源极沟道和从源极向漏极的电流流动的情况下在半导体开关元件AH至Ε?中出现。
[0064]在一种替代的实施方式中，代替输出电压Ua的检测以及分析也可以进行低侧半导体开关元件AL至EL的漏极-源极电压的检测以及分析，以便在时间点t3发起相短路的解除。
【主权项】
1.用于运行具有多个能够操控的半导体开关元件(AH-EH、AL-EL)的有源整流器(4)的方法，其中为了操控所述半导体开关元件(AH-EH、AL-EL)在第一操控模式(Ml)和第二操控模式(M2)之间转变并且相反地转变，其中所述半导体开关元件(AH-EH、AL-EL)在所述第一操控模式(Ml)中以第一切换时间被操控并且在所述第二操控模式(M2)中以第二切换时间被操控，其中所述第二切换时间比所述第一切换时间长，所述方法具有随后的步骤a)至c)和/或d)至f): a)检测所述整流器(4)的电气输出参量的输出参量值， b)将所述输出参量值与阈值比较， c)当所述输出参量值比所述阈值大时，从所述第一操控模式(Ml)转变到所述第二操控模式(M2)中， d)检测所述半导体开关元件(AH-EH、AL-EL)之一的电气运行参量的运行参量值， e)将所述运行参量值与比较值比较， f)当所述运行参量值比所述比较值大时，从所述第二操控模式(M2)转变到所述第一操控模式(Ml)中。2.根据权利要求1所述的方法，其中电压(Ud)被用作电气运行参量。3.根据权利要求2所述的方法，其中具有各一个体二极管(28)的MOSFET被用作半导体开关元件(AH-EH、AL-EL)，其中所述半导体开关元件(AH-EH、AL-EL)之一的漏极-源极电压被用作电压(Ud)。4.根据权利要求2或3所述的方法，其中所述电压(Ud)的值位于O伏特和在所述体二极管(28)上降落的电压之间。5.根据前述权利要求1至4之一所述的方法，其中 -在所述整流器(4)处检测输出侧的卸载，并且 -根据输出侧的卸载从所述第一操控模式(Ml)转变到所述第二操控模式(M2)中。6.根据权利要求5所述的方法，其中为了检测所述卸载， -检测所述整流器(4)的电气输出参量的值， -将所述值与阈值相比较，并且 -当所述值比所述阈值大时，从所述第一操控模式(Ml)转变到所述第二操控模式(M2)中。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述电气输出参量被滤波，以便确定所述值。8.根据权利要求6或7所述的方法，其中输出电压(Ua)被用作电气输出参量。9.电路装置(2)，具有有源整流器(4)，所述有源整流器具有多个能够操控的半导体开关元件(AH-EH、AL-EL)，其中所述半导体开关元件(AH-EH、AL-EL)能够在第一操控模式(Ml)中以及在第二操控模式(M2)中运行，其中所述半导体开关元件(AH-EH、AL-EL)能够在所述第一操控模式(Ml)中以第一切换时间被操控并且在所述第二操控模式(M2)中以第二切换时间被操控，其中所述第二切换时间比所述第一切换时间长，其中所述电路装置(2)具有控制器(6)，所述控制器被构造用于实施根据权利要求1至8之一所述的方法的所有步骤。10.计算机程序，具有程序代码装置，当所述程序代码装置在计算单元上被实施时，所述程序代码装置促使计算单元、尤其根据权利要求9所述的电路装置(2)执行根据权利要求1至8之一所述的方法。11.机器可读存储介质，具有存储在其上的根据权利要求10所述的计算机程序。
【文档编号】H03K17/08GK105874693SQ201480072647
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2014年12月19日
【发明人】C.奧特, P.梅林格, W.菲勒
【申请人】罗伯特·博世有限公司