所示，本实用新型主要由驱动芯片M，与驱动芯片M相连接的驱动电路，与驱动芯片M相连接的同相交流信号放大电路，与同相交流信号放大电路相连接的自锁光激发电路，与该自锁光激发电路相连接的自举电路，串接在自锁光激发电路与驱动芯片M之间的功率驱动放大电路，以及串接在功率驱动放大电路与驱动芯片M之间的逻辑保护射极耦合式放大电路组成。
[0023]为确保使用效果，该驱动芯片M优先采用凌力尔特公司生产的高频率N沟道MOSFET栅极驱动芯片，即LTC4440A集成芯片来实现。该驱动芯片M的特点是能以高达80V的输入电压工作，且能在高达100V瞬态时可连续工作。
[0024]所述的功率驱动放大电路的结构如图2所示，即其主要由功率放大器P1，功率放大器P2，功率放大器P3，三极管Q2，三极管Q3，三极管Q4，串接在功率放大器Pl的输出端与负极输入端之间的一级RC滤波电路，串接在功率放大器P2的输出端与正极输入端之间的二级RC滤波电路，以及电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电容C10、电容C11、电容C12及二极管D2组成。
[0025]其中，所述的一级RC滤波电路由电阻R9和电容CS并联而成，即电阻R9和电容C8均串接在功率放大器Pl的负极输入端与输出端之间；所述的二级RC滤波电路则由电阻RlO和电容C9并联而成，即电阻RlO和电容C9均串接在功率放大器P2的正极输入端与输出端之间。同时，功率放大器Pl的负极输入端还与功率放大器P2的正极输入端相连接。
[0026]三极管Q2的基极与功率放大器Pl的输出端相连接，其集电极经电阻Rll后与功率放大器P3的正极输入端相连接，其发射极则与三极管Q3的基极相连接；三极管Q3的集电极经电阻R12后与功率放大器P3的负极输入端相连接，同时，该三极管Q3的集电极还外接+1V电压。
[0027]三极管Q4的基极经电阻R13后与功率放大器P2的输出端相连接，其集电极则经电阻R16后与三极管Q3的基极相连接。电容Cll则与电阻R13相并联，为确保效果，该电容Cll优先采用电解电容来实现。连接时，电容Cll的负极与三极管Q4的基极相连接，其正极则与功率放大器P2的输出端相连接。电容ClO的正极与功率放大器P3的负极输入端相连接，其负极则与三极管Q3的发射极相连接。同时，该电容ClO的负极和三极管Q3的发射极均接地。
[0028]电阻R14的一端与三极管Q4的基极相连接，其另一端外接-4V的电压；而电阻R15的一端与三极管Q4的发射极相连接，其另一端则同样外接-4V的电压。电容C12则与电阻R15相并联。同样，所述电容ClO和电容C12也均采用电解电容来实现。
[0029]所述二极管D2的N极与三极管Q2的集电极相连接，其P极在外接_4V的电压。为确保功率放大器Pl和功率放大器P2的正常运行，该电容CS和电容C9均优先采用贴片电容来实现。而电阻R9、电阻RlO的阻值均为10 ΚΩ，电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15和电阻R16的阻值均为20 ΚΩ。
[0030]所述同相交流信号放大电路由功率放大器P，电阻R7，电阻R6及极性电容C4组成。连接时，电阻R7的一端与驱动芯片M的VCC管脚相连接，其另一端与功率放大器P的正极输入端相连接；而电阻R6的一端与功率放大器P的负极输入端相连接，其另一端与自锁光激发电路相连接；极性电容C4的正极与功率放大器P的正极输入端相连接，其负极外接电源Vin。
[0031]所述功率放大器P的输出端与驱动芯片M的INP管脚相连接，为确保功率放大器P能正常工作，该外接电源Vin的电压值需要为6?12V。
[0032]自锁光激发电路由或非门IC1，或非门IC2，或非门IC3，光电池⑶S，电位器R5及电容C3组成。连接时，光电池⑶S的一端与功率放大器P的正极输入端相连接，其另一端经电位器R5后与功率放大器P2的负极输入端相连接。该光电池CDS —旦感应到外部的光照，则其边可以自激发产生电能，供驱动芯片M使用。
[0033]所述电容C3串接在或非门IC3的正极输入端与输出端之间，即电容C3的正极要与或非门IC3的正极输入端相连接，而其负极则与或非门IC3的输出端相连接。
[0034]同时，或非门ICl的正极输入端要与光电池⑶S与电位器R5的连接点相连接，其负极输入端与或非门IC2的输出端相连接，而其输出端则与或非门IC2的正极输入端相连接。所述或非门IC2的输出端则需要同时与或非门IC3的负极输入端和功率放大器Pl的正极输入端相连接，而或非门IC3的输出端则功率放大器P的输出端相连接。
[0035]电阻R6的另一端与或非门IC2的输出端相连接，即或非门IC2的输出端经电阻R6后与功率放大器P的负极输入端相连接。同时，该或非门IC2的负极输入端要与自举电路相连接。
[0036]所述自举电路由场效应管MOS、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4及极性电容Cl和极性电容C2组成。连接时，电阻R4的一端与场效应管MOS的源极相连接、另一端接地；极性电容Cl的负极与场效应管MOS的栅极相连接，其正极经电阻Rl后与场效应管MOS的漏极相连接；电阻R2与极性电容Cl相并联，而极性电容C2的正极与极性电容Cl的正极相连接，其负极与或非门IC2的负极输入端相连接。
[0037]电阻R3的一端与极性电容C2的正极相连接，其另一端接地。同时，该场效应管MOS的漏极需要与光电池CDS和电阻R7的连接点相连接，以确保光电池CDS能为场效应管MOS提供工作电压。
[0038]所述的驱动电路则由变压器T、二极管D1、电容C5、电阻R8、电容C6、电容C7及晶体管Ql组成。连接时，二极管Dl的P极与驱动芯片M的VCC管脚相连接，其N极则与驱动芯片M的BOOST管脚相连接。电容C5的正极与驱动芯片M的BOOST管脚相连接，其负极则与驱动芯片M的TG管脚相连接。为确保驱动芯片M的正常运行，其VCC端需要外接+12V的电压。
[0039]电阻R8为分压电阻，其串接于驱动芯片M的TG管脚与TS管脚之间。而晶体管Ql的基极则与驱动芯片M的TG管脚相连接，其集电极顺次经电容C6和电容C7后接地，其发射极接地。同时，该晶体管Ql的集电极还需要外接+6V的直流电压，以确保晶体管Ql拥有足够的偏置电压来驱动其自身导通。
[0040]所述变压器T用于将外部的+6V直流电压进行变压处理后输出给外部的场效应管。该变压器T的原边线圈的同名端与电容C6和电容C7的连接点相连接，其非同名端则与晶体管Ql的发射极相连接后接地。同时，晶体管Ql的发射极还与驱动芯片M的TS管脚相连接，所述变压器T的副边线圈上设有抽头Yl和抽头Y2。
[0041]变压器T的副边线圈的同名端、抽头Y1、抽头Y2和副边线圈的非同名端一起作为本实用新型的输出端。根据实际的情况，用户可以只选用这四个输出端的任意一个或几个端口使用即可。
[0042]所述的逻辑保护射极耦合式放大电路的结构如图3所示，其主要由三极管Q5，三极管Q6，功率放大器P4，功率放大器P5，串接在功率放大器P4的负极输入端与输出端之间的电阻R18，串接在功率放大器P5的正极输入端与输出端之间的极性电容C15，串接在功率放大器P4的正极输入端与三极管Q5的集电极之间的电阻Rl7，串接在三极管Q5的集电极与三极管Q6的基极之间的电阻R19，与电阻R19相并联的电容C14，负极与功率放大器P4的正极输入端相连接、正极经电阻R20后与三极管Q5的发射极相连接的极性电容C13，串接在三极管Q6的基极与极性电容C13的正极之间的电阻R21，正极与三极管Q6的发射极相连接、负极顺次经稳压二极管D3和电阻R22后与功率放大器P4的输出端相连接的电容C16，P极与功率放大器P5的输出端相连接、N极经电阻R24和电阻R23后与稳压二极管D3与