极管D3、二极管D4以及升压电路。其中，POMS管Q3实现PMOS管开关电路，其可以是型号为A03405的AOS系列场效应管。开关S1、三极管Q6和电阻RlO实现启动电路，电容C10、电容C7、二极管D3和二极管D4实现整流电路。其连接关系描述如下:开关SI的一端连接电源VBAT (可以是干电池)，开关SI的另一端串联电阻RlO后连接三极管Q6的基极，三极管Q6的发射极接地，三极管Q6的集电极连接至POMS管Q3的基极；电容ClO的一端接于单片机U2，电容ClO的另一端接于二极管D3的正极和二极管D4的负极，二极管D3的负极接于电源VBAT ;二极管D4的正极一路连接电容C7的一端，另一路连接至POMS管Q3 ;电容C7的另一端接地。POMS管Q3的D端连接至升压电路的输入端，升压电路的输出端接于单片机U2的电源端。
[0020]上述电路的实现原理是:开关SI给一个起始的启动电压让POMS管Q3微导通(这时导通电阻是很大的，因为POMS管Q3的VGS是很低的)，POMS管Q3微导通后通过升压电路升压给到U2 —个工作电压，U2产生一个PWM方波信号给到电容ClO通过二极管D3和二极管D4以及电容C7组成的整流电路让POMS管Q3的G极产线一个负压(低于地电压)，这样VGS远远大于其开启电压，POMS管Q3的导通电阻变得极小。这样POMS管Q3就可以作为电子开关正常的向后面供电。
[0021]本实施例中，1 口检测电路和PWM方波信号产生电路采用单片机U2实现，该U2芯片为一般的单片机，可以通过烧录程序让芯片具体所需要的功能，至少具备以下功能；:1、用一个1 口检测按键信号，以确定按键有按下和放开；2、产生一个方波信号用于产生负压。这样，通过单片机产生一个方波信号，通过相应的电路让MOS开关管的门极(G极)产生一个负压，来实现MOS开关管正常开启的功能。
[0022]另外，其中的升压电路用于给单片机提供相应的电压。单片机需要什么样的电压，该升压电路就升到具体值，其以具体的设计个案为准。这部分就是一个升压电路与具体所用的单片需要的电压有关，单片机要什么样的电压就升到什么电路，以具体的设计个案为准。本实施例给出一个可行的升压电路的实现方案，参见图4，该升压电路采用升压芯片Ul及其跟随电路实现，升压芯片Ul可以是市场上现有的升压芯片，例如型号为QX2303的PFM升压DC-DC变换器。
[0023]实践证明，本实用新型的控制开关可以在0.8V以上的干电池场合实现极低的导通电阻的电子开关功能；其电子开关静态功耗低，达到nA级别。
[0024]尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化，均为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种基于MOS开关管的控制开关，其特征在于:包括启动电路、PMOS管开关电路、PWM方波信号产生电路、1 口检测电路、整流电路，启动电路的输出端接于PMOS管开关电路的输入端，PMOS管开关电路的输出端接于1 口检测电路的输入端，1 口检测电路的输出端接于PWM方波信号产生电路的输入端；PWM方波信号产生电路的输出端接于整流电路的输入端，整流电路的输出端接于PMOS管开关电路的输入端； 启动电路的启动电压将PMOS管开关电路微导通；10 口检测电路检测到PMOS管开关电路的导通信号后，使PWM方波信号产生电路产生一个PWM方波信号，并通过整流电路产生一个负压，进而使PMOS管开关电路正常开启。
2.根据权利要求1所述的基于MOS开关管的控制开关，其特征在于:所述1口检测电路和PWM方波信号产生电路采用单片机或者微处理器来实现，该单片机或者微处理器实现:1、用一个1 口检测按键信号，以确定按键有按下和放开；2、产生一个方波信号用于产生负压。
3.根据权利要求2所述的基于MOS开关管的控制开关，其特征在于:该控制开关还包括升压电路，升压电路的输入端接于PMOS管开关电路的输出端，升压电路的输出端接于1口检测电路的输入端。
4.根据权利要求1或2或3所述的基于MOS开关管的控制开关，其特征在于:所述PMOS管开关电路由一 POMS管实现。
5.根据权利要求4所述的基于MOS开关管的控制开关，其特征在于:该POMS管是型号为A03405的AOS系列场效应管。
6.根据权利要求1或2或3所述的基于MOS开关管的控制开关，其特征在于:所述启动电路包括开关S1、三极管Q6和电阻R10，开关SI的一端连接电源VBAT，开关SI的另一端串联电阻RlO后连接三极管Q6的基极，三极管Q6的发射极接地，三极管Q6的集电极连接至PMOS管开关电路。
7.根据权利要求1或2或3所述的基于MOS开关管的控制开关，其特征在于:所述整流电路包括电容C10、电容C7、二极管D3和二极管D4，电容ClO的一端接于PWM方波信号产生电路的输出端，电容ClO的另一端接于二极管D3的正极和二极管D4的负极，二极管D3的负极接于电源VBAT ;二极管D4的正极一路连接电容C7的一端，另一路连接至PMOS管开关电路；电容C7的另一端接地。
【专利摘要】本实用新型公开一种基于MOS开关管的控制开关，其包括启动电路、PMOS管开关电路、PWM方波信号产生电路、IO口检测电路、整流电路，启动电路的输出端接于PMOS管开关电路的输入端，PMOS管开关电路的输出端接于IO口检测电路的输入端，IO口检测电路的输出端接于PWM方波信号产生电路的输入端；PWM方波信号产生电路的输出端接于整流电路的输入端，整流电路的输出端接于PMOS管开关电路的输入端；启动电路的启动电压将PMOS管开关电路微导通；IO口检测电路检测到PMOS管开关电路的导通信号后，使PWM方波信号产生电路产生一个PWM方波信号，并通过整流电路产生一个负压，进而使PMOS管开关电路正常开启。
【IPC分类】H02M1-36, H02M3-156
【公开号】CN204481684
【申请号】CN201520218543
【发明人】胡余君
【申请人】深圳市优洋科技有限公司
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2015年4月13日