负载欠流过流保护装置的制造方法

文档序号:8788514阅读:264来源:国知局
负载欠流过流保护装置的制造方法
【技术领域】
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[0001]本实用新型涉及电器技术领域,更具体地说涉及一种电器的欠流过流保护装置。【背景技术】:
[0002]很多电子设备都有个额定电流,不允许超过额定电流,不然会烧坏设备。所以有些设备就做了电流保护模块。当电流超过设定电流时候,设备自动断电,以保护设备。如主板USb 一般有USb过流保护,保护主板不被烧坏。电流保护主要包括欠流保护和过流保护两种类型。过流保护的特点是整定电流大、瞬时动作。故过流保护能起到保护设备,将故障设备脱离系统,确保系统运行的安全和稳定。某些电路电流过小,驱动不了负载,故电流的大小需要固定在一个合适的范围之内,否者都不能正常工作,故此电路由此而生。
[0003]现有电器设备的欠流过流保护装置结构各异,有些存在结构复杂,成本过高的问题,有些存在保护效果不够理想的问题。
【实用新型内容】:
[0004]本实用新型的目的就是针对现有技术之不足,而提供一种负载欠流过流保护装置,它结构相对比较简单,保护效果好,成本低;它同时对负载进行了欠流和过流保护。
[0005]本实用新型的技术解决措施如下:
[0006]负载欠流过流保护装置,第一电阻和第四电阻为第三芯片内部的两个比较器的输出端的上拉电阻,电路上电后,第三芯片内部的两个比较器输出端输出为低电平,此时第一芯片和第二芯片的G极为低电平,电压电流通过选择电阻给负载供电;
[0007]第三芯片内部有一个内部比较器标准参考电压为600Mv,经过选择电阻采样负载M端电流输入给第三芯片后,如果第三芯片的2脚输出端电压经过第二电阻和第五电阻分压后第三芯片的4脚输入电压值大于600mV,则此时第三芯片的11脚输出高电平,关断第二芯片,使负载断电;
[0008]第三芯片内部有另一个比较器标准参考电压600Mv,经过选择电阻采样负载端电流输入给第三芯片后,如果第三芯片的2脚输出电压经过电阻第三电阻和第六电阻分压后第三芯片的5脚输入端电压值小于600mV,则此时第三芯片的10脚输出高电平,关断第一芯片,同样使负载断电。
[0009]所述第一芯片和第二芯片均为SI9433DY型芯片,第三芯片为MAX4375型芯片。
[0010]本实用新型的有益效果在于:
[0011]它结构相对比较简单,保护效果好,成本低;它同时对负载进行了欠流和过流保护。
【附图说明】
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[0012]图1为本实用新型的电路图。【具体实施方式】:
[0013]实施例:见图1所示,负载欠流过流保护装置,第一电阻Rl和第四电阻R4为第三芯片内部的两个比较器的输出端的上拉电阻,电路上电后,第三芯片U3内部的两个比较器输出端输出为低电平,此时第一芯片Ul和第二芯片U2的G极为低电平,电压电流通过选择电阻RSENSE给负载M供电;
[0014]第三芯片U3内部有一个内部比较器标准参考电压为600Mv,经过选择电阻RSENSE采样负载M端电流输入给第三芯片U3后,如果第三芯片U3的2脚OUT输出端电压经过第二电阻R2和第五电阻R5分压后第三芯片U3的4脚CNl输入电压值大于600mV,则此时第三芯片U3的11脚COUTl输出高电平,关断第二芯片U2,使负载M断电;
[0015]第三芯片U3内部有另一个比较器标准参考电压600Mv,经过选择电阻RSENSE采样负载M端电流输入给第三芯片U3后,如果第三芯片U3的2脚OUT输出电压经过电阻第三电阻R3和第六电阻R6分压后第三芯片U3的5脚CN2输入端电压值小于600mV,则此时第三芯片U3的10脚C0UT2输出高电平,关断第一芯片U1,同样使负载M断电。
[0016]所述第一芯片Ul和第二芯片U2均为SI9433DY型芯片,第三芯片U3为MAX4375型芯片。
[0017]工作原理:第三芯片U3内部有一个内部比较器标准参考电压为600Mv,经过选择电阻RSENSE采样负载M端电流输入给第三芯片U3后,如果第三芯片U3的2脚OUT输出端电压经过第二电阻R2和第五电阻R5分压后第三芯片U3的4脚CNl输入电压值大于600mV,则此时第三芯片U3的11脚COUTl输出高电平,关断第二芯片U2,使负载M断电;这样就做到了过流保护。
[0018]第三芯片U3内部有另一个比较器标准参考电压600Mv,经过选择电阻RSENSE采样负载M端电流输入给第三芯片U3后,如果第三芯片U3的2脚OUT输出电压经过电阻第三电阻R3和第六电阻R6分压后第三芯片U3的5脚CN2输入端电压值小于600mV,则此时第三芯片U3的10脚C0UT2输出高电平,关断第一芯片U1,同样使负载M断电。这样就做到了欠流保护。
【主权项】
1.负载欠流过流保护装置,第一电阻(Rl)和第四电阻(R4)为第三芯片内部的两个比较器的输出端的上拉电阻,电路上电后,第三芯片(U3)内部的两个比较器输出端输出为低电平,此时第一芯片(Ul)和第二芯片(U2)的G极为低电平,电压电流通过选择电阻(RSENSE)给负载(M)供电; 第三芯片(U3)内部有一个内部比较器标准参考电压为600Mv,经过选择电阻(RSENSE)采样负载(M)端电流输入给第三芯片(U3)后,如果第三芯片(U3)的2脚(OUT)输出电压经过第二电阻(R2)和第五电阻(R5)分压后第三芯片(U3)的4脚(CNl)输入电压值大于600mV,则此时第三芯片(U3)的11脚(COUTl)输出高电平,关断第二芯片(U2),使负载(M)断电; 第三芯片(U3)内部有另一个比较器标准参考电压600Mv,经过选择电阻(RSENSE)采样负载(M)端电流输入给第三芯片(U3)后,如果第三芯片(U3)的2脚(OUT)输出电压经过电阻第三电阻(R3)和第六电阻(R6)分压后第三芯片(U3)的5脚(CN2)输入端电压值小于600mV,则此时第三芯片(U3)的10脚(C0UT2)输出高电平,关断第一芯片(Ul),同样使负载(M)断电;第一芯片(Ul)和第二芯片(U2)均为SI9433DY型芯片,第三芯片(U3)为MAX4375型芯片。
【专利摘要】负载欠流过流保护装置,经过选择电阻采样负载M端电流输入给第三芯片后,如果第三芯片的2脚输出端电压经过第二电阻和第五电阻分压后第三芯片的4脚输入电压值大于600mV,则此时第三芯片的11脚输出高电平,关断第二芯片,使负载断电;经过选择电阻采样负载端电流输入给第三芯片后,如果第三芯片的2脚输出电压经过电阻第三电阻和第六电阻分压后第三芯片的5脚输入端电压值小于600mV,则此时第三芯片的10脚输出高电平,关断第一芯片,同样使负载断电。它结构相对比较简单,保护效果好,成本低;它同时对负载进行了欠流和过流保护。
【IPC分类】H02H3-08, H02H3-24
【公开号】CN204497720
【申请号】CN201520139040
【发明人】吕绍林, 杨愉强, 王建福, 谈贤红
【申请人】苏州博众精工科技有限公司
【公开日】2015年7月22日
【申请日】2015年3月12日
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