一种磁耦合驱动电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于医疗器械技术领域。
【背景技术】
[0002]在医疗X光射线系统中，整机的干扰、地线的扰动、系统的电位差等一系列问题，对驱动高压MOSFET管可靠性有了更加严格的要求，高压MOSFET管关断的不彻底导致器件损坏事件屡屡发生。
【发明内容】
[0003]发明目的:本方案采用磁耦合驱动，为在复杂的医疗X光射线系统环境下驱动高压MOSFET管提供了一种新的思路。
[0004]本发明所采用的的技术方案:本电路由Ul光耦芯片、推挽电路、隔离变压器、保护电路、高压MOSFET管组成，其特征在于:驱动脉冲通过Ul光耦芯片隔离驱动Ql和Q2组成的推挽电路产生脉冲波形，脉冲波形经过Tl隔离变压器进行隔离驱动，经过保护电路VDl和VD2驱动高压MOSFET管Q3，实现驱动整个过程，从而实现全功能。
[0005]本方案的技术效果是:在复杂的医疗X光射线系统中能有效的提高驱动高压MOSFET管可靠性、安全性，能满足在复杂环境下对高压MOSFET管驱动要求。
【附图说明】
[0006]图1为一种磁耦合驱动电路的原理图。
【具体实施方式】
[0007]本电路由Ul光耦芯片(1)、推挽电路(2)、隔离变压器(3)、保护电路(4)、高压MOSFET管(5)组成，其特征在于:驱动脉冲通过Ul光耦芯片(I)隔离驱动Ql和Q2组成的推挽电路(2)产生脉冲波形，脉冲波形经过Tl隔离变压器(3)进行隔离驱动，经过保护电路(4) VDl和VD2驱动高压MOSFET管Q3 (5)，实现驱动整个过程，从而实现全功能。其优点是:由于采用了隔离变压器隔离高低压，具有无延时、抗干扰等性能，推挽电路更具有反向钳制作用，保证通断彻底，电路可靠。
【主权项】
1.一种磁耦合驱动电路，由Ul光耦芯片(1)、推挽电路(2)、隔离变压器(3)、保护电路(4)、高压MOSFET管(5)组成，其特征在于:驱动脉冲通过Ul光耦芯片(I)隔离驱动Ql和Q2组成的推挽电路(2)产生脉冲波形，脉冲波形经过Tl隔离变压器(3)进行隔离驱动，经过保护电路(4) VDl和VD2驱动高压MOSFET管Q3 (5)，实现驱动整个过程，从而实现全功會K。
【专利摘要】一种磁耦合驱动电路，属于医疗器械技术领域。该电路由U1光耦芯片（1）、推挽电路（2）、隔离变压器（3）、保护电路（4）、高压MOSFET管（5）组成，其特征在于：驱动脉冲通过U1光耦芯片（1）隔离驱动Q1和Q2组成的推挽电路（2）产生脉冲波形，脉冲波形经过T1隔离变压器（3）进行隔离驱动，经过保护电路（4）VD1和VD2驱动高压MOSFET管Q3（5），实现驱动整个过程，从而实现全功能。其优点是：由于采用了隔离变压器隔离高低压，具有无延时、抗干扰等性能，推挽电路更具有反向钳制作用，保证通断彻底，电路可靠。
【IPC分类】H02M1-092, H02M1-08
【公开号】CN204538952
【申请号】CN201520309917
【发明人】刘金虎, 陈振华
【申请人】南京普爱射线影像设备有限公司
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2015年5月14日