输入高压保护电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型提出了一种高压保护电路，尤其是涉及一种利用斩波原理实现异常过压保护的输入高压保护电路。
【背景技术】
[0002]电路在输入电压不稳定时，容易产生瞬间高压，而电路中的元器件的电压承受能力是有限的，过高的瞬时高压会对电路中的元器件及负载造成损坏，因此需要过压保护电路来防止这种损坏的发生。
[0003]高压保护电路应用于输入超高压环境，如风力发电，太阳能发电，大型动力设备环境下工业监控设备供电的异常过压保护。但现有技术中的高压保护电路不仅功耗高，而且电路保护工作电压范围很小，使用环境受限，不利于高压保护电路的广泛应用，造成了大型动力设备的严重损坏，进而造成了巨额的经济损失。
【实用新型内容】
[0004]为了解决上述问题，本实用新型提供了一种超宽输入电压工作范围、功耗低的输入高压保护电路。本实用新型采用的技术方案如下:
[0005]输入高压保护电路，包括输入滤波模块、输入电压检测模块、驱动电路模块、低压选通斩波模块、输出滤波模块，驱动电路模块与输入滤波模块、输入电压检测模块、低压选通斩波模块分别相连接，输入滤波模块与输入电压检测模块相连接，输出滤波模块与低压选通斩波模块相连接。
[0006]进一步特征为，低压选通斩波模块包含第一 MOSFET、第二 MOSFET，第一 MOSFET的漏极连接输出滤波模块负极，第一 MOSFET的源极连接第第二 MOSFET的漏极，第二 MOSFET的源极连接输入滤波模块的负极。
[0007]进一步特征为，还包括第一稳压管和第二稳压管，第一稳压管的正极连接第一MOSFET的源极，第一稳压管的负极连接第一 MOSFET的栅极，第二稳压管的正极连接第二MOSFET的源极，第二稳压管的负极连接第二 MOSFET的栅极。
[0008]进一步特征为，输入电压检测模块包括输入分压电阻、第三稳压管、用于调节第一MOSFET和第二 MOSFET驱动信号的三极管，输入分压电阻的一端连接于输入滤波模块的输出端，输入分压电阻的另一端经第三稳压管与三极管基极相连接。
[0009]进一步特征为，三极管为NPN型三极管。
[0010]本实用新型同现有技术相比，具有以下优点和有益效果:
[0011]1、本实用新型采用低压选通斩波原理，通过低压选通斩波模块将超过工作范围的高电压部分截止输入，而在工作范围的输入电压通过，保证后级电路正常工作，从而实现超宽输入电压工作范围，使得本输入高压保护电路适用范围更广。
[0012]2、本实用新型提供的高压保护电路，由于是实时采样、实时控制，因此采样速度快且保护延时短，自功耗低等特点。
【附图说明】
[0013]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1是本实用新型输入高压保护电路的结构示意图；
[0015]图2是本实用新型输入高压保护电路的电路连接关系示意图。
【具体实施方式】
[0016]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0017]实施例
[0018]如图1和图2所示，输入高压保护电路，包括输入滤波模块1、输入电压检测模块2、驱动电路模块3、低压选通斩波模块4、输出滤波模块5，驱动电路模块3与输入滤波模块1、输入电压检测模块2、低压选通斩波模块4分别相连接，输入滤波模块I与输入电压检测模块2相连接，输出滤波模块5与低压选通斩波模块4相连接，其中，输入电压检测模块2用于检测输入电压设定选通低压，驱动电路模块3的输出端为低压选通斩波模块4提供驱动信号。
[0019]本实用新型的优选方式为:低压选通斩波模块4包含第一 MOSFET Q2、第二MOSFETQ3，第一 MOSFET Q2的漏极连接输出滤波模块5负极，第一 MOSFET Q2的源极连接第二MOSFET Q3的漏极，第二 MOSFET Q3的源极连接输入滤波模块I的负极，本实用新型中的第一 MOSFET Q2、第二 MOSFET Q3可根据实际应用需求选取Vds不同电压等级M0SFET，在本实施例中的第一 MOSFET Q2、第二 MOSFET Q3型号为4N90C。
[0020]还包括第一稳压管ZD2和第二稳压管ZD3，第一稳压管ZD2的正极连接第一 MOSFETQ2的源极，第一稳压管ZD2的负极连接第一 MOSFET Q2的栅极，第二稳压管ZD3的正极连接第二 MOSFET Q3的源极，第二稳压管ZD3的负极连接第二 MOSFET Q3的栅极。
[0021]输入电压检测模块2包括输入分压电阻、第三稳压管ZD1、用于调节第一 MOSFETQ2和第二 MOSFET Q3驱动信号的三极管Ql，输入分压电阻的一端连接于输入滤波模块I的输出端，输入分压电阻的另一端经第三稳压管ZDl与三极管Ql的基极相连接，本实施例中的第三稳压管ZDl的稳压值为24V。
[0022]三极管Ql为NPN型三极管。
[0023]本实用新型在工作时，输入电压经输入滤波模块I后，通过低压选通斩波模块4进行低压选通斩波，同时输入电压检测模块2实时检测输入电压控制驱动电路模块3，从而控制低压选通斩波模块4的通断，斩除输入电压的高压部分，选择低于设定输入电压导通，最终通过输出滤波模块5滤波，保证输出电压的稳定性。
[0024]本实用新型采用低压选通斩波原理，通过低压选通斩波模块斩除异常高压，从而实现超宽输入电压工作范围，因此适用范围广。
[0025]本实用新型提供的高压保护电路，由于是实时采样、实时控制，因此采样速度快且保护延时短，自功耗低等特点。
[0026]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.输入高压保护电路，其特征在于，包括输入滤波模块、输入电压检测模块、驱动电路模块、低压选通斩波模块、输出滤波模块，所述驱动电路模块与输入滤波模块、输入电压检测模块、低压选通斩波模块分别相连接，所述输入滤波模块与输入电压检测模块相连接，所述输出滤波模块与低压选通斩波模块相连接。
2.根据权利要求1所述的输入高压保护电路，其特征在于，所述低压选通斩波模块包含第一 MOSFET、第二 MOSFET，所述第一 MOSFET的漏极连接输出滤波模块负极，所述第一MOSFET的源极连接第第二 MOSFET的漏极，所述第二 MOSFET的源极连接输入滤波模块的负极。
3.根据权利要求2所述的输入高压保护电路，其特征在于，还包括第一稳压管和第二稳压管，所述第一稳压管的正极连接第一 MOSFET的源极，所述第一稳压管的负极连接第一MOSFET的栅极，所述第二稳压管的正极连接第二 MOSFET的源极，所述第二稳压管的负极连接第二 MOSFET的栅极。
4.根据权利要求3所述的输入高压保护电路，其特征在于，所述输入电压检测模块包括输入分压电阻、第三稳压管、用于调节第一 MOSFET和第二 MOSFET驱动信号的三极管，所述输入分压电阻的一端连接于输入滤波模块的输出端，所述输入分压电阻的另一端经第三稳压管与三极管基极相连接。
5.根据权利要求4所述的输入高压保护电路，其特征在于，所述三极管为NPN型三极管。
【专利摘要】本实用新型提供了输入高压保护电路，包括输入滤波模块、输入电压检测模块、驱动电路模块、低压选通斩波模块、输出滤波模块，所述驱动电路模块与输入滤波模块、输入电压检测模块、低压选通斩波模块分别相连接，所述输入滤波模块与输入电压检测模块相连接，所述输出滤波模块与低压选通斩波模块相连接。本实用新型具有超宽输入电压工作范围、功耗低的优点。
【IPC分类】H02H3-20
【公开号】CN204559095
【申请号】CN201520231907
【发明人】陆智强
【申请人】上海锦湃电器有限公司
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2015年4月16日