描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0034]实施例一:
[0035]如图4所示，本实用新型提供了一种电力能效提高装置，包括交流电源、整流部件2、控制部件3和触发部件4，所述整流部件2的输入端电连接至交流电源以将交流电整流为低压直流电，所述整流部件2的输出端电连接至控制部件3的一个输入端，所述触发部件4的输出端电连接至控制部件3的另一个输入端以生成与交流电源频率相同的输出脉冲信号，所述控制部件3包括光敏陶瓷半导体5，所述电力能效提高装置I还包括五个发光元件6，所述发光元件6电连接至控制部件3的输出端并受控制部件3的控制，所述发光元件6用于将合成波长为SOOnm的光发射到光敏陶瓷半导体5上，并改变光敏陶瓷半导体5晶体内部的电气状态，从而实现电力能效提尚。
[0036]如图8所示，其中，光敏陶瓷半导体为锗酸铋光敏陶瓷，所述发光元件6设置在锗酸铋光敏陶瓷的侧面，且与锗酸铋光敏陶瓷之间的距离为5mm。如图9所示，所述发光元件6还可以设置在锗酸铋光敏陶瓷的顶面，且与锗酸铋光敏陶瓷之间的距离为6mm。其中所述锗酸铋光敏陶瓷中包含有由氧化物形成的化合物。
[0037]由图4可知，所述电力能效提高装置I还具有用于检验光敏陶瓷半导体5是否正常工作的检测电路，所述检测电路包括与光敏陶瓷半导体5电连接的发光二极管和开关SI，开关SI连接至半导体的终端P8和P9上，发光二极管连接至终端PlI，在将该电力能效提高装置I连接至交流电之前，按下开关SI并将驱动电压Vcc施加到半导体上，检查发光二极管在预定的时间内是否发光，若发光，则判定光敏陶瓷半导体5正常工作。所述装置还包括变流器7和显示器8，所述变流器7检测从交流电源输出至电力能效提高装置I的电流大小，并在设定的最大能效提高范围内按照一定比例缩小所述电流大小，使得整个电路处于最大能效提高的状态，所述显示器8用于显示变流器7检测到的电流大小。图4中，所述整流部件2的设计包括TNR电路、噪声过滤器和恒压电路，所述TNR电路吸收冲击电压以提供平稳电流，所述噪声过滤器过滤交流电源产生的噪音。恒压电路中具有电阻R1、R2、电容(:1、02、03、电感1^1、二极管01、02等，电阻Rl阻断电流，电容Cl作为整个恒压电路的电源，电阻R2用来保护电容Cl，电感LI用来抵消电力谐波，Dl作为半波整流器，二极管D2用于在半波整流时保护二极管D1，电阻R3用于电力线路的保护和电压降，电容C2平滑电路的谐波，电阻R4用来保护电源电路，稳压二极管ZDl生成5.6V恒定电压，电容C3使功率平滑，驱动电压的Vcc从电容C3两端输出，驱动电压Vcc作为控制信号被施加于光敏陶瓷半导体5上。
[0038]所述光敏陶瓷半导体5包括微控制器，所述微控制器可以控制选择输出连接交流电源和负载的传输线上的脉冲电流大小，将电力能效提高装置I连接至单相电源，如图4和图6所示，在理想状态下，光敏陶瓷半导体5在微控制器的控制下脉冲由第一输出端P3输出，且输出的脉冲与交流电具有相同的频率，同时，带有合成波长为SOOnm的光发射到光敏陶瓷半导体5上，脉冲通过电阻R9、电容器C6和稳压二极管ZD2施加于交流电源和负载之间的传输线上，因此，微控制器可以根据电路状况智能控制脉冲电流大小，有效节省电能，还可以控制发光元件6在一段时间内反复进行发光和消光，控制了发光元件6的合成波长的光入射到电子上的多少，控制电子的碰撞次数，进一步提高了电力能效。所述光敏陶瓷半导体5由陶瓷材料进行封装。
[0039]本实用新型实施例的电力能效提高装置，具有如下有益效果:
[0040]1、本实用新型的发光元件将合成波长的光发射到光敏陶瓷半导体上，使得半导体中的电子具有更长的波长，振动状态将会更加稳定，从而减少电子之间碰撞的次数，进而减小能量损失，且光敏陶瓷半导体中具有微控制器，能够非常智能地控制发光元件的发光和消光，使用该能效提高装置的能效提高效果显著且稳定性提高。
[0041]2、本实用新型中的检测电路能够检测半导体是否正常工作，将电路中出现异常状况防范于未然。
[0042]3、本实用新型中的发光元件设置在与之具有一定距离的光敏陶瓷半导体的侧面或顶面，使得电路具有更好的温度稳定性和适当的能量效率。
[0043]实施例二:
[0044]如图4所示，本实用新型提供了一种电力能效提高装置，包括交流电源、整流部件2、控制部件3和触发部件4，所述整流部件2的输入端电连接至交流电源以将交流电整流为低压直流电，所述整流部件2的输出端电连接至控制部件3的一个输入端，所述触发部件4的输出端电连接至控制部件3的另一个输入端以生成与交流电源频率相同的输出脉冲信号，所述控制部件3包括光敏陶瓷半导体5，所述电力能效提高装置I还包括三个发光元件6，所述发光元件6电连接至控制部件3的输出端并受控制部件3的控制，所述发光元件6用于将合成波长为900nm的光发射到光敏陶瓷半导体5上，并改变光敏陶瓷半导体5晶体内部的电气状态，从而实现电力能效提尚。
[0045]如图8所示，其中，光敏陶瓷半导体为掺镧锆钛酸铅半导体，所述发光元件6设置在掺镧锆钛酸铅半导体的侧面，且与掺镧锆钛酸铅半导体之间的距离为7mm。如图9所示，所述发光元件6还可以设置在掺镧锆钛酸铅半导体的顶面，且与掺镧锆钛酸铅半导体之间的距离为8_。其中所述光敏陶瓷半导体5中包含有由碲化物形成的化合物。
[0046]由图4可知，所述电力能效提高装置I还具有用于检验光敏陶瓷半导体5是否正常工作的检测电路，所述检测电路包括与光敏陶瓷半导体5电连接的发光二极管和开关SI，开关SI连接至半导体的终端P8和P9上，发光二极管连接至终端PlI，在将该电力能效提高装置I连接至交流电之前，按下开关SI并将驱动电压Vcc施加到半导体上，检查发光二极管在预定的时间内是否发光，若发光，则判定光敏陶瓷半导体5正常工作。所述装置还包括变流器7和显示器8，所述变流器7检测从交流电源输出至电力能效提高装置I的电流大小，并在设定的最大能效提高范围内按照一定比例缩小所述电流大小，使得整个电路处于最大能效提高的状态，所述显示器8用于显示变流器7检测到的电流大小。图4中，所述整流部件2的设计包括TNR电路、噪声过滤器和恒压电路，所述TNR电路吸收冲击电压以提供平稳电流，所述噪声过滤器过滤交流电源产生的噪音。恒压电路中具有电阻Rl、R2、电容(:1、02、03、电感1^1、二极管01、02等，电阻Rl阻断电流，电容Cl作为整个恒压电路的电源，电阻R2用来保护电容Cl，电感LI用来抵消电力谐波，Dl作为半波整流器，二极管D2用于在半波整流时保护二极管D1，电阻R3用于电力线路的保护和电压降，电容C2平滑电路的谐波，电阻R4用来保护电源电路，稳压二极管ZDl生成5.6V恒定电压，电容C3使功率平滑，驱动电压的Vcc从电容C3两端输出，驱动电压Vcc作为控制信号被施加于光敏陶瓷半导体5上。
[0047]所述光敏陶瓷半导体5包括微控制器，所述微控制器可以控制选择输出连接交流电源和负载的传输线上的脉冲电流大小，将电力能效提高装置I连接至三相电源，如图4和图7所示，在理想状态下，光敏陶瓷半导体5在微控制器的控制下脉冲由第一输出端P3输出，且输出的脉冲与交流电具有相同的频率，同时，带有合成波长为900nm的光发射到光敏陶瓷半导体5上，脉冲通过电阻R9、电容器C6和稳压二极管ZD2施加于交流电源和负载之间的传输线上，其中，第一漏电断路器设置在交流电源和负载之间的传输线上，第二漏电断路器设置在电力能效提高装置I的内部或外部，并通过第一漏电断路器的输出端与负载并联。因此，微控制器可以根据电路状况智能控制脉冲电流大小，有效节省电能，还可以控制发光元件6在一段时间内反复进行发光和消光，控制了发光元件6的合成波长的光入射到电