放电管三G3的一端相连，气体放电管三G3的另一端与零线输出端N20相连；温度保险丝一 TC01的另一端通过电感一 L1与火线输出端L20相连，零线输入端通过电感二 L2与零线输出端N20相连，SPD保护单元的火线输出端L20及零线输出端N20分别与滤波单元的火线输出端及零线输出端相连。
[0023]tmov作为sro保护器的标准元器件，既可作为一个独立的sro抑制器安装在设备里，又可以作为sro保护器(如SPD，TVSS)的元器件。TM0V的电气性能参数与常用的MOV参数完全一致。MOV (金属氧化物压敏电阻)与TC0 (温度保险丝)串接，并不影响MOV的电气性能。
[0024]其中，第一支路为:电阻一 TM0V1、气体放电管一 G1与电阻二 TM0V2串联的支路，能够分别实现火线输入端L10与地线输入端PE的隔离，以及零线输入端N10与地线输入端PE的隔离，是本技术关键防雷保护部分。通过使用热保护型压敏电阻能够对后续各单元形成过热保护。第二支路为:电阻三TM0V3与气体放电管二 G2串联的支路。第三支路为:电阻四TM0V4与气体放电管三G3串联的支路。
[0025]采用多个TM0V并联要比仅采用单个TM0V可靠，因为采用单个TM0V进行保护，一旦该TM0V失效，则被保护设备就将失去保护，而当采用几个TM0V并联保护后，在TM0V并联体中，如果一个被损坏，其他完好者仍可担负保护作用。且在应用于较大暂态过电流的保护场合时，多个TM0V并联可以给出较低的箝位电压，提高泄放暂态过电流的能力。同理，采取第一支路、第二支路及第三支路并联的方式，比单个支路可靠。
[0026]在TM0V与GDT串联组合的电路中，GDT像是起着开关作用，当没有瞬态过电压作用时，它能够将TM0V与供电电压隔离开，没有施加工频电压，在TM0V中几乎无泄漏电流，可以有效解决TM0V中的漏电流不断增大的问题。如果单独把GDT使用在电源电路中，GDT会产生续流，然而，当把TM0V与GDT串接时，其间的TM0V就能够切断续流。
[0027]为了能够及时观察到sro保护单元的工作状态，设置有指示灯。电阻一TM0V1的温度保险丝的另一管脚与电阻二 TM0V2的温度保险丝的另一管脚相接，电阻二 TM0V2的温度保险丝的另一管脚又与电阻三TM0V3的温度保险丝的另一管脚相接，电阻三TM0V3的温度保险丝的另一管脚通过分压电阻R与指示灯LED的正极相连，指示灯LED的负极又与电阻四TM0V4的温度保险丝的另一管脚相连。指示灯LED与各个温度保险丝也是串联的，当MOV正常工作时，指示灯亮，当MOV过温时，其内部呈现短路状态，整个MOV变成一个良导体，而过大的电流在极短的时间内流经M0V及保险丝，从而引起保险丝熔断，指示灯熄灭。此外也可以利用声音报警单元或声音及灯光报警单元进行温度保险丝熔断时的报警工作。本SPD保护单元在出现故障时，器件具有过热脱扣保护功能，能够立即断开和电网的连接，提高保护能力及可靠性，保护后续单元。
[0028]所述ESD保护单元可以有多种实现方式，利用现有技术的ESD保护电路都可以。目前，用于ESD保护的器件主要有压敏电阻、聚合物、电感、电容、瞬态电压抑制器(TVS)、二极管、GGM0S (Gate-Grounded-MOSFETG)等。但是优选的，利用本示例中披露的ESD保护单元结构。如图4所示，所述ESD保护单元包括输入端VD、接地端VS及二极管D，所述输入端VD与USB充电单元相连，所述二极管D的正极与接地端VS相连，其负极与输入端VD相连，还包括绝缘栅双极型晶体管T，所述绝缘栅双极型晶体管T的源极与二极管D的正极相接，其栅极与接地端VS相连，其漏极与输入端VD相连。考虑到实际应用时本电路的需要，为了增强对电子系统的保护能力，二极管D为高压二极管。
[0029]而且IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)，是由BJT (双极型三极管)和M0S (绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化层-半导体-场效晶体管)的高输入阻抗和GTR(Giant Transistor，大功率晶体管)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；M0SFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。可以考虑将IGBT应用到ESD保护电路中。
[0030]为了增强对电子系统的保护能力，所述绝缘栅双极型晶体管T的类型为N沟道绝缘栅双极型晶体管，即NIGBT。由于此ESD保护电路是集成在功率芯片内部的，通常是根据实际需要，并结合芯片代工厂的工艺条件，设计出器件的结构和相关物理参数，主要包括:沟道长度、沟道宽度和飘移区长度等器件物理参数和反向击穿电压等电学参数。例如，可设计为反向击穿电压为230V的。
[0031]充电电池优选为铅蓄电池。铅蓄电池的电动势约为2V，可以反复充电使用，电解液是硫酸溶液，内阻很小，使用范围广泛。
【主权项】
1.用于手机充电的太阳能电池充电宝，包括充电宝本体(1)，其特征在于:所述充电宝本体(1)上设置有手机放置区域(2)，所述充电宝本体(1)上设置有用于固定手机的固定装置(3)，所述固定装置(3)包括设置在充电宝本体(1)上四个条形凹槽(301)，四个条形凹槽(301)沿手机放置区域(2)均匀布置，每一个凹槽内均设置有压缩弹簧(302)与滑块(303)，压缩弹簧(302)的一端固定在条形凹槽(301)的内壁上，另一端与滑块(303)固定连接，滑块(303)位于压缩弹簧(302)与手机放置区域(2)之间，所述滑块(303)上连接有支撑杆(304)，支撑杆(304)的端头固定有卡块(305)，所述卡块(305)、支撑杆(304)、充电宝本体(1)的表面共同围成一个用于将手机卡紧的U形卡槽(306)。2.如权利要求1所述的用于手机充电的太阳能电池充电宝，其特征在于:所述充电宝本体(1)包括市电单元、sro保护单元、太阳能电池单元、第一滤波稳压单元、第二滤波稳压单元、充电电池、过充过放保护单元、ESD保护单元及USB充电单元，所述市电单元通过SPD保护单元与第一滤波稳压单元相连，太阳能电池单元与第二滤波稳压单元相连，第一滤波稳压单元、第二滤波稳压单元、USB充电单元及过充过放保护单元都与充电电池相连，所述USB充电单元与ESD保护单元相连；所述sro保护单元包括火线输入端、零线输入端、地线输入端、火线输出端及零线输出端，还包括气体放电管一、气体放电管二、气体放电管三、电阻一、电阻二、电阻三、电阻四、温度保险丝一、电感一及电感二，所述电阻一、电阻二、电阻三、电阻四都为热保护型的金属氧化物压敏电阻；sro保护单元的火线输入端、零线输入端、地线输入端分别与市电输入端的火线端、零线端、地线端一一对应连接；温度保险丝一的一端与火线输入端相连，电阻一的两端分别与温度保险丝一的另一端及气体放电管一的一端相连，电阻二的两端分别与气体放电管一的另一端及零线输入端相连，气体放电管一的又一端与地线输入端相连；电阻三的两端分别与温度保险丝一的另一端及气体放电管二的一端相连，气体放电管二的另一端与零线输入端相接；电阻四的两端分别与火线输出端及气体放电管三的一端相连，气体放电管三的另一端与零线输出端相连；温度保险丝一的另一端通过电感一与火线输出端相连，零线输入端通过电感二与零线输出端相连，还包括指示灯及分压电阻，电阻一的温度保险丝的一管脚与电阻二的温度保险丝的一管脚相接，电阻二的温度保险丝的另一管脚又与电阻三的温度保险丝的一管脚相接，电阻三的温度保险丝的另一管脚通过分压电阻与指示灯的正极相连，指示灯的负极又与电阻四的温度保险丝的一管脚相连。3.如权利要求2所述的用于手机充电的太阳能电池充电宝，其特征在于:所述ESD保护单元包括输入端(VD)、接地端(VS)及二极管(D)，所述输入端(VD)与USB充电单元相连，所述二极管(D)的正极与接地端(VS)相连，其负极与输入端(VD)相连，还包括绝缘栅双极型晶体管(T)，所述绝缘栅双极型晶体管(T)的源极与二极管(D)的正极相接，其栅极与接地端(VS)相连，其漏极与输入端(VD)相连。4.如权利要求3所述的用于手机充电的太阳能电池充电宝，其特征在于:所述二极管(D)为高压二极管。5.如权利要求4所述的用于手机充电的太阳能电池充电宝，其特征在于:所述绝缘栅双极型晶体管(T)为N沟道绝缘栅双极型晶体管。6.如权利要求5所述的用于手机充电的太阳能电池充电宝，其特征在于:所述充电电池为铅蓄电池。
【专利摘要】本实用新型公开了一种使用起来更加方便的用于手机充电的太阳能电池充电宝。该用于手机充电的太阳能电池充电宝，包括充电宝本体，所述充电宝本体上设置有手机放置区域，所述充电宝本体上设置有用于固定手机的固定装置，该用于手机充电的太阳能电池充电宝通过在充电宝本体上设置有手机放置区域并且在充电宝本体上设置用于固定手机的固定装置，这样人们在使用充电宝给手机充电时，便可以将手机利用固定装置与充电宝固定在一起，即便人们在玩耍手机将手机带着四处走动时，也会将充电宝与手机一起带着，不会存在将充电线扯掉进以及将充电宝扯落到地上将充电宝摔坏的情况发生，方便人们的使用。本实用新型适用于现有光伏充电宝。
【IPC分类】H02J7/35, H02J7/00
【公开号】CN205029417
【申请号】CN201520839651
【发明人】陈五奎, 刘强, 盛国浩, 冯加保, 陈磊
【申请人】乐山新天源太阳能科技有限公司, 深圳市拓日新能源科技股份有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年10月27日