专利名称：一种供电端口控制电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种供电端口控制电路。
背景技术：
随着电子技术的发展，电子设备在使用过程中一般都需要进行快速热 插拔。即在主设备的供电电压一直存在的情况下，将电子设备插入主设备 的供电端口，或将电子设备从主设备的供电端口上拔出。在电子设备插入 主设备的供电端口的过程(即上电过程)中，要求主设备通过供电端口为 电子设备提供的工作电压緩慢升高，即实现电子设备上电过程中的緩启动， 从而保护电子设备不会因为过高的瞬间电压变化以及上电瞬间过高的沖击电流而被损坏；在电子设备从主设备的供电端口拔出的过程(即下电过程) 中，要求供电端口快速释放自身储存的电能，以便可以随时进行电子设备 的下一次插入，以满足电子设备快速热插拔的需求。现有技术中，还没有合适的技术手段可以实现电子设备的快速热插拔备提供的緩慢升高的电压，和在电子设备下电过程中快速释放供电端口储 存的电能。发明内容本实用新型提供了一种供电端口控制电路，实现了电子设备的快速热插拔。本实用新型提供了一种供电端口控制电路，包括电压输入端、电压输出 端、控制信号输入端、P沟道MOS管、N沟道MOS管、第一电容、第三 电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、二极管；第一电容，其一端与电压输入端相连；3第一电阻，其一端与第一电容的另一端相连，另一端接地； 第二电阻，其一端与电压输入端相连，另一端连接在第一电容与第一 电阻的连接点上；第三电阻，其一端与电压输出端相连，另一端与N沟道MOS管漏极相连；P沟道MOS管，其源极与电压输入端相连，其漏极与电压输出端相连， 其栅极连接在第 一 电容与第 一 电阻的连接点上；控制信号输入端，连接在第一电容与第一电阻的连接点上；N沟道MOS管，其源极与地相连，其漏极与第三电阻一端相连，其 栅极连接在第一电容与第一电阻的连接点上；第三电容，并联在P沟道MOS管的漏极和栅极之间；第四电阻，串接在P沟道MOS管的栅极和地之间；二极管，其阴极与P沟道MOS管的栅极相连，其阳极连接在第一电容 与第一电阻的连接点上。优选的，供电端口控制电路还包括第二电容，该第二电容一端与电压 输出端相连，另一端接地其中，第一电容或第二电容或第三电容可以为等效于电容的网络。其中，第一电阻或第二电阻或第三电阻或第四电阻可以为等效于电阻的 网络。其中，第二电阻的阻值小于第一电阻。 与现有技术相比，本实用新型具有如下优点本实用新型的实施例中，实现了在电子设备上电过程中通过供电端口 为电子设备提供緩慢升高的电压，并且在电子设备下电过程中快速释放供 电端口储存的电能，从而实现了电子设备的快速热插拔。并且，保证正常 工作时为电子设备的提供平稳的供电电压，实现了对电子设备上电过程中 产生的冲击电流的精确控制。
图1为本实用新型的一种供电端口控制电路结构图。
具体实施方式
本实用新型主要提供了一种供电端口控制电路，主要思路是在主设备 的供电端口前增加一个控制电路，主设备通过该控制电路对供电端口进行 控制。实现了在电子设备上电过程中为电子设备提供緩慢升高的电压，在 电子设备下电过程中快速释放供电端口储存的电能，从而实现了电子设备 的快速热插拔。请参阅图1，图1为本实用新型提供的一种供电端口控制电路该电路 包括电压输入端、电压输出端、控制信号输入端、P沟道MOS管、N沟道 MOS管、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第一电阻(R1 )、 第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)和二极管(Dl)。具体 的，第一电容(C1)，其一端与电压输入端相连；第一电阻(R1),其一端与 第一电容(Cl)的另一端相连，另一端接地；第二电阻(R2)，其一端与电 压输入端相连，另一端连接在第一电容(Cl)与第一电阻(Rl)的连接点 上；第三电阻(R3),其一端与电压输出端相连，另一端与N沟道MOS管 漏极相连；P沟道MOS管，其源极与电压输入端相连，其漏极与电压输出 端相连，其栅极连接在第一电容(Cl)与第一电阻(Rl)的连接点上；控 制信号输入端，连接在第一电容(Cl)与第一电阻(Rl)的连接点上；第 二电容(C2)，其一端与电压输出端相连，另一端接地；N沟道MOS管， 其源极与地相连，其漏极与第三电阻(R3) —端相连，其栅极连接在第一 电容(Cl)与第一电阻(Rl)的连接点上；第三电容(C3),并联在P沟 道MOS管的漏极和栅极之间；第四电阻(R4)，串接在P沟道MOS管的 栅极和地之间；二极管(D1),其阴极与P沟道MOS管的栅极相连，其阳 极连接在第一电容(Cl)与第一电阻(Rl)的连接点上。其中，Rl的电 阻值远大于R2。端对外与主设备连接，分别接 收来自主设备的供电电压和控制信号，主设备的供电电压一直存在。本电 路中的电压输出端与供电端口连接。当主设备检测到有电子设备插入供电 端口时，主设备通过控制信号输入端向图1所示的电路输入低电平信号，这时，电压输入端对Cl进行充电，Cl两端电压不断升高，当Cl两端电 压大于P沟道MOS管的导通电压后，P沟道MOS管緩慢导通，电压输出 端的输出电压从O开始逐渐升高到主设备的供电电压，从而实现了电子设 备在上电过程中的緩启动。当主设备检测到与供电端口连接的电子设备被 拔出时，主设备通过控制信号输入端向图1所示的电路输入高电平信号， 这时，C1通过R2放电，Cl两端电压不断降低，当C1两端电压小于P沟 道MOS管的导通电压后，P沟道MOS管截止，与电压输出端连接的供电 端口通过R3对地放电，快速释放供电端口上储存的电能，以便可以随时 进行电子设备的下一次插入，满足电子设备快速热插拔的要求。其中，该 电路中要求R1的电阻远大于R2，从而保证当来自主设备的控制信号为高 电平信号时，R2上分得的电压小于P沟道MOS管的导通电压，P沟道MOS 管不导通。C2为输出端的滤波电容，起储能和滤波作用，可以减小输出端电压的 紋波，保证正常工作时为电子设备的提供平稳的供电电压。当供电端口有电子设备插入时，主设备通过控制信号输入端输入低电 平信号，此时P沟道MOS管导通，N沟道MOS管截止。当供电端口有电 子设备插入时，主设备通过控制信号输入端输入高电平信号，此时P沟道 MOS管截止，N沟道MOS管导通。这样，保证了当供电端口有电子设备 插入，即电子设备正常工作过程中R3上没有电流流过。本控制电路中，充分利用了 P沟道MOS管开启时的平台效应，C3和 R4通过控制P沟道MOS管漏源电压的下降速度来抑制上电时的瞬态电流， Dl隔离了 Cl充电对P沟道MOS管栅极充电的影响，实现了对电子设备 上电过程中产生的冲击电流的精确控制。使用本控制电路，实现了在电子设备上电过程中通过供电端口为电子设备提供緩慢升高的电压，并且在电子设备下电过程中快速释放供电端口 储存的电能，从而实现了电子设备的快速热插拔。并且，保证正常工作时 为电子设备的提供平稳的供电电压，实现了对电子设备上电过程中产生的 沖击电流的精确控制。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领 域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出 若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
权利要求1、一种供电端口控制电路，其特征在于，包括电压输入端、电压输出端、控制信号输入端、P沟道MOS管、N沟道MOS管、第一电容、第三电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、二极管；第一电容，其一端与电压输入端相连；第一电阻，其一端与第一电容的另一端相连，另一端接地；第二电阻，其一端与电压输入端相连，另一端连接在第一电容与第一电阻的连接点上；第三电阻，其一端与电压输出端相连，另一端与N沟道MOS管漏极相连；P沟道MOS管，其源极与电压输入端相连，其漏极与电压输出端相连，其栅极连接在第一电容与第一电阻的连接点上；控制信号输入端，连接在第一电容与第一电阻的连接点上；N沟道MOS管，其源极与地相连，其漏极与第三电阻一端相连，其栅极连接在第一电容与第一电阻的连接点上；第三电容，并联在P沟道MOS管的漏极和栅极之间；第四电阻，串接在P沟道MOS管的栅极和地之间；二极管，其阴极与P沟道MOS管的栅极相连，其阳极连接在第一电容与第一电阻的连接点上。
2、 如权利要求1所述的供电端口控制电路，其特征在于，还包括第二 电容，该第二电容一端与电压输出端相连，另一端接地。
3、 如权利要求l中所述的供电端口控制电路，其特征在于，第一电容或 第二电容或第三电容为等效于电容的网络。
4、 如权利要求l中所述的供电端口控制电路，其特征在于，第一电阻或 第二电阻或第三电阻或第四电阻为等效于电阻的网络。
5、 如权利要求1所述的供电端口控制电路，其特征在于，所述第二电阻 的阻值小于第一电阻。
专利摘要本实用新型公开了一种供电端口控制电路。该供电端口控制电路中，包括电压输入端、电压输出端、控制信号输入端、P沟道MOS管、N沟道MOS管、第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、二极管。本实用新型的实施例中，实现了在电子设备上电过程中通过供电端口为电子设备提供缓慢升高的电压，并且在电子设备下电过程中快速释放供电端口储存的电能，从而实现了电子设备的快速热插拔。
文档编号H03K19/0175GK201422106SQ20092015596
公开日2010年3月10日 申请日期2009年5月27日 优先权日2009年5月27日
发明者张世雄 申请人:杭州华三通信技术有限公司