用于电源电路的输入匹配网络的制作方法
【专利摘要】一种用于功率电路的输入匹配网络。电源电路，包括RF晶体管和耦合到所述RF晶体管的输入以及耦合到所述电源电路的输入的输入匹配网络。所述输入匹配网络包括一同串联耦合在RF晶体管的输入和地之间的电阻器、电感器和电容器。所述电阻器和电感器的值被选择来将所述RF晶体管在至少部分高频范围的输入阻抗匹配到电源电路的输入处的源阻抗，其中所述电容器的值对在高频范围的匹配的影响基本上可忽略。选择所述电容器的值以便于电阻器、电感器和电容器的串联组合大幅减少在低频率范围内相对于电源电路输入处的源阻抗所呈现在RF晶体管输入阻抗的大小。
【专利说明】用于电源电路的输入匹配网络【技术领域】
[0001]本发明涉及RF(射频)放大器，尤其是用于RF放大器的输入匹配网络。
【背景技术】
[0002]RF功率放大器被用于各种应用，诸如无线通信系统的基站等。由RF功率放大器放大的所述信号经常包括具有高频调制载波的信号，所述高频调制载波的频率在400兆赫兹(MHz)到4千兆赫兹(GHz)的范围内。调制载波的基带信号通常是在相对较低的频率上，并且依据应用可以高达300MHz或者更高。
[0003]RF功率放大器被设计来提供没有失真的线性操作。输入和输出阻抗匹配电路被用来将可能具有低输入和输出阻抗(例如，对于高功率设备大约I欧姆或者更少)的RF晶体管匹配到外部传输线，所述传输线将RF信号提供到RF晶体管并且从RF晶体管提供RF信号。这些外部传输线具有特征阻抗，所述特征阻抗通常是50欧姆，但是可以是由设计人员决定的任意值。所述输入和输出匹配电路通常包括电感性和电容性元件，它们被用来提供RF功率放大器的输入和输出以及RF晶体管的输入和输出之间的阻抗匹配。所述输入和输出匹配电路提供针对由RF功率放大器进行放大的信号频率的阻抗匹配，诸如那些在400MHz到4GHz范围的。
[0004]但是，阻抗匹配电路的使用，可能引发在针对其提供阻抗匹配的信号频率的范围之外发生并非所意图的后果。例如，通常的输出匹配网络将包括用于阻隔直流的阻隔电容器。与RF晶体管漏极偏置电感结合的所述阻隔电容器产生低频谐振。这种低频谐振引起低频区域阻抗的增加 。结果，所述RF功率放大器的频率响应具有低频增益尖峰。这种尖峰能够出现在从几MHz到几百MHz的任何地方。非线性操作的定期输出产生具有原始频率之和与之差处的频率的项，加上具有原始频率和原始频率的倍数的项，并且那些倍数通常被称为谐波。当前的无线信号具有高调制带宽。这种宽带信号的二次阶失真分量可以落入低频增益尖峰的区域。进一步地，大多数无线通信应用失真校正系统中，使用诸如Dro或者数字预失真。这一系统对所述功率放大器建模，预测非线性性能并且调整信号特征以降低在PA系统输出处的失真。由低频谐振而来的在基带区域的不期望的高增益(或高阻抗)，负面的影响了整个系统的RF晶体管和预失真性能。
[0005]基带频域的谐振在低频造成增益的剧烈改变。低频增益峰值发生处的频率通常为已知RF功率放大器的视频带宽。另外，增益峰值的幅度也影响系统的性能。更高幅度的增益峰值导致更差的整体系统性能。另外，基带频率域的谐振在诸如LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体)晶体管的RF晶体管的漏极处产生高峰值电压。这些RF晶体管漏极处的高峰值电压能够在某些情况下超过设备的击穿电压，引起故障。因此，在低频基带区域内增益峰值的任何增加能够有效地减少功率设备的强度。
【发明内容】
[0006]根据电源电路的一个实施例，所述电源电路包括RF晶体管和输入匹配网络，所述输入匹配网络耦合到RF晶体管的输入和所述电源电路的输入。所述输入匹配网络包括在RF晶体管的输入和地之间串联地耦合在一起的电阻器、电感器和电容器。所述电阻器和电感器的值被选择来将所述RF晶体管在至少部分高频区域上的输入阻抗匹配到电源电路的输入处的源阻抗，其中所述电容器的值对在高频区域处的匹配的影响基本上可以忽略。选择所述电容器的值以便于电阻器、电感器和电容器的串联组合大幅减少在低频率范围内相对于电源电路输入处的源阻抗所呈现在RF晶体管输入阻抗的大小。
[0007]本领域技术人员在阅读下面的详细说明以及浏览所附的附图后会认识到附加的特征和优点。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]附图的元件不必相对于彼此按比例绘制。相似的附图标记指向对应的相似部分。各个所示出实施例的特征可以相结合，除非他们彼此排斥。实施例在附图中被描述，并且在随后的说明中详细描述。
[0009]图1示出常规的电源电路。
[0010]图2示出电源电路的实施例。
[0011]图3示出根据带有图1和2中示出的电源电路的频率在RF晶体管输入处的阻抗。
[0012]图4示出根据频率和阻隔电容器值的电源电路的增益响应的实施例。
[0013]图5示出根据频率和阻隔电容器值的电源电路的增益响应的实施例。
[0014]图6示出根据针对图1和图2中示出的电源电路的频率的增益响应峰值衰减。
【具体实施方式】
[0015]图1示出常规电源电路100，其包括RF晶体管110、输入匹配网络120和输出匹配网络130。输入匹配网络120提供在输入端子(IN)和RF晶体管110的栅极(G)之间进行匹配的阻抗，输出匹配网络130提供在RF晶体管110的漏极(D)和输出端子(OUT)之间进行匹配的阻抗。所述阻抗匹配提供期望的RF信号带宽(也被称为RF区域)。针对由电源电路100放大的信号的RF区域可以在400MHz到4GHz范围内。针对不同应用的RF区域可以比上述范围更低或更高。
[0016]输入匹配网络120包括具有一个耦合到地的端子的匹配电容器CIN。所述输入匹配网络120的支路Lin2耦合到Cin的另一个端子以及RF晶体管110的栅极(G)。支路Lini将电源电路100的输入端子(IN)耦合到Lin2的端子和Cin的另一个端子。输入匹配网络120的支路Lini和Lin2通常实施为接合线、织带等。所述输入匹配网络120采用经选择的Cin和Lin2的值将RF晶体管110的输入阻抗匹配到端子(IN)阻抗。在图1中所示，Cin=IO到IOOpF,L皿=100到200pH,以及Lin2=IOO到200pH。RF晶体管110为额定100瓦特的LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体)晶体管。呈现到RF晶体管110的栅极(G)的阻抗的大小由Zini指定，并且所述参考箭头示出这一阻抗被提供给RF晶体管110的栅极(G)端子。参考图3和图6讨论阻抗Zini。
[0017]输出匹配网络130包括阻隔电容器Cqut和支路L_。Loun耦合到所述RF晶体管110的漏极⑶以及Ctot的一个端子。Gtot的另一个端子耦合到地。支路Ltot2将RF晶体管110的漏极⑶和Lquti的一个端子耦合到所述电源电路100的端子(OUT)。所述RF晶体管110的源极⑶耦合到地。所述输出匹配网络130的支路Lquti和Lqut2可以通过多种不同方式来实现，诸如接合线、织带等。所述输出匹配网络130使用0^和Lquti来使RF晶体管110的漏极⑶的输出阻抗匹配到在RF区域内的端子(OUT)阻抗。
[0018]输出匹配网络130提供在RF区域上的高频率阻抗匹配，但是也可能导致所述RF区域之外对应于低频率谐振的不期望的低频率增益峰值。所述阻隔电容器切断DC，并且LC组件(例如，包括但不限于从到电源电路100的外部的电压连接、支路1^_和支路1^2)与DC阻隔电容的组合形成谐振，在低频基带区域的频率处在RF晶体管110的漏极处导致高增益峰值和高峰值电压。
[0019]在基带频率区域内的这一高增益峰值能够使得RF晶体管110的峰值漏极电压在某些条件下超过设备的击穿电压，例如，当出现在低频增益峰值区域内的并非意图的系统假象被强烈放大，当与低频增益响应峰值一致的宽带信号的基带分量被增益峰值强烈放大等。将理解的是，这个问题无法通过使用在低频信号达到输出端子之前抑制低频信号的更为复杂的匹配电路来完全解决，因为过高的低频信号仍会出现在晶体管的输出处。
[0020]图2示出电源电路200的实施例。所述电源电路200包括RF晶体管210、输入匹配网络220和输出匹配网络230。输入匹配网络220提供在输入端子(IN)和RF晶体管210的栅极(G)之间的阻抗匹配，并且输出匹配网络230提供在晶体管210的漏极(D)和输出端子(OUT)之间的阻抗匹配。所述阻抗匹配提供期望的RF信号带宽或者RF区域。在其他实施例中，所述阻抗匹配提供至少一部分期望的RF信号带宽或RF区域。针对由电源电路200放大的信号的RF区域可以在400MHz到4GHz范围内。针对不同应用的RF区域可以比上述范围更低或更高。
[0021]输入匹配 网络220被耦合在电源电路200的输入电感器Lini和RF晶体管210的栅极(G)之间。在各种实施例中，所述输入电感器Lini被实施为接合线、织带等，其将输入匹配网络220耦合到电源电路200的端子(IN)。在很多情况下，Lini是输入匹配网络的一部分。输出匹配网络230被耦合在RF晶体管210的漏极(D)和电源电路200的输出电感器1^12之间。在各个实施例中，输出电感器Ltot2以接合线、织带等实施，其将输出匹配网络230耦合到电源电路200的端子(OUT)之间。在许多情况下，Lot2是输出匹配网络的一部分。输出匹配网络230与参考图1所讨论的输出匹配网络130类似。呈现到RF晶体管210栅极(G)的阻抗的大小由Zin2指定，并且参考箭头示出这一阻抗被提供给RF晶体管210的栅极(G)。将参考图3和图6对阻抗Zin2进行讨论。
[0022]在各个实施例中，RF晶体管210可以是功率晶体管，诸如MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)、DMOS (双扩散金属氧化物半导体)晶体管、GaN HEMT (氮化镓高电子迁移率晶体管)、。GaN MESFET (氮化镓金属半导体场效应晶体管)、LDMOS晶体管等，以及更一般地任何类型的RF晶体管设备。RF晶体管210和全部的电源电路200可以是多载波放大器、多频带放大器、LTE (长期演进)兼容放大器、WCDMA (宽带码分多址)兼容放大器、802.1l(X)兼容放大器等。
[0023]输入匹配网络220包括阻隔电容器Cin，电阻Rin和电感LIN2。在这一实施例中，Cin、Rin和Lin2串联耦合在RF晶体管210的栅极(G)和地之间。虽然图示的实施例示出这种具有Cin的一个端子耦合到地，以及Lin2的一个端子耦合到RF晶体管210的栅极(G)，具有Rin耦合在Lin2的第二端子和Cin的第二端子的串联连接，但是在其他实施例中，CIN、Rin和Lin2可以以其他适当的配置被耦合在地和RF晶体管210的栅极(G)之间。
[0024]输入匹配网络220的支路Lin2可以实施为接合线、织带等。在各种实施例中，支路Lin2可以被实施为其他合适的电感器。输入匹配网络220的阻隔电容器Cin可以被实施为与RF晶体管210分离的离散元件，或者可以与RF晶体管210集成在同一晶片上。电阻Rra和电感Lin2可以被实施为离散元件或者与RF晶体管210分离的分布式元件，或者可以与RF晶体管210集成在同一晶片上。在一个实施例中，电阻Rin和电感Lin2提供针对RF晶体管210的寄生电容的输入匹配补偿，其包括但不限于RF晶体管210的源极⑶到栅极(G)的电容。输入匹配网络220可以具有本文描述的实施例范围内的其他配置。
[0025]输入匹配网络220提供在基带频率范围上RF晶体管210的栅极(G)处的低阻抗，所述基带频率域范围在例如0-300MHZ，并且输入匹配网络降低在这一频率范围内的增益响应峰值，其可以在RF晶体管210的漏极(D)处产生较低峰值电压。输入匹配网络220提供在由电源电路200放大的信号频率范围上在RF晶体管210的栅极(G)和端子(IN)之间的阻抗匹配。在其他实施例中，输入匹配网络220提供在由电源电路200放大的信号频率范围的至少一部分上在RF晶体管210的栅极(G)和端子(IN)之间的阻抗匹配。在一个实施例中，由电源电路200放大的信号频率的范围是在l-3GHz范围上。在其他实施例中，由电源电路200放大的信号频率的范围是在400MHz-4GHz范围上。
[0026]电阻器Rin和电感器Lin2的值被选定来产生在RF晶体管210的输入阻抗和电源电路200的端子(IN)处的阻抗之间的匹配。在400MHz-4GHz范围上的信号频率范围内，电容器Cin的值对阻抗匹配的影响基本上可以忽略。选定电容器Cin的值,从而电阻器Rin、电感器Lin2和电容器Cin的串联组合大幅降低呈现在基带频率范围上的RF晶体管210的栅极(G)的阻抗的大小。在其他实施例，对于不同的应用，基带频率范围可以包括大于300MHz的频率，并且针对由电源电路200放大的信号的RF信号带宽或者RF区域可以包括低于400MHz的频率或者大于4GHz的频率。在如图2所示的实施例中，CIN=2nF，Rin=0.3欧，以及LIN2=70pH。由于在输入匹配网络220中使用的Cin电容值取决于其中使用电源电路200的应用，在其他实施例中，电容器Cin可以有其他合适的值。
[0027]图3示出呈现在作为频率的函数以及分别具有输入匹配网络120/220的RF晶体管110/210的栅极(G)的基带阻抗。曲线310示出针对具有常规输入匹配网络的电源电路100 (参考图1的Zin)的RF晶体管110的栅极(G)处的阻抗。曲线320示出针对其中Cin值为2nF的输入匹配网络220的实施例的电源电路200 (参考图2中的Zin2)的RF晶体管210的栅极(G)处的阻抗。电源电路100/200的端子(IN)具有50欧的特征阻抗。
[0028]在0-300MHZ的基带频率范围上，输入匹配网络220提供比常规输入匹配网络120提供给RF晶体管110的栅极(G)低得多的到RF晶体管210的栅极(G)的输入阻抗。曲线310示出具有输入匹配网络120时，最大阻抗呈现在RF晶体管110的栅极(G)处为大约48欧姆(在IMHz处)。具有输入匹配网络220时，曲线320示出最大阻抗呈现在RF晶体管210的栅极(G)处为大约6欧姆(在IMHz处)。
[0029]在低频范围上，相较于在电源电路100/200的端子(IN)处的特征输入阻抗，所有呈现到RF晶体管110/210的栅极(G)的最大阻抗在具有输入匹配网络220时比具有输入匹配网络120时低得多。在所示出的实施例中，对于100W RF功率晶体管，在1-300MHZ频率范围内，呈现到RF晶体管210的栅极(G)的阻抗Zin2的大小与针对电源电路200的50欧姆的源阻抗的大小的比值从大约0.02到0.12变化。在其他实施例中，在1-300MHZ频率范围上，呈现到RF晶体管210的栅极(G)的阻抗Zin2的大小与针对电源电路200的50欧姆的源阻抗的大小的比值具有0.4的最大值。在其他实施例中，在其他实施例中，在1-300MHZ频率范围上，呈现到RF晶体管210的栅极(G)的阻抗Zin2的大小与针对电源电路200的50欧姆的源阻抗的大小的比值从大约0.02到0.4变化。
[0030]输入匹配网络220提供在所意图的RF操作频率处在端子(IN)和RF晶体管210的栅极(G)之间的阻抗匹配，所述操作频率在这一示例中为大约2GHz，并且电容器Cin的值对阻抗匹配的影响基本上可以忽略。如图3所示，从IGHz开始，由输入匹配网络120/220呈现在RF晶体管110/210的栅极(G)的阻抗大约等同。选定电容器Cin的值，从而使得电阻器Rin、电感器Lin2和电容器Cin的组合大幅降低在基带频率范围上呈现在电源电路200的端子(IN)处的RF晶体管210的输入的阻抗的大小。曲线320示出具有输入匹配网络220时，最大阻抗呈现在RF晶体管210的栅极(G)为大约6欧姆(在IMHz处)，其显著低于在电源电路200的端子(IN)处的50欧的源阻抗。在其他实施例中，在低频区域内，呈现在RF晶体管210的栅极(G)的最大阻抗等于或小于20欧。这在图3中示出。在其他实施例中，对于频率从IMHz到所意图的RF操作频率的至少三分之一的范围内，呈现在RF晶体管210的栅极(G)的最大阻抗等于或小于20欧。注意曲线310示出在低频区域上接近50欧姆的阻抗大小。这表明常规匹配电路(其为低通电路)对低频区域的信号有很小的影响或者没有影响。对于较大的设备，例如200W的RF晶体管，在低频区域呈现在晶体管栅极的最大阻抗可以为大约10欧姆。类似地，对于50W的RF晶体管。在低频区域呈现在晶体管栅极的最大阻抗可以为大约40欧姆。
[0031]图4和5示出根据频率的阻隔电容器Cin的值，电源电路200的增益响应(dB)。图4示出包括1-300MHZ的低频基带范围的从O到700MHz的频率范围。图5示出包括低频基带范围和操作的RF区域两者的从O到3GHz的频率范围。参考图4，曲线410表示IOOpF的阻隔电容器Cin的值，曲线420表示500pF的阻隔电容器Cin的值，曲线430表示1.2nF的阻隔电容器Cin的值，以及曲线440表示2nF的阻隔电容器Cin的值。参考图5，曲线510表示IOOpF的阻隔电容器Gin的值，曲线520表示500pF的阻隔电容器Cin的值，曲线530表示
1.2nF的阻隔电容器Cin的值，以及曲线540表示2nF的阻隔电容器Cin的值。参考图4和图5，对于IOOpF (曲线410/510)和2nF(曲线440/540)的电容器Cin的值，对于增加Cin的值，在Cin的值在所意图的RF操作频率(其为大约2GHz)处对于增益的影响小得多并在更高频率处该影响变得愈加可以忽略，基带范围内的增益和相应的增益峰值得以大幅减小。
[0032]对于2nF的电容器Cin的值(曲线440/540)，在0_300MHz的低频基带范围的增益响应峰值(见图4)为大约_12dB，而在接近所意图的RF操作频率(其为大约2GHz)处的增益响应为大约23dB。对于2nF的电容器Cin的值，低频基带范围内的增益响应峰值和接近所意图的RF操作频率(针对这一实施例其为大约2GHz)处的增益响应之间的差异为大约35dB。对于1.2nF的电容器Cin的值(曲线430/530)，0_300MHz的低频基带范围的增益响应峰值(见图4)为大约_12dB，而在接近所意图的RF操作频率(其为大约2GHz)处的增益响应为大约23dB。对于1.2nF的电容器Gin的值，低频基带范围内的增益响应峰值和接近所意图的RF操作频率处的增益响应之间的差异为大约35dB。对于2.0nF和1.2nF的电容器Gin值，低频基带范围内的增益响应峰值的降低导致的低频基带范围内的增益响应峰值和在接近所意图的RF操作频率处的增益响应之间的差异为大约35dB。在其他实施例中，低频基带范围内的增益响应峰值和在所意图的RF操作频率处的增益响应之间的差异为大约28dB。在其他实施例中，高频RF区域和所意图的RF操作频率可以为处于400MHz到4GHz范围。针对不同应用的RF区域和所意图的RF操作频率可以低于或者高于前述范围。另外，针对不同应用的低频基带范围可以扩展到大于300MHz的频率。
[0033]图6示出常规的电源电路100的增益响应的测量结果以及在0-400MHZ的基带频率范围内的电源电路200的实施例。曲线610示出电源电路100的增益响应，曲线620示出电源电路200的增益响应。在电源电路200的这一实施例中，输入匹配网络220具有2nF的阻隔电容器Cin的值。对于常规的电源电路100，曲线610示出在217MHz (参见ml)处的_2dB的增益峰值。对于电源电路200的所示实施例，曲线620示出在235MHz (参见m2)处的-15dB的增益峰值。相较于电源电路100，电源电路200将基带区域内的增益W_2dB降低到_15dB，并且增加了其中增益峰值出现在从217MHz到235MHz的频率。增益峰值的这一降低导致了对于电源电路200的DH)系统性能的改善和对于RF晶体管210的强度的改
盡
口 ο
[0034]诸如“下方”、“在......之下”、“低于”、“上方”和“上部”等空间上相关术语用于
便于描述，以解释一个元件相对于第二元件的定位。这些术语旨在涵盖除了图中所描绘的定向之外的设备的不同定向。而且，诸如“第一”、“第二”等术语，也用来描述不同的元件、区域、部分等，并且也不旨在进行限制。说明书通篇使用相似的术语表示相似的元件。
[0035]如本文所使用的，“具有”、“包含”、“包括”、“包涵”等术语是开放端点术语，其表示出现所陈述的元件或特征，但是不排除附加元件或特征。量词“一”、“一个”、“所述”意味着包含单数和复数，除非上下文明确表示别的方式。
[0036]考虑到上述变型和应用的范围，应当理解的是本发明不限于前述描述，也不限于附图。相反，本发明仅由随后的权利要求书和其他法律等同所限制。
【权利要求】
1.一种电源电路,包括: RF晶体管； 输入匹配网络，耦合到所述RF晶体管的输入和所述电源电路的输入； 其中所述输入匹配网络包括电阻器、电感器和电容器，所述电阻器、所述电感器和所述电容器在所述RF晶体管的所述输入和接地之间被串联地耦合到一起， 其中所述电阻器和所述电感器的值被选择以将所述RF晶体管的输入阻抗在高频范围的至少一部分内匹配到所述电源电路的所述输入处的源阻抗， 其中所述电容器的值对在所述高频范围的所述匹配的影响基本上可忽略，并且其中所述电容器的值被选择以使得所述电阻器、所述电感器和所述电容器的串联组合大幅减少在低频范围内的相对于在所述电源电路的所述输入处的所述源阻抗的呈现在所述RF晶体管的所述输入的所述阻抗的大小。
2.根据权利要求1所述的电源电路，其中所述低频范围是从大约O到大约300MHz。
3.根据权利要求1所述的电源电路，其中所述高频范围是从大约400MHz到大约4GHz。
4.根据权利要求1所述的电源电路，进一步包括: 输出匹配网络，耦合到所述RF晶体管的输出，并且耦合到所述电源电路的输出， 其中，在基带范围内的增益响应峰值与在针对所述电源电路的预期RF操作频率处的增益响应之间的差异等于或大于28dB。
5.根据权利要求1所述的电源电路，其中，在1-300MHZ频率范围内，呈现在所述RF晶体管的所述输入的所述阻抗的大小与在所述电源电路的所述输入处的所述源阻抗的比率等于或小于0.4。
6.根据权利要求1所述的电源电路，其中在1-300MHZ频率范围内，呈现在所述RF晶体管的所述输入的所述阻抗的大小与在所述电源电路的所述输入处的所述源阻抗的比率在大约0.02到大约0.4之间。
7.根据权利要求1所述的电源电路，其中对于从IMHz上升到预期的RF操作频率的至少三分之一的范围的频率，呈现在所述RF晶体管的所述输入的所述阻抗的大小等于或小于20欧姆。
8.根据权利要求1所述的电源电路，其中所述RF晶体管是MOS晶体管。
9.根据权利要求1所述的电源电路，其中，所述RF晶体管是LDMOS晶体管。
10.根据权利要求1所述的电源电路，其中，所述RF晶体管是GaNMESFET晶体管。
11.一种RF功率放大器，包括: 输入，被配置为接收具有RF信号带宽的RF信号； LDMOS晶体管，被配置为放大所述RF信号； 输入匹配网络，耦合到所述RF功率放大器的所述输入和所述LDMOS晶体管的栅极；其中所述输入匹配网络包括电阻器、电感器和电容器，所述电阻器、所述电感器和所述电容器在所述RF功率放大器的所述输入和接地之间串联地耦合到一起， 其中所述电阻器和所述电感器的值被选择以将在所述LDMOS晶体管的所述栅极处的阻抗在所述RF信号带宽的至少一部分上匹配到所述RF功率放大器的所述输入处的源阻抗， 其中所述电容器的值对在所述RF信号带宽的所述匹配的影响基本上可忽略，并且其中所述电容器的值被选择以使得所述输入匹配网络大幅减少在基带频率范围内的相对于在所述RF功率放大器的所述输入处的所述源阻抗的呈现在所述LDMOS晶体管的所述栅极的所述阻抗的大小。
12.根据权利要求11所述的RF功率放大器，其中所述基带频率范围是从大约O到大约300MHz ο
13.根据权利要求11所述的RF功率放大器，其中所述RF信号带宽是从大约400MHz到大约4GHz。
14.根据权利要求11所述的RF功率放大器，进一步包括: 输出匹配网络，耦合到所述LDMOS晶体管的漏极并且耦合到所述RF功率放大器的输出， 其中，在所述基带频率范围内的增益响应峰值与在针对所述RF功率放大器的所述RF信号带宽的近似中心处的增益响应之间的差异等于或大于28dB。
15.根据权利要求11所述的RF功率放大器，其中在1-300MHZ频率范围内，呈现在所述LDMOS晶体管的所述栅极的所述阻抗的大小与在所述RF功率放大器的所述输入处的所述源阻抗的比率等于或小于0.4。
16.根据权利要求11所述的RF功率放大器，在1-300MHZ频率范围内，呈现在所述LDMOS晶体管的所述栅 极的所述阻抗的大小与在所述RF功率放大器的所述输入处的所述源阻抗的比率在大约0.02到大约0.4之间。
17.根据权利要求11所述的RF功率放大器，其中对于从IMHz上升到预期的操作频率的至少三分之一的范围的频率，呈现在所述LDMOS晶体管的所述栅极的所述阻抗的大小等于或小于20欧姆。
【文档编号】H03F3/20GK103986421SQ201410106634
【公开日】2014年8月13日 申请日期:2014年2月8日 优先权日:2013年2月8日
【发明者】R·威尔逊, S·高尔 申请人:英飞凌科技股份有限公司