附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法与流程

本发明涉及一种附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法，特别是涉及一种极薄铜层的厚度为0.9μm以下的附载体超极薄铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法。

背景技术：

通常，印刷配线板是经过使绝缘基板接着于铜箔而制成覆铜积层板后，通过蚀刻在铜箔面形成导体图案的步骤所制造的。随着近年电子机器的小型化、高性能化需求的增大，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化有所发展，对印刷配线板要求导体图案的微细化(微间距(ファインピッチ)化)或高频应对等。

最近应对微间距化而要求厚度9μm以下、进而厚度5μm以下的铜箔，但这种极薄的铜箔的机械强度低，在制造印刷配线板时容易破裂或产生褶皱，因此出现利用有厚度的金属箔作为载体，介隔剥离层使极薄铜层电沉积于其上的附载体铜箔。将极薄铜层的表面贴合于绝缘基板并热压接后，将载体隔着剥离层而剥离去除。利用阻剂在露出的极薄铜层上形成电路图案后，利用硫酸-过氧化氢系的蚀刻剂将极薄铜层蚀刻去除，通过所述手法(MSAP，Modified-Semi-Additive-Process)而形成微细电路。

另外，作为抑制附载体铜箔的极薄铜层产生针孔的技术，可列举日本特开2004-169181号公报(专利文献1)、日本特开2005-076091号公报(专利文献2)。

【先行技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2004-169181号公报

【专利文献2】日本特开2005-076091号公报

技术实现要素：

【发明所欲解决之课题】

近年，使极薄铜层的厚度薄至0.9μm以下的所谓附载体超极薄铜箔的研究、开发正不断发展。然而，这种极薄铜层的厚度为0.9μm以下的附载体超极薄铜箔存在因其薄度导致在剥离载体时极薄铜层的一部分被载体侧拉离，而残留的极薄铜层产生针孔等问题。因此，本发明的课题在于提供一种极薄铜层的厚度为0.9μm以下的附载体铜箔，其能够良好地抑制在剥离载体时发生的针孔的产生。

【解决课题之技术手段】

为了达成所述目的，本发明人发现，通过控制载体的极薄铜层侧表面的特定的粗糙度及剥离载体时的剥离强度的最优化，可良好地抑制极薄铜层的厚度为0.9μm以下的附载体铜箔在剥离载体时发生的针孔的产生。

本发明是基于所述见解而完成的，于一方面，是一种附载体铜箔，其依序具有载体、中间层及极薄铜层，所述极薄铜层的厚度为0.9μm以下，在根据JIS B0601-1994而利用激光显微镜测定所述载体的极薄铜层侧表面时，算术平均粗糙度Ra为0.3μm以下，通过按照JIS C 6471 8.1的90°剥离法剥离所述载体时的剥离强度为20N/m以下。

本发明的附载体铜箔在一实施形态中，在根据JIS B0601-1994而利用激光显微镜测定所述载体的极薄铜层侧表面时，算术平均粗糙度Ra为0.1～0.3μm。

本发明的附载体铜箔在另一实施形态中，通过按照JIS C 6471 8.1的90°剥离法剥离所述载体时的剥离强度为3～20N/m。

本发明的附载体铜箔在进而另一实施形态中，满足以下的项目(5-1)至(5-15)内的1个、2个、3个、4个、5个、6个、7个、8个、9个、10个、11个、12个、13个、14个或15个。

5-1：所述极薄铜层的厚度为0.05～0.9μm；

5-2：所述极薄铜层的厚度为0.1～0.9μm；

5-3：所述极薄铜层的厚度为0.85μm以下；

5-4：所述极薄铜层的厚度为0.80μm以下；

5-5：所述极薄铜层的厚度为0.75μm以下；

5-6：所述极薄铜层的厚度为0.70μm以下；

5-7：所述极薄铜层的厚度为0.65μm以下；

5-8：所述极薄铜层的厚度为0.60μm以下；

5-9：所述极薄铜层的厚度为0.50μm以下；

5-10：所述极薄铜层的厚度为0.45μm以下；

5-11：所述极薄铜层的厚度为0.40μm以下；

5-12：所述极薄铜层的厚度为0.35μm以下；

5-13：所述极薄铜层的厚度为0.32μm以下；

5-14：所述极薄铜层的厚度为0.30μm以下；

5-15：所述极薄铜层的厚度为0.25μm以下。

本发明的附载体铜箔在进而另一实施形态中，所述极薄铜层每单位面积(m²)的针孔个数(个/m²)满足以下的项目(6-1)至(6-10)内的1个、2个、3个、4个、5个、6个、7个、8个、9个或10个。

6-1：为20个/m²以下；

6-2：为15个/m²以下；

6-3：为11个/m²以下；

6-4：为10个/m²以下；

6-5：为8个/m²以下；

6-6：为6个/m²以下；

6-7：为5个/m²以下；

6-8：为3个/m²以下；

6-9：为1个/m²以下；

6-10：为0个/m²。

本发明的附载体铜箔在进而另一实施形态中，当本发明的附载体铜箔于载体的一面具有极薄铜层时，在所述极薄铜层侧及所述载体侧的至少一个表面或两个表面，或者

当本发明的附载体铜箔于载体的两面具有极薄铜层时，在该一个或两个极薄铜层侧的表面，

具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上的层。

本发明的附载体铜箔在进而另一实施形态中，所述防锈层及所述耐热层的至少一者含有选自镍、钴、铜、锌中的一种以上元素。

本发明的附载体铜箔在进而另一实施形态中，在所述极薄铜层上具备树脂层。

本发明的附载体铜箔在进而另一实施形态中，在选自由所述粗化处理层、所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上层上具备树脂层。

本发明的附载体铜箔在进而另一实施形态中，所述树脂层含有电介质。

本发明于另一方面是使用本发明的附载体铜箔所制造的印刷配线板。

本发明于进而另一方面是使用本发明的附载体铜箔所制造的积层体。

本发明于进而另一方面是一种积层体，该积层体含有本发明的附载体铜箔与树脂，所述附载体铜箔的端面的一部分或全部由所述树脂覆盖。

本发明于进而另一方面是将一个本发明的附载体铜箔从所述载体侧或所述极薄铜层侧积层于另一个本发明的附载体铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧而成的积层体。

本发明于进而另一方面是使用本发明的积层体的印刷配线板的制造方法。

本发明于进而另一方面是一种印刷配线板的制造方法，该印刷配线板的制造方法包括：在本发明的积层体设置树脂层与电路这两层至少1次的步骤；及

在形成所述树脂层及电路这两层至少1次后，将所述极薄铜层或所述载体从所述积层体的附载体铜箔剥离的步骤。

本发明于进而另一方面是一种印刷配线板的制造方法，该印刷配线板的制造方法包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；

在将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层后，经过剥离所述附载体铜箔的铜箔载体的步骤而形成覆铜积层板，

其后，通过半加成法(セミアディティブ法)、减成法(サブトラクティブ法)、部分加成法(パートリーアディティブ法)或改良型半加成法(モディファイドセミアディティブ法)中的任一种方法形成电路的步骤。

本发明于进而另一方面是一种印刷配线板的制造方法，该印刷配线板的制造方法包括：在本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路的步骤；

以埋没所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层的步骤；

将所述载体或所述极薄铜层剥离的步骤；以及

在将所述载体或所述极薄铜层剥离后，去除所述极薄铜层或所述载体，由此使形成于所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面且埋没于所述树脂层中的电路露出的步骤。

本发明于进而另一方面是一种印刷配线板的制造方法，该印刷配线板的制造方法包括：将本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板进行积层的步骤；

在所述附载体铜箔的与树脂基板积层一侧的相反侧的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面设置树脂层与电路这两层至少1次的步骤；以及

在形成所述树脂层及电路这两层至少1次后，将所述载体或所述极薄铜层从所述附载体铜箔剥离的步骤。

本发明于进而另一方面是一种电子机器，该电子机器是使用本发明的印刷配线板或通过本发明的印刷配线板的制造方法而制造的印刷配线板所制造。

【发明之效果】

根据本发明，可提供一种极薄铜层的厚度为0.9μm以下的附载体铜箔，其可良好地抑制剥离载体时发生的针孔的产生。

附图说明

图1A～图1C是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的至镀敷电路、去除阻剂为止的步骤中的配线板截面的模式图。

图2D～图2F是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的从积层树脂及第二层附载体铜箔至激光打孔为止的步骤中的配线板截面的模式图。

图3G～图3I是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的从形成盲孔填充物至剥离第一层载体为止的步骤中的配线板截面的模式图。

图4J～图4K是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的从闪蚀至形成凸块、铜柱为止的步骤中的配线板截面的模式图。

具体实施方式

<附载体铜箔>

本发明的附载体铜箔依序具有载体、中间层、极薄铜层。另外，可将中间层、极薄铜层设置于载体的一面或两面，还可以对该一面的极薄铜层与另一面的载体或该两面的极薄铜层进行粗化处理等表面处理。附载体铜箔本身的使用方法为业者所周知，例如将极薄铜层的表面贴合于纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜、液晶聚合物、氟树脂等绝缘基板或膜并进行热压接后将载体剥离，将与绝缘基板接着的极薄铜层蚀刻为目标导体图案，最终可制造积层体(覆铜积层体等)、或印刷配线板等。

本发明的附载体铜箔是将通过按照JIS C 6471 8.1的90°剥离法剥离载体时的剥离强度控制为20N/m以下。如上所述，将通过按照JIS C 6471 8.1的90°剥离法剥离载体时的剥离强度控制为20N/m以下，由此可良好地抑制极薄铜层的厚度为0.9μm以下的所谓附载体超极薄铜箔中在剥离载体时发生的针孔的产生。如果通过按照JIS C 6471 8.1的90°剥离法剥离载体时的剥离强度超过20N/m，则在剥离载体时，极薄铜层的一部分被载体拉离，该部位在极薄铜层中成为针孔。另一方面，如果载体与极薄铜层的剥离强度过小，则有两者的接着性变得不良之虞。从这些方面来说，本发明的附载体铜箔优选将通过按照JIS C 6471 8.1的90°剥离法剥离载体时的剥离强度控制为3～20N/m，更优选控制为3～15N/m，更优选控制为3～10N/m，更优选控制为3～9N/m，更优选控制为3～8N/m，进而更优选控制为3～5N/m。

<载体>

可用于本发明的载体为金属箔或树脂膜，例如可以如下形态提供：铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、铝箔、铝合金箔、绝缘树脂膜、聚酰亚胺膜、LCP(液晶聚合物)膜、氟树脂膜、聚酰胺膜、PET膜。典型而言，可用于本发明的载体是以压延铜箔或电解铜箔的形态提供。一般而言，电解铜箔是使铜从硫酸铜镀浴电解析出至钛或不锈钢的滚筒上而制造，压延铜箔是反复进行利用压延辊进行的塑性加工与热处理而制造。作为铜箔的材料，除了精铜(JIS H3100合金编号C1100)或无氧铜(JIS H3100合金编号C1020或JIS H3510合金编号C1011)之类的高纯度铜以外，例如也可使用如掺Sn铜、掺Ag铜、添加有Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加有Ni及Si等的卡逊系铜合金般的铜合金。此外，在本说明书中单独使用用语「铜箔」时也包括铜合金箔。

可用于本发明的载体的厚度也没有特别限制，适当调节为在发挥作为载体的作用方面合适的厚度即可，例如可设为5μm以上。但如果过厚，则生产成本变高，因此通常优选设为35μm以下。因此，典型而言，载体的厚度为8～70μm，更典型而言为12～70μm，更典型而言为18～35μm。另外，就降低原料成本的观点而言，优选载体的厚度小。因此，典型而言，载体的厚度为5μm以上且35μm以下，优选5μm以上且18μm以下，优选5μm以上且12μm以下，优选5μm以上且11μm以下，优选5μm以上且10μm以下。此外，当载体的厚度小时，载体在通箔时容易产生弯折褶皱。为了防止产生弯折褶皱，有效的是例如使附载体铜箔制造装置的搬送辊变得平滑或缩短搬送辊与其后的搬送辊的距离。

本发明的载体在根据JIS B0601-1994而利用激光显微镜测定极薄铜层侧表面时，将算术平均粗糙度Ra控制为0.3μm以下。极薄铜层是沿载体的极薄铜层侧表面的凹凸而形成的。此时，载体的凸部在剥离载体时应力容易集中而易被破坏。由此引起破坏而导致产生针孔。对此，如果减小载体的极薄铜层侧表面的凹凸，则作用在极薄铜层上的应力变小，在剥离载体时不会破坏极薄铜层，从而可良好地抑制产生针孔的情况。因此，即便载体的剥离强度高也变得不易产生针孔。从这种观点出发，在本发明的附载体铜箔中，通过将载体的极薄铜层侧表面的该算术平均粗糙度Ra控制为0.3μm以下，而良好地抑制极薄铜层的厚度为0.9μm以下的所谓附载体超极薄铜箔在剥离载体时发生的针孔的产生。如果载体的极薄铜层侧表面的该算术平均粗糙度Ra超过0.3μm，则在剥离载体时，极薄铜层的一部分被载体拉离，在极薄铜层中该处成为针孔。另一方面，如果载体的极薄铜层侧表面的该算术平均粗糙度Ra过小，则积层极薄铜层与树脂时的剥离强度降低，在将极薄铜层与载体剥离时有产生在极薄铜层与树脂的界面剥离的问题之虞。从这些方面来说，本发明的载体在根据JIS B0601-1994而利用激光显微镜测定极薄铜层侧表面时，优选算术平均粗糙度Ra为0.05～0.3μm，优选算术平均粗糙度Ra为0.07～0.3μm，优选算术平均粗糙度Ra为0.08～0.3μm，优选算术平均粗糙度Ra为0.1～0.3μm，更优选0.13～0.25μm，进而更优选0.15～0.2μm。

以下例示使用电解铜箔作为载体时的制造条件的一例。

<电解液组成>

铜：90～110g/L

硫酸：90～110g/L

氯：50～100ppm

整平剂1(双(3-磺丙基)二硫化物)：10～30ppm

整平剂2(胺化合物)：10～30ppm

所述胺化合物可使用以下化学式的胺化合物。

此外，只要没有特别记载，则本发明所记载的电解液、镀敷液等的剩余部分为水。

【化1】

(所述化学式中，R₁及R₂是选自由羟基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基组成的群中的基团)

<制造条件>

电流密度：70～100A/dm²

电解液温度：50～60℃

电解液线速度：3～5m/sec

电解时间：0.5～10分钟

<中间层>

在载体的单面或两面上设置中间层。可在铜箔载体与中间层之间设置其他层。本发明所使用的中间层只要采用如下构成，则并无特别限定：在附载体铜箔积层于绝缘基板的步骤前，极薄铜层不易从载体剥离，另一方面，在积层于绝缘基板的步骤后，极薄铜层变得可从载体剥离。例如，本发明的附载体铜箔的中间层可含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些金属的合金、这些金属的水合物、这些金属的氧化物、有机物组成的群中的一种或两种以上。另外，中间层也可为多层。

另外，中间层例如可采用如下构成：从载体侧起，形成含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中的一种元素的单一金属层，或含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中的一种或两种以上的元素的合金层，或有机物层，并且在其上形成含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中的一种或两种以上的元素的水合物、或氧化物、或有机物的层。

另外，中间层例如可由如下的层构成：从载体侧起为含有Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群内任一种元素的单一金属层，或含有选自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群中的一种以上的元素的合金层或含有有机物的层，其次为含有Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群内任一种元素的单一金属层，或含有选自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群中的一种以上的元素的合金层。另外，其他层也可使用可用作中间层的层构成。

当仅在单面设置中间层时，优选在载体的相反面设置粗化处理层或镀Ni层等防锈层。此外，当通过铬酸盐处理、铬酸锌处理或镀敷处理设置中间层时，认为有时铬或锌等附着的金属的一部分成为水合物或氧化物。

另外，中间层例如可在载体上依序积层镍、镍-磷合金或镍-钴合金与含铬层而构成。由于镍与铜的接着力高于铬与铜的接着力，因此在剥离极薄铜层时，成为在极薄铜层与铬的界面处进行剥离。另外，对于中间层的镍，期待具有防止铜成分从载体向极薄铜层扩散的阻挡效果。含铬层优选铬酸盐处理层、铬层或铬合金层。这里所谓的铬酸盐处理层是指通过含有无水铬酸、铬酸、二铬酸、铬酸盐或二铬酸盐的溶液进行处理的层。铬酸盐处理层可含有Co、Fe、Ni、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、As及Ti等元素(可为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形态)。作为铬酸盐处理层的具体例，可列举纯铬酸盐处理层或铬酸锌处理层等。在本发明中，将通过无水铬酸或二铬酸钾水溶液进行处理的铬酸盐处理层称为纯铬酸盐处理层。另外，在本发明中，将通过含有无水铬酸或二铬酸钾及锌的处理液进行处理的铬酸盐处理层称为铬酸锌处理层。中间层中的镍的附着量优选100μg/dm²以上且40000μg/dm²以下，更优选200μg/dm²以上且30000μg/dm²以下，更优选300μg/dm²以上且20000μg/dm²以下，更优选400μg/dm²以上且未达15000μg/dm²，中间层中的铬的附着量优选5μg/dm²以上且150μg/dm²以下，且优选5μg/dm²以上且100μg/dm²以下。

另外，中间层所含的有机物优选选自由含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸组成的群中的一种以上有机物。作为具体的含氮有机化合物，优选使用作为具有取代基的三唑化合物的1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'-双(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-氨基-1H-1,2,4-三唑等。

含硫有机化合物优选使用巯基苯并噻唑、2-巯基苯并噻唑钠、三聚硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。

作为羧酸，特别优选使用单羧酸，其中优选使用油酸、亚麻油酸(リノール酸)及亚油酸(リノレイン酸)等。

上述的有机物以厚度计优选含有5nm以上且80nm以下，更优选含有10nm以上且70nm以下。中间层可含有多种(一种以上)上文所述的有机物。

有机物的厚度可以如下方式进行测定。

<中间层的有机物厚度>

在将附载体铜箔的极薄铜层从载体剥离后，对露出的极薄铜层的中间层侧的表面与露出的载体的中间层侧的表面进行XPS测定，并制作深度分布图(デプスプロファイル)。然后，将从极薄铜层的中间层侧的表面起最初碳浓度成为3at％以下的深度设为A(nm)，将从载体的中间层侧的表面起最初碳浓度成为3at％以下的深度设为B(nm)，而可以A与B的合计作为中间层的有机物的厚度(nm)。

将所述XPS的运转条件示于以下。

·装置：XPS测定装置(ULVAC-PHI公司，型式5600MC)

·极限真空：3.8×10^-7Pa

·X射线：单色AlKα或非单色MgKα，X射线功率300W，检测面积800μmΦ，试样与检测器所成的角度45°

·离子束：离子种类Ar⁺，加速电压3kV，扫描面积3mm×3mm，溅镀速度2.8nm/min(SiO₂换算)

<极薄铜层>

在中间层上设置极薄铜层。可在中间层与极薄铜层之间设置其他层。极薄铜层可设置在载体的两面。极薄铜层可为电解铜层。这里所谓的该电解铜层是指通过电镀(电解镀敷)形成的铜层。极薄铜层可通过利用硫酸铜、焦磷酸铜、氨基磺酸铜、氰化铜等的电解浴的电镀而形成，就可在通常的电解铜层中使用、可在高电流密度下形成铜箔的方面而言，优选硫酸铜浴。此外，可在用来形成极薄铜层的镀敷液中添加光泽剂。将极薄铜层的厚度控制为0.9μm以下。通过这种构成，可使用该极薄铜层形成极微细的电路。由于极薄铜层的厚度越薄越容易提高电路形成性，因此优选0.85μm以下，更优选0.80μm以下，进而更优选0.75μm以下，进而更优选0.70μm以下，进而更优选0.65μm以下，进而更优选0.60μm以下，进而更优选0.50μm以下，进而更优选0.45μm以下，进而更优选0.40μm以下，进而更优选0.35μm以下，进而更优选0.32μm以下，进而更优选0.30μm以下，进而更优选0.25μm以下。由于如果极薄铜层的厚度过小，则有产生处理变得困难的问题之虞，因此优选0.01μm以上，优选0.05μm以上，优选0.10μm以上，更优选0.15μm以上。极薄铜层的厚度典型而言为0.01～0.9μm，典型而言为0.05～0.9μm，更典型而言为0.1～0.9μm，进而更典型而言为0.15～0.9μm。

极薄铜层产生针孔有引起电路断线之虞。因此，理想的是减少极薄铜层的针孔个数。

极薄铜层每单位面积(m²)的针孔个数(个/m²)优选20个/m²以下，优选15个/m²以下，优选11个/m²以下，优选10个/m²以下，优选8个/m²以下，优选6个/m²以下，优选5个/m²以下，优选3个/m²以下，优选1个/m²以下，优选0个/m²。

<粗化处理及其他表面处理>

例如为了使与绝缘基板的密接性变得良好等，可通过对极薄铜层的表面或载体的表面的任一者或两者实施粗化处理而设置粗化处理层。粗化处理例如可通过由铜或铜合金形成粗化粒子而进行。粗化处理可为微细的粗化处理。粗化处理层可为含有选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌组成的群中的任一种单质或含有任一种以上的合金的层。另外，也可在由铜或铜合金形成粗化粒子后，进一步进行由镍、钴、铜、锌的单质或合金等设置二次粒子或三次粒子的粗化处理。其后，可由镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层及/或防锈层，也可进一步对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶联处理等处理。或可不进行粗化处理，而由镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层及/或防锈层，进一步对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶联处理等处理。即，可在粗化处理层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上层，也可在极薄铜层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上层。此外，所述的耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶联处理层分别可以多层形成(例如2层以上、3层以上等)。

这里所谓的铬酸盐处理层是指通过含有无水铬酸、铬酸、二铬酸、铬酸盐或二铬酸盐的溶液进行处理的层。铬酸盐处理层可含有钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛等元素(可为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形态)。作为铬酸盐处理层的具体例，可列举由无水铬酸或二铬酸钾水溶液进行处理的铬酸盐处理层或者由含有无水铬酸或二铬酸钾及锌的处理液进行处理的铬酸盐处理层等。

此外，在载体的设置极薄铜层一侧的表面的相反侧的表面设置粗化处理层具有如下优点：在将载体从具有该粗化处理层的表面侧积层于树脂基板等支持体时，载体与树脂基板变得不易剥离。通过以上述方式进一步在极薄铜层或载体的表面的粗化处理层上形成耐热层等表面处理层，可良好地抑制来自极薄铜层或载体的铜等元素向所积层的树脂基材扩散，提高与树脂基材进行积层时由热压接而获得的密接性。

作为耐热层、防锈层，可使用公知的耐热层、防锈层。例如，耐热层及/或防锈层可为含有选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的一种以上元素的层，也可为含有选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的一种以上元素的金属层或合金层。另外，耐热层及/或防锈层可含有含上述的元素的氧化物、氮化物、硅化物。另外，耐热层及/或防锈层可为含有镍-锌合金的层。另外，耐热层及/或防锈层可为镍-锌合金层。所述镍-锌合金层可为除了不可避免的杂质以外，含有50wt％～99wt％的镍、50wt％～1wt％的锌的合金层。所述镍-锌合金层的锌及镍的合计附着量可为5～1000mg/m²、优选10～500mg/m²、优选20～100mg/m²。另外，含有所述镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍的附着量与锌的附着量的比(＝镍的附着量/锌的附着量)优选1.5～10。另外，含有所述镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍的附着量优选0.5mg/m²～500mg/m²，更优选1mg/m²～50mg/m²。当耐热层及/或防锈层为含有镍-锌合金的层时，铜箔与树脂基板的密接性提高。

例如耐热层及/或防锈层可为依序积层附着量为1mg/m²～100mg/m²、优选5mg/m²～50mg/m²的镍或镍合金层与附着量为1mg/m²～80mg/m²、优选5mg/m²～40mg/m²的锡层而获得的层，所述镍合金层可由镍-钼、镍-锌、镍-钼-钴、镍-锡合金的任一种构成。另外，上文所述的耐热层及/或防锈层优选[镍或镍合金中的镍附着量]/[锡附着量]＝0.25～10，更优选0.33～3。如果使用该耐热层及/或防锈层，则将附载体铜箔加工成印刷配线板后的电路的剥离强度、该剥离强度的耐化学品性劣化率等变得良好。

所述硅烷偶联处理层可使用公知的硅烷偶联剂而形成，可使用环氧系硅烷、氨基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巯基系硅烷、乙烯系硅烷、咪唑系硅烷、三嗪系硅烷等硅烷偶联剂等而形成。此外，这种硅烷偶联剂可混合两种以上而使用。其中，优选使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂形成的硅烷偶联处理层。

硅烷偶联处理层以硅原子换算计，较理想以0.05mg/m²～200mg/m²、优选0.15mg/m²～20mg/m²、优选0.3mg/m²～2.0mg/m²的范围进行设置。当为上述的范围时，可进一步提高基材与表面处理铜箔的密接性。

另外，可对极薄铜层、粗化处理层、耐热层、防锈层、硅烷偶联处理层或铬酸盐处理层的表面进行国际公开编号WO2008/053878、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、日本特开2013-19056号所记载的表面处理。

另外，本发明的附载体铜箔可在所述极薄铜层上，或所述粗化处理层上，或所述耐热层、防锈层，或铬酸盐处理层，或硅烷偶联处理层上具备树脂层。所述树脂层可为绝缘树脂层。

所述树脂层可为接着剂，也可为接着用的半硬化状态(B阶段状态)的绝缘树脂层。所谓半硬化状态(B阶段状态)包括如下状态：即便用手指接触其表面，也没有粘附感，可将该绝缘树脂层重叠保管，进而如果受到加热处理，则引起硬化反应。

另外，所述树脂层可含有热硬化性树脂，也可为热塑性树脂。另外，所述树脂层可含有热塑性树脂。其种类并没有特别限定，例如可列举含有选自如下物质的群中的一种以上的树脂作为优选的树脂：环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、马来酰亚胺化合物、聚乙烯醇缩醛树脂、氨基甲酸酯(ウレタン)树脂、聚醚砜、聚醚砜树脂、芳香族聚酰胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶改性环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改性丙烯腈-丁二烯树脂、聚苯醚(ポリフェニレンオキサイド)、双马来酰亚胺三嗪树脂、热硬化性聚苯醚(ポリフェニレンオキサイド)树脂、氰酸酯系树脂、多元羧酸酐、具有可交联的官能基的线性聚合物、聚苯醚(ポリフェニレンエーテル)树脂、2,2-双(4-氰氧基苯基(シアナトフェニル))丙烷、含磷酚化合物、环烷酸锰、2,2-双(4-缩水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚(ポリフェニレンエーテル)-氰酸酯系树脂、硅氧烷改性聚酰胺酰亚胺树脂、氰基酯树脂、磷腈系树脂、橡胶改性聚酰胺酰亚胺树脂、异戊二烯、氢化聚丁二烯、聚乙烯醇缩丁醛、苯氧基树脂、高分子环氧(高分子エポキシ)、芳香族聚酰胺、氟树脂、双酚、嵌段共聚聚酰亚胺树脂及氰基酯树脂。

另外，只要所述环氧树脂为分子内具有2个以上环氧基并且可用于电气、电子材料用途的树脂，则可无特别问题地使用。另外，所述环氧树脂优选使用分子内具有2个以上缩水甘油基的化合物进行环氧化而成的环氧树脂。另外，所述环氧树脂可将选自如下物质的群中的一种或两种以上加以混合而使用，或者使用所述环氧树脂的氢化物或卤化物：双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化(brominated)环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、橡胶改性双酚A型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、异氰脲酸三缩水甘油酯、N,N-二缩水甘油基苯胺等缩水甘油胺化合物、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯等缩水甘油酯化合物、含磷环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂。

作为所述含磷环氧树脂，可使用公知的含有磷的环氧树脂。另外，所述含磷环氧树脂例如优选分子内具有2个以上环氧基的以源自9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物(9，10－ジヒドロ－9－オキサ－10－ホスファフェナントレン－10－オキサイド)的衍生物的形式获得的环氧树脂。

所述树脂层可含有公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、电介质(可使用含有无机化合物及/或有机化合物的电介质、含有金属氧化物的电介质等任意电介质)、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料、上述的树脂、上述的化合物等。另外，所述树脂层例如可使用如下文献中所记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、电介质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等)及/或树脂层的形成方法、形成装置而形成：国际公开编号WO2008/004399号、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本特开平11-5828号、日本特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000-43188号、日本专利第3612594号、日本特开2002-179772号、日本特开2002-359444号、日本特开2003-304068号、日本专利第3992225号、日本特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004-82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005-262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005-53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本特开2006-257153号、日本特开2007-326923号、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009-67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本专利特开2009-173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本特开2011-14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本特开2013-19056号。

(当树脂层含有电介质(电介质填料)时)

所述树脂层可含有电介质(电介质填料)。

当所述任一种树脂层或树脂组合物中含有电介质(电介质填料)时，可用于形成电容器层的用途而增大电容器电路的电容。该电介质(电介质填料)使用BaTiO₃、SrTiO₃、Pb(Zr-Ti)O₃(通称PZT)、PbLaTiO₃·PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi₂Ta₂O₉(通称SBT)等具有钙钛矿结构的复合氧化物的电介质粉。

将上文所述的树脂层所含的树脂及/或树脂组合物及/或化合物溶解于例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶剂中而制成树脂液，通过例如辊涂法等将其涂布于所述极薄铜层上，或所述耐热层、防锈层，或所述铬酸盐皮膜层，或所述硅烷偶联剂层上，然后视需要进行加热干燥而将溶剂去除，从而使其成为B阶段状态。干燥例如使用热风干燥炉即可，干燥温度可为100～250℃，优选130～200℃。

具备所述树脂层的附载体铜箔(附树脂的附载体铜箔)是以如下所述态样而使用：将该树脂层重叠于基材上后，对整体进行热压接而将该树脂层热硬化，其次将载体剥离而露出极薄铜层(当然露出的是该极薄铜层的中间层侧的表面)，在其上形成特定的布线图案。

如果使用该附树脂的附载体铜箔，则可减少制造多层印刷配线基板时的预浸材料的使用片数。并且可将树脂层的厚度设为可确保层间绝缘的厚度，或即便完全不使用预浸材料也可制造覆铜积层板。另外，此时也可对基材的表面底漆涂布绝缘树脂而进一步改善表面的平滑性。

此外，当不使用预浸材料时，预浸材料的材料成本得以节约，另外积层步骤也变得简单，因此在经济方面有利，而且具有如下优点：按预浸材料的厚度而制造的多层印刷配线基板的厚度变薄，可制造1层的厚度为100μm以下的极薄的多层印刷配线基板。

该树脂层的厚度优选0.1～80μm。如果树脂层的厚度薄于0.1μm，则接着力降低，当不介置预浸材料而将该附树脂的附载体铜箔积层于具备内层材的基材上时，有时难以确保内层材与电路之间的层间绝缘。

另一方面，如果树脂层的厚度厚于80μm，则通过1次涂布步骤难以形成目标厚度的树脂层，由于花费了多余的材料费及工时，因此在经济方面不利。进而，所形成的树脂层由于其柔性(可撓性)差，因此存在如下情形：在操作时变得容易产生龟裂等，另外，在与内层材热压接时会引起过量的树脂流动，而变得难以顺利进行积层。

进而，作为该附树脂的附载体铜箔的另一产品形态，也可用树脂层覆盖在所述极薄铜层上，或所述耐热层，防锈层，或所述铬酸盐处理层，或所述硅烷偶联处理层上，并且使其成为半硬化状态后，其次将载体剥离，以不存在载体的附树脂铜箔的形式进行制造。

以下例示使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造步骤的若干例。

于本发明的印刷配线板的制造方法的一实施形态中包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；以极薄铜层侧与绝缘基板相对向的方式积层所述附载体铜箔与绝缘基板后，经过剥离所述附载体铜箔的载体的步骤而形成覆铜积层板，其后，通过半加成法、改良型半加成法、部分加成法及减成法的任一种方法形成电路的步骤。绝缘基板也可设为加入内层电路的基板。

在本发明中，所谓半加成法是指在绝缘基板或铜箔籽晶层(シード層)上进行薄的无电镀敷而形成图案后，利用电镀及蚀刻形成导体图案的方法。

因此，于使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施形态中包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；

将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除的步骤；

在通过利用蚀刻去除所述极薄铜层而露出的所述树脂设置通孔或/及盲孔的步骤；

对含有所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣(デスミア)处理的步骤；

对所述树脂及含有所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀敷层的步骤；

在所述无电镀敷层上设置镀敷阻剂的步骤；

对所述镀敷阻剂进行曝光，然后去除形成电路的区域的镀敷阻剂的步骤；

在去除所述镀敷阻剂的形成所述电路的区域设置电解镀敷层的步骤；

将所述镀敷阻剂去除的步骤；

通过闪蚀等将处于形成所述电路的区域以外的区域的无电镀敷层去除的步骤。

在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施形态中包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；

将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除的步骤；

在通过利用蚀刻将所述极薄铜层去除而露出的所述树脂的表面设置无电镀敷层的步骤；

在所述无电镀敷层上设置镀敷阻剂的步骤；

对所述镀敷阻剂进行曝光，然后去除形成电路的区域的镀敷阻剂的步骤；

在去除所述镀敷阻剂的形成所述电路的区域设置电解镀敷层的步骤；

将所述镀敷阻剂去除的步骤；

通过闪蚀等将处于形成所述电路的区域以外的区域的无电镀敷层及极薄铜层去除的步骤。

在本发明中，所谓改良型半加成法是指如下方法：在绝缘层上积层金属箔，利用镀敷阻剂保护非电路形成部，并且利用电解镀敷加厚电路形成部的铜厚后，将阻剂去除，通过(闪蚀)蚀刻去除所述电路形成部以外的金属箔，由此在绝缘层上形成电路。

因此，在使用改良型半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施形态中包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；

在积层所述附载体铜箔与绝缘基板后将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；

对含有所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；

对含有所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀敷层的步骤；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层表面设置镀敷阻剂的步骤；

设置所述镀敷阻剂后，通过电解镀敷形成电路的步骤；

将所述镀敷阻剂去除的步骤；

通过闪蚀去除通过将所述镀敷阻剂去除而露出的极薄铜层的步骤。

在使用改良型半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施形态中包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；

在积层所述附载体铜箔与绝缘基板后将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层上设置镀敷阻剂的步骤；

对所述镀敷阻剂进行曝光，然后去除形成电路的区域的镀敷阻剂的步骤；

在去除所述镀敷阻剂的形成所述电路的区域设置电解镀敷层的步骤；

将所述镀敷阻剂去除的步骤；

通过闪蚀等将处于形成所述电路的区域以外的区域的无电镀敷层及极薄铜层去除的步骤。

在本发明中，所谓部分加成法是指如下方法：对设置导体层而成的基板、视需要穿设通孔或辅助孔(バイアホール)用的孔而成的基板上赋予催化剂核，进行蚀刻而形成导体电路，视需要而设置阻焊剂或镀敷阻剂后，在所述导体电路上，利用无电镀敷处理对通孔或辅助孔等赋予厚度，由此制造印刷配线板。

因此，在使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施形态中包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；

在积层所述附载体铜箔与绝缘基板后将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；

对含有所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；

对含有所述通孔或/及盲孔的区域赋予催化剂核的步骤；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层表面设置蚀刻阻剂的步骤；

对所述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案的步骤；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法去除所述极薄铜层及所述催化剂核而形成电路的步骤；

将所述蚀刻阻剂去除的步骤；

在通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法去除所述极薄铜层及所述催化剂核而露出的所述绝缘基板表面设置阻焊剂或镀敷阻剂的步骤；

在未设置所述阻焊剂或镀敷阻剂的区域设置无电镀敷层的步骤。

在本发明中，所谓减成法是指如下方法：利用蚀刻等选择性去除覆铜积层板上的铜箔的无用部分，从而形成导体图案。

因此，在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施形态中包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；

在积层所述附载体铜箔与绝缘基板后将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；

对含有所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；

对含有所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀敷层的步骤；

在所述无电镀敷层的表面设置电解镀敷层的步骤；

在所述电解镀敷层或/及所述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂的步骤；

对所述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案的步骤；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法去除所述极薄铜层、所述无电镀敷层及所述电解镀敷层而形成电路的步骤；

将所述蚀刻阻剂去除的步骤。

在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施形态中包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；

将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；

对含有所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；

对含有所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀敷层的步骤；

在所述无电镀敷层的表面形成遮罩的步骤；

在未形成遮罩的所述无电镀敷层的表面设置电解镀敷层的步骤；

在所述电解镀敷层或/及所述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂的步骤；

对所述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案的步骤；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法去除所述极薄铜层及所述无电镀敷层而形成电路的步骤；

将所述蚀刻阻剂去除的步骤。

也可不进行设置通孔或/及盲孔的步骤及其后的除胶渣步骤。

这里使用图式对使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例进行详细说明。此外，这里是以在极薄铜层表面形成有粗化处理层的附载体铜箔为例进行说明，但也可未形成粗化处理层。

首先，如图1-A所示，准备具有在表面形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔(第一层)。

其次，如图1-B所示，在极薄铜层的粗化处理层上涂布阻剂，进行曝光、显影，将阻剂蚀刻成特定形状。

再次，如图1-C所示，形成电路用镀敷层后，将阻剂去除，由此形成特定形状的电路镀敷层。

然后，如图2-D所示，以覆盖电路镀敷层的方式(埋没电路镀敷层的方式)在极薄铜层上设置嵌入树脂而积层树脂层，然后将另一个附载体铜箔(第二层)从极薄铜层侧进行接着。

再次，如图2-E所示，将载体从第二层附载体铜箔剥离。

再次，如图2-F所示，在树脂层的特定位置进行激光打孔，使电路镀敷层露出而形成盲孔。

再次，如图3-G所示，在盲孔中嵌入铜而形成盲孔填充物。

再次，如图3-H所示，以如所述图1-B及图1-C的方式在盲孔填充物上形成电路镀敷层。

再次，如图3-I所示，将载体从第一层附载体铜箔剥离。

再次，如图4-J所示，通过闪蚀去除两表面的极薄铜层，使树脂层内的电路镀敷层的表面露出。

再次，如图4-K所示，在树脂层内的电路镀敷层上形成凸块，并在该焊料上形成铜柱。由此制作使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板。

此外，在所述印刷配线板的制造方法中，也可将「极薄铜层」换称为载体、将「载体」换称为极薄铜层，而在附载体铜箔的载体侧的表面形成电路，并且以树脂埋没电路，从而制造印刷配线板。

如果使用本发明的附载体铜箔进行如上所述的嵌入法，则由于极薄铜层薄，因此在短时间内完成用来使嵌入电路露出的蚀刻，生产性飞跃性地提高。

所述另一个附载体铜箔(第二层)可使用本发明的附载体铜箔，也可使用现有的附载体铜箔，还可以使用通常的铜箔。另外，还可以在如图3-H所示的第二层电路上形成一层或多层电路，可利用半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一种方法形成这些电路。

如果使用本发明的附载体铜箔进行半加成法或改良型半加成法，则由于极薄铜层薄，而在短时间内完成闪蚀，生产性飞跃性地提高。

另外，所述第一层所使用的附载体铜箔可在该附载体铜箔的载体侧表面具有基板。通过具有该基板，第一层所使用的附载体铜箔受到支持，变得不易起皱，因此具有生产性提高的优点。此外，所述基板只要具有支持所述第一层所使用的附载体铜箔的效果，则可使用全部基板。例如作为所述基板，可使用本申请说明书所记载的载体、预浸料、树脂层或公知的载体、预浸料、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物板、无机化合物箔、有机化合物板、有机化合物箔。

在载体侧表面形成基板的时机没有特别限制，但必须在剥离载体前形成。尤其优选于在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面形成树脂层的步骤前形成，更优选于在附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面形成电路的步骤前形成。

此外，嵌入树脂(レジン)可使用公知的树脂、预浸料。例如，可使用BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂或作为含浸BT树脂而成的玻璃布的预浸料、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司制造的ABF膜或ABF。另外，所述嵌入树脂可含有热硬化性树脂，也可为热塑性树脂。另外，所述嵌入树脂可含有热塑性树脂。另外，所述嵌入树脂(レジン)可使用本说明书所记载的树脂层及/或树脂及/或预浸料及/或膜。

进而，通过在本发明的印刷配线板搭载电子零件类来完成印刷电路板。在本发明中，「印刷配线板」也包括如此搭载有电子零件类的印刷配线板、印刷电路板及印刷基板。

另外，可使用该印刷配线板制作电子机器，也可使用该搭载有电子零件类的印刷电路板制作电子机器，也可使用该搭载有电子零件类的印刷基板制作电子机器。

另外，本发明的印刷配线板的制造方法可为包括如下步骤的印刷配线板的制造方法(空心法(コアレス工法))：将本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板进行积层的步骤；在与所述树脂基板进行积层的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面的相反侧的附载体铜箔的表面设置树脂层与电路这两层至少1次的步骤；以及在形成所述树脂层及电路这两层后，将所述载体或所述极薄铜层从所述附载体铜箔剥离的步骤。关于该空心法，作为具体的例，首先，将本发明的附载体铜箔的极薄铜层侧表面或载体侧表面与树脂基板进行积层而制造积层体(也称为覆铜积层板、覆铜积层体)。其后，在与树脂基板进行积层的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面的相反侧的附载体铜箔的表面形成树脂层。可进一步从载体侧或极薄铜层侧起，在形成于载体侧表面或极薄铜层侧表面的树脂层积层另一个附载体铜箔。

另外，可将具有如下所述构成的积层体用于所述印刷配线板的制造方法(空心法)：以树脂基板为中心，在该树脂基板的两表面侧，按照载体/中间层/极薄铜层的顺序或极薄铜层/中间层/载体的顺序积层有附载体铜箔的构成，或按照「载体/中间层/极薄铜层/树脂基板/极薄铜层/中间层/载体」的顺序积层的构成，或按照「载体/中间层/极薄铜层/树脂基板/载体/中间层/极薄铜层」的顺序积层的构成，或按照「极薄铜层/中间层/载体/树脂基板/载体/中间层/极薄铜层」的顺序积层的构成。

此外，可在两端的极薄铜层或载体露出的表面设置另一层树脂层，并且进一步设置铜层或金属层后，通过对该铜层或金属层进行加工而形成电路。还可以在该电路上，以埋没该电路的方式设置另一层树脂层。另外，可将这种电路及树脂层的形成进行1次以上(增层法)。然后，关于由此形成的积层体(以下也称为积层体B)，从载体或极薄铜层将各附载体铜箔的极薄铜层或载体剥离而可制作空心基板。此外，上文所述的空心基板的制作也可使用两块附载体铜箔，制作下述的具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体，或具有载体/中间层/极薄铜层/极薄铜层/中间层/载体的构成的积层体，或具有载体/中间层/极薄铜层/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体，并将该积层体用于中心。在这些积层体(以下也称为积层体A)两侧的极薄铜层或载体的表面设置树脂层及电路这两层1次以上，在设置树脂层及电路这两层1次以上后，从载体或极薄铜层将各附载体铜箔的极薄铜层或载体剥离而可制作空心基板。上文所述的积层体可在极薄铜层的表面、载体的表面、载体与载体之间、极薄铜层与极薄铜层之间、极薄铜层与载体之间具有其他层。其他层可为树脂层或树脂基板。此外，在本说明书中，当极薄铜层、载体、积层体在极薄铜层表面、载体表面、积层体表面具有其他层时，「极薄铜层的表面」、「极薄铜层侧表面」、「载体的表面」、「载体侧表面」、「积层体的表面」、「积层体表面」是设为包括该其他层的表面(最表面)的概念。另外，积层体优选具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成。其原因在于，当使用该积层体制作空心基板时，由于在空心基板侧配置极薄铜层，因此使用改良型半加成法容易在空心基板上形成电路。另外，其原因在于，由于极薄铜层的厚度薄，因此容易去除该极薄铜层，在去除极薄铜层后，使用半加成法，容易在空心基板上形成电路。

此外，在本说明书中，未特别记载为「积层体A」或「积层体B」的「积层体」表示至少包括积层体A及积层体B的积层体。

此外，在所述空心基板的制造方法中，通过以树脂覆盖附载体铜箔或积层体(积层体A)的端面的一部分或全部，当利用增层法制造印刷配线板时，可防止药液渗入至构成中间层或积层体的一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔之间，而可防止因药液渗入引起的极薄铜层与载体的分离或附载体铜箔的腐蚀，从而可提高良率。作为这里使用的「覆盖附载体铜箔的端面的一部分或全部的树脂」或「覆盖积层体的端面的一部分或全部的树脂」，可使用可用于树脂层的树脂。另外，在所述空心基板的制造方法中，附载体铜箔或积层体可为俯视时附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)的外周的至少一部分由树脂或预浸料覆盖。另外，利用所述空心基板的制造方法所形成的积层体(积层体A)可使一对附载体铜箔以互相可分离的方式进行接触而构成。另外，该附载体铜箔可为俯视时附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)的外周整体由树脂或预浸料覆盖而成的附载体铜箔。另外，优选俯视时树脂或预浸料大于附载体铜箔、积层体或积层体的积层部分，且优选制成具有将该树脂或预浸料积层于附载体铜箔或积层体的两面而利用树脂或预浸料将附载体铜箔或积层体封边(包裹)的构成的积层体。通过制成这种构成，当俯视附载体铜箔或积层体时，附载体铜箔或积层体的积层部分被树脂或预浸料所覆盖，可防止其他构件从该部分的侧方向、即相对于积层方向为横向的方向进行撞击，结果可减少操作中载体与极薄铜层或附载体铜箔彼此的剥离。另外，通过以不露出附载体铜箔或积层体的积层部分的外周的方式以树脂或预浸料进行覆盖，可防止如上述的药液处理步骤中药液向该积层部分的界面的渗入，从而可防止附载体铜箔的腐蚀或侵蚀。此外，当从积层体的一对附载体铜箔分离其中一个附载体铜箔时，或将附载体铜箔的载体与铜箔(极薄铜层)分离时，在以树脂或预浸料覆盖的附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)通过树脂或预浸料等而牢固密接时，有时需要通过切割等去除该积层部分等。

可将本发明的附载体铜箔从载体侧或极薄铜层侧积层于另一个本发明的附载体铜箔的载体侧或极薄铜层侧而构成积层体。另外，也可为视需要而经由接着剂，将所述一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面与所述另一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面直接积层而获得的积层体。另外，可将所述一个附载体铜箔的载体或极薄铜层与所述另一个附载体铜箔的载体或极薄铜层接合。这里，当载体或极薄铜层具有表面处理层时，该「接合」也包括介隔该表面处理层而互相接合的态样。另外，该积层体的端面的一部分或全部可被树脂覆盖。

载体彼此、极薄铜层彼此、载体与极薄铜层、附载体铜箔彼此的积层除了简单地重叠以外，例如可通过以下方法进行。

(a)冶金接合方法：熔焊(弧焊、TIG(タングステン·イナート·ガス，钨极惰性气体)焊接、MIG(メタル·イナート·ガス，金属极惰性气体)焊接、电阻焊接、缝焊接、点焊)、加压焊接(超声波焊接、摩擦搅拌焊接)、钎焊；

(b)机械接合方法：敛缝、利用铆钉的接合(利用自冲铆钉的接合、利用铆钉的接合)、钉箱机(ステッチャー)；

(c)物理接合方法：接着剂、(双面)胶带。

通过使用上述接合方法将一个载体的一部分或全部与另一个载体的一部分或全部或者极薄铜层的一部分或全部进行接合，可制造将一个载体与另一个载体或极薄铜层进行积层，使载体彼此或载体与极薄铜层以可分离的方式接触而构成的积层体。当将一个载体与另一个载体或极薄铜层较弱地接合而将一个载体与另一个载体或极薄铜层进行积层时，即便不去除一个载体与另一个载体或极薄铜层的接合部，一个载体与另一个载体或极薄铜层也可分离。另外，当将一个载体与另一个载体或极薄铜层较强地接合时，通过利用切割或化学研磨(蚀刻等)、机械研磨等去除将一个载体与另一个载体接合的部位，可将一个载体与另一个载体或极薄铜层分离。

另外，通过实施如下步骤，可制作印刷配线板：在以上述方式构成的积层体上至少1次设置树脂层与电路这两层的步骤；以及在至少1次形成所述树脂层及电路这两层后，从所述积层体的附载体铜箔将所述极薄铜层或载体剥离的步骤。此外，可在该积层体的其中一个表面或两个表面设置树脂层与电路这两层。

上文所述的积层体所使用的树脂基板、树脂层、树脂、预浸料可为本说明书所记载的树脂层，也可含有本说明书所记载的树脂层所使用的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、电介质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等。此外，附载体铜箔在俯视时可小于树脂或预浸料。

<附载体铜箔的制造方法>

其次，对本发明的附载体铜箔的制造方法进行说明。为了制造本发明的附载体铜箔，必须满足以下的制造条件。

(1)利用滚筒支持载体，同时一面通过辊对辊(ロール·ツウ·ロール)搬送方式进行搬送，一面通过电解镀敷形成中间层(也称为剥离层)、极薄铜层，或者在形成极薄铜层时的制造装置中，将搬送辊与搬送辊之间缩短，进一步将搬送张力设为通常的3～5倍左右而形成极薄铜层。

此外，为了将本发明的超极薄铜箔的厚度设为0.9μm以下，可举如下特征：以提高镀敷时的电流密度为目的，而将镀敷时的电流密度设为10A/dm²以上。如果电流密度为10A/dm²以下，则成为粉状镀敷，无法获得良好的镀敷表面。电流密度优选10A/dm²以上，更优选12A/dm²以上，进而更优选15A/dm²以上。

另外，为了将本发明的超极薄铜箔的剥离强度设为20N/m以下，可列举如下特征：将镀Cr温度的范围设为45～70℃。如果镀Cr温度低于45℃，则反应速度降低，剥离强度容易增大，难以控制为20N/m以下。另一方面，如果镀Cr温度超过70℃，则镀敷层变得不均，外观上成为问题。镀Cr温度优选45～70℃，更优选50～65℃，进而优选55～60℃。

另外，为了将本发明的超极薄铜层的表面粗糙度Ra设为0.3μm以下，可举如下特征：将载体的表面粗糙度Ra设为0.3μm以下。作为将电解铜箔即载体的表面粗糙度Ra设为0.3μm以下的方法，可通过如下方法等公知的方法来达成：例如为了使电解滚筒的表面粗糙度Ra成为0.3μm以下，而减弱精研磨时的研磨带的张力，或者增大研磨带所使用的研磨粒的粒度号数(减小研磨粒的大小)。尤其是如果使用本发明的极薄铜层形成方法，在一次制箔的载体表面镀敷2～5μm左右的铜，则可获得非常平滑的表面，故而优选。

关于(1)：

本发明的实施形态的附载体铜箔的制造方法是通过利用辊对辊搬送方式对沿长度方向搬送的长条状的载体的表面进行处理，而制造具备载体、积层于载体上的中间层、及积层于中间层上的极薄铜层的附载体铜箔。本发明的实施形态的附载体铜箔的制造方法包括：一面利用滚筒支持由搬送辊搬送的载体，一面通过镀敷(例如电解镀敷、无电镀敷等湿式镀敷或通过溅镀、CVD、PVD等进行的干式镀敷)在载体表面形成中间层的步骤；一面利用滚筒支持形成有中间层的载体，一面通过镀敷(例如电解镀敷、无电镀敷等湿式镀敷或通过溅镀、CVD、PVD等进行的干式镀敷)在中间层表面形成极薄铜层的步骤；一面利用滚筒支持载体，一面通过镀敷(例如电解镀敷、无电镀敷等湿式镀敷或通过溅镀、CVD、PVD等进行的干式镀敷)在极薄铜层表面形成粗化处理层的步骤。例如在各步骤中由滚筒支持的载体的处理面兼作阴极，在该滚筒和以与滚筒相对向的方式设置的阳极之间的镀敷液中进行各电解镀敷。这样利用滚筒支持载体，同时一面通过辊对辊搬送方式进行搬送，一面通过镀敷(例如电解镀敷、无电镀敷等湿式镀敷或通过溅镀、CVD、PVD等进行的干式镀敷)形成中间层、极薄铜层，由此镀敷中的阳极-阴极间的极间距离会稳定。因此，可良好地抑制所形成的层的厚度的不均，而可精度良好地制作如本发明的超极薄铜层。另外，如果通过镀敷中的阳极-阴极间的极间距离稳定而良好地抑制形成于载体表面的中间层的厚度不均，则同样也可抑制Cu从载体向极薄铜层扩散。因此，可良好地抑制极薄铜层中针孔的产生。

另外，作为除了由滚筒支持以外的方法，也有如下方法：在形成极薄铜层时的制造装置中，将搬送辊与搬送辊之间缩短，进而将搬送张力设为通常的3～5倍左右而形成极薄铜层。其原因在于，通过导入支撑辊等将搬送辊与搬送辊之间缩短(例如800～1000mm左右)，进而将搬送张力设为通常的3～5倍左右，由此载体的位置稳定，阳极-阴极间的极间距离稳定。通过极间距离稳定，可使阳极与阴极的距离小于通常的距离。

此外，如果并非以滚筒方式而是通过溅镀或无电镀敷形成，则由于用来维持装置的运转成本或溅镀靶、镀敷液的药液等的成本高，因此存在有时制造成本高的问题。

【实施例】

以下通过本发明的实施例进一步对本发明进行详细说明，但本发明并不受这些实施例任何限定。

1.附载体铜箔的制造

准备表1所记载的厚度的铜箔作为载体。表中的「电解铜箔」使用JX日矿日石金属公司制造的电解铜箔，「压延铜箔」使用JX日矿日石金属公司制造的精铜箔(JIS-H3100-C1100)。

对于该铜箔的光面，在以下的条件下，利用辊对辊型连续生产线进行表中记载的中间层、极薄铜层及粗化处理层的各形成处理。

(中间层形成)

中间层形成条件如表1所记载般。

-形成中间层时的电流密度-

将表1的形成中间层时的电流密度的条件示于以下。

◎：15A/dm²以上

〇：10A/dm²以上且未达15A/dm²

×：未达10A/dm²

-形成中间层时的温度-

将表1的形成中间层时的处理液温度的条件示于以下。

◎：50℃以上且65℃以下

〇：40℃以上且未达50℃或超过65℃且为70℃以下

×：未达40℃或超过70℃

-中间层形成方法-

将表1的中间层形成方法的条件示于以下。

(A)利用滚筒的运箔方式

·阳极：不溶解性电极

·阴极：由直径100cm滚筒支持的载体表面

·极间距离：10mm

·载体搬送张力：0.05kg/mm

(B)经改良的蜿蜒运箔方式

·阳极：不溶解性电极

·阴极：载体处理面

·极间距离：10mm

·载体搬送张力：0.20kg/mm

·将支撑辊设置于搬送辊间，将形成极薄铜层时的辊间距离设为通常的1/2(800～1000mm左右)。

此外，表中的「中间层」一栏的记载表示进行以下处理。另外，例如「Ni/有机物」是指进行镀镍处理后进行有机物处理。

·「Ni」：镀镍

(液体组成)硫酸镍：270～280g/L、氯化镍：35～45g/L、乙酸镍：10～20g/L、柠檬酸三钠：15～25g/L、光泽剂：糖精、丁炔二醇等、十二烷基硫酸钠：55～75ppm

(pH值)4～6

(通电时间)1～20秒

·「铬酸盐」：电解纯铬酸盐处理

(液体组成)重铬酸钾：1～10g/L

(pH值)7～10

(库仑量)0.5～90As/dm²

(通电时间)1～30秒

·「有机物」：有机物层形成处理

通过将浓度1～30g/L的含有羧基苯并三唑(CBTA)且液温为40℃、pH值为5的水溶液淋浴喷雾20～120秒而进行。

·「Ni-Mo」：镀镍钼合金

(液体组成)硫酸Ni六水合物：50g/dm³、钼酸钠二水合物：60g/dm³、柠檬酸钠：90g/dm³

(通电时间)3～25秒

·「Cr」：镀铬

(液体组成)CrO₃：200～400g/L、H₂SO₄：1.5～4g/L

(pH值)1～4

(通电时间)1～20秒

·「Co-Mo」：镀钴钼合金

(液体组成)硫酸Co：50g/dm³、钼酸钠二水合物：60g/dm³、柠檬酸钠：90g/dm³

(通电时间)3～25秒

·「Ni-P」：镀镍磷合金

(液体组成)Ni：30～70g/L、P：0.2～1.2g/L

(pH值)1.5～2.5

(通电时间)0.5～30秒

(极薄铜层形成)

将表1的极薄铜层形成方法的条件示于以下。

(A)利用滚筒的运箔方式

·阳极：不溶解性电极

·阴极：由直径100cm滚筒支持的载体表面

·极间距离：10mm

·电解液组成：铜浓度80～120g/L、硫酸浓度80～120g/L

·电解镀敷的浴温：50～80℃

·电解镀敷的电流密度：90A/dm²

·载体搬送张力：0.05kg/mm

(B)经改良的蜿蜒运箔方式

·阳极：不溶解性电极

·阴极：载体处理面

·极间距离：10mm

·电解液组成：铜浓度80～120g/L、硫酸浓度80～120g/L

·电解镀敷的浴温：50～80℃

·电解镀敷的电流密度：90A/dm²

·载体搬送张力：0.20kg/mm

·将支撑辊设置于搬送辊间，将形成极薄铜层时的辊间距离设为通常的1/2(800～1000mm左右)。

(粗化处理层形成)

将表1的粗化处理层形成方法的条件示于以下。

(A)利用滚筒的运箔方式

·阳极：不溶解性电极

·阴极：由直径100cm滚筒支持的载体表面

·极间距离：10mm

·载体搬送张力：0.05kg/mm

(B)经改良的蜿蜒运箔方式

·阳极：不溶解性电极

·阴极：载体处理面

·极间距离：10mm

·载体搬送张力：0.20kg/mm

·将支撑辊设置于搬送辊间，将形成极薄铜层时的辊间距离设为通常的1/2(800～1000mm左右)。

表的「粗化处理形成条件」的「1」及「2」表示以下的处理条件。

(1)粗化处理条件「1」

(液体组成)

Cu：10～20g/L

Ni：5～15g/L

Co：5～15g/L

(电镀条件)

温度：25～60℃

电流密度：35～55A/dm²

粗化库仑量：5～50As/dm²

镀敷时间：0.1～1.4秒

(2)粗化处理条件「2」

·电解镀敷液组成(Cu：10g/L、H₂SO₄：50g/L)

·电解镀敷的浴温：40℃

·电解镀敷的电流密度：20～40A/dm²

·粗化库仑量：2～56As/dm²

·镀敷时间：0.1～1.4秒

(耐热层形成)

「Cu-Zn」：镀铜-锌合金

(液体组成)

NaOH：40～200g/L

NaCN：70～250g/L

CuCN：50～200g/L

Zn(CN)₂：2～100g/L

As₂O₃：0.01～1g/L

(液温)

40～90℃

(电流条件)

电流密度：1～50A/dm²

镀敷时间：1～20秒

「Ni-Zn」：镀镍-锌合金

液体组成：镍2～30g/L、锌2～30g/L

pH值：3～4

液温：30～50℃

电流密度：1～2A/dm²

库仑量：1～2As/dm²

「Zn」：镀锌

液体组成：锌15～30g/L

pH值：3～4

液温：30～50℃

电流密度：1～2A/dm²

库仑量：1～2As/dm²

(防锈层形成)

「铬酸盐」：铬酸盐处理

K₂Cr₂O₇(Na₂Cr₂O₇或CrO₃)：2～10g/L

NaOH或KOH：10～50g/L

ZnOH或ZnSO₄·7H₂O：0.05～10g/L

pH值：7～13

浴温：20～80℃

电流密度：0.05～5A/dm²

时间：5～30秒

(硅烷偶联处理层形成)

喷涂0.1vol％～0.3vol％的3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷水溶液后，在100～200℃的空气中干燥、加热0.1～10秒。

2.附载体铜箔的评价

对于以所述方式获得的附载体铜箔，通过以下方法实施各评价。

<载体的极薄铜层侧表面的算术平均粗糙度Ra>

剥离载体后，根据JIS B0601-1994而利用激光显微镜测定该载体的极薄铜层侧表面，求出算术平均粗糙度Ra。具体而言，使用Olympus公司制造的激光显微镜OLS4000，并且使用物镜50倍，在载体的极薄铜层侧表面的观察中，在评价长度258μm、临界值为零的条件下求出算术平均粗糙度Ra。此外，利用激光显微镜测定表面的算术平均粗糙度Ra的环境温度设为23～25℃。任意测定10处Ra，将该10处Ra的平均值作为算术平均粗糙度Ra的值。另外，测定所使用的激光显微镜的激光光的波长设为405nm。

<极薄铜层的厚度的测定>

测定附载体铜箔的重量后，将载体剥离，测定载体的重量，将前者与后者的差定义为极薄铜层的重量。

·试样的大小：10cm见方片(利用加压机冲裁而获得的10cm见方片)

·试样的选取：任意的3处

·根据以下的式子算出各试样由重量法获得的极薄铜层的厚度。

由重量法获得的极薄铜层的厚度(μm)＝{(10cm见方片的附载体铜箔的重量(g/100cm²))－(从所述10cm见方片的附载体铜箔剥离极薄铜层后的载体的重量(g/100cm²))}/铜的密度(8.96g/cm³)×0.01(100cm²/cm²)×10000μm/cm

此外，试样的重量测定使用可测定到小数点后4位的精密天平。然后，将获得的重量的测定值直接用于所述计算。

·将3处由重量法获得的极薄铜层的厚度的算术平均值作为由重量法获得的极薄铜层的厚度。

另外，精密天平使用AS ONE股份有限公司的IBA-200，加压机使用Noguchi Press股份有限公司制造的HAP-12。

此外，当在极薄铜层上形成粗化处理层等表面处理层时，在形成该表面处理层后进行所述测定。

<剥离强度(常态剥离强度)的测定>

将附载体铜箔的极薄铜层侧的表面贴附在BT树脂(三嗪-双马来酰亚胺系树脂，三菱瓦斯化学股份有限公司制造)上，在220℃以20kg/cm²加热压接2小时。其次，利用拉伸试验机拉伸载体侧，根据JIS C 6471 8.1测定剥离载体时的剥离强度。

<针孔>

将附载体铜箔的极薄铜层侧的表面贴附在BT树脂(三嗪-双马来酰亚胺系树脂，三菱瓦斯化学股份有限公司制造)上，在220℃以20kg/cm²加热压接2小时。其次，使载体侧朝上，一面用手按住附载体铜箔的样品，一面注意不要强行剥离以免极薄铜层途中断裂而用手将载体从极薄铜层剥离。再次，对于BT树脂(三嗪-双马来酰亚胺系树脂，三菱瓦斯化学股份有限公司制造)上的极薄铜层表面，以民用的照片用背光装置作为光源，通过目视测定大小250mm×250mm的5片样品的孔径为50μm以下的针孔个数。然后，根据以下的式子算出每单位面积(m²)的针孔个数。

每单位面积(m²)的针孔个数(个/m²)＝对大小250mm×250mm的5片样品进行测定而获得的针孔个数的合计(个)/所观察的表面区域的合计面积(5片×0.0625m²/片)

然后，根据以下基准对针孔进行评价。

◎：0个/m²

〇：1～10个/m²

△：11～20个/m²

×：超过20个/m²

<形成极薄铜层后的后续步骤中的剥落>

对形成极薄铜层后的后续步骤(粗化处理步骤)中的载体剥落的有无(有(10次中5次以上)：×、偶尔有(10次中1次至4次)：△、无：〇)进行评价。

<与树脂预浸料的密接>

将附载体铜箔的极薄铜层侧的表面贴附在BT树脂(三嗪-双马来酰亚胺系树脂，三菱瓦斯化学股份有限公司制造)上，在220℃以20kg/cm²加热压接2小时。其次，使载体侧朝上，一面用手按住附载体铜箔的样品，一面注意不要强行剥离以免极薄铜层途中断裂而用手将载体从极薄铜层剥离。然后，对极薄铜层是否残留在树脂上进行评价(残留在树脂上：〇、有时未残留在树脂上：△)。

将实施例及比较例的制作条件及评价结果示于表1。

(评价结果)

实施例1～22中关于极薄铜层的厚度均为0.9μm以下的附载体铜箔，能够良好地抑制剥离载体时发生的针孔的产生。

比较例1～8中关于极薄铜层的厚度均为0.9μm以下的附载体铜箔，在根据JIS B0601-1994而利用激光显微镜测定载体的极薄铜层侧表面时，算术平均粗糙度Ra超过0.3μm，或通过按照JIS C 6471 8.1的90°剥离法剥离载体时的剥离强度超过20N/m，未能抑制剥离载体时发生的针孔的产生。