一种中能半自屏蔽电子加速器的制作方法

本发明涉及了一种中能半自屏蔽电子加速器，属于加速器制造技术领域。

背景技术：

工业辐照电子加速器，从上世纪80年代开始逐步进入我国辐照加工市场，在热缩制品、电线电缆的辐照加工中创造了巨大的经济效益，国内使用电子加速器辐照的厂家也越来越多。加速器在运行过程中，电子束通过电子枪、加速管、真空系统及扫描引出系统，最后在辐照在产品上，在束流产生并辐照在产品上的这一过程中不可避免的会产生束流散射轰击在加速管上或其他金属表面二产生辐射，并且在辐照过程中绝大部分的电子束由产品吸收，但是有少量的电子束轰击在设备上，由于电子束轰击金属材料时，金属材料内发生轫致辐射（高能带电粒子在突然减速时产生的一种辐射）而产生X射线；因此需建造屏蔽室屏蔽射线对人体的伤害，常规屏蔽方式屏蔽室和加速器均采用混凝土基建的放式屏蔽，现有的结构如图2所示，但是这种屏蔽方式投资成本很高、建造周期很长、并且屏蔽房高度非常高，常规标准厂房不能建造安装。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是提供一种中能半自屏蔽电子加速器，通过L型结构的电源钢筒和加速器钢筒，实现加速器电源和加速管的自屏蔽，能够有效降低屏蔽室高度，提高设备紧凑性。

为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：

一种中能半自屏蔽电子加速器，包括相连接的电源钢筒和加速器钢筒，所述电源钢筒内安装有加速器电源，所述加速器钢筒内安装有加速管，所述加速器钢筒固定在屏蔽安装板上，所述屏蔽安装板固定在屏蔽室上部的屏蔽墙上，所述加速管下方连接有真空装置和扫描引出装置，且所述真空装置和扫描引出装置均设置在所述屏蔽室内，且所述电源钢筒和加速器钢筒成L型安装结构，其中所述电源钢筒为水平状，所述加速器钢筒为垂直状。

前述的一种中能半自屏蔽电子加速器，其特征在于：所述电源钢筒和加速器钢筒的内壁或外壁设置有铅板。

前述的一种中能半自屏蔽电子加速器，其特征在于：该电子加速器的能量在1.0MeV-3.0MeV。

前述的一种中能半自屏蔽电子加速器，其特征在于：所述电源钢筒和加速器钢筒之间的连接面采用台阶式拼接结构。

前述的一种中能半自屏蔽电子加速器，其特征在于：所述安装板为钢材质。

前述的一种中能半自屏蔽电子加速器，其特征在于：所述电源钢筒的下方设置有导轨，所述电源钢筒上设置有与所述导轨相配合的滚轮。

本发明的有益效果是：通过加速器电源钢筒和加速管钢筒自屏蔽设计，在钢筒的内部或外部包覆铅板以达到屏蔽要求，因为加速器电源钢筒和加速管钢筒所产生的辐射大小不一样，加速器钢筒与加速管钢筒采用L型安装结构，可采用不同的屏蔽厚度，所有的连接面采用台阶式设计，避免射线直接射出，屏蔽室上方的屏蔽安装板采用钢质材料，能够有效的降低屏蔽室的高度，所有的真空系统及扫描因此系统集成在屏蔽安装板的下方，进一步的降低屏蔽室的高度和提高设备的紧凑性。

附图说明

图1是本发明一种中能半自屏蔽电子加速器的结构示意图；

图2是现有的一种中能半自屏蔽电子加速器的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合说明书附图，对本发明作进一步的说明。

如图1所示，一种中能半自屏蔽电子加速器，包括相连接的电源钢筒2和加速器钢筒4，所述电源钢筒2内安装有加速器电源1，所述加速器钢筒4内安装有加速管3，所述加速器钢筒4固定在屏蔽安装板6上，所述屏蔽安装板6固定在屏蔽室上部的屏蔽墙7上，所述加速管3下方连接有真空装置5和扫描引出装置8，且所述真空装置5和扫描引出装置8均设置在所述屏蔽室内，且所述电源钢筒2和加速器钢筒4成L型安装结构，其中所述电源钢筒2为水平状，所述加速器钢筒4为垂直状。

通过将加速器电源和加速管分别安装在电源钢筒2和加速器钢筒4内，实现自屏蔽，无需将其安装到屏蔽墙7内，能够有效的降低屏蔽室的高度，因为加速器电源钢筒和加速管钢筒所产生的辐射大小不一样，加速器钢筒与加速管钢筒采用L型安装结构，可采用不同的屏蔽厚度。所有的真空系统及扫描因此系统集成在屏蔽安装板的下方，进一步的降低屏蔽室的高度和提高设备的紧凑性。

所述电源钢筒2和加速器钢筒4的内壁或外壁设置有铅板，进一步提高钢筒的屏蔽性能，以达到屏蔽要求。

该电子加速器的能量在1.0MeV-3.0MeV，使加速器电源钢筒部分和加速管钢筒部件具有屏蔽功能，无需基建屏蔽。

所述电源钢筒2和加速器钢筒4之间的连接面采用台阶式拼接结构，避免射线直接射出，所述安装板6为钢材质，能够有效的降低屏蔽室的高度。

所述电源钢筒2的下方设置有导轨9，所述电源钢筒2上设置有与所述导轨9相配合的滚轮10，便于电源钢筒2的移动。

综上所述，本发明提供的一种中能半自屏蔽电子加速器，通过L型结构的电源钢筒和加速器钢筒，实现加速器电源和加速管的自屏蔽，能够有效降低屏蔽室高度，提高设备紧凑性。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界。