技术总结
本发明涉及电容交叉耦合与谐波抑制，其中的功率放大器包括第一级联结构，第一级联结构包括MOSFET和JFET以及电连接在JFET的源极与漏极之间的第一电容器。并联的两个这样的功率放大器形成差分功率放大器。在差分放大器中，第二电容器可以电连接在第二JFET的源极与漏极之间。另一个差分功率放大器包括：电连接在第一MOSFET的栅极与第二MOSFET的源极之间的第一电容器，以及电连接在第二MOSFET的栅极与第一MOSFET的源极之间的第二电容器。这些差分功率放大器中的一些还包括：电连接在JFET的源极与漏极之间的电容器。
技术研发人员：C·布亚瓦勒;D·玛斯利亚;F·于安
受保护的技术使用者：艾壳
文档号码：201611093259
技术研发日：2016.10.28
技术公布日：2017.05.10