一种超宽带高性能六位数控衰减器芯片的制作方法
【专利摘要】本实用新型属于电子通信技术领域，尤其涉及一种超宽带高性能六位数控衰减器芯片。本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用以满足在超宽带应用场景下能保持高性能的超宽带高性能六位数控衰减器芯片，包括第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6、第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、射频输入IN、射频输出OUT。本实用新型增加快速清零结构，让开关速度显著减小，从而提高系统效率，并且采用负压逻辑控制电路控制芯片额定衰减度，衰减度灵活、范围广。
【专利说明】
一种超宽带高性能六位数控衰减器芯片
技术领域
[0001]本实用新型属于电子通信技术领域，尤其涉及一种超宽带高性能六位数控衰减器芯片。
【背景技术】
[0002]根据频率划分，毫米波一般指的是波长介于Imm?1mm的电磁波，随着无线通信的发展，射频开关得到了广泛的应用，如雷达/基站信号收发系统、测试仪表仪器。在此前提下，人们对于数控衰减器芯片提出了越来越高的要求，如超宽带、低插损、多通道、高衰减精度、衰减组合灵活和小型化等。
[0003]数控衰减器芯片(DA，digitalattenuator)是用作射频信号功率衰减的器件，应用于雷达、基站、仪表仪器等产品。因此，超宽带、高性能的数控衰减器芯片，对于提高系统性能起到了关键性的作用。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用以满足在超宽带应用场景下能保持高性能的超宽带高性能六位数控衰减器芯片。
[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种超宽带高性能六位数控衰减器芯片，包括第一控制电平、第二控制电平、第三控制电平、第四控制电平、第一P型MOS管Ql、第二 P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6、第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8、第一电阻Rl、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、射频输入IN、射频输出OUT、第一接地GND、第二接地GND、第三接地GND;
[0006]所述第一 P型MOS管Ql、第二 P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6、第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8均具有栅极、漏极、源极；
[0007]所述第一P型MOS管Ql的漏极、与第二 P型MOS管Q2的源极连接，所述第二 P型MOS管Q2的漏极与第三P型MOS管Q3的源极连接，所述第三P型MOS管Q3的漏极与第四P型MOS管Q4的源极连接，所述第四P型MOS管Q4的漏极与第五P型MOS管Q5的源极连接，所述第五P型MOS管Q5的漏极与第六P型MOS管Q6的源极连接，所述第六P型MOS管Q6的漏极与第七P型MOS管Q7的源极连接，所述第七P型MOS管Q7的漏极与第八P型MOS管Q8的源极连接，所述第八P型MOS管Q8的漏极与第一 P型MOS管Ql的源极连接；
[0008]所述第一P型MOS管Ql、第二 P型MOS管Q2的栅极均与第一控制电平连接，所述第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4的栅极均与第二控制电平连接，第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6的栅极均与第三控制电平连接，第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8的栅极均与第四控制电平连接；
[0009]所述第一电阻Rl上端连接在第二P型MOS管Q2的漏极与第三P型MOS管Q3的源极之间，下端连接在第四P型MOS管Q4的源极与第五P型MOS管Q5的漏极之间，所述第二电阻R2右端连接在第一电阻Rl上端，左端与第三电阻R3左端，所述第三电阻R3右端连接在第一电阻Rl下端；
[0010]所述第一接地GND连接在第三P型MOS管Q3的漏极与第四P型MOS管Q4的源极之间，所述第二接地GND连接在第二电阻R2与第三电阻R3之间，所述第三接地GND连接在第七P型MOS管Q7的源极与第八P型MOS管Q8的漏极之间；
[0011]所述射频输入IN连接在第一P型MOS管Ql的漏极、与第二 P型MOS管Q2的源极之间，所述射频输出OUT连接在第五P型MOS管Q5的源极与第六P型MOS管Q6的漏极之间。
[0012]进一步的是，还包括微带线，所述微带线一端连接在第一P型MOS管Ql的漏极与射频输入IN之间，另一端连接在第六P型MOS管Q6的漏极与射频输出OUT之间。
[0013]实用新型的有益效果是:本实用新型增加快速清零结构，让开关速度显著减小，从而提高系统效率，并且采用负压逻辑控制电路控制芯片额定衰减度，衰减度灵活、范围广。
【附图说明】
[0014]图1是本实用新型的电路结构示意图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
[0016]如图1所示，本实用新型的一种超宽带高性能六位数控衰减器芯片，包括第一控制电平、第二控制电平、第三控制电平、第四控制电平、第一P型MOS管Ql、第二 P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6、第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、射频输入IN、射频输出OUT、第一接地GND、第二接地GND、第三接地GND ；
[0017]所述第一 P型MOS管Ql、第二 P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6、第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8均具有栅极、漏极、源极；
[0018]所述第一P型MOS管Ql的漏极、与第二 P型MOS管Q2的源极连接，所述第二 P型MOS管Q2的漏极与第三P型MOS管Q3的源极连接，所述第三P型MOS管Q3的漏极与第四P型MOS管Q4的源极连接，所述第四P型MOS管Q4的漏极与第五P型MOS管Q5的源极连接，所述第五P型MOS管Q5的漏极与第六P型MOS管Q6的源极连接，所述第六P型MOS管Q6的漏极与第七P型MOS管Q7的源极连接，所述第七P型MOS管Q7的漏极与第八P型MOS管Q8的源极连接，所述第八P型MOS管Q8的漏极与第一 P型MOS管Ql的源极连接；
[0019]所述第一P型MOS管Ql、第二 P型MOS管Q2的栅极均与第一控制电平连接，所述第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4的栅极均与第二控制电平连接，第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6的栅极均与第三控制电平连接，第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8的栅极均与第四控制电平连接；
[0020]所述第一电阻Rl上端连接在第二P型MOS管Q2的漏极与第三P型MOS管Q3的源极之间，下端连接在第四P型MOS管Q4的源极与第五P型MOS管Q5的漏极之间，所述第二电阻R2右端连接在第一电阻Rl上端，左端与第三电阻R3左端，所述第三电阻R3右端连接在第一电阻Rl下端；
[0021 ]所述第一接地GND连接在第三P型MOS管Q3的漏极与第四P型MOS管Q4的源极之间，所述第二接地GND连接在第二电阻R2与第三电阻R3之间，所述第三接地GND连接在第七P型MOS管Q7的源极与第八P型MOS管Q8的漏极之间；
[0022]所述射频输入IN连接在第一P型MOS管Ql的漏极、与第二 P型MOS管Q2的源极之间，所述射频输出OUT连接在第五P型MOS管Q5的源极与第六P型MOS管Q6的漏极之间。
[0023]其中第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8为快速清零的结构，让开关速度显著减小，从而提高系统效率。第一 P型MOS管Ql、第二 P型MOS管Q2、第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6为逻辑控制电路，采用负压逻辑控制电路控制芯片额定衰减度，衰减度灵活、范围广。第一电阻Rl至第三电阻R3组成型功率衰减电路。第一接地GND、第二接地GND、第三接地GND均为接地端。
[0024]优选的实施方式是，还包括微带线，所述微带线一端连接在第一P型MOS管Ql的漏极与射频输入IN之间，另一端连接在第六P型MOS管Q6的漏极与射频输出OUT之间。上述实用新型采用用-5V/0V负电平逻辑控制;第一控制电平、第二控制电平、第三控制电平、第四控制电平均用相同的电平，用Vx表示，当Vx为-5V时，第一P型MOS管Ql-第八P型MOS管Q8断开，射频信号从射频输入IN经过微带线流向射频输出OUT，信号未进行衰减；当Vx为OV时，Q1-Q8导通，射频信号从射频输入IN经过第一电阻Rl-第三电阻R3组成的型功率衰减电路流向射频输入OUT，信号进行特定的衰减。
【主权项】
1.一种超宽带高性能六位数控衰减器芯片，其特征在于，包括第一控制电平、第二控制电平、第三控制电平、第四控制电平、第一 P型MOS管Ql、第二 P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6、第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8、第一电阻Rl、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、射频输入IN、射频输出OUT、第一接地GND、第二接地GND、第三接地GND ； 所述第一P型MOS管Ql、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6、第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8均具有栅极、漏极、源极； 所述第一 P型MOS管Ql的漏极、与第二 P型MOS管Q2的源极连接，所述第二 P型MOS管Q2的漏极与第三P型MOS管Q3的源极连接，所述第三P型MOS管Q3的漏极与第四P型MOS管Q4的源极连接，所述第四P型MOS管Q4的漏极与第五P型MOS管Q5的源极连接，所述第五P型MOS管Q5的漏极与第六P型MOS管Q6的源极连接，所述第六P型MOS管Q6的漏极与第七P型MOS管Q7的源极连接，所述第七P型MOS管Q7的漏极与第八P型MOS管Q8的源极连接，所述第八P型MOS管Q8的漏极与第一 P型MOS管Ql的源极连接； 所述第一P型MOS管Ql、第二P型MOS管Q2的栅极均与第一控制电平连接，所述第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4的栅极均与第二控制电平连接，第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6的栅极均与第三控制电平连接，第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8的栅极均与第四控制电平连接； 所述第一电阻Rl上端连接在第二P型MOS管Q2的漏极与第三P型MOS管Q3的源极之间，下端连接在第四P型MOS管Q4的源极与第五P型MOS管Q5的漏极之间，所述第二电阻R2右端连接在第一电阻Rl上端，左端与第三电阻R3左端，所述第三电阻R3右端连接在第一电阻Rl下端；所述第一接地GND连接在第三P型MOS管Q3的漏极与第四P型MOS管Q4的源极之间，所述第二接地GND连接在第二电阻R2与第三电阻R3之间，所述第三接地GND连接在第七P型MOS管Q7的源极与第八P型MOS管Q8的漏极之间； 所述射频输入IN连接在第一P型MOS管Ql的漏极、与第二P型MOS管Q2的源极之间，所述射频输出OUT连接在第五P型MOS管Q5的源极与第六P型MOS管Q6的漏极之间。2.根据权利要求1所述的一种超宽带高性能六位数控衰减器芯片，其特征在于，还包括微带线，所述微带线一端连接在第一P型MOS管Ql的漏极与射频输入IN之间，另一端连接在第六P型MOS管Q6的漏极与射频输出OUT之间。
【文档编号】H03H11/24GK205693640SQ201620600259
【公开日】2016年11月16日
【申请日】2016年6月17日 公开号201620600259.4, CN 201620600259, CN 205693640 U, CN 205693640U, CN-U-205693640, CN201620600259, CN201620600259.4, CN205693640 U, CN205693640U
【发明人】罗力伟, 王祈钰
【申请人】四川益丰电子科技有限公司