本实用新型涉及一种简易SICMOS驱动电路，属于电力电子技术领域。
背景技术：
MOS管有两种类型，一类是nMOS管，另一类是pMOS管。以nMOS管为例，若栅极和源极之间的电压大于等于阈值电压，则nMOS管就导通，若栅极和源极之间的电压小于阈值电压，则nMOS管就断开。利用MOS管这种导通和断开的特性，可将MOS管用于开关电源或者马达的驱动，具体做法是，使用MOS管驱动电路控制MOS管导通或断开，从而达到控制开关电源或者马达接通或断开。
一般认为使MOS管导通不需要电流，只要栅极和源极之间的电压高于阈值电压。在MOS管的结构中可以看到，在栅极和源极之间以及栅极和漏极之间存在寄生电容，MOS管的导通和断开实际上是对电容的充放电，为了提高MOS管的导通速度需要足够的电流驱动MOS管，现有技术的MOS管驱动电路没有考虑这一因素。导通nMOS管时，其栅极电压大于源极电压，而nMOS管的源极通常连接电源(如电池或电池组)的正极，此时栅极的驱动电压就需要比电源的输出电压大，如此高的驱动电压是不易得到的，这要专门的升压电路，因此，现有技术的MOS管驱动电路通常配备电荷泵或专用升压芯片，这样增加了MOS管驱动电路的复杂性和成本。
技术实现要素：
本实用新型要解决的技术问题是：为克服上述问题，提供一种简易实用的简易SICMOS驱动电路。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种简易SICMOS驱动电路，包括输入端A，所述输入端A连接电容C1的一端，所述电容C1的另一端分别连接到三极管Q1和三极管Q2的基极，所述三极管Q1的集电极连接外接电源Vcc，所述三极管Q2的发射极接地，所述三极管Q1的发射极和所述三极管Q2的集电极一起连接到电容C2的一端，所述电容C2的另一端连接MOS管Q3的栅极，所述MOS管Q3的源极接地，所述电容C2的一端还与二极管D1的负极连接，所述二极管D1的正极与二极管D2的负极连接，所述二极管D2的正极与三极管D3的负极连接，所述三极管D3的正极连接所述电容C2的另一端。
本实用新型的有益效果是：本实用新型驱动信号经过输入端A输入，经过电容C1和C2两次反向，保持MOS驱动信号与输入的驱动信号同频同相，串联的三个二极管D1、D2和D3产生MOS管的关断负压，可根据需要进行调整，满足不同的MOS管的使用需要。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型一个实施例的电路图。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
实施例1
如图1所示的本实用新型所述一种简易SICMOS驱动电路，包括输入端A，所述输入端A连接电容C1的一端，所述电容C1的另一端分别连接到三极管Q1和三极管Q2的基极，所述三极管Q1的集电极连接外接电源Vcc，所述三极管Q2的发射极接地，所述三极管Q1的发射极和所述三极管Q2的集电极一起连接到电容C2的一端，所述电容C2的另一端连接MOS管Q3的栅极，所述MOS管Q3的源极接地，所述电容C2的一端还与二极管D1的负极连接，所述二极管D1的正极与二极管D2的负极连接，所述二极管D2的正极与三极管D3的负极连接，所述三极管D3的正极连接所述电容C2的另一端。
本实用新型驱动信号经过输入端A输入，经过电容C1和C2两次反向，保持MOS驱动信号与输入的驱动信号同频同相，串联的三个二极管D1、D2和D3产生MOS管的关断负压，可根据需要进行调整，满足不同的MOS管的使用需要。
以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。