本发明涉及一种电子组件容纳装置及类似装置，并且例如涉及一种容纳生成热量的电子组件的电子组件容纳装置及类似装置。
背景技术：
微波功率模块(mpm)是用于微波波段通信的放大器模块。普通的微波功率模块包括行波管(twt)和电子功率调节器(epc)。epc也被称为高压电源模块。
twt输出从几十瓦(w)到几千瓦(kw)范围的电功率。因此，twt作为加热元件生成高温热量。
在例如专利文献1和专利文献2中公开了对加热元件(诸如twt)的热量辐射的技术。
专利文献1公开了一种通过利用散热器来辐射加热元件(电极结构)的热量的技术。在专利文献1中描述的技术中，散热器通过电绝缘构件来接收加热元件的热量。然后，散热器辐射接收到的热量。因此，在专利文献1中描述的技术能够通过散热器辐射加热元件的热量来防止加热元件的温度上升。
专利文献2公开了一种以加热元件的热量不会影响另一模块(热量较小的电子组件)的方式来辐射加热元件(热量较大的电子组件，诸如功率放大器单元和电源单元)的热量的技术。在专利文献2中描述的技术中，在容纳加热元件的生成高热量的模块与容纳另一模块的生成低热量的模块之间设置隔板。通过设置隔板来减小加热元件的热量对其它模块的影响。结果，可以防止其它模块的温度上升。
还在专利文献3和专利文献4中公开了本发明的相关技术。
引用列表
专利文献
专利文献1：pct国际申请公开第2005-519448号的日语翻译
专利文献2：日本未审查专利申请公开2004-179308号
专利文献3：日本未审查专利申请公开2012-127532号
专利文献4：日本未审查专利申请公开2012-141069号
技术实现要素：
技术问题
然而，在专利文献1和专利文献2中描述的技术中，容纳加热元件的壳体可以用作热导体。在这种情况下，存在以下问题：热量较小的电子组件通过壳体可能会经受热量较大的电子组件的热量。
金属(例如铝和铁)由于高加工性和高强度而被广泛用作普通微波功率模块的壳体的材料。由于金属具有高热导率，因此，壳体本身可以成为导热路径。因此，在微波功率模块中，热量较小的电子组件通过壳体而经受热量较大的电子组件的热量的可能性格外增大。
另外，虽然在专利文献2中描述的技术通过设置隔板减少了加热元件的热量对另一模块的影响，但是容纳在生成低热量模块容纳部中的其它模块可能会通过隔板而经受容纳在生成高热量模块容纳部中的加热元件的热量。
鉴于这种情况完成本发明，并且本发明的目的在于提供一种能够在防止第一电子组件受到第二热量电子组件的热量的影响的同时高效地使热量比第一电子组件的热量大的第二电子组件的热量冷却的电子组件容纳装置及类似装置。
问题的解决方案
根据本发明的电子组件容纳装置包括：
壳体，该壳体容纳第一电子组件和热量比第一电子组件的热量大的第二电子组件；
第一电子组件容纳室，该第一电子组件容纳室容纳第一电子组件；
第二电子组件容纳室，该第二电子组件容纳室容纳第二电子组件；
第一隔板，该第一隔板被布置在第一电子组件容纳室与第二电子组件容纳室之间、在第一电子组件容纳室侧上；以及
第二隔板，该第二隔板被布置在第一电子组件容纳室与第二电子组件容纳室之间、在第二电子组件容纳室侧上，其中
第一隔板和第二隔板以至少部分地面向彼此的方式而被设置，并且
第一间隙部被设置在第一隔板与第二隔板之间。
根据本发明的电子设备包括：
第一电子组件；
第二电子组件，该第二电子组件的热量比第一电子组件的热量大；
壳体，该壳体容纳第一电子组件和第二电子组件；
第一电子组件容纳室，该第一电子组件容纳室容纳第一电子组件；
第二电子组件容纳室，该第二电子组件容纳室容纳第二电子组件；
第一隔板，该第一隔板被布置在第一电子组件容纳室与第二电子组件容纳室之间、在第一电子组件容纳室侧上；以及
第二隔板，该第二隔板被布置在第一电子组件容纳室与第二电子组件容纳室之间、在第二电子组件容纳室侧上，其中
第一隔板和第二隔板以至少部分地面向彼此的方式而被设置，并且
第一间隙部被设置在第一隔板与第二隔板之间。
本发明的有利效果
根据本发明的电子组件容纳装置等能够在防止第一电子组件受到第二电子组件的热量的影响的同时高效地使热量比第一电子组件的热量大的第二电子组件的热量冷却。
附图说明
[图1]图1是图示了根据本发明的第一示例性实施例的电子设备的内部配置的透视图。
[图2]图2是从前侧观察的根据本发明的第一示例性实施例的电子设备的外观的透视图。
[图3]图3是从后侧观察的根据本发明的第一示例性实施例的电子设备的外观的透视图。
[图4]图4是图示了根据本发明的第一示例性实施例的电子设备的内部配置的顶视图。
[图5]图5是图示了根据本发明的第一示例性实施例的电子组件容纳装置的内部配置的透视图。
[图6]图6是图示了根据本发明的第二示例性实施例的电子设备的内部配置的透视图。
[图7(a)和图7(b)]图7(a)和图7(b)是图示了根据本发明的第二示例性实施例的电子设备的热辐射模拟结果的示意图。图7(a)是图示了根据本发明的第二示例性实施例的电子设备的热辐射模拟结果的顶视图。图7(b)是图示了根据本发明的第二示例性实施例的电子设备的热辐射模拟结果的横截面图，并且是在图7(a)中的a-a截面处的横截面图。
[图8(a)和图8(b)]图8(a)和图8(b)是图示了根据本发明的第二示例性实施例的电子设备的比较示例的热辐射模拟结果的示意图。图8(a)是图示了根据本发明的第二示例性实施例的电子设备的比较示例的热辐射模拟结果的顶视图。图8(b)是图示了根据本发明的第二示例性实施例的电子设备的比较示例的热辐射模拟结果的横截面图，并且是在图8(a)中的b-b截面处的横截面图。
[图9(a)和图9(b)]图9(a)和图9(b)是图示了根据本发明的第二示例性实施例的电子设备的热辐射模拟结果的示意图。图9(a)是图示了根据本发明的第二示例性实施例的电子设备的热辐射模拟结果的顶视图。图9(b)是图示了根据本发明的第二示例性实施例的电子设备的热辐射模拟结果的横截面图，并且是在图9(a)中的c-c截面处的横截面图。
[图10(a)和图10(b)]图10(a)和图10(b)是图示了根据本发明的第二示例性实施例的电子设备的修改示例的热辐射模拟结果的示意图。图10(a)是图示了根据本发明的第二示例性实施例的电子设备的修改示例的热辐射模拟结果的顶视图。图10(b)是图示了根据本发明的第二示例性实施例的电子设备的修改示例的热辐射模拟结果的横截面图，并且是在图10(a)中的d-d截面处的横截面图。
[图11]图11是图示了根据本发明的第三示例性实施例的电子设备的内部配置的透视图。
[图12]图12是图示了根据本发明的第四示例性实施例的电子设备的内部配置的透视图。
具体实施方式
第一示例性实施例
将描述根据本发明的第一示例性实施例的电子设备1000的配置。图1是图示了电子装置1000的内部配置的透视图。图2是从前侧观察的电子设备1000的外观的透视图。图3是从后侧观察的电子设备1000的外观的透视图。图4是图示了电子设备1000的内部配置的顶视图。图5是图示了电子组件容纳装置2000的内部配置的透视图。
例如，电子设备1000是微波功率模块。该微波功率模块是一种相对较新的模块，并且具有由twt产生的高功率和高效率的优点、和由固态放大器(ssa)产生的小尺寸、高增益和低噪声的优点。在下面的描述中，将电子设备1000描述为微波功率模块。例如，电子设备1000被配备在卫星通信装置和医疗装置上。
如在图1或者图4中图示的，电子设备1000包括：高压电源模块100、twt200、散热器300、第一风扇单元400、第二风扇单元500、控制模块600、入口700、出口800和电子组件容纳装置2000。高压电源模块100是根据本发明的第一电子组件。另外，twt200是根据本发明的第二电子组件。
诸如电阻器、电容器或者压电元件的无源元件可被设置为第一组件，以代替高压电源模块100。另外，电缆、连接器等可以设置作为第一组件，以代替高压电源模块100。
为了便于描述，首先将描述电子组件容纳装置2000的配置。
如在图1和图5中图示的，电子组件容纳装置2000包括壳体2100、第一基板2300、第二基板2400、第一隔板2500和第二隔板2600。
如在图1和图4中图示的，壳体2100容纳高压电源模块100、twt200、散热器300、第一风扇单元400、第二风扇单元500和控制模块600。例如，在选择壳体2100的材料时考虑壳体2100的强度、重量和热辐射性质以及磁性对twt200的影响。例如，使用金属(诸如铝)作为壳体2100的材料。铝的热导率大约为236(w/mk)，与铁的热导率(84[w/mk])相比较，该热导率较高。因此，通过为壳体2100使用具有热导率的材料，在壳体2100自身内部生成了热传导。因此，在壳体2100自身内部生成了热能的传输路径。
如在图1、图2、图3和图5中图示的，壳体2100形成为箱形。壳体2100包括前板2110、后板2120、主体部2130和上盖2140。
前板2110被形成为板形。通过焊接、螺丝接合等将前板2110安装在主体部2130上。如在图2中图示的，在前板2110上安装一对手柄2111。另外，在前板2110上形成开窗2112。例如，作为指示控制模块600的控制状态的显示屏幕的液晶板(未图示)被安装在开窗2112上。
后板2120形成为板形。通过焊接、螺丝接合等将后板2120安装在主体部2130上。入口700和出口800形成在背板2120上。如在图3和图4中图示的，第二风扇单元500安装在入口700上。另外，如在图3中图示的，在背板2120上安装波导900。
主体部2130在通过在垂直于第一隔板2500和第二隔板2600的延伸方向的平面切割壳体2100而获得的截面处形成为“u”形。主体部2130包括上述第一底面2300和第二底面2400。通过焊接、螺丝接合等将前板2110和后板2120安装在主体部2130上。
上盖2140形成为板形。从上面看，上盖2140放置在前板2110和后板2120安装在其上的主体部2130上。然后，通过螺丝接合等将上盖2140安装在前板2110、后板2120和主体部2130上。因此，壳体2100的内部被关闭。
如在图1、图4和图5中图示的，壳体2100的内部被第一隔板2500和第二隔板2600分离成第一电子组件容纳室5000和第二电子组件容纳室6000。
第一电子组件容纳室5000至少容纳高压电源模块100。第二电子组件容纳室6000至少容纳twt200。另外，在第一电子组件容纳室5000与第二电子组件容纳室6000之间设置连通部7000。该连通部7000使第一电子组件容纳室5000和第二电子组件容纳室6000彼此连通。因此，空气能够通过连通部7000在第一电子组件容纳室5000与第二电子组件容纳室6000之间进出。
注意，可以不设置连通部7000。
第一基板2300被形成在主体部2130上。换句话说，第一基板2300是壳体2100的一部分。另外，如在图1和图4中图示的，高压电源模块100被安装在第一基板2300上并且热连接至第一基板2300。因此，高压电源模块100的热量被传递至第一基板2300。
第二基板2400形成在主体部2130上。换句话说，第二基板2400是壳体2100的一部分。另外，如在图1和图4中图示的，twt200被安装在第二基板2400上并且热连接至第二基板2400。因此，twt200的热量被传递至第二基板2400。
第一隔板2500安装在主体部2130上。换句话说，第一隔板2500是壳体2100的一部分。更具体地，如在图1中图示的，第一隔板2500被安装在第一基板2300上。另外，第一隔板2500被热连接至第一基板2300。如在图1和图4中图示的，第一隔板2500被布置在第一电子组件容纳室5000与第二电子组件容纳室6000之间、在第一电子组件容纳室5000侧上。
第二隔板2600安装在主体部2130上。换句话说，第二隔板2600是壳体2100的一部分。更具体地，如在图1中图示的，第二隔板2600被安装在第二基板2400上。另外，第二隔板2600被热连接至第二基板2400。如在图1和图4中图示的，第二隔板2600被布置在第一电子组件容纳室5000与第二电子组件容纳室6000之间、在第二电子组件容纳室6000侧上。
如在图1和图4中图示的，第一隔板2500和第二隔板2600以至少部分地面向彼此的方式而被设置。另外，第一间隙部g1被设置在第一隔板2500与第二隔板2600之间。换句话说，第一隔板2500和第二隔板2600不直接彼此热连接。
另外，如在图1中图示的，第二间隙部g2被设置在第一基板2300与第二基板2400之间。换句话说，第一基板2300和第二基板2400不直接彼此热连接。
上面已经描述了电子组件容纳装置2000的配置。
接下来将描述容纳在电子组件容纳装置2000中的每个电子组件等。
如在图1和图4中图示的，高压电源模块100被容纳在第一电子组件容纳室5000中。另外，高压电源模块100被安装在第一基板2300上并且被热连接至第一基板2300。高压电源模块100向每个电子组件提供用于驱动电子组件(诸如twt200、第一风扇单元400、第二风扇单元500和控制模块600)的电力。普通的高压电源模块100使用许多半导体，并且因此设置有一定级别的防热对策。
如在图1和图4中图示的，twt200容纳在第二电子组件容纳室6000中。另外，twt200被安装在第二基板2400上并且被热连接至第二基板2400。twt200放大并且输出高频信号。twt200通过利用由电子枪(未图示)发出的电子束(未图示)来放大高频信号。因此，twt200的输出功率和热量比其它电子组件(诸如高压电源模块100)的输出功率和热量大。换句话说，与其它电子组件相比较，twt200消耗更多的电功率。因此，twt200是与其它电子组件相比较具有高功率密度的设备。例如，twt200可以使用千伏量级的高电压。
当半导体被用于微波模块时，特别是当频率变得较高时，半导体输出突然下降。因此，特别是在处理高频信号时，twt200倾向于被用于微波模块。在通过利用twt200放大高频信号之后，电子束可以具有70％至90％的剩余能量。该能量被电极等吸收。因此，在twt200中生成比高压电源模块100的热量大的热量。
更优选地，twt200被设置在靠近出口800。因此，电子设备1000能够高效地从电子组件容纳装置2000的壳体2100排出twt200的热量。因此，可以防止其它电子组件(诸如高压电源模块100和控制模块600)受到twt200的热量的影响。因此，可以防止其它电子组件(诸如高压电源模块100和控制模块600)的温度上升。
如在图1和图4中图示的，散热器300被安装在twt200上。散热器300接收twt200的热量并且将热量辐射到空气中。
如在图1和图4中图示的，第一风扇单元400被容纳在第二电子组件容纳室6000中。如在图1和图4中图示的，第一风扇单元400被设置在前板2110侧。如在图4中图示的，第一风扇单元400通过连通部7000向散热器300提供从第一电子组件容纳室5000流入第二电子组件容纳室6000的空气。因此，接收twt200的热量的散热器300被冷却。
如在图1和图4中图示的，第二风扇单元500从壳体2100的外部被安装在入口700上。第二风扇单元500促进壳体2100外部的空气(冷却空气)流入壳体2100中的第一电子组件容纳室5000。
如在图1和图4中图示的，控制模块600从壳体2100的内部安装被在前板2110上。控制模块600控制其它电子组件。
如在图4中图示的，入口700被形成在背板2120上。入口700被形成在壳体2100的第一电子组件容纳室5000上。壳体2100外部的空气通过入口700流入壳体2100中的第一电子组件容纳室5000。
如在图4中图示的，出口800被形成在背板2120上。出口800被形成在壳体2100的第二电子组件容纳室6000上。壳体210内部的空气通过出口800从壳体2100流出。
如在图3中图示的，波导900设置在背板上。波导900将由twt200放大的高频信号输出到壳体2100的外部。
上面已经描述了电子设备1000的配置。
接下来将描述电子设备1000的操作。
首先，当电子设备1000导通时，高压电源模块100向电子组件(诸如twt200、第一风扇单元400、第二风扇单元500和控制模块600的)供电。因此，电子组件(诸如twt200、第一风扇单元400、第二风扇单元500和控制模块600)被启动。然后，twt200、高压电源模块100等生成热量。散热器300接收twt200的热量并且辐射twt200的热量。
电子设备1000采用通过对壳体2100内部的空气强制空气冷却的冷却操作和通过壳体2100本身的热传导的冷却操作作为壳体2100中的电子组件的冷却操作。
首先，将描述通过对壳体2100内部的空气强制空气冷却的冷却操作。
如由图4中的箭头a指示的，壳体2100外部的空气通过由第二风扇单元500吹出的空气通过入口700流入壳体2100。
如由图4中的箭头b指示的，壳体2100外部的空气携带着高压电源模块100的热量流过第一电子组件容纳室5000。因此，高压电源模块100的热量被壳体2100外部的空气冷却。
接下来，如由图4中的箭头c指示的，流过第一电子组件容纳室5000的空气通过由第一风扇单元400吹出的空气通过连通部7000流入第二电子组件容纳室6000。
接下来，如由图4中的箭头d指示的，流过连通部7000的空气通过由第一风扇单元400吹出的空气流向散热器300。如上所述，散热器300接收twt200的热量并且辐射twt200的热量。通过流过连通部7000的空气流向散热器300，散热器300被冷却。换句话说，twt200的热能通过散热器300被流过连通部7000的空气吸收。因此，twt200的热量被高效地辐射。
接下来，如由图4中的箭头e指示的，通过散热器300的空气还携带着twt200的热量流向出口800，并且被如由图4中的箭头f指示的那样从壳体2100排出。
因此，通过第一风扇单元400和第二风扇单元500，壳体2100外部的空气相继地流过壳体2100中的第一电子组件容纳室5000和第二电子组件容纳室6000，并且被从壳体2100排出。在该过程期间，在壳体2100中流动的空气流向出口800，包括高压电源模块100和twt200的热量。因此，可以从壳体2100排出高压电源模块100和twt200的热量。
上面已经描述了通过对壳体2100内部的空气强制空气冷却的冷却操作。
接下来将描述通过壳体2100本身的热传导的冷却操作。
高压电源模块100安装在第一基板2300上。因此，高压电源模块100的热量被传递至第一基板2300。换句话说，第一基板2300经受高压电源模块100的热能。另外，高压电源模块100的热量还通过第一基板2300被传递至第一隔板2500。因此，高压电源模块100的热量通过由第一基板2300和第一隔板2500的热量接收被冷却。
另外，twt200被安装在第二基板2400上。因此，twt200的热量被传递至第二基板2400。换句话说，第二基板2400经受twt200的热能。另外，twt200的热量还通过第二基板2400被传递至第二隔板2600。因此，twt200的热量通过由第二基板2400和第二隔板2600的热量接收被冷却。
另外，高压电源模块100的热量通过第一电子组件容纳室5000内部的空气被传递至第一隔板2500。因此，高压电源模块100的热量通过由第一隔板2500的热量接收被冷却。类似地，twt200的热量通过第二电子组件容纳室6000内部的空气被传递至第二隔板2600。因此，twt200的热量通过由第二隔板2600的热量接收被冷却。
上面已经描述了通过壳体2100本身的热传导的冷却操作。
此时，如在图1中图示的，第一间隙部g1被设置在第一隔板2500与第二隔板2600之间。换句话说，第一隔板2500和第二隔板2600彼此分离。因此，不会发生在第一隔板2500与第二隔板2600之间的直接热传导。换句话说，通过第一隔板2500和第二隔板2600内部的热传导的热能的直接传递不会在第一隔板2500与第二隔板2600之间发生。换句话说，通过在第一隔板2500与第二隔板2600之间设置第一间隙部g1，可以防止在第一电子组件容纳室5000与第二电子组件容纳室6000之间的热传递。因此，可以防止高压电源模块100通过第一隔板2500和第二隔板2600而受到热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量的影响。因此，可以防止由twt200的热量引起的高压电源模块100的温度上升。因此，可以防止由twt200的热量引起的高压电源100的性能降低。
如上所述，设置第一间隙部g1使得能够在防止高压电源模块100受到热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量的影响的同时高效地使twt200和高压电源模块100的热量冷却。
另外，如在图1中图示的，第二间隙部g2设置在第一基板2300与第二基板2400之间。换句话说，第一基板2300和第二基板2400彼此分离。因此，不会发生在第一基板2300与第二基板2400之间的直接热传导。换句话说，通过第一基板2300和第二基板2400内部的热传导的热能的直接传递不会在第一基板2300与第二基板2400之间发生。换句话说，高压电源模块100不会通过第一基板2300和第二基板2400而经受热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量。因此，可以防止高压电源模块100受到热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量的影响。因此，可以防止由twt200的热量引起的高压电源模块100的温度上升。因此，可以防止由twt200的热量引起的高压电源100的性能降低。
如上所述，设置第二间隙部g2使得能够在防止高压电源模块100受到热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量的影响的同时高效地使高压电源模块100和twt200的热量冷却。
此外，第一间隙部g1和第二间隙部g2彼此连通。因此，不会发生在第一基板2300与第二隔板2600之间的直接热传导。换句话说，通过第一基板2300和第二隔板2600内部的热传导的热能的直接传递不会在第一基板2300与第二隔板2600之间发生。换句话说，高压电源模块100不会通过第一基板2300和第二隔板2600而经受热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量。另外，不会发生在第二基板2400与第一隔板2500之间的直接热传导。换句话说，通过第二基板2400和第一隔板2500内部的热传导的热能的直接传递不会在第二基板2400与第一隔板2500之间发生。换句话说，高压电源模块100不会通过第二基板2400和第一隔板2500而经受热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量。因此，可以防止高压电源模块100受到热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量的影响。因此，可以防止由twt200的热量引起的高压电源模块100的温度上升。因此，可以防止由twt200的热量引起的高压电源100的性能降低。
如上所述，使第一间隙部g1和第二间隙部g2彼此连通使得能够在防止高压电源模块100受到热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量的影响的同时高效地使twt200和高压电源模块100的热量冷却。
如上所述，根据本发明的第一示例性实施例的电子组件容纳装置2000包括壳体2100、第一电子组件容纳室5000、第二电子组件容纳室6000、第一隔板2500和第二隔板2600。
壳体2100容纳高压电源模块100(第一电子组件)和热量比高压电源模块100的热量大的twt200(第二电子组件)。第一电子组件容纳室5000容纳高压电源模块100。第二电子组件容纳室6000容纳twt200。
第一隔板2500被布置在第一电子组件容纳室5000与第二电子组件容纳室6000之间、在第一电子组件容纳室5000侧上。第二隔板2600被布置在第一电子组件容纳室5000与第二电子组件容纳室6000之间、在第二电子组件容纳室6000侧上。
然后，第一隔板2500和第二隔板2600以至少部分地面向彼此的方式而被设置。另外，第一间隙部g1设置在第一隔板2500与第二隔板2600之间。
因此，电子组件容纳装置2000通过利用第一隔板2500和第二隔板2600将壳体2100分离成第一电子组件容纳室5000和第二电子组件容纳室6000。第一电子组件容纳室5000容纳高压电源模块100。第二电子组件容纳室6000容纳twt200。换句话说，通过设置第一隔板2500和第二隔板2600，电子组件容纳装置2000分别将高压电源模块100和twt200容纳在单独的容纳室中。因此，可以防止高压电源模块100通过壳体2100内部的空气而受到twt200的热量的影响。
另外，第一间隙部g1被设置在第一隔板2500与第二隔板2600之间。换句话说，第一隔板2500和第二隔板2600彼此分离。因此，不会发生在第一隔板2500与第二隔板2600之间的直接热传导。换句话说，通过在第一隔板2500与第二隔板2600之间设置第一间隙部g1，可以防止在第一电子组件容纳室5000与第二电子组件容纳室6000之间的热量的直接传递。因此，可以防止高压电源模块100通过第一隔板2500和第二隔板2600而受到热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量的影响。因此，可以防止由twt200的热量引起的高压电源模块100的温度上升。
如上所述，设置第一间隙部g1使得能够在防止高压电源模块100受到热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量的影响的同时高效地使twt200的热量冷却。
另外，根据本发明的第一示例性实施例的电子组件容纳装置2000包括第一基板2300和第二基板2400。第一基板2300是壳体2100的一部分，并且被热连接至高压电源模块100，该高压电源模块100(第一电子组件)被安装在板上。第二基板2400是壳体2100的一部分，并且被热连接至twt200，该twt200(第二电子组件)被安装在板上。
然后，第一基板2300和第二基板2400以至少部分地面向彼此的方式而被设置。另外，第二间隙部g2被设置在第一基板2300与第二基板2400之间。第一隔板2500被连接至第一基板2300，并且第二隔板2600连接至第二基板2400。第一间隙部g1和第二间隙部g2彼此连通。
因此，高压电源模块100被安装在电子组件容纳装置2000中的第一基板2300上。第一基板2300被热连接至高压电源模块100。twt200被安装在第二基板2400上。第二基板2400被热连接至twt200。另外，第一隔板2500被连接至第一基板2300，并且第二隔板2600被连接至第二基板2400。因此，高压电源模块100的热量被传递至第一基板2300和第一隔板2500。twt200的热量被传递至第二基板2400和第二隔板2600。另一方面，第二间隙部g2被设置在第一基板2300与第二基板2400之间。换句话说，第一基板2300和第二基板2400彼此分离。因此，不会发生在第一基板2300与第二基板2400之间的直接热传导。换句话说，高压电源模块100不会通过第一基板2300和第二基板2400而经受热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量。
另外，第一间隙部g1和第二间隙部g2彼此连通。因此，不会发生在第一基板2300与第二隔板2600之间的直接热传导。换句话说，通过第一基板2300和第二隔板2600内部的热传导的热能的直接传递不会在第一基板2300与第二隔板2600之间发生。换句话说，高压电源模块100不会通过第一基板2300和第二隔板2600而经受热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量。另外，不会发生在第二基板2400与第一隔板2500之间的直接热传导。换句话说，通过第二基板2400和第一隔板2500内部的热传导的热能的直接传递不会在第二基板2400与第一隔板2500之间发生。换句话说，高压电源模块100不会通过第二基板2400和第一隔板2500而经受热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量。
因此，可以防止高压电源模块100受到热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量的影响。因此，可以防止由twt200的热量引起的高压电源模块100的温度上升。因此，可以防止由twt200的热量引起的高压电源100的性能降低。
如上所述，还设置第二间隙部g2并且使第一间隙部g1和第二间隙部g2彼此连通使得能够在更高效地防止高压电源模块100受到热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量的影响的同时更高效地使twt200的热量冷却。
另外，根据本发明的第一示例性实施例的电子组件容纳装置2000包括连通部7000。该连通部7000使第一电子组件容纳室5000和第二电子组件容纳室6000彼此连通。另外，形成空气从第一电子组件容纳室5000通过连通部流向第二电子组件容纳室6000的流动路径。
因此，电子组件容纳装置2000通过利用第一隔板2500和第二隔板2600将壳体2100分离成第一电子组件容纳室5000和第二电子组件容纳室6000。另外，通过设置连通部7000，第一电子组件容纳室5000和第二电子组件容纳室6000彼此连通。因此，能够在第一电子组件容纳室5000与第二电子组件容纳室6000之间壳体2100内部的空气的循环。在壳体2100中的空气回路中布置高压电源模块100和twt200使得能够通过壳体2100内部的空气流动来使高压电源模块100和twt200冷却。
另外，根据本发明的第一示例性实施例的电子设备1000包括高压电源模块100(第一电子组件)、twt200(第二电子组件)、壳体2100、第一电子组件容纳室5000、第二电子组件容纳室6000、第一隔板2500和第二隔板2600。twt200的热量比高压电源模块100的热量大。
壳体2100容纳高压电源模块100和twt200。第一电子组件容纳室5000容纳高压电源模块100。第二电子组件容纳室6000容纳twt200。
第一隔板2500被布置在第一电子组件容纳室5000与第二电子组件容纳室6000之间、在第一电子组件容纳室5000侧上。第二隔板2600被布置在第一电子组件容纳室5000与第二电子组件容纳室6000之间、在第二电子组件容纳室6000侧上。
然后，第一隔板2500和第二隔板2600以至少部分地面向彼此的方式而被设置。另外，第一间隙部g1设置在第一隔板2500与第二隔板2600之间。
这种配置还能够提供与由上述电子组件容纳装置2000提供的效果类似的效果。
另外，根据本发明的第一示例性实施例的电子设备1000包括第一基板2300和第二基板2400。第一基板2300是壳体2100的一部分。高压电源模块100(第一电子组件)被安装在第一基板2300上。第一基板2300被热连接至高压电源模块1100。第二基板2400是壳体2100的一部分。twt200(第二电子组件)被安装在第二基板2400上。第二基板2400被热连接至twt200。
然后，第一基板2300和第二基板2400以至少部分地面向彼此的方式而被设置。另外，第二间隙部g2被设置在第一基板2300与第二基板2400之间。第一隔板2500连接至第一基板2300。另外，第二隔板2600被连接至第二基板2400。第一间隙部g1和第二间隙部g2彼此连通。
这种配置还能够提供与由上述电子组件容纳装置2000提供的效果类似的效果。
通过设置第一隔板2500和第二隔板2600，根据本发明的第一示例性实施例的电子设备1000和电子组件容纳装置2000控制壳体2100内部的空气流动。另外，通过在第一隔板2500与第二隔板2600之间设置第一间隙部g1，可以防止在第一电子组件容纳室5000与第二电子组件容纳室6000之间的热量的直接传递。
另外，电子设备1000和电子组件容纳装置2000将高压电源模块100热连接至第一基板2300和第一隔板2500，并且将twt200热连接至第二基板2400和第二隔板2600。另一方面，第一间隙部g1被设置在第一隔板2500与第二隔板1600之间，并且第二间隙部g2被设置在第一基板2300与第二基板2400之间。然后，第一间隙部g1和第二间隙部g2彼此连通。
因此，不会发生在第一基板2300与第二基板2400之间的直接热传导，并且不会发生在第一隔板2500与第二隔板2600之间的直接热传导。因此，twt200的热量不被直接传导至第一基板2300和第一隔板2500。高压电源模块100的热量不被直接传导至第二基板2400和第二隔板2600。
如上所述，电子设备1000和电子组件容纳装置2000能够防止在第一电子组件容纳室5000与第二电子组件容纳室6000之间的热传递。另外，在电子设备1000和电子组件容纳装置2000中，twt200的热量不被直接传导至第一基板2300和第一隔板2500，并且高压电源模块100的热量不被直接传导至第二基板2400和第二隔板2600。
因此，在电子设备1000和电子组件容纳装置2000中，与形成单个隔板的情况(例如专利文献2)相比较，甚至第一隔板2500的相邻部也不易受到twt200的热量影响，只要相邻部在第一电子组件容纳室5000内。因此，例如，在电子设备1000和电子组件容纳装置2000中，倾向于随着温度上升而改变特性的电子组件可以被布置为靠近第一电子组件容纳室5000中的第一隔板2500。因此，与形成单个隔板的情况(例如专利文献2)相比较，电子设备1000和电子组件容纳装置2000能够提高电子组件的布局设计的灵活性。
第二示例性实施例
将描述根据本发明的第二示例性实施例的电子设备1000a的配置。图6是图示了电子设备1000a的内部配置的透视图。例如，电子设备1000a是微波功率模块。在下面的描述中，将电子设备1000a描述为微波功率模块。在图6中，与在图1至图5中所指示的附图标记等效的附图标记被赋予与在图1至图5中所图示的组件等效的每个组件。
将对根据第一示例性实施例的电子设备1000和根据第二示例性实施例的电子设备1000a比较。电子设备1000支持强制空气冷却。与此相比，电子设备1000a不支持强制空气冷却。具体地，电子设备1000a中的电子组件容纳装置2000a是密封的壳体，并且不会从外部吸入空气或者将空气排出到外部。因此，电子设备1000a与电子设备1000的不同之处在于：未设置第一风扇单元400和第二风扇单元500。另外，电子设备1000a中的电子组件容纳装置2000a与电子设备1000中的电子组件容纳装置2000的不同之处在于：未设置入口700和出口800。虽然在图6中，没有对电子设备1000a设置散热器300、控制模块600、波导900、手柄2111、开窗2112等，但是可以设置这些组件。
如在图6中图示的，电子设备1000a包括高压电源模块100、twt200、电子组件容纳装置2000a和散热器3000。
如在图6中图示的，电子组件容纳装置2000包括壳体2100a、第一基板2300、第二基板2400、第一隔板2500和第二隔板2600。
如在图6中图示的，壳体2100a容纳高压电源模块100和twt200。例如，与壳体2100相似，在选择壳体2100a的材料时考虑壳体2100a的强度、重量和热辐射性质以及磁性对twt200的影响。例如，使用例如铝的金属作为壳体2100a的材料。
如在图6中图示的，壳体2100a形成为箱形。另外，以对内部密封的方式形成壳体2100a。因此，可以将电子设备1000a安装在室外。注意，图6未图示上盖。壳体2100a的内部由通过焊接、螺丝接合等安装的上盖来密封。
如在图6中图示的，与根据本发明的第一示例性实施例的壳体2100相似，2100a的内部被第一隔板2500和第二隔板2600分离成第一电子组件容纳室5000和第二电子组件容纳室6000。
第一电子组件容纳室5000至少容纳高压电源模块100。第二电子组件容纳室6000至少容纳twt200。另外，在第一电子组件容纳室5000与第二电子组件容纳室6000之间设置连通部7000。该连通部7000使第一电子组件容纳室5000和第二电子组件容纳室6000彼此连通。
另外，与根据本发明的第一示例性实施例的电子组件容纳装置2000相似，第一基板2300、第二基板2400、第一隔板2500和第二隔板2600设置在壳体2100a中。
如在图6中图示的，散热器3000从壳体2100a的外部被安装在壳体2100a中的第二基板2400上。散热器3000包括多个翅片3100。多个翅片3100以在垂直并远离第二基板2400的方向上延伸的方式被形成在散热器3000上。散热器3000与热辐射部对应。
上面已经描述了电子设备1000a的配置。
接下来将描述电子设备1000a的操作。
首先，当电子设备1000a导通时，高压电源模块100向twt200供电。因此，twt200被启动。然后，twt200、高压电源模块100等生成热量。
电子设备1000a采用通过壳体2100a本身的热传导的冷却操作作为壳体2100a中的电子组件的冷却操作。电子设备1000a与电子设备1000的不同之处在于：不采用通过对壳体2100a内部的空气强制空气冷却的冷却操作。
将描述通过电子设备1000a中的壳体2100a本身的热传导的冷却操作。
高压电源模块100被安装在第一基板2300上。因此，高压电源模块100的热量被传递至第一基板2300。换句话说，第一基板2300经受高压电源模块100的热能。另外，高压电源模块100的热量还通过第一基板2300被传递至第一隔板2500。因此，高压电源模块100的热量通过由第一基板2300和第一隔板2500的热量接收被冷却。
另外，twt200被安装在第二基板2400上。因此，twt200的热量被传递至第二基板2400。换句话说，第二基板2400经受twt200的热能。另外，twt200的热量还通过第二基板2400被传递至第二隔板2600。因此，twt200的热量通过由第二基板2400和第二隔板2600的热量接收被冷却。此外，散热器300从壳体2100a的外部被安装在壳体2100a中的第二基板2400上。因此，散热器3000通过第二基板2400接收twt200的热量，并且将热量辐射到壳体2100a外部的空气。
另外，高压电源模块100的热量通过第一电子组件容纳室5000内部的空气被传递至第一隔板2500。因此，高压电源模块100的热量通过由第一隔板2500的热量接收被冷却。类似地，twt200的热量通过第二电子组件容纳室6000内部的空气被传递至第二隔板2600。因此，twt200的热量通过由第二隔板2600的热量接收被冷却。
上面已经描述了通过壳体2100a本身的热传导的冷却操作。
在第一隔板2500与第二隔板2600之间设置第一间隙部g1的效果如在第一示例性实施例中描述的那样。另外，在第一基板2300与第二基板2400之间设置第二间隙部g2的效果如在第一示例性实施例中描述的那样。此外，使第一间隙部g1和第二间隙部g2彼此连通的效果如在第一示例性实施例中描述的那样。
在电子设备1000a中，以对内部密封的方式形成壳体2100a。另外，电子设备1000a采用通过壳体2100a本身的热传导的冷却操作作为壳体2100a中的电子组件的冷却操作。因此，高压电源模块100和twt200的热能通过壳体2100a本身的热传导被传递至整个壳体2100a。因此，壳体2100a内部的温度有可能均匀地上升。
在电子设备1000a中，散热器3000被热连接至第二基板2400并且辐射twt200的热量。因此，twt200的热量通过散热器3000从壳体2100a被辐射出去。
如上所述，根据本发明的第二示例性实施例的电子组件容纳装置2000a和电子设备1000a包括散热器3000(热辐射部)。该散热器3000被热连接至第二基板2400并且辐射twt200的热量。因此，twt200的热量通过散热器3000从壳体2100a被辐射出去。因此，可以防止高压电源模块100受到热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量的影响。因此，可以防止由twt200的热量引起的高压电源模块100的温度上升。
如上所述，设置散热器3000使得能够在更高效地防止高压电源模块100受到热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量的影响的同时更高效地使twt200的热量冷却。
接下来将与比较示例相比较来描述根据第二示例性实施例的电子设备1000a的热辐射模拟结果。
图7(a)和图7(b)是图示了电子设备1000a的热辐射模拟结果的示意图。图7(a)是图示了电子设备1000a的热辐射模拟结果的顶视图。图7(b)是图示了电子设备1000a的热辐射模拟结果的横截面图，并且是在图7(a)中的a-a截面处的横截面图。图7(a)和图7(b)图示了温度变化梯度。在图7(a)和图7(b)中，随着区域中的温度上升，区域的颜色变得更亮。另外，将壳体2100a的外部尺寸设置为200mm×300mm×50mm。将散热器3000的外部尺寸设置为300mm×200mm×10mm。将壳体2100a和散热器3000的材料设置为铝合金。
为了方便起见，在图7(a)和图7(b)中放大了twt200的形状。另外，为了检查twt200的热传递路径，在图7(a)和图7(b)中省略了高压电源模块100。另外，图7(a)和图7(b)仅图示了twt200中具有特别大的热量的采集器201，并且省略了除了采集器201之外的配置。另外，假设第二间隙部g2在与第一电子组件容纳室5000对应的整个区域上被设置在第一基板2300与第二基板2400之间。
图8(a)和图8(b)是图示了电子设备1000a的比较示例的热辐射模拟结果的示意图。图8(a)是图示了电子设备1000a的比较示例的热辐射模拟结果的顶视图。图8(b)是图示了电子设备1000a的比较示例的热辐射模拟结果的横截面图，并且是在图8(a)中的b-b截面处的横截面图。图8(a)和图8(b)图示了温度变化梯度。在图8(a)和图8(b)中，随着区域中的温度上升，区域的颜色变得更亮。另外，将壳体9100的外部尺寸设置为200mm×300mm×50mm。将散热器3000的外部尺寸设置为300mm×200mm×10mm。将壳体9100和散热器3000的材料设置为铝合金。
在图8(a)和图8(b)中图示的比较示例中的电子设备8000中的壳体9100并未设置具有第一隔板2500和第二隔板2600。另外，不设置第一基板2300和第二基板2400，并且只设置单个基板9200。电子设备8000中的壳体9100的尺寸与电子设备1000a中的壳体2100a的尺寸几乎相同。另外，图8(a)和图8(b)仅图示了twt200中具有特别大的热量的采集器201，并且省略了除了采集器201之外的配置。另外，为了检查twt200中的采集器201的热传递路径，在图8(a)和图8(b)中省略了高压电源模块100。
如在图7(a)中图示的，在twt200中的采集器201的中心部设置点a1。在垂直于第一隔板2500和第二隔板2600的方向上延伸的截面a-a上设置点b1和c1。另外，将截面a-a设置在点a1上。此外，以小于在点c1与第一隔板2500之间的距离的方式来设置在点b1与第一隔板2500之间的距离。此外，以小于在点c1与点a1之间的距离的方式来设置在点b1与点a1之间的距离。
将twt200中的采集器201在点a1处的温度上升(twt200在从启动之前到启动之后的时段期间[例如15分钟]的温度上升)表示为δta1(度)。此时，在点b1处的温度上升δtb1(度)与δta1(度)之间的比率为δtb1/δta1＝0.67。在点c1处的温度上升δtc1(度)与δta1(度)之间的比率为δtc1/δta1＝0.69。
在图8(a)中，分别在与图7(a)中的点a1、b1和c1对应的位置设置点a2、b2和c2。换句话说，在twt200中的采集器201的中心部设置点a2。在截面b-b上设置点b2和c2。截面b-b与图7(a)中的截面a-a对应。另外，将截面b-b设置在点a2上。此外，以小于在点c2与点a2之间的距离的方式来设置在点b2与点a2之间的距离。
如在图8(a)和图8(b)中图示的，壳体9100中的温度随着测量点远离twt200中的采集器201降低。另外，如在图8(a)中图示的，可以理解，与电子设备1000a相比，靠近电子设备8000中的twt200中的采集器201的温度变化梯度更大。另外，将twt200中的采集器201在点a2处的温度上升(twt200中的采集器201在从启动之前到启动之后的时段期间[例如15分钟]的温度上升)表示为δta2(度)。此时，在点b2处的温度上升δtb2(度)与δta2(度)之间的比率为δtb2/δta2＝0.82。在点c2处的温度上升δtc2(度)与δta2(度)之间的比率为δtc2/δta2＝0.67。
因此，可以理解，在点b2(与点b1对应)处，比较示例中的电子设备8000的温度上升比电子设备1000a的温度上升大。因此，可以理解，通过设置第一隔板2500和第二隔板2600，可以在电子设备1000a中防止发生twt200中的采集器201的热量被传递至容纳高压电源模块100的第一电子组件容纳室5000。另外，可以理解，twt200中的采集器201的热能的传递具有某种方向性。
基于上面的对图7(a)、图7(b)、图8(a)和图8(b)的分析说明了以下情况。
在电子设备1000a中，与电子设备8000中的在点b1(与点b2对应)处的温度上升相比较，在点b1(与点b2对应)处的温度上升较小。换句话说，通过设置第一隔板2500和第二隔板2600，即使在靠近twt200中的采集器201的区域中，与电子设备8000相比较，也在电子设备1000a中防止了在第一电子组件容纳室5000侧的温度上升。因此，在电子设备8000中被实施在远离twt200中的采集器201的区域中的耐低温电子组件可以被实施在第一电子组件容纳室5000侧上的靠近twt200中的采集器201处(例如点b1)。因此，与电子设备8000相比较，电子设备1000a能够提高实施设计的灵活性。
接下来，将与修改示例相比较来描述根据第二示例性实施例的电子设备1000a的热辐射模拟结果。
图9(a)和图9(b)是图示了电子设备1000a的热辐射模拟结果的示意图。图9(a)是图示了电子设备1000a的热辐射模拟结果的顶视图。图9(b)是图示了电子设备1000a的热辐射模拟结果的横截面图，并且是在图9(a)中的c-c截面处的横截面图。图9(a)和图9(b)图示了温度变化梯度。在图9(a)和图9(b)中，随着区域中的温度上升，区域的颜色变得更亮。另外，将壳体2100a的外部尺寸设置为200mm×300mm×50mm。将散热器3000的外部尺寸设置为300mm×200mm×10mm。将壳体2100a和散热器3000的材料设置为铝合金。
图9(a)和图9(b)仅图示了twt200中具有特别大的热量的采集器201，并且省略了除了采集器201之外的配置。另外，为了检查twt200的热传递路径，在图9(a)和图9(b)中省略了高压电源模块100。另外，不同于图7(a)和图7(b)，在图9(a)和图9(b)中的第一电子组件容纳室5000中实施加热元件250。另外，假设第二间隙部g2在与第一电子组件容纳室5000对应的整个区域上被设置在第一基板2300与第二基板2400之间。
例如，加热元件250的热量处于与twt200的热量相同或者低于twt200的热量的级别。
图10(a)和图10(b)是图示了电子设备1000a的修改示例的热辐射模拟结果的示意图。图10(a)是图示了电子设备1000a的修改示例的热辐射模拟结果的顶视图。图10(b)是图示了电子设备1000a的修改示例的热辐射模拟结果的横截面图，并且是在图10(a)中的d-d截面处的横截面图。图10(a)和图10(b)温度变化梯度。在图10(a)和图10(b)中，随着区域中的温度上升，区域的颜色变得更亮。另外，将壳体2100b的外部尺寸设置为200mm×300mm×50mm。将散热器3000的外部尺寸设置为300mm×200mm×10mm。将壳体2100b和散热器3000的材料设置为铝合金。
在图10(a)和图10(b)中图示了修改示例中的电子设备1000b，电子组件容纳装置2000b中的壳体2100b设置有第一隔板2500、第二隔板2600、第一基板2300和第二基板2400。另一方面，如在图10(b)中图示的，电子设备1000b与电子设备1000a的不同之处在于：不在加热元件250的实施区域中形成第一基板2300和第二基板2400的双重结构。电子设备1000b中的壳体2100b的尺寸与电子设备1000a的尺寸几乎相同。
另外，图10(a)和图10(b)仅图示了twt200中具有特别大的热量的采集器201，并且省略了除了采集器201之外的配置。另外，为了检查twt200的热传递路径，在图10(a)和图10(b)中省略了高压电源模块100。另外，不同于图7(a)和图7(b)，在图10(a)和图10(b)中的第一电子组件容纳室5000中实施加热元件250。
如上所述，例如，加热元件250的热量处于与twt200的热量相同或者低于twt200的热量的级别。
如在图9(a)中图示的，在twt200中的采集器201的中心部设置点a3。在垂直于第一隔板2500和第二隔板2600的方向上延伸的截面c-c上设置点b3和c3。另外，将截面c-c设置在点a3上。另外，以小于在点c3与第一隔板2500之间的距离的方式来设置在点b3与第一隔板2500之间的距离。点a3、b3和c3的位置分别与图7(a)中的点a1、b1和c1的位置对应。
将twt200中的采集器201在点a3处的温度上升(twt200在从启动之前到启动之后的时段期间[15分钟]的温度上升)表示为δta3(度)。此时，在点b3处的温度上升δtb3(度)与δta3(度)之间的比率为δtb3/δta3＝0.76。在点c3处的温度上升δtc3(度)与δta3(度)之间的比率为δtc3/δta3＝0.98。
在图10(a)中，分别在与图9(a)中的点a3、b3和c3对应的位置设置点a4、b4和c4。换句话说，在twt200中的采集器201的中心部设置点a4。在与图9(a)中的截面c-c对应截面d-d上设置点b4和c4。另外，将截面d-d设置在点a4上。此外，以小于在点c4与点a4之间的距离的方式来设置在点b4与点a4之间的距离。
将twt200中的采集器201在点a4处的温度上升(twt200在从启动之前到启动之后的时段期间[15分钟]的温度上升)表示为δta4(度)。此时，在点b4处的温度上升δtb4(度)与δta4(度)之间的比率为δtb4/δta4＝0.74。在点c4处的温度上升δtc4(度)与δta4(度)之间的比率为δtc4/δta4＝0.82。
基于上面的对图9(a)、图9(b)、图10(a)和图10(b)的分析说明了以下情况。
如在图9(a)中图示的，在电子设备1000a中的加热元件250的实施区域中形成第一基板2300和第二基板2400的双重结构，并且因此，加热元件250的热量不被直接传递至散热器3000侧。因此，与图10(a)中的点c4相比较，在点c3处的温度大大上升。
另一方面，如在图10(a)中图示的，不在电子设备1000b中的加热元件250的实施区域中形成第一基板2300和第二基板2400的双重结构，并且因此，加热元件250的热量被直接传递至散热器3000侧。因此，与在图9(a)中的点c3处的温度上升相比较，在点c4处的温度上升保持较低。
换句话说，如在图10(a)和图10(b)中图示的，通过不在加热元件250的实施区域中形成第一基板2300和第二基板2400的双重结构，加热元件250的热量可以被直接传递至散热器3000侧。结果，与电子设备1000a相比较，可以降低在加热元件250周围的区域的温度。
因此，取决于实施在第一电子组件容纳室5000中的电子组件的热量，可以通过不在电子组件的实施区域中形成第一基板2300和第二基部的双重结构来防止在电子组件周围的区域中的温度上升。因此，可以提高电子组件的实施设计的灵活性。
第三示例性实施例
将描述根据本发明的第三示例性实施例的电子设备1000c的配置。图11是图示了电子设备1000c的内部配置的透视图。例如，电子设备1000c是微波功率模块。在下面的描述中，将电子设备1000c描述为微波功率模块。在图11中，与在图1至图10中所指示的附图标记等效的附图标记被赋予与在图1至图10中所图示的组件等效的每个组件。
将对根据第二示例性实施例的电子设备1000a和根据第三示例性实施例的电子设备1000c比较。电子设备1000a和电子设备1000c具有都不支持强制空气冷却的共同点。具体地，电子设备1000c中的电子组件容纳装置2000c是密封的壳体，并且不会从外部吸入空气或者将空气排出到外部。进一步地，电子设备1000c与电子设备1000a的不同之处在于：不以面向彼此的方式来布置第一基板2300和第二基板2400。因此，不在第一基板2300与第二基板2400之间设置间隙部分g2。
如在图11中图示的，电子设备1000c包括高压电源模块100、twt200、电子组件容纳装置2000c和散热器3000。注意，散热器3000对于本示例性实施例不是必需的。换句话说，可以在不设置散热器3000的情况下配置根据第三示例性实施例的电子设备1000c。
如在图11中图示的，电子组件容纳装置2000c包括壳体2100c、第一基板2300、第二基板2400、第一隔板2500和第二隔板2600。
如在图11中图示的，壳体2100c容纳高压电源模块100和twt200。例如，与壳体2100相似，在选择壳体2100c的材料时考虑壳体2100c的强度、重量和热辐射性质以及磁性对twt200的影响。例如，使用例如铝的金属作为壳体2100c的材料。
如在图11中图示的，壳体2100c形成为箱形。另外，以对内部密封的方式来形成壳体2100c。因此，可以将电子设备1000c安装在室外。注意，图11未图示上盖。壳体2100c的内部由通过焊接、螺丝接合等安装的上盖密封。
如在图11中图示的，与壳体2100a相似，壳体2100c的内部被第一隔板2500和第二隔板2600分离成第一电子组件容纳室5000和第二电子组件容纳室6000。
第一电子组件容纳室5000至少容纳高压电源模块100。第二电子组件容纳室6000至少容纳twt200。另外，在第一电子组件容纳室5000与第二电子组件容纳室6000之间设置连通部7000。该连通部7000使第一电子组件容纳室5000和第二电子组件容纳室6000彼此连通。
另外，第一基板2300、第二基板2400、第一隔板2500和第二隔板2600设置在壳体2100c中。在电子设备1000c中，不以面向彼此的方式来布置第一基板2300和第二基板2400。因此，不在第一基板2300与第二基板2400之间设置间隙部分g2。另一方面，以面向彼此的方式来布置第一隔板2500和第二隔板2600。然后，在第一隔板2500与第二隔板2600之间设置间隙部分g1。
如在图11中图示的，散热器3000从壳体2100c的外部安装在壳体2100c中的第一基板2300和第二基板2400上。
上面已经描述了电子设备1000c的配置。
接下来将描述电子设备1000c的操作。
首先，当电子设备1000c导通时，高压电源模块100向twt200供电。因此，twt200被启动。然后，twt200、高压电源模块100等生成热量。
电子设备1000c采用通过壳体2100c本身的热传导的冷却操作作为壳体2100c中的电子组件的冷却操作。
将描述通过电子设备1000c中的壳体2100c本身的热传导的冷却操作。
高压电源模块100被安装在第一基板2300上。因此，高压电源模块100的热量被传递至第一基板2300。换句话说，第一基板2300经受高压电源模块100的热能。另外，高压电源模块100的热量还通过第一基板2300被传递至第一隔板2500。因此，高压电源模块100的热量通过由第一基板2300和第一隔板2500的热量接收被冷却。
另外，twt200被安装在第二基板2400上。因此，twt200的热量被传递至第二基板2400。换句话说，第二基板2400经受twt200的热能。另外，twt200的热量还通过第二基板2400被传递至第二隔板2600。因此，twt200的热量通过由第二基板2400和第二隔板2600的热量接收被冷却。
此外，散热器3000从壳体2100c的外部被安装在壳体2100c中的第一基板2300和第二基板2400上。因此，散热器3000通过第二基板2400接收twt200的热量，并且将热量辐射到壳体2100c外部的空气。
另外，高压电源模块100的热量通过第一电子组件容纳室5000内部的空气被传递至第一隔板2500。因此，高压电源模块100的热量通过由第一隔板2500的热量接收被冷却。类似地，twt200的热量通过第二电子组件容纳室6000内部的空气被传递至第二隔板2600。因此，twt200的热量通过由第二隔板2600的热量接收被冷却。
上面已经描述了通过壳体2100c本身的热传导的冷却操作。
此时，如在图11中图示的，第一间隙部g1被设置在第一隔板2500与第二隔板2600之间。换句话说，第一隔板2500和第二隔板2600彼此分离。因此，不会发生在第一隔板2500与第二隔板2600之间的直接热传导。换句话说，通过第一隔板2500和第二隔板2600内部的热传导的热能的直接传递不会在第一隔板2500与第二隔板2600之间发生。换句话说，通过在第一隔板2500与第二隔板2600之间设置第一间隙部g1，可以防止在第一电子组件容纳室5000与第二电子组件容纳室6000之间的热传递。因此，可以防止高压电源模块100通过第一隔板2500和第二隔板2600而受到热量高于高压电源模块100的热量的twt200的热量的影响。因此，可以防止由twt200的热量引起的高压电源模块100的温度上升。因此，可以防止由twt200的热量引起的高压电源100的性能降低。
因此，设置第一间隙部g1使得能够在防止高压电源模块100受到热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量的影响的同时高效地使twt200和高压电源模块100的热量冷却。
如上所述，根据本发明的第三示例性实施例的电子组件容纳装置2000c包括壳体2100c、第一电子组件容纳室5000、第二电子组件容纳室6000、第一隔板2500和第二隔板2600。
壳体2100c容纳高压电源模块100(第一电子组件)和twt200(第二电子组件)。twt200的热量比高压电源模块100的热量大。第一电子组件容纳室5000容纳高压电源模块100。第二电子组件容纳室6000容纳twt200。
第一隔板2500被布置在第一电子组件容纳室5000与第二电子组件容纳室6000之间、在第一电子组件容纳室5000侧上。第二隔板2600被布置在第一电子组件容纳室5000与第二电子组件容纳室6000之间、在第二电子组件容纳室6000侧上。
然后，第一隔板2500和第二隔板2600以至少部分地面向彼此的方式而被设置。另外，第一间隙部g1被设置在第一隔板2500与第二隔板2600之间。
因此，电子组件容纳装置2000c通过利用第一隔板2500和第二隔板2600将壳体2100c分离成第一电子组件容纳室5000和第二电子组件容纳室6000。第一电子组件容纳室5000容纳高压电源模块100。第二电子组件容纳室6000容纳twt200。换句话说，通过设置第一隔板2500和第二隔板2600，电子组件容纳装置2000c分别将高压电源模块100和twt200容纳在单独的容纳室中。因此，可以防止高压电源模块100通过壳体2100c内部的空气而受到twt200的热量的影响。
另外，第一间隙部g1被设置在第一隔板2500与第二隔板2600之间。换句话说，第一隔板2500和第二隔板2600彼此分离。因此，不会发生在第一隔板2500与第二隔板2600之间的直接热传导。换句话说，通过在第一隔板2500与第二隔板2600之间设置第一间隙部g1，可以防止在第一电子组件容纳室5000与第二电子组件容纳室6000之间的热传递。因此，可以防止高压电源模块100通过第一隔板2500和第二隔板2600而受到热量高于高压电源模块100的热量的twt200的热量的影响。因此，可以防止由twt200的热量引起的高压电源模块100的温度上升。
如上所述，设置第一间隙部g1使得能够在防止高压电源模块100受到热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量的影响的同时高效地使twt200的热量冷却。
第四示例性实施例
将描述根据本发明的第四示例性实施例的电子设备1000d的配置。图12是图示了电子设备1000d的内部配置的透视图。例如，电子设备1000d是微波功率模块。在下面的描述中，将电子设备1000d描述为微波功率模块。在图12中，与在图1至图11中所指示的附图标记等效的附图标记被赋予与在图1至图11中所图示的组件等效的每个组件。
将对根据第二示例性实施例的电子设备1000a和根据第四示例性实施例的电子设备1000d比较。电子设备1000d和电子设备1000a具有都不支持强制空气冷却的共同点。具体地，电子设备1000d中的电子组件容纳装置2000d是密封的壳体，并且不会从外部吸入空气或者将空气排出到外部。另外，电子设备1000d与电子设备1000a的不同之处在于：未设置第一隔板2500和第二隔板2600。
如在图12中图示的，电子设备1000d包括高压电源模块100、twt200、电子组件容纳装置2000d和散热器3000。注意，散热器3000对于本示例性实施例不是必需的。换句话说，可以在不设置散热器3000的情况下设置根据第四示例性实施例的电子设备1000d。
如在图12中图示的，电子组件容纳装置2000d包括壳体2100d、第一基板2300和第二基板2400。
如在图12中图示的，壳体2100d容纳高压电源模块100和twt200。例如，与壳体2100相似，在选择壳体2100d的材料时考虑壳体2100d的强度、重量和热辐射性质以及磁性对twt200的影响。例如，使用例如铝的金属作为壳体2100d的材料。
如在图12中图示的，壳体2100d形成为箱形。另外，以对内部密封的方式形成壳体2100d。因此，可以将电子设备1000d被安装在室外。注意，图12未图示上盖。壳体2100d的内部由通过焊接、螺丝接合等安装的上盖密封。
另外，如在图12中图示的，第一基板2300和第二基板2400设置在壳体2100d中。高压电源模块100被设置在第一基板2300上。twt200设置在第二基板2400上。
如在图12中图示的，散热器从壳体2100d的外部被安装在壳体2100d中的第二基板2400上。
上面已经描述了电子设备1000d的配置。
接下来将描述电子设备1000d的操作。
首先，当电子设备1000d导通时，高压电源模块100向twt200供电。因此，twt200被启动。然后，twt200、高压电源模块100等生成热量。
电子设备1000d采用通过壳体2100d本身的热传导的冷却操作作为壳体2100d中的电子组件的冷却操作。
将描述通过电子设备1000d中的壳体2100d本身的热传导的冷却操作。
高压电源模块100被安装在第一基板2300上。因此，高压电源模块100的热量被直接传递至第一基板2300。换句话说，第一基板2300经受高压电源模块100的热能。因此，高压电源模块100的热量通过由第一基板2300的热量接收被冷却。
另外，twt200被安装在第二基板2400上。因此，twt200的热量被传递至第二基板2400。换句话说，第二基板2400经受twt200的热能。因此，twt200的热量通过由第二基板2400的热量接收被冷却。
此外，散热器3000从壳体2100d的外部被安装在壳体2100d中的第二基板2400上。因此，散热器3000通过第二基板2400接收twt200的热量，并且将热量辐射到壳体2100d外部的空气。
上面已经描述了通过壳体2100d本身的热传导的冷却操作。
如在图12中图示的，第二间隙部g2被设置在第一基板2300与第二基板2400之间。换句话说，第一基板2300和第二基板2400在部分区域中彼此分离。因此，在第一基板2300与第二基板2400之间的直接热传导至少不会在第一基板2300和第二基板2400彼此分离的部分区域中发生。换句话说，通过第一基板2300和第二基板2400内部的热传导的热能传递至少不会在第一基板2300和第二基板2400彼此分离的部分区域中发生。
换句话说，至少在第一基板2300和第二基板2400彼此分离的部分区域中，不会发生高压电源模块100通过第一基板2300和第二基板2400而受到热量比高压电源模块100大的twt200的热量的影响。因此，与不存在第一基板2300和第二基板2400彼此分离的区域的情况相比较，还可以防止高压电源模块100受到热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量的影响。因此，可以防止由twt200的热量引起的高压电源模块100的温度上升。因此，可以防止由twt200的热量引起的高压电源100的性能降低。
另外，不通过第一基板2300和第二基板2400将twt200的热量传递至高压电源模块100。因此，更可能通过第二基板2400将twt200的热量传递至散热器3000。
如上所述，设置第二间隙部g2使得能够在防止高压电源模块100受到热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量的影响的同时高效地使高压电源模块100和twt200的热量冷却。
如上所述，根据本发明的第四示例性实施例的电子组件容纳装置2000d包括壳体2100d、第一基板2300和第二基板2400。壳体2100d容纳高压电源模块100(第一电子组件)和热量比高压电源模块100的热量大的twt200(第二电子组件)。第一基板2300是壳体2100的一部分。高压电源模块100(第一电子组件)被安装在第一基板2300上。第一基板2300被热连接至高压电源模块100。第二基板2400是壳体2100的一部分。twt200(第二电子组件)被安装在第二基板2400上。第二基板2400被热连接至twt200。
然后，第一基板2300和第二基板2400以至少部分地面向彼此的方式而被设置。另外，第二间隙部g2被设置在第一基板2300与第二基板2400之间。
因此，在电子组件容纳装置2000d中，高压电源模块100被安装在第一基板2300上。第一基板2300被热连接至高压电源模块100。twt200被安装在第二基板2400上。第二基板2400被热连接至twt200。因此，高压电源模块100的热量被传递至第一基板2300。twt200的热量被传递至第二基板2400。另一方面，第二间隙部g2被设置在第一基板2300与第二基板2400之间。换句话说，第一基板2300和第二基板2400彼此分离。因此，不会发生在第一基板2300与第二基板2400之间的直接热传导。换句话说，不会发生高压电源模块100通过第一基板2300和第二基板2400而直接受到热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量的影响。
因此，可以防止高压电源模块100受到热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量的影响。因此，可以防止由twt200的热量引起的高压电源模块100的温度上升。
如上所述，设置第二间隙部g2使得能够在防止高压电源模块100受到热量比高压电源模块100的热量大的twt200的热量的影响的同时高效地使高压电源模块100和twt200的热量冷却。
另外，根据本发明的第四示例性实施例的电子设备1000d包括高压电源模块100(第一电子组件)、twt200(第二电子组件)、壳体2100d、第一基板2300和第二基板2400。twt200的热量比高压电源模块100的热量大。壳体2100d容纳高压电源模块100和twt200。第一基板2300是壳体2100d的一部分。高压电源模块100被安装在第一基板2300上。第一基板2300被热连接至高压电源模块100。第二基板是壳体2100的一部分。twt200被安装在第二基板2400上。第二基板2400被热连接至twt200。
然后，第一基板2300和第二基板2400以至少部分地面向彼此的方式而被设置。另外，第二间隙部g2被设置在第一基板2300与第二基板2400之间。
这种配置还能够提供与由上述电子组件容纳装置2000提供的效果类似的效果。
根据相应上述示例性实施例，可以在第一间隙部g1中设置防止第一间隙部g1内部的热传递的绝热构件(未图示)。因此，可以更高效地防止twt200的热量通过第一间隙部g1内部的空气从第二隔板2600传递至第一隔板2500。另外，可以在第二间隙部g2中设置防止第二间隙部g2内部的热传递的绝热构件。因此，可以更高效地防止twt200的热量通过第二间隙部g2内部的空气从第二基板2400传递至第一基板2300。
另外，根据相应上述示例性实施例，可以通过底座(未图示)来将高压电源模块100安装在第一基板2300上。因此，还可以防止twt200的热量传递至高压电源模块100。上述内容在根据第三示例性实施例的电子设备1000c的情况下特别高效，在该电子设备1000c中，第一基板2300和第二基板2400以不面向彼此的方式而被设置。
另外，根据相应上述示例性实施例，已经描述了在第一隔板2500与第二隔板2600之间没有物理连接的示例。另一方面，可以使第一隔板2500和第二隔板2600物理连接，只要第一间隙部g1被设置在第一隔板2500与第二隔板2600之间。另外，当将上盖2140安装在主体部2130上时，可以将第一隔板2500和第二隔板2600的顶部连接至上盖2140的内表面。
另外，可以如下部分地或者整个地描述相应前述示例性实施例，但是不限于此。
[补充说明1]一种电子组件容纳装置，包括：
壳体，该壳体容纳第一电子组件和第二电子组件，该第二电子组件具有比该第一电子组件的热量大的热量；
第一电子组件容纳室，该第一电子组件容纳室容纳第一电子组件；
第二电子组件容纳室，该第二电子组件容纳室容纳第二电子组件；
第一隔板，该第一隔板被布置在第一电子组件容纳室与第二电子组件容纳室之间、在第一电子组件容纳室侧上；以及
第二隔板，该第二隔板被布置在第一电子组件容纳室与第二电子组件容纳室之间、在第二电子组件容纳室侧上，其中
第一隔板和第二隔板以至少部分地面向彼此的方式而被设置，并且
第一间隙部被设置在第一隔板与第二隔板之间。
[补充说明2]根据补充说明1的电子组件容纳装置，还包括：
第一基板，该第一基板是壳体的一部分并且被热连接至第一电子组件，该第一电子组件被安装在板上；以及
第二基板，该第二基板是壳体的一部分并且被热连接至第二电子组件，该第二电子组件被安装在板上，其中
第一基板和第二基板以至少部分地面向彼此的方式而被设置，
第二间隙部被设置在第一基板与第二基板之间，
第一隔板被连接至第一基板，并且第二隔板被连接至第二基板，并且
第一间隙部和第二间隙部彼此连通。
[补充说明3]根据补充说明2的电子组件容纳装置，还包括：热辐射部，该热辐射部被热连接至第二基板并且辐射第二电子组件的热量。
[补充说明4]根据补充说明1至3中任一项的电子组件容纳装置，还包括：
连通部，该连通部使第一电子组件容纳室和第二电子组件容纳室彼此连通，其中
空气从第一电子组件容纳室通过连通部流向第二电子组件容纳室的流动路径被形成。
[补充说明5]根据补充说明1至4中任一项的电子组件存储装置，其中
绝热构件被设置在第一间隙部或者第二间隙部中，该绝热构件防止在第一间隙部或者第二间隙部内部的热传递。
[补充说明6]一种电子设备，包括：
第一电子组件；
第二电子组件，该第二电子组件具有比第一电子组件的热量大的热量；
壳体，该壳体容纳第一电子组件和第二电子组件；
第一电子组件容纳室，该第一电子组件容纳室容纳第一电子组件；
第二电子组件容纳室，该第二电子组件容纳室容纳第二电子组件；
第一隔板，该第一隔板被布置在第一电子组件容纳室与第二电子组件容纳室之间、在第一电子组件容纳室侧上；以及
第二隔板，该第二隔板被布置在第一电子组件容纳室与第二电子组件容纳室之间、在第二电子组件容纳室侧上，其中
第一隔板和第二隔板以至少部分地面向彼此的方式而被设置，并且
在第一隔板与第二隔板之间设置第一间隙部。
[补充说明7]根据补充说明6的电子设备，还包括：
第一基板，该第一基板是壳体的一部分并且被热连接至第一电子组件，该第一电子组件被安装在板上；以及
第二基板，该第二基板是壳体的一部分并且被热连接至第二电子组件，该第二电子组件被安装在板上，其中
第一基板和第二基板以至少部分地面向彼此的方式而被设置，
第二间隙部被设置在第一基板与第二基板之间。
第一隔板被连接至第一基板，并且第二隔板被连接至第二基板，并且
第一间隙部和第二间隙部彼此连通。
[补充说明8]一种电子组件容纳装置，包括：
壳体，该壳体容纳第一电子组件和第二电子组件，该第二电子组件具有比第一电子组件的热量大的热量；
第一基板，该第一基板是壳体的一部分并且被热连接至第一电子组件，该第一电子组件被安装在板上；以及
第二基板，该第二基板是壳体的一部分并且被热连接至第二电子组件，该第二电子组件被安装在板上，其中
第一基板和第二基板以至少部分地面向彼此的方式而被设置，
第二间隙部被设置在第一基板与第二基板之间。
[补充说明9]根据补充说明8的电子组件容纳装置，还包括：
第一电子组件容纳室，该第一电子组件容纳室容纳第一电子组件；
第二电子组件容纳室，该第二电子组件容纳室容纳第二电子组件；
第一隔板，该第一隔板被布置在第一电子组件容纳室与第二电子组件容纳室之间、在第一电子组件容纳室侧上；以及
第二隔板，该第二隔板被布置在第一电子组件容纳室与第二电子组件容纳室之间、在第二电子组件容纳室侧上，其中
第一隔板和第二隔板以至少部分地面向彼此的方式而被设置，
第一间隙部被设置在第一隔板与第二隔板之间，
第一隔板被连接至第一基板，并且第二隔板被连接至第二基板，并且
第一间隙部和第二间隙部彼此连通。
[补充说明10]根据补充说明8或者9的电子组件容纳装置，还包括：
热辐射部，该热辐射部被热连接至第二基板并且辐射第二电子组件的热量。
[补充说明11]根据补充说明9或者10的电子组件容纳装置，还包括：
连通部，该连通部使第一电子组件容纳室和第二电子组件容纳室彼此连通，其中
空气从第一电子组件容纳室通过连通部流向第二电子组件容纳室的流动路径被形成。
[补充说明12]根据补充说明8至11中任一项的电子组件存储装置，其中
绝热构件被设置在第一间隙部或者第二间隙部中，该绝热构件防止在第一间隙部或者第二间隙部内部的热传递。
[补充说明13]一种电子设备，包括：
第一电子组件；
第二电子组件，该第二电子组件具有比第一电子组件的热量大的热量；
壳体，该壳体容纳第一电子组件和第二电子组件；
第一基板，该第一基板是壳体的一部分并且被热连接至第一电子组件，该第一电子组件被安装在板上；以及
第二基板，该第二基板是壳体的一部分并且被热连接至第二电子组件，该第二电子组件被安装在板上，其中
第一基板和第二基板以至少部分地面向彼此的方式而被设置，并且
第二间隙部被设置在第一基板与第二基板之间。
[补充说明14]根据补充说明13的电子组件，还包括：
第一电子组件容纳室，该第一电子组件容纳室容纳第一电子组件；
第二电子组件容纳室，该第二电子组件容纳室容纳第二电子组件；
第一隔板，该第一隔板被布置在第一电子组件容纳室与第二电子组件容纳室之间、在第一电子组件容纳室侧上；以及
第二隔板，该第二隔板被布置在第一电子组件容纳室与第二电子组件容纳室之间、在第二电子组件容纳室侧上，其中
第一隔板和第二隔板以至少部分地面向彼此的方式而被设置，
第一间隙部被设置在第一隔板与第二隔板之间，
第一隔板被连接至第一基板，并且第二隔板被连接至第二基板，并且
第一间隙部和第二间隙部彼此连通。
[补充说明15]一种组件容纳装置，包括：
壳体，该壳体容纳第一组件和生成热量的第二组件；
第一组件容纳室，该第一组件容纳室容纳第一组件；
第二组件容纳室，该第二组件容纳室容纳第二组件；
第一隔板，该第一隔板被布置在第一组件容纳室与第二组件容纳室之间、在第一组件容纳室侧上；以及
第二隔板，该第二隔板被布置在第一电子容纳室与第二组件容纳室之间、在第二电子容纳室侧上，其中
第一间隙部被设置在第一隔板与第二隔板之间。
[补充说明16]根据补充说明15的组件容纳装置，还包括：
第一基板，该第一基板是壳体的一部分并且被热连接至第一组件，该第一组件被安装在板上；
第二基板，该第二基板是壳体的一部分并且被热连接至第二组件，该第二组件被安装在板上，其中
第一基板和第二基板以至少部分地面向彼此的方式而被设置，
第二间隙部被设置在第一基板与第二基板之间，
第一隔板被连接至第一基板，并且第二隔板被连接至第二基板，并且
第一间隙部和第二间隙部彼此连通。
[补充说明17]根据补充说明16的组件容纳装置，还包括：
热辐射部，该热辐射部被热连接至第二基板。
[补充说明18]根据补充说明15至17中任一项的组件容纳装置，还包括：
连通部，该连通部使第一组件容纳室和第二组件容纳室彼此连通，其中
空气从第一组件容纳室通过连通部流向第二组件容纳室的流动路径被形成。
[补充说明19]根据补充说明15至18中任一项的组件存储装置，其中
绝热构件被设置在第一间隙部或者第二间隙部中。
[补充说明20]一种设备，包括：
根据补充说明15至19中任一项的组件存储装置，
第一组件，以及
第二组件。
[补充说明21]一种组件容纳装置，包括：
壳体，该壳体容纳第一组件和生成热量的第二组件；
第一基板，该第一基板是壳体的一部分并且被热连接至第一组件，该第一组件被安装在板上；以及
第二基板，该第二基板是壳体的一部分并且被热连接至第二组件，该第二组件被安装在板上，其中
第二间隙部被设置在第一基板与第二基板之间。
[补充说明22]根据补充说明21的组件容纳装置，还包括：
第一电子组件容纳室，该第一电子组件容纳室容纳第一组件；
第二电子组件容纳室，该第二电子组件容纳室容纳第二组件；
第一隔板，该第一隔板被布置在第一组件容纳室与第二组件容纳室之间、在第一组件容纳室侧上；以及
第二隔板，该第二隔板被布置在第一组件容纳室与第二组件容纳室之间、在第二组件容纳室侧上，其中
第一间隙部被设置在第一隔板与第二隔板之间，
第一隔板被连接至第一基板，并且第二隔板被连接至第二基板，并且
第一间隙部和第二间隙部彼此连通。
[补充说明23]根据补充说明21或者22的组件容纳装置，还包括：
热辐射部，该热辐射部被热连接至第二基板。
[补充说明24]根据补充说明22或者23的电子组件容纳装置，还包括：
连通部，该连通部使第一组件容纳室和第二组件容纳室彼此连通，其中
空气从第一组件容纳室通过连通部流向第二组件容纳室的流动路径被形成。
[补充说明25]根据补充说明21至24中任一项的电子组件存储装置，其中
绝热构件被设置在第一间隙部或者第二间隙部中。
[补充说明26]一种设备，包括：
根据补充说明21至25中任一项的组件存储装置，
第一组件，以及
第二组件。
如上所述，已经基于示例性实施例描述了本发明。示例性实施例仅仅是说明，并且可以将各种改变、添加或者减少以及组合添加到上述示例性实施例中的每个示例性实施例，除非其偏离本发明的要点。本领域的技术人员要明白，通过添加这种改变、添加/减少以及组合而进行的修改也包括在本发明的范围中。
本申请基于2015年12月2日提交的日本专利申请第2015-235363号要求优先权，该申请的公开内容通过引用的方式全部并入本文。
[附图标记列表]
1000、1000a、1000b、1000c、1000d电子设备
100高压电源模块
200twt
201采集器
250加热元件
300散热器
400第一风扇单元
500第二风扇单元
600控制模块
700入口
800出口
900波导
2000、2000a、2000b、2000c、2000d电子组件容纳装置
2100、2100a、2100b、2100c、2100d壳体
2110前板
2111手柄
2112开窗
2120背板
2130主体部
2140上盖
2300第一基板
2400第二基板
2500第一隔板
2600第二隔板
3000散热器
5000第一电子组件容纳室
6000第二电子组件容纳室
7000连通部
8000电子设备
9100壳体
9200基板
g1第一间隙部
g2第二间隙部