基于牙科治疗机的口腔灯控制系统的制作方法

文档序号:13940747阅读:248来源:国知局
基于牙科治疗机的口腔灯控制系统的制作方法

本实用新型涉及医疗设备领域,特别涉及一种基于牙科治疗机的口腔灯控制系统。



背景技术:

口腔灯控制系统是牙科治疗机的重要组成部分,其通过控制口腔灯以提供足够的光照强度,保障医生顺利进行口腔治疗。传统口腔灯控制系统主要采用继电器作为开关来控制口腔灯电源的通断。请参见图1,图1为现有技术提供的一种口腔灯控制系统的电路结构示意图。驱动器002分别电连接主处理器001和继电器003,通过主处理器001的控制指令驱动继电器003,以实现继电器003的导通与关断,从而实现口腔灯电源的通断。

由于继电器使用的是机械触点,触点在开关与闭合时,存在机械磨损、电弧烧伤等现象,触点寿命短,故可靠性和可维护性差;此外,采用继电器控制电源的通断,会导致口腔灯长时间工作在其额定电压下,长时间的通电会导致口腔灯发热,时间越长,发热越严重,进而影响口腔灯及其周围器件的使用寿命。



技术实现要素:

为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种基于牙科治疗机的口腔灯控制系统(10),包括:

主处理器(101);

驱动器(102),其输入端电连接所述主处理器(101);

MOSFET(103),其栅极电连接所述驱动器(102)的输出端,其漏极经待控制口腔灯电连接DC电源,其源极电连接GND端。

在本实用新型的一个实施例中,所述主处理器(101)为ARM芯片或者单片机。

在本实用新型的一个实施例中,所述驱动器(102)为达林顿管或NPN三极管。

在本实用新型的一个实施例中,所述MOSFET(103)为N沟道MOSFET。

7.在本实用新型的另一个实施例中,所述口腔灯控制系统(10)还包括传感器(104)及采样芯片(105);其中,

所述传感器(104)电连接至所述MOSFET(103)的源极与所述GND端之间;

所述采样芯片(105)包括第一采样端(1051)、第二采样端(1052)及输出端(1053);其中,所述第一采样端(1051)及所述第二采样端(1052)分别电连接至所述传感器(104)的两端;所述输出端(1053)电连接所述主处理器(101)。

在本实用新型的另一个实施例中,所述采样芯片(105)为INA250芯片。。

与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:

本实用新型提供的口腔灯控制系统,可以通过调节口腔灯两端的电压,实现用户对口腔灯不同亮度的需求,避免了口腔灯长时间工作在额定电压下,从而在一定程度上延长了口腔灯的使用寿命;此外,采用MOSFET作为电子开关对口腔灯的电源进行通断控制,避免了机械磨损、电弧烧伤等现象,从而极大地提高了设备的可靠性。

附图说明

下面将结合附图,对本实用新型的具体实施方式进行详细的说明。

图1为现有技术提供的一种基于牙科治疗机的口腔灯控制系统的总体框图;

图2为本实用新型实施例提供的一种基于牙科治疗机的口腔灯控制系统的总体框图;

图3为本实用新型实施例提供的另一种基于牙科治疗机的口腔灯控制系统的总体框图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

下面结合附图对本实用新型做进一步详细说明。

实施例一

请参见图2,图2为本实用新型实施例提供的一种基于牙科治疗机的口腔灯控制系统的总体框图。该口腔灯控制系统(10)包括:

主处理器(101);

驱动器(102),其输入端电连接所述主处理器(101);

MOSFET(103),其栅极电连接所述驱动器(102)的输出端,其漏极经待控制口腔灯电连接DC电源,其源极电连接GND端。

进一步地,在上述实施例的基础上,所述主处理器(101)为ARM芯片或者单片机。

进一步地,在上述实施例的基础上,所述驱动器(102)为达林顿管或NPN三极管。

进一步地,在上述实施例的基础上,所述MOSFET(103)为N沟道MOSFET。

本实用新型提供的口腔灯控制系统,可以通过调节口腔灯两端的电压,实现用户对口腔灯不同亮度的需求,避免了口腔灯长时间工作在额定电压下,从而在一定程度上延长了口腔灯的使用寿命;此外,采用MOSFET作为电子开关对口腔灯的电源进行通断控制,避免了机械磨损、电弧烧伤等现象,从而极大地提高了设备的可靠性。

实施例二

请参见图3,图3为本实用新型实施例提供的另一种基于牙科治疗机的口腔灯控制系统的总体框图。本实施例在实施例一的基础上,增加了传感器(104)及采样芯片(105);其中,

所述传感器(104)电连接至所述MOSFET(103)的源极与所述GND端之间;

所述采样芯片(105)包括第一采样端(1051)、第二采样端(1052)及输出端(1053);其中,所述第一采样端(1051)及所述第二采样端(1052)分别电连接至所述传感器(104)的两端;所述输出端(1053)电连接所述主处理器(101)。

进一步地,在上述实施例的基础上,所述传感器(104)为电阻。

进一步地,在上述实施例的基础上,所述采样芯片(105)为INA250芯片。

本实施例在实施例一的基础上增加了由传感器及采样芯片组成的反馈模块,可以通过监测传感器两端电压以实时监控口腔灯两端的电压,进而通过主处理器及驱动器控制口腔灯两端电压稳定以保证口腔灯正常工作。

实施例三

本实施例在实施例一及实施例二的基础上,对本技术方案的原理及实现方式作进一步的阐述。

请再次参见图3,主处理器(101)通过其输出端(其输出端可以为IO口)控制驱动器(102),进而对MOSFET(103)进行控制;其中,驱动器(102)可以为达林顿管或NPN三极管驱动。

当MOSFET(103)的栅极为高电平时,MOSFET(103)导通,进而实现待控制口腔灯的通电;当MOSFET(103)的栅极为低电平时,MOSFET(103)断开,进而实现待控制口腔灯的断电。

当主处理器(101)的输出端(其输出端可以为IO口)输出频率变化的PWM信号(高低电平变换的信号)时,可以实现待控制口腔灯两端的电压由0到24V之间进行变化,进而对待控制口腔灯的亮度进行控制。

通过以上的方式不仅实现了待控制口腔灯的通电与断电,还实现了对待控制口腔灯的亮度进行控制。

另外,通过采样芯片(105)的第一采样端(1051)及第二采样端(1052)对传感器(104)两端的电压值进行采样,并将采样的电压值经其输出端(1053)传输给主处理器(101),从而实现对待控制口腔灯的电压及电流进行实时监控。

综上,本文中应用了具体个例对本实用新型的结构及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本实用新型的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上,本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制,本实用新型的保护范围应以所附的权利要求为准。

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