一种低功率误差的厚膜串联电路的制作方法

本发明涉及降低厚膜电路功率误差技术，具体涉及一种低功率误差的厚膜串联电路。

背景技术：

集成电路分为厚膜电路、薄膜电路和半导体集成电路。厚膜电路与薄膜电路的区别有两点：其一是膜厚的区别，厚膜电路的膜厚一般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多处于小于1μm；其二是制造工艺的区别，厚膜电路一般采用丝网印刷工艺，最先进的材料基板使用陶瓷作为基板，(较多的使用氧化铝陶瓷或不锈钢)，薄膜电路采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。厚膜电路的优势在于性能可靠，设计灵活，投资小，成本低，多应用于电压高、电流大、大功率的场合。在电性能上，它能耐受较高的电压、更大的功率和较大的电流。它适用于各种电路，特别是消费类和工业类电子产品用的模拟电路。带厚膜网路的基片作为微型印制线路板已得到广泛的应用。

随着厚膜电路被广泛应用，特别是厚膜加热领域，对厚膜电路的功率误差要求越来越高，原有的生产工艺不能满足客户需求。由于功率误差由±3％变更为±1％，甚至要求更高的0.5％，原有的生产工艺产生了大量的不符合要求的残次品，造成产品成本大幅上升，交货周期大幅延长。而厚膜加热元件的生产成本和原材料成本较高，较大的次品率造成了非常高的成本。

技术实现要素：

为了解决现有技术的不足，本发明在不改变原有生产工艺、设备的前提下，提供了一种低功率误差的厚膜串联电路。

本发明的技术方案是：一种低功率误差的厚膜串联电路，所述厚膜电路为串联电路，所述厚膜电路包括基础电路以及与将基础电路中至少一段线路短路的调节电路。

本发明的进一步改进包括：

所述基础电路的设定功率之和不小于目标功率。

所述调节电路由电阻率低于基础电路电阻率的浆料制得。

所述调节电路为电阻率低于基础电路电阻率的银或金浆料制得。

所述基础电路的设定功率为目标功率102％。

厚膜电路的功率误差调节方法，根据产品成型后的实测功率，利用激光切割机选择切断调节电路。

本发明通过对产品电路结构进行重新设计调整，在不改变原有生产工艺和设备的前提下，大幅降低了产品实际功率的误差。基本可以保证每个产品不会因为功率误差而产生残次品。

附图说明

图1是本发明的串联电路调节电路局部放大图结构示意图。

图2是实施例2的结构示意图。

图中：1、基础电路，2、第一调节电路，3、第二调节电路，4、第三调节电路。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做详细说明。

如图1所示一种低功率误差的厚膜串联电路，所述厚膜电路为串联电路，所述厚膜电路包括基础电路以及与将基础电路中至少一段线路短路的调节电路。所述基础电路的设定功率之和不小于目标功率，优选为目标功率102％。

所述调节电路由电阻率低于基础电路电阻率的浆料制得，优选银或金浆料制得。

本发明的另一目的在于提供了如上述厚膜电路的功率误差调节方法，具体为：根据产品成型后的实测功率，利用激光切割机选择切断调节电路。

本发明通过对产品电路结构进行重新设计调整，在不改变原有生产工艺和设备的前提下，大幅降低了产品实际功率的误差。基本可以保证每个产品不会因为功率误差而产生残次品。

实施例1

申请人按照客户要求生产10kw的管状的厚膜加热管，客户要求功率误差不大于1％。申请人将基础电路功率设定为10.2kw，调节电路设置为2条，被两条调节电路短路的基础电路设计功率分别为总基础电路功率2％、2％。依次对成品进行检测功率，符合误差要求的直接入库，不符合的按照相应的差值对调节子电路进行切断。以现有技术能够保证产品误差率±3％计算，那么产品的功率区间为9.9-10.5kw。当功率为9.9-10.1kw时，切断所有调节电路。当功率为10.2-10.3kw时切断对应短路电路功率为基础电路功率2％的其中一条调节电路，保留对应短路电路功率为基础电路功率2％的调节电路，则调节后的电路功率降低了2％，使误差值满足1％的误差规定。当功率为10.3-10.5kw时保留对应短路电路功率为基础电路功率4％的两调节电路，则调节后的电路功率降低了4％，使误差值满足1％的误差规定。

实施例2

当客户要求误差率控制在0.5时，仅仅需要在实施例1的基础上增加一条第三调节电路，使该调节电路短路部分的功率为基础电路功率的0.5％。

本发明在不改变现有产品生产模式，不增加额外的高成本生产设备，不大幅修改生产工艺的，不大幅增加生产成本的前提下，能够保证产品功率误差为±1％。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。