本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种短路检测保护电路。
背景技术：
市场上有些接电感镇流器的传统荧光灯类照明产品逐渐被LED产品替代。兼容电感镇流器的LED产品，其驱动电路可以为buck电路，如图1所示，当buck电路的功率MOS管Q1的DS击穿短路时，输入市电经过电感镇流器1、保险丝FUSE、整流桥DB1、LED、电感L1、短路后的MOS管Q1形成回路。此时，LED电流急剧增大。由于电感镇流器的限流，增大的LED电流不足以使保险丝FUSE开路，但是，会超出LED能够承受的最大电流。在此状态下，LED持续发热，会造成LED周围的PCB碳化、甚至周围塑料结构件热熔，严重的会破坏绝缘层，存在触电的风险。
技术实现要素：
本发明实施例提供一种短路检测保护电路，用于解决现有的LED驱动电路中MOS管发生故障导致LED持续发热的问题。
本发明实施例采用下述技术方案：
第一方面，本发明提供了一种短路检测保护电路，包括：
LED驱动电路，所述LED驱动电路与LED电连接，所述LED驱动电路包括第一MOS管；
保护电路，所述保护电路与所述LED并联或串联；
短路检测电路，所述短路检测电路的两端分别与所述保护电路和所述第一MOS管电连接；
其中，当所述短路检测电路检测到所述第一MOS管发生故障时，所述短路检测电路向所述保护电路发出故障信号，以驱动所述保护电路对所述LED执行保护动作。
进一步的，所述短路检测电路包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管和第一稳压管，其中，
所述第一电阻的两端分别与所述第一MOS管的漏极和所述第一电容的一端电连接，所述第一电容的另一端分别与所述第一二极管的正极和所述第二二极管的负极电连接，所述第一二极管的负极分别与所述第二电容的一端、所述第一稳压管的负极、所述第二电阻的一端电连接，所述第二电阻的另一端分别与所述第三电阻的一端和所述保护电路电连接，所述第三电阻的另一端、所述第一稳压管的正极、所述第二电容的另一端和所述第二二极管的正极电连接。
进一步的，所述短路检测电路包括：第一二极管、第一电阻、第二电阻、第一电容和第一稳压管，其中，
所述第一二极管的正极分别与所述第一MOS管的漏极和所述第一电阻的一端电连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第一电容的一端、所述第一稳压管的负极、所述第二电阻的一端和所述保护电路电连接，所述第二电阻的另一端、所述第一稳压管的正极和所述第一电容的另一端电连接。
进一步的，所述保护电路包括第二MOS管；其中，
所述第二MOS管的漏极与所述LED的负极电连接；
所述第二MOS管的源极与所述第三电阻的另一端、所述第一稳压管的正极、所述第二电容的另一端和所述第二二极管的正极电连接；
所述第二MOS管的栅极分别与所述第二电阻的另一端和所述第三电阻的一端电连接。
进一步的，所述保护电路包括：第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第三电容、第二稳压管、第一晶闸管和第二MOS管，其中，
所述第二MOS管的漏极分别与所述第四电阻的一端、所述第二稳压管的负极和所述第六电阻的一端电连接，所述第四电阻的另一端与所述LED的正极电连接，所述第二稳压管的正极分别与所述第七电阻的一端、所述第三电容的一端和所述第一晶闸管的控制极电连接，所述第一晶闸管的阳极与所述第五电阻的一端电连接，所述第五电阻的另一端与所述LED的正极电连接；
所述第二MOS管的源极、所述第一晶闸管的阴极、所述第七电阻的另一端、所述第三电容的另一端、所述第六电阻的另一端、所述第三电阻的另一端、所述第一稳压管的正极、所述第二电容的另一端和所述第二二极管的正极电连接；
所述第二MOS管的栅极分别与所述第二电阻的另一端和所述第三电阻的一端电连接。
进一步的，所述保护电路包括第二MOS管；其中，
所述第二MOS管的漏极与所述LED的负极电连接；
所述第二MOS管的源极与所述短路检测电路电连接；
所述第二MOS管的栅极与所述短路检测电路电连接。
进一步的，所述第二MOS管的栅极分别与所述第一电阻的另一端、所述第一电容的一端、所述第一稳压管的负极和所述第二电阻的一端电连接；
所述第二MOS管的源极分别与所述第二电阻的另一端、所述第一稳压管的正极和所述第一电容的另一端电连接。
进一步的，所述保护电路包括：第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第三电容、第二稳压管、第一晶闸管和第二MOS管，其中，
所述第二MOS管的漏极分别与所述第四电阻的一端、所述第二稳压管的负极和所述第六电阻的一端电连接，所述第四电阻的另一端与所述LED的正极电连接，所述第二稳压管的正极分别与所述第七电阻的一端、所述第三电容的一端和所述第一晶闸管的控制极电连接，所述第一晶闸管的阳极与所述第五电阻的一端电连接，所述第五电阻的另一端与所述LED的正极电连接；
所述第二MOS管的源极、所述第一晶闸管的阴极、所述第七电阻的另一端、所述第三电容的另一端、所述第六电阻的另一端均与所述短路检测电路电连接；
所述第二MOS管的栅极与所述短路检测电路电连接。
进一步的，所述第二MOS管的栅极分别与所述第一电阻的另一端、所述第一电容的一端、所述第一稳压管的负极和所述第二电阻的一端电连接；
所述第二MOS管的源极分别与所述第二电阻的另一端、所述第一稳压管的正极和所述第一电容的另一端电连接。
进一步的，所述LED驱动电路为BUCK电路。
进一步的，所述BUCK电路包括：保险丝、整流桥、第一极性电容、第二极性电容、第一二极管、第一电阻、第二电阻和第一电感，其中，
所述保险丝的一端与电感镇流器电连接，所述保险丝的另一端与所述整流桥的第一端电连接，所述整流桥的第二端分别与所述第一极性电容的正极、所述第一二极管的负极、所述第二极性电容的正极、所述第一电阻的一端和所述LED正极电连接，所述整流桥的第三端与零线电连接，所述整流桥的第四端分别与所述第一极性电容的负极和所述第二电阻一端电连接，所述第二电阻的另一端与所述第一MOS管的源极电连接，所述第一MOS管的漏极与所述第一电感的一端电连接，所述第一电感的另一端分别与所述第二极性电容的负极、所述第一电阻的另一端电连接，所述第一MOS管的栅极接入驱动信号。
本发明实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：
本发明实施例提供的短路检测保护电路，其包括LED驱动电路、保护电路和短路检测电路，该LED驱动电路与LED电连接，该LED驱动电路包括第一MOS管，该保护电路与LED并联或串联，该短路检测电路的两端分别与保护电路和第一MOS管电连接。其中，当短路检测电路检测到第一MOS管发生故障时，短路检测电路向保护电路发出故障信号，以驱动保护电路对LED执行保护动作，有效避免LED持续发热，进而避免了LED周围的PCB碳化、周围塑料结构件热熔、绝缘层破坏等，降低了触电风险。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为现有技术中的LED驱动电路的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种短路检测保护电路的结构示意图之一；
图3为本发明实施例提供的一种短路检测保护电路的结构示意图之二；
图4为本发明实施例提供的一种短路检测保护电路的结构示意图之三；
图5为本发明实施例提供的一种短路检测保护电路的结构示意图之四；
图6为本发明实施例提供的一种短路检测保护电路的结构示意图之五；
图7为本发明实施例提供的一种短路检测保护电路的结构示意图之六。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供的短路检测保护电路包括：LED驱动电路10、保护电路20和短路检测电路30。其中，LED驱动电路10可以采用现有技术中的电路结构，该LED驱动电路与LED电连接，该LED驱动电路包括第一MOS管。
具体实施时，该LED驱动电路10可以为BUCK电路，该BUCK电路可以包括：保险丝F1、整流桥DB1、第一极性电容EC1、第二极性电容EC2、第一二极管D01、第一电阻R01、第二电阻R02和第一电感L1。
其中，保险丝F1的一端与电感镇流器电连接，保险丝F1的另一端与整流桥DB1的第一端电连接，整流桥DB1的第二端分别与第一极性电容EC1的正极、第一二极管D01的负极、第二极性电容EC2的正极、第一电阻R01的一端和LED正极电连接，整流桥DB1的第三端与零线电连接，整流桥DB1的第四端分别与第一极性电容EC1的负极和第二电阻R02一端电连接，第二电阻R02的另一端与第一MOS管的源极电连接，第一MOS管的漏极与第一电感L1的一端电连接，第一电感L1的另一端分别与第二极性电容EC2的负极、第一电阻R01的另一端电连接，第一MOS管的栅极连接恒流驱动集成电路IC，用于为第一MOS管的栅极接入驱动信号，当然，在本发明实施例中为第一MOS管的栅极提供驱动信号的并不局限于恒流驱动集成电路IC。
该BUCK电路的工作原理为：当第一MOS管Q1的栅极接入的驱动信号为高电平信号时，第一MOS管Q1的漏极与源极导通，第一电感L1被充磁，流经第一电感L1的电流线性增加，同时给第二极性电容EC2充电，从而给负载LED提供能量；当第一MOS管Q1的栅极接入的驱动信号为低电平信号时，第一MOS管Q1截止，第一电感L1通过续流第一二极管D01放电，流经第一电感L1的电流线性减少，从而给负载LED提供能量依靠第二极性电容EC2放电以及减小的第一电感L1电流维持。其中，第二电阻R02为电流采样电阻，整流桥DB1用于整流，第一极性电容EC1用于滤波。
当然，LED驱动电路的实现结构还可以采用其他结构，本发明实施例不作具体限定。具体实施时根据实际需求设定。
本发明实施例提供的短路检测保护电路的电路连接结构如下所述：
第一，如图2所示，保护电路20与LED并联。短路检测电路30的两端分别与保护电路20和第一MOS管Q1电连接。其中，当短路检测电路30检测到第一MOS管Q1发生故障时，短路检测电路30向保护电路20发出故障信号，以驱动保护电路20对LED执行保护动作。
第二，如图3所示，保护电路20与LED串联。短路检测电路30的两端分别与保护电路20和第一MOS管Q1电连接。其中，当短路检测电路30检测到第一MOS管Q1发生故障时，短路检测电路30向保护电路20发出故障信号，以驱动保护电路20对LED执行保护动作。
本发明实施例提供的短路检测保护电路，其包括LED驱动电路、保护电路和短路检测电路，该LED驱动电路与LED电连接，该LED驱动电路包括第一MOS管，该保护电路与LED并联或串联，该短路检测电路的两端分别与保护电路和第一MOS管电连接。其中，当短路检测电路检测到第一MOS管发生故障时，短路检测电路向保护电路发出故障信号，以驱动保护电路对LED执行保护动作，有效避免LED持续发热，进而避免了LED周围的PCB碳化、周围塑料结构件热熔、绝缘层破坏等，降低了触电风险。
上述实施例中的短路检测电路30具体实现结构可以为多种，本发明实施例不做具体限定。具体实施时，该短路检测电路30可以分别采用如下结构，例如：
第一种结构的短路检测电路30，该短路检测电路30可以包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管和第一稳压管，其中，
第一电阻的两端分别与第一MOS管的漏极和第一电容的一端电连接，第一电容的另一端分别与第一二极管的正极和第二二极管的负极电连接，第一二极管的负极分别与第二电容的一端、第一稳压管的负极、第二电阻的一端电连接，第二电阻的另一端分别与第三电阻的一端和保护电路20电连接，第三电阻的另一端、第一稳压管的正极、第二电容的另一端和第二二极管的正极电连接。
其中，第一MOS管的正常工作时的频率可以为30K-100KHZ，当然第一MOS管的正常工作时的频率还可以为其他功率，具体实施时不做限定。第一电阻和第一电容用于高频取电，第一二极管和第二二极管起到整流作用，第二电容为滤波电容，第一稳压管用于稳压至直流电压。
第二种结构的短路检测电路30，该短路检测电路30可以包括：第一二极管、第一电阻、第二电阻、第一电容和第一稳压管，其中，
第一二极管的正极分别与第一MOS管的漏极和第一电阻的一端电连接，第一电阻的另一端分别与第一电容的一端、第一稳压管的负极、第二电阻的一端和保护电路20电连接，第二电阻的另一端、第一稳压管的正极和第一电容的另一端电连接。
其中，第一MOS管的正常工作时的频率可以为30K-100KHZ，当然第一MOS管的正常工作时的频率还可以为其他功率，具体实施时不做限定。第一二极管用于整流，第一电阻与第一电容用于滤波，第一稳压管用于限压，第二电阻用于限流。
上述实施例中的保护电路20的具体实现结构可以为多种，本发明实施例不做具体限定。具体实施时，该保护电路20可以分别采用如下结构，例如：
第一种结构的保护电路20，该保护电路20可以包括第二MOS管；其中，
第二MOS管的漏极与LED的负极电连接；
第二MOS管的源极与短路检测电路30电连接；
第二MOS管的栅极与短路检测电路30电连接。
第二种结构的保护电路20，该保护电路20可以包括：第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第三电容、第二稳压管、第一晶闸管和第二MOS管，其中，
第二MOS管的漏极分别与第四电阻的一端、第二稳压管的负极和第六电阻的一端电连接，第四电阻的另一端与LED的正极电连接，第二稳压管的正极分别与第七电阻的一端、第三电容的一端和第一晶闸管的控制极电连接，第一晶闸管的阳极与第五电阻的一端电连接，第五电阻的另一端与LED的正极电连接；
第二MOS管的源极、第一晶闸管的阴极、第七电阻的另一端、第三电容的另一端、第六电阻的另一端均与所述短路检测电路30电连接；
第二MOS管的栅极与短路检测电路30电连接。
其中，第四电阻和第六电阻共同决定输出开路上的过压保护，第五电阻为限流电阻，第七电阻在第二稳压管截止时为第三电容提供放电途径，同时第七电阻可以防止第二稳压管截止时第一晶闸管的控制极被误触发，第三电容用于滤波。
具体实施时，上述所述的第一种结构的短路检测电路30、第二种结构的短路检测电路30、第一种结构的保护电路20和第二种结构的保护电路20可以两两组合，形成四种结构的短路检测保护电路，如下所述：
第一种，如图4所示，该短路检测保护电路包括LED驱动电路10、短路检测电路30和保护电路20。
该短路检测电路30可以包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1、第二电容C2、第一二极管D1、第二二极管D2和第一稳压管ZD1，其中，
第一电阻R1的两端分别与第一MOS管的漏极和第一电容C1的一端电连接，第一电容C1的另一端分别与第一二极管D1的正极和第二二极管D2的负极电连接，第一二极管D1的负极分别与第二电容C2的一端、第一稳压管ZD1的负极、第二电阻R2的一端电连接，第二电阻R2的另一端分别与第三电阻R3的一端和保护电路20电连接，第三电阻R3的另一端、第一稳压管ZD1的正极、第二电容C2的另一端和第二二极管D2的正极电连接。
该保护电路20与LED并联，具体可实现为：该保护电路20可以包括：第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第三电容C3、第二稳压管ZD2、第一晶闸管SCR1和第二MOS管Q2，其中，
第二MOS管Q2的漏极分别与第四电阻R4的一端、第二稳压管ZD2的负极和第六电阻R6的一端电连接，第四电阻R4的另一端与LED的正极电连接，第二稳压管ZD2的正极分别与第七电阻R7的一端、第三电容C3的一端和第一晶闸管SCR1的控制极电连接，第一晶闸管SCR1的阳极与第五电阻R5的一端电连接，第五电阻R5的另一端与LED的正极电连接；
第二MOS管Q2的源极、第一晶闸管SCR1的阴极、第七电阻R7的另一端、第三电容C3的另一端、第六电阻R6的另一端、第三电阻R3的另一端、第一稳压管ZD1的正极、第二电容C2的另一端和第二二极管D2的正极电连接；
第二MOS管Q2的栅极分别与第二电阻R2的另一端和第三电阻R3的一端电连接。
本发明实施例提供的第一种结构的短路检测保护电路的工作原理为：当第一MOS管Q1正常工作时，第一MOS管Q1漏级为高频开关信号，高频电流流经第一电阻R1、第一电容C1、第一二极管D1、第二电阻R2至第二MOS管Q2的栅极，第二MOS管Q2的栅源极电压为高电平。此时，第二MOS管Q2导通，LED正极处的部分电流流经第四电阻R4和第二MOS管Q2的漏源极，第二稳压管ZD2和第一晶闸管SCR1截止；当第一MOS管Q1发生漏源极短路故障时，流经第一MOS管Q1漏源极的为直流电信号，无电流通过第一电容C1流入第二MOS管Q2的栅极，第二MOS管Q2的栅源极电压为低电平。此时，第二MOS管Q2截止，LED正极处的电流流经第四电阻R4和第二稳压管ZD2到第一晶闸管SCR1的控制极，第一晶闸管SCR1触发导通，又由于第五电阻R5和第一晶闸管SCR1的导通电阻很小，第五电阻R5和第一晶闸管SCR1相当于导线，当第一晶闸管SCR1触发导通后，LED正极处的电流流经第五电阻R5和第一晶闸管SCR1，短路LED，从而实现保护LED的目的。
第二种，如图5所示，该短路检测保护电路包括LED驱动电路10、短路检测电路30和保护电路20。
该短路检测电路30可以包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1、第二电容C2、第一二极管D1、第二二极管D2和第一稳压管ZD1，其中，
第一电阻R1的两端分别与第一MOS管的漏极和第一电容C1的一端电连接，第一电容C1的另一端分别与第一二极管D1的正极和第二二极管D2的负极电连接，第一二极管D1的负极分别与第二电容C2的一端、第一稳压管ZD1的负极、第二电阻R2的一端电连接，第二电阻R2的另一端分别与第三电阻R3的一端和保护电路20电连接，第三电阻R3的另一端、第一稳压管ZD1的正极、第二电容C2的另一端和第二二极管D2的正极电连接。
该保护电路20与LED串联，具体可实现为：该保护电路20可以包括第二MOS管Q2；其中，
第二MOS管Q2的漏极与LED的负极电连接；
第二MOS管Q2的源极与第三电阻R3的另一端、第一稳压管ZD1的正极、第二电容C2的另一端和第二二极管D2的正极电连接；
第二MOS管Q2的栅极分别与第二电阻R2的另一端和第三电阻R3的一端电连接。
本发明实施例提供的第二种结构的短路检测保护电路的工作原理为：当第一MOS管Q1正常工作时，第一MOS管Q1漏级为高频开关信号，高频电流流经第一电阻R1、第一电容C1、第一二极管D1、第二电阻R2至第二MOS管Q2的栅极，第二MOS管Q2的栅源极电压为高电平。此时，第二MOS管Q2导通，LED正极处的电流流经LED和第二MOS管Q2的漏源极；当第一MOS管Q1发生漏源极短路故障时，流经第一MOS管Q1漏源极的为直流电信号，无电流通过第一电容C1流入第二MOS管Q2的栅极，第二MOS管Q2的栅源极电压为低电平。此时，第二MOS管Q2截止，无电流流过LED，则从而实现保护LED的目的。
第三种，如图6所示，该短路检测保护电路包括LED驱动电路10、短路检测电路30和保护电路20。
该短路检测电路30可以包括：第一二极管D1、第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1和第一稳压管ZD1，其中，
第一二极管D1的正极分别与第一MOS管的漏极和第一电阻R1的一端电连接，第一电阻R1的另一端分别与第一电容C1的一端、第一稳压管ZD1的负极、第二电阻R2的一端和保护电路20电连接，第二电阻R2的另一端、第一稳压管ZD1的正极和第一电容C1的另一端电连接。
该保护电路20与LED并联，具体可实现为：该保护电路20可以包括：第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第三电容C3、第二稳压管ZD2、第一晶闸管SCR1和第二MOS管Q2，其中，
第二MOS管Q2的漏极分别与第四电阻R4的一端、第二稳压管ZD2的负极和第六电阻R6的一端电连接，第四电阻R4的另一端与LED的正极电连接，第二稳压管ZD2的正极分别与第七电阻R7的一端、第三电容C3的一端和第一晶闸管SCR1的控制极电连接，第一晶闸管SCR1的阳极与第五电阻R5的一端电连接，第五电阻R5的另一端与LED的正极电连接；
第二MOS管Q2的源极、第一晶闸管SCR1的阴极、第七电阻R7的另一端、第三电容C3的另一端、第六电阻R6的另一端、第二电阻R2的另一端、第一稳压管ZD1的正极和第一电容C1的另一端电连接；
第二MOS管Q2的栅极分别与第一电阻R1的另一端、第一电容C1的一端、第一稳压管ZD1的负极和第二电阻R2的一端电连接。
本发明实施例提供的第三种结构的短路检测保护电路的工作原理为：当第一MOS管Q1正常工作时，第一MOS管Q1漏级为高频开关信号，高频电流流经第一二极管D1、第一电阻R1至第二MOS管Q2的栅极，第二MOS管Q2的栅源极电压为高电平。此时，第二MOS管Q2导通，LED正极处的部分电流流经第四电阻R4和第二MOS管Q2的漏源极，第二稳压管ZD2和第一晶闸管SCR1截止；当第一MOS管Q1发生漏源极短路故障时，第一MOS管Q1漏源极电位相同，均为低电位，第一二极管D1截止，无电流流入第二MOS管Q2的栅极，第二MOS管Q2的栅源极电压为低电平。此时，第二MOS管Q2截止，LED正极处的电流流经第四电阻R4和第二稳压管ZD2到第一晶闸管SCR1的控制极，第一晶闸管SCR1触发导通，又由于第五电阻R5和第一晶闸管SCR1的导通电阻很小，第五电阻R5和第一晶闸管SCR1相当于导线，当第一晶闸管SCR1触发导通后，LED正极处的电流流经第六电阻R6和第一晶闸管SCR1，短路LED，则从而实现保护LED的目的。
第四种，如图7所示，该短路检测保护电路包括LED驱动电路10、短路检测电路30和保护电路20。
该短路检测电路30可以包括：第一二极管D1、第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1和第一稳压管ZD1，其中，
第一二极管D1的正极分别与第一MOS管的漏极和第一电阻R1的一端电连接，第一电阻R1的另一端分别与第一电容C1的一端、第一稳压管ZD1的负极、第二电阻R2的一端和保护电路20电连接，第二电阻R2的另一端、第一稳压管ZD1的正极和第一电容C1的另一端电连接。
该保护电路20与LED串联，具体可实现为：该保护电路20可以包括第二MOS管Q2；其中，
第二MOS管Q2的漏极与LED的负极电连接；
第二MOS管Q2的源极分别与第二电阻R2的另一端、第一稳压管ZD1的正极和第一电容C1的另一端电连接；
第二MOS管Q2的栅极分别与第一电阻R1的另一端、第一电容C1的一端、第一稳压管ZD1的负极和第二电阻R2的一端电连接。
本发明实施例提供的第四种结构的短路检测保护电路的工作原理为：当第一MOS管Q1正常工作时，第一MOS管Q1漏级为高频开关信号，高频电流流经第一二极管D1、第一电阻R1至第二MOS管Q2的栅极，第二MOS管Q2的栅源极电压为高电平。此时，第二MOS管Q2导通，LED正极处的电流流经LED和第二MOS管Q2的漏源极；当第一MOS管Q1发生漏源极短路故障时，第一MOS管Q1漏源极电位相同，均为低电位，第一二极管D1截止，无电流流入第二MOS管Q2的栅极，第二MOS管Q2的栅源极电压为低电平。此时，第二MOS管Q2截止，无电流流过LED，则从而实现保护LED的目的。
本领域的技术人员应明白，尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。