技术特征：
技术总结
公开一种气隙式薄膜体声波谐振器(FBAR)。该气隙式FBAR包括：衬底，其包括在其顶面中的空气间隙部分，形成在衬底上的下电极；形成在下电极上的压电层；以及形成在压电层上的上电极。这里，下电极包括与衬底中的空气间隙部分间隔开地形成的第一下电极和通过仅包围空气间隙部分的顶部的一部分地堆叠而形成在衬底上的与第一下电极分离的第二下电极，以形成空气间隙部分的非沉积区域。
技术研发人员：崔桓准
受保护的技术使用者：天津威盛电子有限公司
技术研发日：2018.05.23
技术公布日：2019.04.02