端口驱动电路的制作方法

文档序号:16244274发布日期:2018-12-11 23:25阅读:186来源:国知局
端口驱动电路的制作方法

本发明涉及集成电路技术,尤其涉及到端口驱动电路。



背景技术:

现有技术的输入输出端口都是独立的,占用芯片面积,为了减少芯片面积设计了输入输出端口能够复用的端口驱动电路。



技术实现要素:

本发明旨在解决现有技术的不足,提供一种输入输出端口能够复用的端口驱动电路。

端口驱动电路,包括第一电阻、第二电阻、第一nmos管、第三电阻、第四电阻、第二nmos管和二极管:

所述第一电阻的一端接输入端a,另一地接所述第一nmos管的栅极和所述第二电阻的一端;所述第二电阻的一端接所述第一nmos管的栅极和所述第一电阻的一端和所述二极管的n极,另一端接地;所述第一nmos管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端,漏极接所述第三电阻的一端和所述第二nmos管的栅极,源极接地;所述第三电阻的一端接电源电压vcc,另一端接所述第一nmos管的漏极和所述第二nmos管的栅极;所述第四电阻的一端接电源电压vcc,另一端接所述第二nmos管的漏极和所述二极管的p极并作为输入输出端口inout;所述第二nmos管的栅极接所述第三电阻的一端和所述第一nmos管的漏极,漏极接所述第四电阻的一端和所述二极管的p极并作为输入输出端inout,源极接地;所述二极管的p极接所述第四电阻的一端和所述第二nmos管的漏极和输入输出端inout,n极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一nmos管的栅极。

当a端是高电平时,所述第一nmos管导通,所述第二nmos管的栅极被拉低,此时输入输出端inout为高电平;当a端是低电平时,所述第一nmos管不导通,所述第二nmos管的栅极被拉高而导通,此时输入输出端inout为低电平;这样输入输出端inout作为输出端来应用。由于所述二极管具有单向导电,只有从输入输出端inout向a端输入,此时输入输出inout又作为输入端来应用。

附图说明

图1为本发明的端口驱动电路的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明内容进一步说明。

端口驱动电路,如图1所示,包括第一电阻101、第二电阻102、第一nmos管103、第三电阻104、第四电阻105、第二nmos管106和二极管107:

所述第一电阻101的一端接输入端a,另一地接所述第一nmos管103的栅极和所述第二电阻102的一端;所述第二电阻102的一端接所述第一nmos管103的栅极和所述第一电阻101的一端和所述二极管107的n极,另一端接地;所述第一nmos管103的栅极接所述第一电阻101的一端和所述第二电阻102的一端,漏极接所述第三电阻104的一端和所述第二nmos管106的栅极,源极接地;所述第三电阻104的一端接电源电压vcc,另一端接所述第一nmos管103的漏极和所述第二nmos管106的栅极;所述第四电阻105的一端接电源电压vcc,另一端接所述第二nmos管106的漏极和所述二极管107的p极并作为输入输出端口inout;所述第二nmos管106的栅极接所述第三电阻104的一端和所述第一nmos管103的漏极,漏极接所述第四电阻105的一端和所述二极管107的p极并作为输入输出端inout,源极接地;所述二极管107的p极接所述第四电阻105的一端和所述第二nmos管106的漏极和输入输出端inout,n极接所述第一电阻101的一端和所述第二电阻102的一端和所述第一nmos管103的栅极。

当a端是高电平时,所述第一nmos管103导通,所述第二nmos管106的栅极被拉低,此时输入输出端inout为高电平;当a端是低电平时,所述第一nmos管103不导通,所述第二nmos管106的栅极被拉高而导通,此时输入输出端inout为低电平;这样输入输出端inout作为输出端来应用。由于所述二极管107具有单向导电,只有从输入输出端inout向a端输入,此时输入输出inout又作为输入端来应用。

对上述所提供的实施方式的说明,仅是本发明的优选实施方式的说明,对本技术领域的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本发明。应当指出,对于本技术领域的技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造,应视为本发明的保护范围。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种端口驱动电路。端口驱动电路包括第一电阻、第二电阻、第一NMOS管、第三电阻、第四电阻、第二NMOS管和二极管。利用本发明可以减小所占芯片面积。

技术研发人员:罗红飞
受保护的技术使用者:杭州展虹科技有限公司
技术研发日:2018.08.06
技术公布日:2018.12.11
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