本发明属于热电转化领域，具体涉及一种微型温控结构单元。
背景技术：
手机在较长时间续航过程中发热问题严重。随着科技发展，各器件集成度越来越高，对于手机内部空间利用和设计要求极为严苛，即使做到了最优方案，也难以寻得行之有效的散热途径。以苹果数码产品为例，其散热方案主要是通过铝合金全金属外壳，可即便做到巧妙利用了金属的热学特性，依然会对核心原件产生影响从而触发设备的降频保护机制。
技术实现要素：
本发明的目的在于克服现有技术中的缺陷，提供一种微型温控结构单元。
本发明为实现上述目的，采用以下技术方案：
微型温控结构单元,包括与发热元件接触的换热基板、设置在所述的换热基板上的金属泡沫网层、填充在所述的金属泡沫网层里面的相变蜡以及涂覆在所述的金属泡沫网孔表面的石墨烯。
所述的金属泡沫为铜、铝或者镍制成。
所述的金属泡沫的孔密度的范围为60ppi～130ppi，孔隙率的范围为0.8～0.9，厚度为10nm～1mm。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本技术利用金属泡沫对热进行传导，并通过金属泡沫网中设置的相变蜡的相变对热量进行吸收，通过塞贝克效应，将发热元件的热量进行转化，石墨烯的加入使其获得超强导电特性。
具体实施方式
为了使本技术领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明。
实施例1：微型温控结构单元,包括与发热元件接触的换热基板、设置在所述的换热基板上的金属泡沫网层、填充在所述的金属泡沫网层里面的相变蜡以及涂覆在所述的金属泡沫网孔表面的石墨烯。所述的金属泡沫为铜制成。所述的金属泡沫的孔密度的范围为100ppi，孔隙率的范围为0.8～0.9，厚度为0.5mm。
实施例2：微型温控结构单元,包括与发热元件接触的换热基板、设置在所述的换热基板上的金属泡沫网层、填充在所述的金属泡沫网层里面的相变蜡以及涂覆在所述的金属泡沫网孔表面的石墨烯。所述的金属泡沫为铝制成。所述的金属泡沫的孔密度的范围为60ppi，孔隙率的范围为0.8～0.9，厚度为10nm。
实施例3：微型温控结构单元,包括与发热元件接触的换热基板、设置在所述的换热基板上的金属泡沫网层、填充在所述的金属泡沫网层里面的相变蜡以及涂覆在所述的金属泡沫网孔表面的石墨烯。所述的金属泡沫为镍制成。所述的金属泡沫的孔密度的范围为130ppi，孔隙率的范围为0.8～0.9，厚度为1mm。
使该结构直接通过塞贝克效应完成热电转换，可以将并转化所得电能直接输出作为部分传感器、led(lightemittingdiode发光二极管)等元件。例如，通过设置电源供给led阈值电压参数直接将被转化的电能供给到屏幕背光led。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。