晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法与流程

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法。

背景技术：

晶体谐振器是利用压电晶体的逆压电效应制成的谐振器件，是晶体振荡器和滤波器的关键元件，被广泛应用于高频电子信号，实现精确计时、频率标准和滤波等测量和信号处理系统中必不可少的频率控制功能。

随着半导体技术的不断发展，以及集成电路的普及，各种元器件的尺寸也趋于小型化。然而，目前的晶体谐振器不仅难以与其他半导体元器件集成，并且晶体谐振器的尺寸也较大。

例如，目前常见的晶体谐振器包括表面贴装型晶体谐振器，其具体是将基座和上盖通过金属焊接(或者，粘接胶)粘合在一起，以形成密闭腔室，晶体谐振器的压电谐振片位于所述密闭腔室中，并且使压电谐振片的电极通过焊盘或者引线与相应的电路电性连接。基于如上所述的晶体谐振器，其器件尺寸很难进一步缩减，并且所形成的晶体谐振器还需要通过焊接或者粘合的方式与对应的集成电路电性连接，从而进一步限制了所述晶体谐振器的尺寸。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种晶体谐振器与控制电路的集成方法，以解决现有的晶体谐振器其尺寸较大且不易于集成的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种晶体谐振器与控制电路的集成结构，包括：

提供器件晶圆，所述器件晶圆中形成有控制电路；

在所述器件晶圆中形成下空腔，所述下空腔具有位于所述器件晶圆背面的开口；

提供基板，并刻蚀所述基板以形成所述晶体谐振器的上空腔，所述上空腔和所述下空腔对应设置；

形成包括上电极、压电晶片和下电极的压电谐振片，所述上电极、所述压电晶片和所述下电极形成在所述器件晶圆的背面和所述基板其中之一上；

在所述器件晶圆或所述基板上形成第一连接结构；

在所述器件晶圆的背面上键合所述基板，以使所述压电谐振片位于所述器件晶圆和所述基板之间，以及使所述上空腔和所述下空腔分别位于所述压电谐振片的两侧，并通过所述第一连接结构使所述压电谐振片的上电极和下电极均与所述控制电路电性连接；以及，

在所述器件晶圆的正面上键合半导体芯片，以及形成第二连接结构，所述半导体芯片通过所述第二连接结构电性连接至所述控制电路。

本发明的又一目的在于提供一种晶体谐振器与控制电路的集成结构，包括：

器件晶圆，所述器件晶圆中形成有控制电路，以及在所述器件晶圆中还形成有下空腔，所述下空腔具有位于所述器件晶圆背面的开口；

基板，所述基板从所述器件晶圆的背面键合于所述器件晶圆上，并且所述基板中形成有上空腔，所述上空腔的开口和所述下空腔的开口相对设置；

压电谐振片，包括上电极、压电晶片和下电极，所述压电谐振片位于所述器件晶圆和所述基板之间，并且所述压电谐振片的两侧分别对应所述下空腔和所述上空腔；

第一连接结构，用于使所述压电谐振片的上电极和下电极电连接至所述控制电路；

半导体芯片，键合在所述器件晶圆的正面上；以及，

第二连接结构，用于使所述半导体芯片电连接至所述控制电路。

在本发明提供的晶体谐振器的集成方法中，基于形成有控制电路的器件晶圆，通过半导体平面工艺制备下空腔，并使下空腔能够从器件晶圆的背面暴露出，从而使压电谐振片能够形成在器件晶圆的背面上。如此一来，实现了控制电路和晶体谐振器能够集成在同一器件晶圆上。同时，还可将半导体芯片进一步集成在该器件晶圆的上，大大提高了晶体谐振器的集成度，并可实现片上调制晶体谐振器的参数(例如，晶体谐振器的温度漂移和频率矫正等原始偏差)，有利于提高晶体谐振器的性能。

可见，本发明提供的晶体谐振器，不仅使晶体谐振器能够实现与其他半导体元器集成，提高器件的集成度；并且，相比于传统的晶体谐振器(例如，表面贴装型晶体谐振器)，本发明提供的晶体谐振器的尺寸更小，有利于实现晶体谐振器的小型化，并能够减少制备成本和降低晶体谐振器的功耗。

附图说明

图1为本发明一实施例中的晶体谐振器的集成方法的流程示意图；

图2a～图2n为本发明一实施例中的晶体谐振器的集成方法在其制备过程中的结构示意图；

图3a～图3d为本发明实施例三中的晶体谐振器与控制电路的集成方法在其制备过程中的结构示意图；

图4为本发明一实施例中的晶体谐振器与控制电路的集成结构的示意图。

其中，附图标记如下：

100-器件晶圆；aa-器件区；

100u-正面；100d-背面；

100a-基底晶圆；100b-介质层；

110-控制电路；

111-第一电路；

111a-第一互连结构；111b-第三互连结构；

112-第二电路；

112a-第二互连结构；112b-第四互连结构；

120-下空腔；

211a-第一导电插塞；212a-第二导电插塞；

221a-第一连接线；222a-第二连接线；

230-第三导电插塞；

410-第一塑封层；420-第二塑封层；

400-支撑晶圆；

500-压电谐振片；

510-下电极；

520-压电晶片；

530-上电极；

600-平坦化层；

700-半导体芯片；

710-第一接触栓；720-第二接触栓；

710-接触垫。

具体实施方式

本发明的核心思想在于提供了一种晶体谐振器与控制电路的集成结构及其形集成方法，通过半导体平面工艺将晶体谐振器和半导体芯片均集成在形成有控制电路的器件晶圆上。一方面，可以进一步缩减所形成的晶体谐振器的器件尺寸，另一方面，还可使所述晶体谐振器能够与其他半导体元器件集成，提高器件的集成度。

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

图1为本发明一实施例中的晶体谐振器的集成方法的流程示意图，图2a～图2l为本发明一实施例中的晶体谐振器的集成方法在其制备过程中的结构示意图。以下结合附图对本实施例中形成晶体谐振器的各个步骤进行详细说明。

在步骤s100中，具体参考图2a所示，提供一器件晶圆100，所述器件晶圆100中形成有控制电路110。

具体的，所述器件晶圆100具有相对的正面100u和背面100d，所述控制电110包括多个互连结构，并且至少部分互连结构延伸至所述器件晶圆的正面。其中，所述控制电路110例如可用于对后续形成的压电谐振片施加电信号。

其中，可以在同一器件晶圆100上同时制备多个晶体谐振器，因此在所述器件晶圆100上对应定义有多个器件区aa，所述控制电路110形成在所述器件区aa中。

进一步的，所述控制电路110包括第一电路111和第二电路112，所述第一电路111和第二电路112用于与后续所形成的压电谐振片的上电极和下电极电性连接。

继续参考图2a所示，所述第一电路111包括第一晶体管、第一互连结构111a和第三互连结构111b，所述第一晶体管掩埋在所述器件晶圆100中，所述第一互连结构111a和第三互连结构111b均与所述第一晶体管连接并延伸至所述器件晶圆100的正面。其中，所述第一互连结构111a例如连接所述第一晶体管的漏极，所述二互连结构111b例如连接所述第一晶体管的源极。

类似的，所述第二电路112包括第二晶体管、第二互连结构112a和第四互连结构112b，所述第二晶体管掩埋在所述器件晶圆100中，所述第二互连结构112a和第四互连结构112b均与所述第二晶体管连接并延伸至所述器件晶圆100的正面。其中，所述第二互连结构112a例如连接所述第二晶体管的漏极，所述第四互连结构112b例如连接所述第二晶体管的源极。

本实施例中，所述器件晶圆100包括基底晶圆100a和形成在所述基底晶圆100a上的介质层100b。以及，所述第一晶体管和所述第二晶体管均形成在所述基底晶圆100a上，所述介质层100b覆盖所述第一晶体管和第二晶体管，所述第三互连结构111b、所述第一互连结构111a、所述第二互连结构112a和所述第四互连结构112b均形成在所述介质层100b中并延伸至所述介质层100b的远离所述基底晶圆的表面。

此外，所述基底晶圆100a可以为硅晶圆，也可以为绝缘体上硅晶圆(silicon-on-insulator，soi)。当所述基底晶圆100a为绝缘体上硅晶圆时，则所述基底晶圆可具体包括沿着由背面100d至正面100u依次层叠设置的底衬层101、掩埋氧化层102和顶硅层103。

需要说明的是，本实施例中，所述控制电路110的互连结构延伸至器件晶圆的正面100u，而后续所形成的压电谐振片将设置在所述器件晶圆的背面100d。基于此，在后续工艺中，可通过形成第一连接结构，以实现将控制电路110的信号端口从器件晶圆的正面引出至器件晶圆的背面，以进一步和后续所形成的压电谐振片电性连接。

具体的，所述第一连接结构包括第一连接件和第二连接件，其中所述第一连接件连接所述第一互连结构111a，并用于与后续所形成的压电谐振片的下电极电连接，所述第二连接件连接所述第二互连结构112a，并用于和后续所形成的压电谐振片的上电极电连接。

进一步的，结合图2b和图2c所示，所述第一连接件包括第一导电插塞211a，所述第一导电插塞211a的两端分别用于与所述第一互连结构111a和后续所形成的下电极电连接。即，利用所述第一导电插塞211a将所述控制电路中第一互连结构111a的连接端口从控制电路的正面引出至控制电路的背面，从而使后续形成在器件晶圆的背面上的下电极能够在控制电路的背面与所述控制电路电性连接。

可选的，在本实施例中，所述第一连接件还可包括第一连接线221a，所述第一连接线221a例如形成在所述器件晶圆的正面上，并且所述第一连接线221a的连接所述第一导电插塞211a的一端和所述第一互连结构，以及所述第一导电插塞211a的另一端用于电连接所述下电极。

或者，在其他实施例中，所述第一连接件中的第一连接线形成在器件晶圆的背面上，并且所述第一连接线的连接所述第一导电插塞211a的一端和所述下电极，以及所述第一导电插塞211a的另一端电连接所述控制电路的所述第一互连结构。

类似的，所述第二连接件可包括第二导电插塞212a，所述第二导电插塞212a的两端分别用于与所述第二互连结构112a和后续所形成的上电极电连接。即，利用所述第二导电插塞212a将所述控制电路中第二互连结构112a的连接端口从控制电路的正面引出至控制电路的背面，从而使后续形成在器件晶圆的背面上的上电极能够在控制电路的背面与所述控制电路电性连接。

以及本实施例中，所述第二连接件还可包括第二连接线222a，所述第二连接线222a例如形成在所述器件晶圆的正面上，并且所述第二连接线222a的连接所述第二导电插塞212a的一端和所述第二互连结构，以及所述第二导电插塞212a的另一端电连接所述上电极。

或者，在其他实施例中，所述第二连接件中的第二连接线形成在器件晶圆的背面上，并且所述第二连接线的连接所述第二导电插塞212a的一端和所述上电极，以及所述第二导电插塞212a的另一端电连接所述控制电路的所述第二互连结构。

其中，所述第一连接件中的第一导电插塞211a和第二连接件中的第二导电插塞212a可以在同一工艺步骤中形成，以及第一连接件中的第一连接线221a和第二连接件中的第二连接线222a可以在同一工艺步骤中同时形成。

具体的，本实施例中，形成具有第一导电插塞211a和位于器件晶圆正面的第一连接线221a的第一连接件以及具有第二导电插塞212a和位于器件晶圆正面的第二连接线222a的第二连接件的形成方法包括如下步骤。

第一步骤，从所述器件晶圆的正面100u刻蚀所述器件晶圆100以形成第一连接孔和第二连接孔。具体的，所述第一连接孔和第二连接孔的底部相对于所述控制电路的底部更靠近所述器件晶圆的背面100d。

第二步骤，具体参考图2b所示，在所述第一连接孔和所述第二连接孔中填充导电材料，以分别形成第一导电插塞211a和第二导电插塞212a。

本实施例中，所述第一导电插塞211a和所述第二导电插塞212a的底部相对于所述控制电路更靠近所述器件晶圆的背面100d。具体而言，所述第一晶体管111t和所述第二晶体管112t形成在所述顶硅层103中，并位于所述掩埋氧化层102的上方，而所述第一导电插塞211a和所述第二导电插塞212a依次贯穿介质层100b和顶硅层103，并停止于所述掩埋氧化层102。可以认为，执行刻蚀工艺以形成连接孔时，可利用所述掩埋氧化层102作为刻蚀停止层，以精确控制刻蚀工艺的刻蚀精度。

第三步骤，具体参考图2c所示，在所述器件晶圆100的正面上形成第一连接线221a和第二连接线222，所述第一连接线221a连接所述第一导电插塞211a和所述第一互连结构111a，所述第二连接线222a连接所述第二导电插塞212a和所述第二互连结构112a。

后续工艺中，在减薄所述器件晶圆的背面之后，即可使所述第一导电插塞211a和第二导电插塞212a从减薄后的器件晶圆100的背面暴露出，以分别用于与形成在背面上的压电谐振片电连接。

此外，在其他实施例中，所述第一连接件中的第一连接线和第二连接件中的第二连接线均形成器件晶圆的背面上，此时具有第一导电插塞和第一连接线的第一连接件和具有第二导电插塞和第二连接线的第二连接件的形成方法例如包括：

首先，从所述器件晶圆的正面刻蚀所述器件晶圆以形成第一连接孔和第二连接孔；

接着，在所述第一连接孔和第二连接孔中填充导电材料，以分别形成第一导电插塞和第二导电插塞，所述第一导电插塞与所述第一互连结构电连接，所述第二导电插塞与第二互连结构电连接；

接着，从所述器件晶圆的背面减薄所述器件晶圆，暴露出所述第一导电插塞和第二导电插塞；

接着，在所述器件晶圆的背面上形成第一连接线和第二连接线，所述第一连接线的一端连接所述第一导电插塞，所述第一连接线的另一端用于电连接所述下电极，所述第二连接线的一端连接所述第二导电插塞，所述第二连接线的另一端用于电连接所述上电极。

需要说明的是，如上所述的第一导电插塞211a和第二导电插塞212a、是在形成第一连接线221a和第二连接线222a之前从所述器件晶圆的正面制备。然而应当认识到，所述第一导电插塞211a和第二导电插塞212a也可以在后续减薄所述器件晶圆之后，从所述器件晶圆的背面制备。从器件晶圆的背面制备上述导电插塞的方法将在后续减薄所述器件晶圆之后，进行详细说明。

此外，在后续工艺中，可在所述器件晶圆100的正面100u上键合支撑晶圆，因此可选的方案中，在形成所述第一连接线221a和第二连接线222a之后还包括：在所述器件晶圆100的正面100u上形成平坦化层600，以使所述器件晶圆100的键合表面更为平坦。

具体参考图2c所示，所述平坦化层600形成在器件晶圆100的正面100u上，并且所述平坦化层600的表面不低于第一连接线221a和第二连接线222a。例如，所述平坦化层600覆盖所述器件晶圆100、第一连接线221a和第二连接线222a，并使所述平坦化层600的表面平坦；或者，使所述平坦化层600和第一连接线221a和第二连接线222a的表面齐平，如此也可使器件晶圆100具备平坦的键合表面。

本实施例中，采用研磨工艺形成所述平坦化层600，此时例如以第一连接线221a和第二连接线222a为研磨停止层，从而使所形成的平坦化层600的表面第一连接线221a和第二连接线222a表面齐平，以构成器件晶圆100的键合表面。

在步骤s200中，具体参考图2d～图2f所示，在所述器件晶圆100中形成下空腔120，所述下空腔120具有位于所述器件晶圆背面的开口。

本实施例中，所述下空腔120的形成方法例如包括步骤s210和步骤s220。

在步骤s210中，具体参考图2d所示，从所述器件晶圆100的正面刻蚀所述器件晶圆100，以形成所述晶体谐振器的下空腔120。

具体的，所述下空腔120从所述器件晶圆100的正面100u往所述器件晶圆100的内部延伸，并且所述下空腔120的底部相对于所述控制电路110的底部更靠近所述器件晶圆的背面100d。

本实施例中，在形成所述下空腔120时，依次刻蚀所述平坦化层600、介质层100b和顶硅层103，并刻蚀停止于所述掩埋氧化层102，以形成所述下空腔120。

即，在执行刻蚀工艺以形成第一连接孔和第二连接孔，以进一步制备第一导电插塞211a和第二导电插塞212a，以及在执行刻蚀工艺形成下空腔120时，都可以利用掩埋氧化层102作为刻蚀停止层，以使所形成的多个导电插塞的底部能够和所述下空腔120的底部位于相同或相近的深度位置。如此一来，在后续工艺中，从器件晶圆100的背面100d对器件晶圆进行减薄工艺时，即能够确保第一导电插塞211a和第二导电插塞212a和下空腔120均可以被暴露出。

需要说明的是，附图中仅为示意性的标示出了下空腔120、第一电路和第二电路之间的位置关系，应当认识到在具体方案中可根据实际电路的布局对应调整第一电路和第二电路的的排布方式，此处不予限定。

在步骤s220中，具体参考图2e和图2f所示，从所述器件晶圆100的背面100d减薄所述器件晶圆100，直至暴露出所述下空腔120。

如上所述，所述下空腔120的底部延伸至掩埋氧化层102，因此在减薄所述器件晶圆时，则依次削减所述底衬层101和所述掩埋氧化层102，并减薄至所述顶硅层103，以暴露出所述下空腔120。并且，本实施例中，所述第一导电插塞211a和第二导电插塞212a的底部也均延伸至掩埋氧化层102，因此在减薄所述器件晶圆之后，还暴露出第一导电插塞211a和第二导电插塞212a，以使暴露的多个导电插塞能够和后续所形成的压电谐振片电性连接。

可选的方案中，具体参考图2e所示，在减薄所述器件晶圆100之前，可以在所述器件晶圆100的正面上键合一支撑晶圆400，从而可以在所述支撑晶圆400的支撑作用下减薄所述器件晶圆100。以及，可利用所述支撑晶圆400封盖所述下空腔暴露于器件晶圆正面的开口。

需要说明的是，本实施例中，所述下空腔120的形成方法是：从正面刻蚀器件晶圆100，并从背面减薄所述器件晶圆100，以使下空腔120的开口从器件晶圆100的背面暴露出。

或者参考图4所示，在其他实施例中，所述下空腔120的形成方法还可以是：从所述器件晶圆的背面刻蚀所述器件晶圆，以形成所述晶体谐振器的下空腔120。以及，其他实施例中，从器件晶圆的背面刻蚀所述器件晶圆之前，还可以先减薄所述器件晶圆。

重点参考图4所示，在一个具体的实施例中，从器件晶圆背面刻蚀所述器件晶圆以形成下空腔的方法例如包括：

首先，从器件晶圆的背面减薄所述器件晶圆；当所述基底晶圆为绝缘体上硅晶圆时，则在减薄所述器件晶圆时可依次去除所述基底晶圆的底衬层和掩埋氧化层；当然，在减薄所述器件晶圆时，也可以选择部分去除所述底衬层，或者全部去除所述底衬层至暴露出所述掩埋氧化层等；

接着，从器件晶圆的背面刻蚀所述器件晶圆，以形成所述下空腔。需要说明的是，刻蚀所述器件晶圆以形成下空腔的深度可根据实际需求调整，此处不做限制。例如，在减薄所述器件晶圆以暴露出顶硅层103时，则可刻蚀所述顶硅层103以在顶硅层中形成下空腔；或者，也可以刻蚀所述顶硅层并进一步刻蚀所述介质层100b，以使所形成的下空腔120从所述顶硅层103延伸至所述介质层100b中。

此外，如上所述，在其他实施例中，第一连接件中的第一导电插塞211a、第二连接件中的第二导插塞212a可以在减薄所述器件晶圆之后，从器件晶圆100的背面上制备。

具体的，在器件晶圆100的正面上形成第一连接线和第二连接线，并从器件晶圆100的背面制备第一导电插塞211a和第二导电插塞212a，以及使第一导电插塞211a和第一连接线221a连接，第二导电插塞212a和第二连接线222a连接的方法包括：

首先，在键合所述支撑晶圆400之前，在所述器件晶圆100的正面上形成第一连接线221a和第二连接线222a；

其中，所述第一连接线221a电连接所述第一互连结构111a，所述第二连接线212a电连接所述第二互连结构112a；

接着，在减薄所述器件晶圆以形成所述器件晶圆100之后，从所述器件晶圆100的背面刻蚀器件晶圆以形成第一连接孔和第二连接孔，所述第一连接孔和第二连接孔均贯穿所述器件晶圆100，以分别暴露出第一连接线221a和第二连接线222a；

接着，在所述第一连接孔和第二连接孔中填充导电材料，以分别形成第一导电插塞211a和第二导电插塞212a。

其中，所述第一导电插塞211a的一端与第一连接线221a连接，所述第一导电插塞211a的另一端用于与所述压电谐振片下电极电连接，所述第二导电插塞212a的一端与第二连接线222a连接，所述第二导电插塞212a的另一端用于与所述压电谐振片上电极电连接。

此外，另一实施例中，在器件晶圆100的背面上形成第一连接线和第二连接线，并从器件晶圆100的背面上制备第一导电插塞和第二导电插塞，以及使第一导电插塞和第一连接线连接，第二导电插塞和第二连接线连接的方法包括：

首先，从所述器件晶圆100的背面减薄所述器件晶圆100，并从所述器件晶圆100的背面刻蚀所述器件晶圆以形成第一连接孔和第二连接孔；

接着，在所述第一连接孔和第二连接孔中填充导电材料，以分别形成第一导电插塞和第二导电插塞，所述第一导电插塞的一端与所述第一互连结构电连接，所述第二导电插塞的一端与所述第二互连结构电连接；

接着，在所述器件晶圆100的背面上形成第一连接线和第二连接线，所述第一连接线的一端连接所述第一导电插塞的另一端，所述第一连接线的另一端用于电连接所述下电极，以及所述第二连接线的一端连接所述第二导电插塞的另一端，所述第二连接线的另一单用于电连接所述上电极。

在步骤s300中，具体参考图2g所示，提供基板300，并刻蚀所述基板300以形成所述晶体谐振器的上空腔310，所述上空腔310和所述下空腔120对应设置。同样的，所述上空腔310的深度可以根据实际需求调整，此处不做限定。在后续形成键合基板300器件晶圆100时，所述上空腔310和所述下空腔120分别对应在所述压电谐振片的两侧。

与所述器件晶圆100相对应的，所述基板300上也定义有多个器件区aa，器件晶圆100的多个器件区和基板的多个器件区相互对应，所述下空腔120即形成在所述器件区aa中。

在步骤s400中，形成包括上电极、压电晶片和下电极的压电谐振片，所述上电极、所述压电晶片和所述下电极形成在所述器件晶圆100的背面和所述基板300的其中之一上。

即，可使包括上电极、压电晶片和下电极的压电谐振片均形成在所述器件晶圆100的背面上，或均形成在所述基板300上；或者，使所述压电谐振片的下电极形成在所述器件晶圆100的背面上，所述压电谐振片的上电极和压电晶片依次形成在所述基板300上；或者，使所述压电谐振片的下电极和压电晶片依次形成在所述器件晶圆100的背面上，所述压电谐振片的上电极形成在所述基板300上。

本实施例中，所述压电谐振片的上电极、压电晶片和下电极均形成在所述基板300上。具体的，在所述基板300上形成所述压电谐振片的方法包括如下步骤。

步骤一，具体参考图2g所示，在所述基板300表面的设定位置上形成上电极530。本实施例中，所述上电极530位于所述上空腔310的外围，在后续工艺中，使所述上电极530与控制电路110电性连接，具体使所述上电极530与所述第二电路112的所述第二互连结构电性连接。

步骤二，继续参考图2g所示，键合压电晶片520至所述上电极530。本实施例中，所述压电晶片520位于所述上空腔310的上方，并且所述压电晶片520的边缘搭接在所述上电极530上。其中，所述压电晶片520例如可以为石英晶片。

本实施例中，所述上空腔310的尺寸小于所述压电晶片520的尺寸，以利于将所述压电晶片520的边缘搭载于所述基板的表面上并封盖所述上空腔310的开口。

然而，在其他实施例中，所述上空腔例如具有第一空腔和第二空腔，所述第一空腔相对于第二空腔位于所述基底的更深位置中，第二空腔靠近所述基底的表面，并且第一空腔的尺寸小于所述压电晶片520的尺寸，以及第二空腔的尺寸大于压电晶片的尺寸。基于此，即可使所述压电晶片520的边缘搭载在所述第一空腔上，并使所述压电晶片520至少部分被容纳在所述第二空腔中。此时可以认为，所述上空腔的开口尺寸大于所述压电晶片的宽度尺寸。

进一步的，所述上电极530从所述压电晶片520的下方横向延伸出，以构成上电极延伸部。在后续工艺中，即可通过所述上电极延伸部使所述上电极530连接至所述第二电路112的第二互连结构。

步骤三，具体参考图2h所示，在所述压电晶片520上形成下电极510。其中，所述下电极510还可以暴露出所述压电晶片520的中间区域。在后续工艺中，使所述下电极510与控制电路110电性连接，具体的使下电极510与所述第一电路111的所述第一互连结构电性连接。

即，所述控制电路110中，第一电路111与下电极510电性连接，第二电路112与上电极530电性连接，以分别对所述下电极510和所述上电极530施加电信号，从而可在下电极510和所述上电极530之间产生电场，进而使位于所述上电极530和所述下电极510之间的所述压电晶片520能够在所述电场的作用下发生机械形变。其中，所述压电晶片520可随着所述电场的大小发生相应程度的机械形变，以及当上电极530和下电极510之间的电场方向相反时，则压电晶片520的形变方向也随之改变。因此，在利用所述控制电路110对上电极530和下电极510施加交流电时，则压电晶片520的形变方向会随着电场的正负作收缩或膨胀的交互变化，从而产生机械振动。

本实施例中，在所述基板300上形成所述下电极510的方法例如包括如下步骤。

第一步骤，具体参考图2h所示，在所述基板300上形成第一塑封层410，所述第一塑封层410覆盖所述基板300并暴露出所述压电晶片520。需要说明的是，本实施例中，所述上电极530形成在所述压电晶片520下方并从所述压电晶片520横向延伸出，以构成上电极延伸部，因此所述第一塑封层410还覆盖所述上电极530的上电极延伸部。

进一步的，所述第一塑封层410的表面不高于压电晶片520的表面。本实施例中，通过平坦化工艺形成所述第一塑封层410，以使所述第一塑封层410的表面与所述压电晶片520的表面齐平。

第二步骤，继续参考图2h所示，在所述压电晶片520的表面上形成下电极510，并且所述下电极510还从所述压电晶片520上横向延伸至所述第一塑封层410上，以构成下电极延伸部。在后续工艺中，即可通过所述下电极延伸部使所述下电极510连接至控制电路(具体连接至所述第一电路111的第一互连结构)。

其中，所述下电极510和所述上电极530的材质可均包括银。以及，可依次利用薄膜沉积工艺或蒸镀工艺形成所述上电极530和所述下电极510。

需要说明的是，本实施例中，通过半导体工艺将所述上电极530、压电晶片520和下电极510依次形成在所述基板300上。然而，在其他实施例中，也可将上电极和下电极分别形成在压电晶片的两侧上，并将三者作为整体键合至所述基板上。

可选的方案中，在形成所述下电极510之后，还包括：在所述第一塑封层410上形成第二塑封层，以使所述基板300的表面更为平坦，从而有利于后续的键合工艺。

具体参考图2i所示，在所述第一塑封层410上形成第二塑封层420，所述第二塑封层420的表面不高于所述下电极510的表面以暴露出所述下电极510。本实施例中，可通过平坦化工艺形成所述第二塑封层420，以使所述第二塑封层420的表面与所述下电极510的表面齐平。以及，所述第二塑封层420还可暴露出所述压电晶片520的中间区域，从而在后续工艺中将所述基板300键合至所述器件晶圆100上时，即可使所述压电晶片520的中间区域对应在器件晶圆100的下空腔120中。

之后，可继续在所述器件晶圆100或所述基板300上形成第一连接结构中第二连接件的第三导电插塞230。在后续工艺，即可通过所述第一连接件中的第一导电插塞和第一连接线，使下电极510电性连接至器件晶圆100的控制电路上；以及，通过第二连接件中的第二导电插塞、第二连接线和第三导电插塞230，实现基板300上的上电极530电性连接至器件晶圆100的控制电路上。

具体的，结合图2j和图2f所示，本实施例中，所述下电极510暴露于所述第二塑封层420的表面并具有下电极延伸部，以及所述第一导电插塞211a的顶部也暴露于所述器件晶圆100的表面，因此在键合器件晶圆100和基板300时，即可以使下电极510位于所述器件晶圆100的表面上，并使下电极延伸部连接所述第一导电插塞211a。

接着参考图2j和图2f所示，所述上电极530掩埋在所述第一塑封层410中，因此可进一步通过所述第三导电插塞使上电极530的上电极延伸部电连接所述第二导电插塞212a。

本实施例中，所述上电极530和所述压电晶片520依次形成在所述基板300上，进而可以在所述基板300上形成第二连接件的第三导电插塞。具体的，所述第二连接件的所述第三导电插塞230的形成方法包括：

首先，在所述基板300的表面上形成塑封层；本实施例中，所述第一塑封层410和所述第二塑封层420即构成所述塑封层；

接着，具体参考图2j所示，在所述塑封层中开设通孔，所述通孔暴露出所述上电极530，并在所述通孔中填充导电材料以形成第三导电插塞230，所述第三导电插塞230的一端电连接所述上电极530。具体而言，所述第三导电插塞230与所述上电极530的上电极延伸部连接。

本实施例中，即依次刻蚀所述第二塑封层420和所述第一塑封层410，以形成所述通孔，并在所述通孔中填充导电材料以形成第三导电插塞230，所述第三导电插塞230的一端电连接所述上电极530，所述第三导电插塞230的另一端暴露于所述第二塑封层420的表面，从而在键合所述器件晶圆100和所述基板300时，可使所述第三导电插塞230的另一端电连接至所述第二导电插塞212a。

在步骤s500中，具体参考图2k所示，从所述器件晶圆100的背面键合所述基板300，以使压电谐振片500位于所述器件晶圆100和所述基板300之间，以及使所述上空腔310和所述下空腔120分别位于所述压电谐振片500的两侧，以构成晶体谐振器。以及，通过所述第一连接结构使所述压电谐振片500的上电极530和下电极510均与所述控制电路电性连接。

如上所述，本实施例中，在键合所述器件晶圆100和所述基板300之后，所述控制电路中，第一电路111通过第一连接件(包括，第一导电插塞和第一连接线)与所述下电极510电性连接，所述第二电路112通过第二连接件(包括，第二导电插塞、第二连接线和第三导电插塞)与所述上电极530电性连接。如此，即可通过所述控制电路，在所述压电晶片520的两侧施加电信号，以使所述压电晶片520发生形变并在所述上空腔310和所述下空腔120振动。

其中，所述器件晶圆100和所述基板300的键合方法例如包括：在所述器件晶圆100和/或所述基板300上形成粘合层，并利用所述粘合层使所述器件晶圆100和所述基板300相互键合。具体的，可以在形成有压电晶片的基底上形成所述粘合层，并使所述压电晶片的表面暴露于所述粘合层的表面，接着，再利用所述粘合层和未形成有所述压电晶片的基底相互键合。

本实施例中，所述压电谐振片500形成在所述基板300上，则所述器件晶圆100和所述基板300的键合方法例如包括：在所述基底300上形成粘合层，并且所述压电谐振片500的表面暴露于所述粘合层的表面，接着即可利用所述粘合层使所述基板300和所述器件晶圆100相互键合。

即，本实施例中，所述压电谐振片500的上电极530、压电晶片520和下电极510均形成在所述基板300上，并使所述压电谐振片500封盖上空腔310的开口，以及在执行键合工艺之后使下空腔120对应在所述压电谐振片500背离所述上空腔310的一侧以构成晶体谐振器，并使所述晶体谐振器与器件晶圆100中的控制电路电性连接，由此实现了晶体谐振器和控制电路的集成设置。

在步骤s600中，具体参考图2l～图2m所示，在器件晶圆的正面键合半导体芯片700，所述半导体芯片700通过第二连接结构电性连接至所述控制电路。

其中，所述半导体芯片700中例如形成有驱动电路，所述驱动电路用于提供一电信号，所述电信号通过控制电路被施加在所述压电谐振片500上，以控制所述压电谐振片500的机械形变。

进一步的，所述半导体芯片700相对于所述器件晶圆100构成异质芯片。即，所述半导体芯片700的基底材质不同于所述器件晶圆100的基底材质。例如，本实施例中，器件晶圆100的基底材质为硅，则所述异质芯片的基底材质可以为iii-v族半导体材料或ⅱ-ⅵ族半导体材料(具体例如包括锗、锗硅或砷化镓等)。

本实施例中，可优先去除所述支撑晶圆，以进一步将所述半导体芯片键合至所述器件晶圆100的正面上，并通过第二连接结构使半导体芯片和控制电路电性连接。

具体参考图2l～图2m所示，所述第二连接结构的形成方法包括：在所述器件晶圆的正面上形成接触垫，所述接触垫的底部电连接所述控制电路，所述接触垫的顶部用于电连接所述半导体芯片。

本实施例中，所述第二连接结构的接触垫的形成方法包括：首先，刻蚀所述平坦化层300，以形成接触孔；接着，参考图2l所示，在所述接触孔中填充导电材料以形成接触垫710，所述接触垫710连接所述控制电路。如此一来，即可在器件晶圆的正面键合半导体芯片700，并使半导体芯片700与接触垫710电连接。

此外，其他实施例中，还可以在器件晶圆的正面上进一步形成再布线层，所述再布线层连接所述控制电路，以及在所述再布线层上形成接触垫，以用于与所述半导体芯片电连接。

可选的方案中，具体参考图2n所示，还可在所述器件晶圆100的正面上键合封盖基板800，所述封盖基板800覆盖所述半导体芯片700，并可进一步遮盖所述下空腔暴露于器件晶圆正面的开口。

其中，所述封盖基板800例如可采用硅基底等构成。此外，在所述封盖基板800中还可预先设置有用于容纳所述半导体芯片700的空腔，从而在将所述封盖基板800键合在所述器件晶圆的正面上，以封闭下空腔暴露于器件晶圆正面的开口，所述半导体芯片700即可对应在所述封盖基板800的空腔中。

需要说明的是，本实施例中，优先在器件晶圆的背面上键合基板，接着在器件晶圆的正面键合半导体芯片。然而，在其他实施例中，还可以优先在器件晶圆的正面上键合半导体芯片，接着再于器件晶圆的背面上键合基板。

实施例二

与实施例一的区别在于，本实施例中，所述压电谐振片500的上电极530、压电晶片520和下电极510均形成在所述器件晶圆100的背面上，并使所述压电谐振片500封盖下空腔120的开口，以及所形成的晶体谐振器与器件晶圆100中的控制电路电性连接，接着再执行键合工艺，以使上空腔310对应在所述压电谐振片500背离所述下空腔120的一侧以构成晶体谐振器，由此实现了晶体谐振器和控制电路的集成设置。、

本实施例中，提供具有控制电路的器件晶圆，以及在所述器件晶圆中形成下空腔的方法可参考实施例一所，此处不做赘述。

以及，本实施例中将所述压电谐振片500形成在所述器件晶圆100上的方法包括：

首先，在所述器件晶圆100背面的设定位置上形成下电极510；本实施例中，所述下电极510位于所述下空腔120的外围；

接着，键合压电晶片520至所述下电极510；本实施例中，所述压电晶片520位于所述下空腔120的上方，并封盖所述下空腔120的开口，以及所述压电晶片520的边缘搭载在所述下电极510上；

接着，在所述压电晶片520上形成所述上电极530。

当然，在其他实施例中，也可将上电极和下电极分别形成在压电晶片的两侧上，并将三者作为整体键合至所述器件晶圆100的背面上。

以及，在所述器件晶圆100上形成所述第一连接结构，所述第一连接结构包括用于电连接下电极的第一连接件和用于电连接上电极的第二连接件。其中，所述第一连接件包括第一导电插塞和第一连接线，所述第二连接件包括第二导电插塞和第二连接线。所述第一导电插塞、第一连接线、第二导电插塞和第二连接线的形成方法可参考实施例一，此处不再赘述。

进一步的，所述第二连接件还包括第三导电插塞230，所述第三导电插塞230可以在形成所述压电晶片520之后，以及形成所述上电极530之前形成。具体的，在形成所述上电极之前形成所述第三导电插塞，其形成方法包括如下步骤。

步骤一，在所述器件晶圆100的背面上形成塑封层；本实施例中，所述塑封层覆盖所述器件晶圆100的背面并暴露出所述压电晶片520；

步骤二，在所述塑封层中开设通孔，并在所述通孔中填充导电材料以形成第三导电插塞230，所述第三导电插塞230的底部电性连接至所述第二导电插塞，所述第三导电插塞的顶部暴露于所述塑封层；

步骤三，在所述器件晶圆100上形成所述上电极530之后，所述上电极530至少部分覆盖所述压电晶片520，并进一步延伸出所述压电晶片至所述第三导电插塞的顶部，以使所述上电极530和所述导电插塞电性连接。即，所述上电极530中从压电晶片延伸出的上电极延伸部直接与所述第三导电插塞230电性连接。

或者，步骤三中，在形成所述上电极530于所述压电晶片520上之后，还可在所述上电极530上形成互连线，所述互连线从所述上电极延伸至所述第三导电插塞的顶部，以使所述上电极通过所述互连线和所述第三导电插塞电性连接。即，在所述上电极530通过一互连线与所述第三导电插塞电性连接。

进一步的，键合所述器件晶圆100和所述基板300的方法包括：首先，在所述器件晶圆100上形成粘合层，并使所述压电晶片的表面暴露于所述粘合层；接着，利用所述粘合层，键合所述器件晶圆100和所述基板300。

执行键合工艺之后，即可使基板300中的上空腔对应在所述压电晶片520背离所述下空腔的一侧。其中，所述上空腔的尺寸可以大于所述压电晶片的尺寸，从而使所述压电晶片位于所述上空腔内。

此外，在器件晶圆的正面上键合半导体芯片，以及使半导体芯片通过第二连接结构电连接至控制电路的方法可参考实施例一，此处不做赘述。

实施例三

实施例一和实施例二中，包括上电极、压电晶片和下电极的压电谐振片均形成在基板或所述器件晶圆上。而与上述实施例的区别在于，本实施例中上电极和压电晶片形成在基板上，下电极形成在器件晶圆上。

图3a～图3d为本发明实施例三中的晶体谐振器与控制电路的集成方法在其制备过程中的结构示意图，以下结合附图对本实施例中形成晶体谐振器的各个步骤进行详细说明。

首先参考图3a所示，提供器件晶圆100，所述器件晶圆100中形成有控制电路，并在所述器件晶圆100的背面上形成下电极510，所述下电极510与第一连接结构中的第一导电插塞电连接。

此外，在形成所述下电极510时，还可同时在所述器件晶圆100上重新布线层610，所述重新布线层610覆盖所述第一连接结构中的第二导电插塞。

进一步的，在形成在所述下电极510之后，还包括：在所述器件晶圆100上形成第二塑封层420，所述第二塑封层420的表面不高于所述下电极510，以暴露出所述下电极510。本实施例中，所述第二塑封层420的表面也不高于重新布线层610的表面，以暴露出所述重新布线层610。在后续执行键合工艺之后，即可使所述下电极510设置在压电晶片的一侧，以及使重新布线层610与位于压电晶片另一侧的上电极电性连接。

其中，可通过平坦化工艺形成所述第二塑封层420，以使所述第二塑封层420的表面与所述下电极510的表面齐平，如此即可有效提高器件晶圆100的表面平坦度，有利于实现后续的键合工艺。

继续参考图3a所述，本实施例中，在依次形成所述下电极510和所述第二塑封层420之后，依次刻蚀所述第二塑封层420和所述介质层100b以形成下空腔120，并使所述下电极510围绕在所述下空腔120的外围。

接着参考图3b所示，提供基板300，并在基板300对应上空腔的上方依次形成上电极530和压电晶片520。其中，所述上电极可以利用蒸镀工艺或者薄膜沉积工艺形成，以及所述压电晶片键合至所述上电极上。

具体的，所述上电极530围绕在上空腔310的外围，在后续工艺中，使所述上电极530电性连接器件晶圆100上的重新布线层610，以使所述上电极530与所述第二电路112的所述第二互连结构112a电性连接。以及，所述压电晶片520的中间区域对应基板300中的上空腔310，所述压电晶片520的边缘搭接在所述上电极530上，并且所述上电极530从所述压电晶片520的下方横向延伸出，以构成上电极延伸部。

继续参考图3b所示，本实施例中，在形成所述压电晶片520之后还包括：在所述基板300上形成第一塑封层410，所述第一塑封层410覆盖所述基板300和所述上电极530的上电极延伸部，并且所述第一塑封层410的表面不高于压电晶片520的表面，以暴露出所述压电晶片520。

类似的，本实施例中，也可通过平坦化工艺形成所述第一塑封层410，以使所述第一塑封层410的表面与所述压电晶片520的表面齐平，如此即可所述基板300的表面更为平坦，从而有利于后续的键合工艺。

接着参考图3c所示，在所述器件晶圆或所述基板上形成第一连接结构的第三导电插塞230，用于使所述上电极530和所述第二导电插塞电连接。其中，第三导电插塞230的形成方法包括：

首先，在所述基板100的表面上形成塑封层，本实施例中所述塑封层即包括所述第一塑封层410；

接着，刻蚀所述塑封层，以形成一通孔；本实施例中，即刻蚀所述第一塑封层410，所述通孔暴露出所述上电极530的所述上电极延伸部，并在所述通孔中填充导电材料以形成第三导电插塞，所述第三导电插塞230的顶部暴露于所述第一塑封层410的表面。具体而言，所述第三导电插塞230与所述上电极530的上电极延伸部连接。如此，即可所述上电极530通过所述第三导电插塞230和所述重新布线层610电连接至第二导电插塞。

接着参考图3d所示，从器件晶圆的背面键合所述基板300，以使所述压电晶片520背离所述上空腔310的一侧对应所述下空腔120，此时位于所述器件晶圆100上的下电极510相应的位于所述压电晶片520远离所述上电极530的一侧。

本实施例中，键合所述器件晶圆100和所述基板300的方法包括：首先，在所述基板300上形成粘合层，并使所述压电晶片520的表面暴露于所述粘合层；接着，利用所述粘合层，键合所述器件晶圆和所述基板。

具体的，在键合所述器件晶圆100和所述基板300后，即可使器件晶圆100上与第二导电插塞连接的重新布线层610，能够与基板300上与上电极530连接的第三导电插塞230电接触，从而使上电极530电性连接所述控制电路。

后续工艺中，在器件晶圆的正面键合半导体芯片并使半导体芯片电连接控制电路的方法可参考实施例一，此处不做赘述。

基于如上所述的形成方法，本实施例中对所形成的晶体谐振器与控制电路的集成结构进行说明，具体可结合图2a～图2n以及图3d所示，所述晶体谐振器包括：

器件晶圆100，所述器件晶圆100中形成有控制电路，以及在所述器件晶圆100中还形成有下空腔120，所述下空腔120具有位于所述器件晶圆背面的开口；本实施例中，所述控制电路中的至少部分互连结构延伸至所述器件晶圆100的正面；

基板300，所述基板300从器件晶圆的背面键合在所述器件晶圆100上，并且所述基板300中形成有上空腔310，所述上空腔310的开口朝向所述器件晶圆100，即所述上空腔310的开口和所述下空腔120的开口相对设置；

压电谐振片500，包括下电极510、压电晶片520和上电极530，所述压电谐振片500位于所述器件晶圆100和所述基板300之间，并且所述压电谐振片500的两侧分别对应所述下空腔120和所述上空腔310；

第一连接结构，用于使所述压电谐振片500的上电极530和下电极510与所述控制电路电性连接；

半导体芯片700，键合在所述器件晶圆100的正面上；其中，所述半导体芯片700中例如形成有驱动电路，用于产生电信号，并将电信号经由所述控制电路100传输至压电谐振片500；

第二连接结构，用于使所述半导体芯片700电性连接至所述控制电路。

进一步的，所述半导体芯片700可相对于所述器件晶圆100构成异质芯片。即，所述半导体芯片的基底材质不同于所述器件晶圆100的基底材质。例如，本实施例中，器件晶圆100的基底材质为硅，则所述异质芯片的基底材质可以为iii-v族半导体材料或ⅱ-ⅵ族半导体材料(具体例如包括锗、锗硅或砷化镓等)。

即，利用半导体平面工艺，分别在器件晶圆100和基板300上分别形成下空腔120和上空腔310，并通过键合工艺使上空腔120和下空腔310对应，并分别设置在压电谐振片500相对的两侧，从而可基于控制电路使所述压电谐振片500能够在所述上空腔310和所述下空腔120中震荡，如此，即可使压电谐振片500能够和控制电路集成在同一器件晶圆上。同时，还可进一步将半导体芯片键合至器件晶圆100上，进而可利用半导体芯片并经由所述控制电路110，实现片上调制晶体谐振器的温度漂移和频率矫正等原始偏差，有利于提高晶体谐振器的性能。可见，本实施例中的晶体谐振器，不仅能够提高器件的集成度，并且基于半导体工艺所形成的晶体谐振器其的尺寸更小，从而还能够进一步降低器件功耗。

继续参考图2a所示，所述控制电路包括第一电路111和第二电路112，所述第一电路111和所述第二电路112分别与所述压电谐振片500的上电极和下电极电性连接。

具体的，所述第一电路111包括第一晶体管、第一互连结构111a和第三互连结构111b，所述第一晶体管掩埋在所述器件晶圆100中，所述第一互连结构111a和第三互连结构111b均与所述第一晶体管电连接，并均延伸至所述器件晶圆100的正面。其中，所述第一互连结构111a与所述下电极510电性连接，所述第三互连结构111b与所述半导体芯片电连接。

类似的，所述第二电路112包括第二晶体管、第二互连结构112a和第四互连结构112b，所述第二晶体管掩埋在所述器件晶圆100中，所述第二互连结构112a和第四互连结构112b均与所述第二晶体管电连接，并均延伸至所述器件晶圆100的正面。其中，所述第二互连结构112a与所述上电极530电性连接，所述第四互连结构112b与所述半导体芯片电连接。

进一步的，所述第一连接结构包括第一连接件和第二连接件，所述第一连接件连接所述第一互连结构111a和所述压电谐振片的下电极510，所述第二连接件连接所述第二互连结构112a和所述压电谐振片的上电极530。

其中，所述第一连接件包括第一导电插塞211a，所述第一导电插塞211a贯穿所述器件晶圆100，以使所述第一导电插塞211a的一端延伸至所述器件晶圆100的正面并和所述第一互连结构电性连接，以及使所述第一导电插塞211a的另一端延伸至所述器件晶圆100的背面并和所述压电谐振片500的下电极510电性连接。

进一步的，所述第一连接件还包括第一连接线211。本实施例中，所述第一连接线221a形成在所述器件晶圆100的正面上，并使所述第一连接线221a连接所述第一导电插塞211a和所述第一互连结构111a。或者，在其他实施例中，所述第一连接线221a形成在器件晶圆100的背面上，并使所述第一连接线连接所述第一导电插塞和所述下电极。

本实施例中，所述下电极510位于所述器件晶圆100的背面上，并位于所述下空腔120的外围，以及所述下电极510还横向延伸出所述压电晶片520以构成下电极延伸部，所述下电极延伸部覆盖所述第一导电插塞211a，以使所述下电极210与所述第一电路111的第一互连结构111a电性连接。

以及，所述第二连接件包括第二导电插塞212a，所述第二导电插塞212a贯穿所述器件晶圆100，以使所述第二导电插塞212a的一端延伸至所述器件晶圆100的正面并和所述第二互连结构电性连接，以及使所述第二导电插塞212a的另一端延伸至所述器件晶圆100的背面并和所述压电谐振片500的上电极530电性连接。

进一步的，所述第二连接件还包括第二连接线222a。本实施例中，所述第二连接线222a形成在所述器件晶圆100的正面上，所述第二连接线222a连接所述第二导电插塞212a和所述第二互连结构112a。或者，在其他实施例中，所述第二连接线222a形成在器件晶圆100的背面上，并使所述第二连接线连接所述第二导电插塞和所述上电极。

进一步的，所述第二连接件还包括第三导电插塞，所述第三导电插塞的一端电连接所述上电极530，所述第三导电插塞的另一端电连接所述第二导电插塞212a。例如，使所述上电极从压电晶片上延伸至所述第三导电插塞的端部上。

具体的，在所述器件晶圆100和所述基板300之间设置有塑封层，所述塑封层包覆所述压电晶片220的侧壁，并覆盖上电极延伸部和下电极延伸部。第二连接件中的所述第三导电插塞230贯穿所述塑封层，以使第三导电插塞230的一端连接至所述上电极延伸部，所述第三导电插塞230的另一端电连接所述第二导电插塞。

当然，在其他实施例中，所述第二连接件还可包括一互连线。所述互连线的一端覆盖所述上电极530，所述互连线的另一端至少部分覆盖所述第三导电插塞的顶部，以使所述互连线和所述第三导电插塞连接。

进一步的，所述第二连接结构包括接触垫710，所述接触垫710的底部电连接所述控制电路，所述接触垫710的顶部电连接所述半导体芯片700。

继续参考图2a所示，本实施例中，所述器件晶圆100包括基底晶圆100a和介质层100b。其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管均形成在所述基底晶圆100a上，所述介质层100b形成在所述基底晶圆100a上并覆盖所述第一晶体管和所述第二晶体管，以及所述第三互连结构111b、所述第一互连结构111a、所述第四互连结构112b和所述第二互连结构112a均形成在所述介质层100b中并延伸至所述介质层100b的远离所述基底晶圆100a的表面。

以及，本实施例中，所述下空腔贯穿所述器件晶圆，以使所述下空腔还具有位于器件晶圆正面的开口。此时，所述晶体谐振器还可包括封盖基板，所述封盖基板键合在所述器件晶圆的正面上，以覆盖所述半导体芯片700。其中，所述封盖基板例如可采用硅基底等构成。此外，在所述封盖基板中还可预先设置有用于容纳所述半导体芯片700的空腔，从而在将所述封盖基板键合在所述器件晶圆的正面上，以封闭下空腔暴露于器件晶圆正面的开口，所述半导体芯片700即可对应在所述封盖基板的空腔中。

综上所述，本发明提供的晶体谐振器与控制电路的集成方法中，在器件晶圆中形成下空腔，在基板中形成上空腔，并利用键合工艺使器件晶圆和基板键合，以将压电谐振片夹持在器件晶圆和基板之间，并使下空腔和上空腔分别对应在压电谐振片的两侧，从而实现了控制电路和晶体谐振器集成在同一器件晶圆上。基于此，还可将例如形成有驱动电路的半导体芯片进一步键合至器件晶圆的正面上，即半导体芯片、控制电路和晶体谐振器均集成在同一半导体衬底上，从而有利于实现片上调制晶体谐振器的温度漂移和频率矫正等原始偏差。并且，相比于传统的晶体谐振器(例如，表面贴装型晶体谐振器)，本发明中基于半导体平面工艺所形成的晶体谐振器，具备更小的尺寸，从而可相应的降低晶体谐振器的功耗。此外本发明中的晶体谐振器更也易于与其他半导体元器件集成，有利于提高器件的集成度。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。