本申请涉及电子电路技术领域，特别是涉及一种控制电路、芯片方法及开关装置。
背景技术：
开关电路广泛被应用在电子产品中，其具有响应快、集成度高等优点。例如，在LED驱动系统中，开关电路控制谐振电路向LED负载提供供电。随着人们对电子产品的实际需求的增加，开关电路的开关频率变化范围在逐渐增大。这对开关电路中硬件电器件本身和电路结构的响应能力提出了更高的要求。
其中，根据开关电路的设计需要，PMOS管常被用作开关器件。在实际PMOS管的控制电路设计中，由于PMOS管的半导体特性，其从断开状态至导通状态转换期间，源栅极压差会经历如图1所示的斜坡式变化，这种变化导致PMOS管在响应导通控制信号时具有一定延时。当导通状态和断开状态的切换高频发生时，该延时明显限制了PMOS管的响应频率。
技术实现要素：
鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种控制电路、芯片方法及开关装置，用于解决现有技术中PMOS管响应速度慢等问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第一方面提供一种PMOS管的控制电路，基于所接收的开关控制信号向所述PMOS管的栅极提供驱动电信号；其中，在控制所述PMOS管自断开状态向导通状态转换期间，所述驱动电信号与所述PMOS管的源极与栅极之间的压差呈反向变化关系。
在本申请的第一方面的某些实施方式中，所述控制电路包括：采样单元，采样所述PMOS管的源极与栅极之间的压差并以反馈信号形式输出；控制单元，与所述采样单元和所述PMOS管的栅极相连，用于基于所接收的开关控制信号和所述反馈信号向所述PMOS管的栅极提供驱动电信号；其中，在控制所述PMOS管自断开状态向导通状态转换期间，所述驱动电信号与反馈信号呈反向变化关系。
在本申请的第一方面的某些实施方式中，所述采样单元包括：与所述PMOS管的栅极相连的采样电阻；第一电流镜，输入端连接所述采样电阻，输出端连接一反馈电阻，用于将来自所述采样电阻的采样电信号传递至所述反馈电阻，以形成反馈信号。
在本申请的第一方面的某些实施方式中，所述控制单元包括：第一控制电路模块，与所述PMOS管的栅极相连；所述第一控制电路模块当接收到对应导通的开关控制信号时，基于所接收的反馈信号的变化调整输出至所述PMOS管栅极的驱动电信号。
在本申请的第一方面的某些实施方式中，所述第一控制电路模块包括：电流源子模块，与所述采样单元相连，用于输出根据所述反馈信号变化的受控电信号；第一开关电路子模块，接收开关控制信号并与所述电流源子模块相连，用于随所接收的开关控制信号导通或断开；驱动电路子模块，与所述第一开关电路子模块相连，用于将所接收的受控电信号转换成驱动电信号并输出。
在本申请的第一方面的某些实施方式中，所述电流源子模块包括受控电流源。
在本申请的第一方面的某些实施方式中，所述控制单元包括：第二控制电路模块，连接所述PMOS管，当接收到对应断开的开关控制信号时，调整所述PMOS的源极与栅极之间的压差以使所述PMOS管转入断开状态。
在本申请的第一方面的某些实施方式中，所述第二控制电路模块包括：上拉电路子模块，连接在所述PMOS管的栅极和源极之间。
在本申请的第一方面的某些实施方式中，所述第二控制电路模块还包括：受所述开关控制信号控制的第二开关电路子模块，与所述上拉电路子模块相连，当接收到对应断开的开关控制信号时导通以控制所述上拉电路子模块上调所述驱动端的电压，以及当接收到对应导通的开关控制信号时断开。
在本申请的第一方面的某些实施方式中，控制电路还包括：非交叠控制信号生成单元，用于基于所接收的开关控制信号输出两路非交叠的开关控制信号，其中所输出的第一开关控制信号用于控制所述PMOS管转入断开状态，所输出的第二开关控制信号用于控制所述PMOS管转入导通状态。
本申请第二方面提供一种开关装置，包括至少一个开关电路；所述开关电路包括：如上任一所述的控制电路和PMOS管；其中，所述PMOS管的栅极连接所述控制电路；所述控制电路基于所接收的开关控制信号向所述PMOS管的栅极提供驱动电信号，所述PMOS管基于所述驱动电信号在导通状态和断开状态之间转换；其中，在控制所述PMOS管自断开状态向导通状态转换期间，所述驱动电信号与所述PMOS管的源极与栅极之间的压差呈反向变化关系。
在本申请的第二方面的某些实施方式中，所述开关电路还包含第二控制电路；其中，所述开关电路中的控制电路和PMOS管用于控制第二PMOS管由导通状态转为断开状态，所述第二控制电路用于控制所述第二PMOS管由断开状态转为导通状态。
在本申请的第二方面的某些实施方式中，所述开关电路的数量为多个，且各所述开关电路中控制电路单独控制所连接的PMOS管。
本申请第三方面提供一种芯片，包括：如上任一所述的控制电路。
在本申请的第三方面的某些实施方式中，所述芯片还包括与所述控制电路相连的PMOS管，其中，至少由所述控制电路和PMOS管组成一个开关电路。
在本申请的第三方面的某些实施方式中，所述开关电路还包含第二控制电路；其中，所述开关电路中的控制电路和PMOS管用于控制第二PMOS管由导通状态转为断开状态，所述第二控制电路用于控制所述第二PMOS管由断开状态转为导通状态。
在本申请的第三方面的某些实施方式中，所述开关电路的数量为多个，且各所述开关电路中控制电路单独控制所连接的PMOS管。
如上所述，本申请的控制电路、芯片方法及开关装置，具有以下有益效果：本申请所提供的控制电路由于在PMOS管自断开状态转为导通状态期间，提供一个与PMOS源栅极电压差反向变化的驱动电信号，使得栅极电压更快速地下降，有效提高了PMOS管导通的响应速度。另外，随着PMOS管自断开状态逐渐转入导通状态时，源栅极压差逐渐增大，使得控制电路所提供的驱动电信号由大变小，还实现了控制电路在导通期间内耗最小的目标。
另一方面，本申请所提供的控制电路中的上拉电路子模块由于采用了主动上拉PMOS管栅极电压的方式，使得PMOS管在从导通状态转为断开状态期间源栅极的寄生电容能够快速放电，由此提高了PMOS管断开的响应速度。
附图说明
图1显示为PMOS管开关导通状态与断开状态转换期间的栅源极电压变化示意图。
图2显示为已知PMOS管及控制电路的电路结构示意图。
图3显示为本申请的控制电路和PMOS管的连接示意图。
图4显示为本申请的控制电路的结构框图。
图5显示为本申请的控制电路在一些实施方式中的结构示意图。
图6显示为本申请的控制电路在又一些实施方式中的结构示意图。
图7显示为本申请的控制电路在另一些实施方式中的电路结构示意图。
图8显示为本申请的芯片的封装示意图。
图9显示为本申请的芯片中的开关电路在一种实施方式中的电路结构示意图。
图10显示为本申请的多个开关电路在一种实施方式中的电路结构示意图。
图11显示为本申请的多个开关电路在又一种实施方式中的电路结构示意图。
图12显示为本申请的多个开关电路在另一种实施方式中的电路结构示意图。
图13显示为本申请的控制方法在一实施方式中的流程图。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本申请的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点及功效。
在下述描述中，参考附图，附图描述了本申请的若干实施例。应当理解，还可使用其他实施例，并且可以在不背离本公开的精神和范围的情况下进行机械组成、结构、电气以及操作上的改变。下面的详细描述不应该被认为是限制性的，并且本申请的实施例的范围仅由公布的专利的权利要求书所限定.这里使用的术语仅是为了描述特定实施例，而并非旨在限制本申请。
虽然在一些实例中术语第一、第二等在本文中用来描述各种元件，但是这些元件不应当被这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件与另一个元件进行区分。例如，第一预设阈值可以被称作第二预设阈值，并且类似地，第二预设阈值可以被称作第一预设阈值，而不脱离各种所描述的实施例的范围。第一预设阈值和预设阈值均是在描述一个阈值，但是除非上下文以其他方式明确指出，否则它们不是同一个预设阈值。相似的情况还包括第一音量与第二音量。
再者，如同在本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文中有相反的指示.应当进一步理解，术语“包含”、“包括”表明存在所述的特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组，但不排除一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组的存在、出现或添加.此处使用的术语“或”和“和/或”被解释为包括性的，或意味着任一个或任何组合.因此，“A、B或C”或者“A、B和/或C”意味着“以下任一个：A；B；C；A和B；A和C；B和C；A、B和C”。仅当元件、功能、步骤或操作的组合在某些方式下内在地互相排斥时，才会出现该定义的例外。
开关装置(又叫开关电路)在LED照明、工控设备、通讯设备、医疗设备、家电设备等广泛应用。例如，在LED驱动系统中，开关装置配置在驱动系统中，用于对驱动系统中的谐振装置进行激磁退磁控制，以实现驱动LED负载工作的目的。又如，在变频系统中，开关装置受PWM信号控制压控振荡器向负载供电，其中，PWM信号受反馈信息调整占空比，故而，开关装置的开关频率随之发生变化如此实现了变频目的。随着人们对负载的多样化需求，以及对电路系统性能的改进，开关装置的响应频率在不断升高。例如，对于可调光的LED照明系统来说，一种调亮LED负载的方式在于提高开关装置的开关频率，然而，一些已知的将PMOS管作为开关的开关装置，如图2所示，当EN端接收到高电平(表示导通PMOS管M1的开关控制信号)时，三极管Q1和Q3导通且Q2断开，使得M1的源栅极压差增大，M1导通；当EN端接收到低电平(表示断开PMOS管M1的开关控制信号)时，三极管Q1和Q3断开且Q2导通，使得M1的源栅极压差减小，M1断开。在上述示例中，由于M1为半导体器件，其在导通状态和断开状态之间切换时，会经过如图1所示的斜坡过程，当开关控制信号的频率变高时，图2所示的开关装置必然受半导体器件的固有特性而限制开关装置的响应能力。不仅如此，图2所示的开关装置，在M1导通期间为防止M1被击穿，还需设置反向二极管D1和电阻R2，这使得开关装置在导通期间电阻R2上有电流消耗，这还增大了开关装置的内耗。
以上述示例推及至其他包含开关装置的电路系统，为了改进以PMOS管为开关器件的开关装置的性能，本申请提供一种PMOS管的控制电路。请参阅图3，其显示为本申请的控制电路与PMOS管接入负载供电线路的结构示意图。PMOS管的源极接入所述供电线路、栅极作为驱动端连接控制电路、漏极与用于驱动负载工作的后级电路相连。所述后级电路包括但不限于前述的谐振装置或振荡器等。以LED驱动系统为例，所述控制电路前端未示出部分包括前级整流装置，其对交流电源(如市电)整流并通过所述供电线路输出，其电压用VCC表示；所述供电线路还连接LED负载(未示出)，以及所述PMOS管的漏极连接谐振装置(未示出)，其中，所述LED负载与谐振装置相连以构成电导通回路。
所述控制电路基于所接收的开关控制信号向所述PMOS管的栅极提供驱动电信号；其中，在控制所述PMOS管自断开状态向导通状态转换期间，所述驱动电信号与所述PMOS管的源极与栅极之间的压差呈反向变化关系。
其中，所述开关控制信号可以是前级控制装置提供的PWM信号或其他方波信号。在此，所述前级控制装置可以是具有数字运算和逻辑处理能力的装置，其可包含CPU、MCU或其他可编程逻辑器件等，但并不限于此。例如，所述前级控制装置为LED负载的控制面板，根据用户操作的指令向所述控制电路输出相应开关控制信号。又如，所述前级控制装置为反馈控制电路，根据经反馈处理所得到的信息向所述控制电路输出相应开关控制信号。根据所连接的前级控制装置的开关控制信号所表示的导通及断开指令，所述控制电路包含相匹配的控制单元。例如，当开关控制信号为高电平表示导通指令时，所述控制电路需降低PMOS管的栅极电压使得PMOS管的源栅极电压差大于等于半导体器件导通的电压阈值，以实现PMOS管导通；当开关控制信号为低电平表示断开指令时，所述控制电路需提高到PMOS管的栅极电压使得PMOS管的源栅极电压差小于所述电压阈值，以实现PMOS管断开。需理解，根据设计需要，所述控制电路也可以基于低电平的开关控制信号执行导通PMOS管，且基于高电平的开关控制信号执行断开PMOS管。其中，当控制电路降低栅极电压时，通过向栅极输出变化的驱动电信号的方式将栅极电压加速降至电压阈值以下。
以图3中所示的电路结构为例，利用与PMOS源栅极的电连接关系，所述控制电路可获取PMOS管的源栅极压差，当接收到表示导通的开关控制信号时，所述控制电路利用电压跟随技术和镜像电流技术将所述压差转换成与之变化相反的驱动电信号，使得PMOS管的源栅极压差逐渐增大的同时所述驱动电信号的电流逐渐减少，由此缩短了PMOS管栅源极之间的压差到达导通阈值的时长。
请参阅图4，其显示为本申请的控制电路在一实施方式中的结构示意图。所述控制电路包括：采样单元和控制单元。其中，所述采样单元采样所述PMOS管的源极与栅极之间的压差并以反馈信号形式输出。所述控制单元与采样单元和PMOS管的栅极均连接，并具有与前级控制装置相连的连接端(如EN端)以接收开关控制信号。所述控制单元基于所接收的开关控制信号和所述反馈信号向所述PMOS管的栅极提供驱动电信号。
其中，所述采样单元包括设置在PMOS管源栅极之间的采样电阻，所述反馈信号由所述采样电阻一端电压表示。以图4所示的基于栅极驱动的PMOS管为例，其通过调整栅极电压来调整PMOS管源栅极之间压差，故，所述反馈信号由采样电阻与栅极相连的一侧电压表示。在一些实施方式中，所述采样电阻通过一电流镜连接在源栅极两端，并利用电流镜输入侧和输出侧具有电流镜像的关系将所采样的采样信号转换成反馈信号。
请参阅图5，其显示为所述控制电路在一实施方式中的电路结构示意图。所述采样单元11包括采样电阻R1、第一电流镜(M1、M2)和反馈电阻R2，其中，所述第一电流镜的两个晶体管(M1、M2)的源极与PMOS管的源极共同接入供电线路，第一电流镜的输入端连接采样电阻R1，输出端连接反馈电阻R2并通过电阻R2接地，所述第一电流镜的输出端还用于连接控制单元。所述采样电阻R1通过第一电流镜采集PMOS管的源栅极之间的压差，并通过所述第一电流镜转换成反馈信号提供给控制单元。其中，所述第一电流镜输入端电流和输出端电流可以是M:1，其中，M为小于1、等于1或大于1中的一固定值。当PMOS管受控从断开状态转至导通状态期间时，PMOS管源栅极压差如图1所示逐渐变大，采样电阻两端的压差也对应变大，经第一电流镜的镜像传递，第一电流镜输出至反馈电阻R2的电流逐渐增大，对应地，反馈电阻R2端的电压逐渐变大，即自所述反馈电阻R2所输出的反馈信号变大。
在图5所示控制电路的结构中，所述PMOS管受控制单元12控制。所述控制单元12具体通过调整流向PMOS管的栅极的电流大小来控制PMOS管源栅极之前的压差，进而实现PMOS管的导通或断开。当控制单元12接收到导通的开关控制信号时，将所接收的反馈信号传递至PMOS管栅极所在的电流支路上，使得栅极电压基于反馈信号增大而降低。如此，PMOS管的导通过程受反馈信号逐渐增大的影响，提供至栅极的驱动电信号(电流信号)逐渐减少，并当PMOS管导通时，输出至栅极的驱动电信号的电流最小。当控制单元12接收到断开的开关控制信号时，可断开所述反馈信号的传输线路，使得反馈信号的变化无法作用于栅极所在的电流支路上，如此，PMOS管的栅极电压将恢复至PMOS管导通前的电压，即PMOS管转入断开状态。
如图5所示，所述控制单元12包含均与PMOS管的栅极相连的第一控制电路模块121和第二控制电路模块122。其中，所述第一控制电路模块121与采样单元11和PMOS管的栅极连接，基于所接收的开关控制信号导通PMOS管。所述第二控制电路模块122与PMOS管的栅极和源极相连，基于开关控制信号断开PMOS管。
在一些实施例中，请参阅图6，其显示为所述控制电路在一种实施方式中的结构示意图。所述第一控制电路模块22基于所接收的反馈信号的变化调整输出至所述PMOS管栅极的驱动电信号，其包括电流源子模块221、第一开关电路子模块222和驱动电路子模块223。
所述电流源子模块221与所述采样单元21相连，用于输出根据所述反馈信号变化的受控电信号。在此，所述电流源子模块221中连接一恒压电源(VDD)，以向电流源子模块221中的有源器件供电。所述电流源子模块221中包含有受控电流源(未予图示)，所述受控电流源与采样单元21的输出端相连，其输出的电信号随所述反馈信号的变化而反向变化。例如，所述受控电流源为PMOS型功率管，其源极连接所述恒压电源(VDD)、栅极连接采样单元21的输出端、漏极连接第一开关电路子模块222，当控制电路接收到表示导通的开关控制信号时，所述采样单元21输出的反馈信号的电压降低，对应的所述PMOS型功率管的栅极电压降低，漏极输出的受控电信号的电流变大，如此受控电信号与反馈信号呈反向变化关系，第一控制电路模块22中的后续电路子模块可通过将所述受控电信号进行缩放，以便反向调整输出至PMOS管栅极的驱动电信号。
在一些具体示例中，所述电流源子模块包含受控电流源和电压跟随器。为了减少电压跟随器输出失真，所述电压跟随器包含偏置电流源和功率管。请参阅图7，其显示为控制电路在一实施方式中的电路结构示意图。所述电流源子模块321包含功率管M3、偏置电流源Ibias和功率管M4，其中，功率管M3为CMOS型功率管，功率管M4为PMOS型功率管并作为受控电流源，功率管M3的漏极和功率管M4的源极共同接入恒压电源，功率管M3的栅极接收反馈信号、源极连接偏置电流源和功率管M4的栅极，功率管M4的漏极连接第一开关电路子模块。当控制电路接收到表示导通的开关控制信号时，所述采样单元31输出的反馈信号的电压降低，功率管M3将所接收的反馈信号放大并传递给功率管M4，所述功率管M4的栅极电压随之降低，漏极输出的受控电信号的电流变大，如此受控电信号与反馈信号呈反向变化关系。
所述电流源子模块是通过第一开关电路子模块和驱动电路子模块连接到PMOS管的栅极的。其中，第一开关电路子模块接收开关控制信号并与所述电流源子模块相连，当开关控制信号表示导通PMOS管时，第一开关电路子模块导通，使得随反馈信号变化的受控电信号通过驱动电路子模块传递至PMOS管栅极；当开关控制信号表示断开PMOS管时，第一开关电路子模块断开，阻断受控电信号向PMOS管栅极传输。其中，根据控制电路的设计需要及开关控制信号中表示导通的信号标识，所述第一开关电路子模块中可以包含有反向器。例如，当开关控制信号以高电平表示导通时，所述第一开关电路子模块中的开关管导通。又如，如图7所示，当开关控制信号以低电平表示导通时，所述第一开关电路子模块322中的开关管基于反向器输出的高电平导通。
为配合驱动电路子模块的电路结构，所述第一开关电路子模块中可包含两个开关管，并实现交替通断。如图7所示，所述第一开关电路子模块322包含CMOS型开关管M6、PMOS型开关管M5和反向器。当开关控制信号以低电平表示导通时，CMOS型开关管M6和PMOS型开关管M5的栅极均通过反向器与前级控制装置相连。其中，当开关控制信号表示导通时，PMOS型开关管M5导通且CMOS型开关管M6断开；当开关控制信号表示断开通时，PMOS型开关管M5断开且CMOS型开关管M6导通。其中，PMOS型开关管M5在PMOS管断开期间阻止受控电信号向驱动电路子模块输出，且CMOS型开关管M6在PMOS管断开期间短路了驱动电路子模块，使得驱动电路子模块323无电流输出。
所述驱动电路子模块与所述第一开关电路子模块相连，用于将所接收的受控电信号转换成驱动电信号并输出。在此，所述驱动电路子模块可利用电流镜将受控电信号以电流形式输出，以调整输出至PMOS管栅极的驱动电信号，并借此实现调整PMOS管源栅极电压的目的。如图7所示，所述驱动电路子模块323包括第二电流镜(M7、M8)，其中，第二电流镜的输入端连接第一开关电路子模块的输出端、输出端连接PMOS管的栅极。所述第二电流镜的输入电流和输出电流为1:N，其中，根据电路的实际设计需要和PMOS管的选择，N可为小于1、等于1或大于1中的一种数值。利用电流镜的输入和输出电流呈镜像变化，在PMOS管从断开状态转入导通状态期间，第二电流镜输出端的电流随反馈信号的电压下降而增大，如此提高了PMOS管的源栅极之间压差的增加速度。
在此，需要说明的是上述所提及的所述控制电路中所使用的CMOS型、PMOS型电子器件仅为举例，而非对本申请的限制。事实上，CMOS型和PMOS型电子器件均可根据实际设计需要而被替换。例如，CMOS型开关管和和PMOS型开关管可替换为对应的三极管(BJT)，结型场效应晶体管(JFET)，耗尽型(depletion)MOS功率管，可控硅(或晶闸管)等中的任一种。
当所述控制电路接收到表示断开的开关控制信号时，所述控制电路中的第一控制电路模块中的第一开关电路子模块断开，使得PMOS管的源栅极电压受第二控制电路模块控制。第二控制电路模块连接所述PMOS管，当接收到对应断开的开关控制信号时，调整所述PMOS的源极与栅极之间的压差以使所述PMOS管转入断开状态。其中，所述第二控制电路模块可基于第一控制电路模块的断开而调整PMOS源栅极电压。例如，所述第二控制电路模块包括连接在源栅极之间的电阻，并将其作为上拉电路子模块。当第一控制电路模块断开时，电阻将PMOS源栅极电压限制在小于导通电压阈值的电压范围内。
在一些具体示例中，所述第二控制电路模块中的上拉电路子模块包括连接在所述PMOS管的栅极和源极之间的开关管Mpull_up。该开关管Mpull_up的源极和漏极分别对应连接PMOS管的源极和漏极，栅极接收开关控制信号。以开关控制信号中高电平表示导通指令，开关管为PMOS型开关管为例，当开关控制信号为高电平时，PMOS型开关管断开，PMOS管的源栅极电压受第一控制电路模块控制；当开关控制信号为低电平时，PMOS型开关管导通开，PMOS管的源栅极电压因PMOS型开关管导通而断开。
在又一些具体示例中，所述第二控制电路模块还包括第二开关电路子模块。开关管Mpull_up的栅极连接第二开关电路子模块的输出端。所述第二开关电路子模块受所述开关控制信号控制，当接收到对应断开的开关控制信号时导通以控制所述上拉电路子模块上调所述驱动端的电压，以及当接收到对应导通的开关控制信号时断开。如图7所示，所述第二开关电路子模块33包括串联的电阻R4、开关管M9和电阻R3，其中，开关管M9的栅极接收开关控制信号、漏极通过电阻F4接入供电线路且与开关管Mpull_up的栅极相连、源极通过电阻R3接地。当开关控制信号表示断开时，开关管M9和Mpull_up均导通，PMOS源栅极电压几乎相等以使PMOS管断开；当开关控制信号表示导通时，开关管M9和Mpull_up均断开，PMOS源栅极电压受第一控制电路模块32控制。
需要说明的是，为了使第一控制电路模块和第二控制电路模块交替地控制PMOS管的栅极，第一控制电路模块中的第一开关电路子模块和第二控制电路模块中的第二开关电路子模块受不同的开关控制信号控制。例如，第一开关电路子模块在开关控制信号为高电平时导通时，第二开关电路子模块在开关控制信号为高电平时断开。
在一些实施方式中，为防止两个控制电路模块受某些干扰而同时触发，如控制电路中寄生电容充放电等引起的滞后干扰，所述控制电路还包括非交叠控制信号生成单元(未予图示)，用于基于所接收的开关控制信号输出两路非交叠的开关控制信号，其中所输出的第一开关控制信号用于控制所述PMOS管转入断开状态，所输出的第二开关控制信号用于控制所述PMOS管转入导通状态。具体地，如图7所示，所述非交叠控制信号生成单元作为所述控制电路与前级控制装置的接入单元，接收开关控制信号，并将所接收的开关控制信号转换成两路差分的开关控制信号，即第一开关控制信号Pull-down和第二开关控制信号Pull-up。所述第一控制电路可基于第一开关控制信号Pull-down的高电平控制PMOS管导通，且基于第一开关控制信号的低电平不予提供控制操作；对应地，所述第二控制电路基于第二开关控制信号Pull-up的高电平控制PMOS管断开，且基于第二开关控制信号Pull-up的低电平不予提供控制操作。
现以图7为例，所述控制电路基于开关控制信号而控制PMOS管的控制过程举例如下：所述控制电路中的非交叠控制信号生成单元将所接收的开关控制信号分类两路非交叠的开关控制信号，即差分开关控制信号，第一开关控制信号Pull-down和第二开关控制信号Pull-up。其中，第一开关控制信号Pull-down输入第一开关电路子模块322，第二开关控制信号Pull-up输入第二开关电路子模块33。其中，所述第一开关控制信号Pull-down与开关控制信号的波形一致，且第二开关控制信号Pull-up与开关控制信号的波形反向；第一开关电路子模块322和第二开关电路子模块331均以高电平有效。即当第一开关控制信号为高电平、且第二开关控制信号为低电平时，第一开关电路子模块322导通、且第二开关电路子模块331断开；当第一开关控制信号为低电平、且第二开关控制信号为高电平时，第一开关电路子模块322断开、且第二开关电路子模块331导通。所述控制电路中的采样电阻R1、第一电流镜(M1、M2)和反馈电阻R2所构成的采样单元31将由所述采样电阻R1所采样的PMOS管的源栅极压差经由第一电流镜(M1、M2)转换成流向反馈电阻R2的电流，利用所述反馈电阻R2输出反馈信号，其中，所述反馈信号的电压随源栅极压差变大而变大。电流源子模块321与采样单元31相连，其中功率管M3偏执电流源和功率管M4将所接收的反馈信号转换成受控电信号并传递至第一开关电路子模块322，当第一开关控制信号Pull-down为高电平时，第一开关电路子模块322中的反向器将其转换为低电平并输出给开关管M5和M6，其中，M5断开、M6导通，所述受控电信号经由导通的M6和与M6相连的第二电流镜(M7、M8)传递至PMOS管的栅极和地之间，分流了流向PMOS管栅极的驱动电信号，使得所述驱动电信号随反馈电信号增大而减小。
需要说明的是，上述各控制电路的结构仅为示例，而非对本申请的限制。本领域技术人员在依据本申请所提出的技术思想下而进行的电路结构的改变均应视为本申请所覆盖的具体示例，在此不予一一列举。例如，将第一开关电路子模块设置在采样单元中，以便于第一电流镜基于开关控制信号开始或停止采样。又如，将第一开关电路子模块设置在电流源子模块前，以便于电流源子模块基于开关控制信号开始或停止将反馈信号转换为受控电信号等。
本申请还提供一种芯片。所述芯片包含用于控制PMOS管导通及断开的控制电路。所述控制电路如图3-图7及其相应描述所示，在此不再赘述。
请参阅图8，其显示为包含上述控制电路的芯片的封装示意图。所述芯片包含多个引脚，其中，所述引脚包括：用于连接供电线路的第一引脚(VCC)、用于接地的第二引脚(GND)、用于接收开关控制信号的第三引脚(EN)等。当上述控制电路中的恒压电源为外置电源时，所述芯片还包含用于连接恒压电源的第四引脚(VDD)等。根据芯片所能集成的电路结构，所述芯片还可以包含用于与PMOS管栅极相连的第五引脚(G)，其中，所述PMOS管为一种开关管，并受所述芯片中的控制电路的控制。或者，所述芯片中集成有该PMOS管，对应地，所述芯片具有第六引脚以用于将PMOS管的漏极与外部的后续电路相连。其中，所述后续电路包括但不限于：谐振电路、负载等。
在一些实施方式中，为了控制具有更大驱动功率的PMOS管，所述芯片中包含开关电路，其中，所述开关电路包括所述第一控制电路和第一PMOS管，所述开关电路用于控制第二PMOS管由导通状态转为断开状态，为了实现第二PMOS管由断开状态转为导通状态，所述芯片还包括第二控制电路。请参阅图9，其显示为所述芯片中第一控制电路41、第一PMOS管42和第二控制电路44分别与第二PMOS管43连接的结构示意图。所述第一控制电路41和第一PMOS管42为如图3-图7中任一所述的控制电路和PMOS管，在本示例中，所述第一控制电路41和第一PMOS管42用于控制第二PMOS管43转入断开状态。所述第二控制电路44用于控制第二PMOS管43自断开状态转为导通状态。所述第二控制电路44基于所接收的开关控制信号向所述第二PMOS管43的栅极提供驱动电信号；其中，在控制所述第二PMOS管43自断开状态向导通状态转换期间，所述驱动电信号与所述第二PMOS管43的源极与栅极之间的压差呈反向变化关系。
在一具体示例中，如图9所示，所述第二控制电路44包含采样单元441和第一控制电路模块442。其中，所述采样单元441与第二PMOS管43的栅极连接，采样所述第二PMOS管43的源极与栅极之间的压差并以反馈信号形式输出。第一控制电路模块442也与所述第二PMOS管43的栅极相连，基于所接收的反馈信号的变化调整输出至所述PMOS管栅极的驱动电信号。
在此，第二控制电路中的采样单元和第一控制电路模块分别与第一控制电路中的采样单元和第一控制电路模块中的结构和执行过程相同或相似，在此不再详述。如图9中所示的第一控制电路41中的第一控制电路模块412为高电平有效，第二控制电路44中的第一控制电路模块442为低电平有效。当开关控制信号以高电平为断开指令时，第一控制电路41中的第一控制电路模块412导通且第二控制电路44断开，故第一PMOS管42导通且第二PMOS管43断开；当开关控制信号以低电平为导通指令时，第一控制电路41中的第一控制电路模块412断开且第二控制电路44导通，故第一PMOS管42断开且第二PMOS管43导通。
根据设计需要，所述芯片中可集成有多级PMOS管及其控制电路，其中在相邻的级联PMOS管中，前一级PMOS管及所对应的控制电路作为后一级PMOS管的上拉电路子模块，以实现对后一级PMOS管提供断开控制，如此实现对大驱动功率的PMOS管的开关控制。
所述芯片中还可以集成有多个如图7、图9所示的开关电路，且各所述开关电路中控制电路单独控制所连接的PMOS管。其中，所连接的PMOS管可集成在芯片内或通过芯片引脚与芯片内的开关电路相连。
在一些具体示例中，请参阅图10和图11，其中图10显示为多个控制电路及所连接的PMOS管并联且各PMOS管的源极共同接入同一供电线路，图11显示为多个控制电路及所连接的PMOS管并联且各PMOS管的源极单独接入各自供电线路。以LED负载为例，每个PMOS管的后级电路包含LED负载，根据各PMOS管连接的后级电路和各控制电路连接的前级电路的设计需要，各PMOS管可单独接入各自供电线路或公共接入同一供电线路；每个控制电路的前级控制装置可基于用户选择的灯光模式选项向各自的控制电路输出对应占空比的PWM信号，各控制电路根据所接收的PWM信号单独控制PMOS管以控制各LED负载的光强和亮光频率。
在另一些具体示例中，请参阅图12，其显示为多个控制电路控制串联的PMOS管的电路结构示意图。仍以LED负载为例，各PMOS管串联且每个PMOS管单独连接LED负载，各控制电路受前级控制装置所提供的PWM信号控制，其中，所述前级控制装置基于用户选择的调光强弱选项向各控制电路输出对应占空比的PWM信号，以便提供光强变化细腻、光强变化范围广的调光控制。
本申请还提供一种开关装置，其以芯片或被集成在PCB板的方式被应用在各类驱动系统和控制系统中。所述开关装置以PMOS管为开关器件，具体地，所述开关装置包含至少一个开关电路。所述开关电路包括如图3-图7所示的任一种控制电路和PMOS管。其中，所述PMOS管的栅极连接所述控制电路。所述控制电路基于所接收的开关控制信号向所述PMOS管的栅极提供驱动电信号，所述PMOS管基于所述驱动电信号在导通状态和断开状态之间转换；其中，在控制所述PMOS管自断开状态向导通状态转换期间，所述驱动电信号与所述PMOS管的源极与栅极之间的压差呈反向变化关系。
当所述开关装置基于所接收的开关控制信号执行导通操作时，控制电路中的第一控制电路模块利用采样单元所提供的PMOS管源栅极电压提供与所述源栅极电压变化呈反向变化的驱动电信号，以加速将PMOS管由断开状态转为导通状态；当所述开关装置基于所接收的开关控制信号执行断开操作时，控制电路中的第二控制电路模块利用开关管将PMOS管的源栅极电压瞬时降至导通电压阈值以下，以加速将PMOS管由导通状态转为断开状态。
在一些实施方式中，所述开关电路中的PMOS管需依靠多级PMOS管的驱动以实现导通和断开，为此，所述开关电路还包括另一种控制电路，为便于区分前述的一种控制电路和现述的另一种控制电路，现将前述的一种控制电路称为第一控制电路，且与第一控制电路相连的PMOS管为第一PMOS管，将另一种控制电路称为第二控制电路，且与第二控制电路相连的PMOS管为第二PMOS管。如图9所示，所述第一控制电路41和第一PMOS管42用于控制第二PMOS管43由导通状态转为断开状态，所述第二控制电路44用于控制所述第二PMOS管43由断开状态转为导通状态。在此，所述开关电路的电路结构和工作过程与前述芯片中所描述的开关电路的电路结构和工作过程相同或相似，在此不再赘述。
在又一些实施方式中，如图10-图12所示，所述开关装置中包含多个开关电路，且各所述开关电路中控制电路单独控制所连接的PMOS管。在此，所述开关电路的电路结构和工作过程与前述芯片中所描述的图10-图12的开关电路的电路结构和工作过程相同或相似，在此不再赘述。
本申请还提供一种控制方法，请参阅图13，其显示为所述控制方法在一种实施方式中的流程图。所述控制方法由前述任一种控制电路来执行，或者其他能够执行所述控制方法的控制系统执行。
在步骤S110中，获取开关控制信号。其中，所述开关控制信号可以是前级控制装置提供的PWM信号或其他方波信号。在此，所述前级控制装置可以是具有数字运算和逻辑处理能力的装置，其可包含CPU、MCU或其他可编程逻辑器件等，但并不限于此。例如，所述前级控制装置为LED负载的控制面板，根据用户操作的指令向所述控制电路输出相应开关控制信号。又如，所述前级控制装置为反馈控制电路，根据经反馈处理所得到的信息向控制电路输出相应开关控制信号。
在步骤S120中，基于所述开关控制信号所表示的导通或断开，控制PMOS管执行相应的导通或断开操作。
在此，控制电路根据所连接的前级控制装置的开关控制信号所表示的导通及断开指令而设计其响应控制。例如，当开关控制信号为高电平表示导通指令时，所述控制电路需降低PMOS管的栅极电压使得PMOS管的源栅极电压差大于等于半导体器件导通的电压阈值，以实现PMOS管导通；当开关控制信号为低电平表示断开指令时，所述控制电路需提高到PMOS管的栅极电压使得PMOS管的源栅极电压差小于所述电压阈值，以实现PMOS管断开。需理解，根据设计需要，所述控制电路也可以基于低电平的开关控制信号执行导通PMOS管，且基于高电平的开关控制信号执行断开PMOS管。
当所获取的开关控制信号表示导通所述PMOS管时，向所述PMOS管的栅极输出驱动电信号；在所述PMOS管自断开状态向导通状态转换期间，所述驱动电信号与所述PMOS管的源栅极压差呈反向变化关系。
利用与PMOS源栅极的电连接关系，控制电路(或控制系统)可获取PMOS管的源栅极压差，当接收到表示导通的开关控制信号时，控制电路(或控制系统)利用受控源技术或镜像电流技术将所述压差转换成与之变化相反的驱动电信号，使得PMOS管的源栅极压差逐渐增大的同时所述驱动电信号的电流逐渐减少，由此缩短了PMOS管栅源极之间的压差到达导通阈值的时长。
在一些实施方式中，所述控制电路采样所述PMOS管的源极与栅极之间的压差并以反馈信号形式输出。所述控制电路基于所接收的开关控制信号和所述反馈信号向所述PMOS管的栅极提供驱动电信号。
其中，所述控制电路包括设置在PMOS管源栅极之间的采样电阻，所述反馈信号由所述采样电阻一端电压表示。以图5所示的栅极驱动的PMOS管为例，其通过调整栅极电压来调整PMOS管源栅极之间压差，故，所述反馈信号由采样电阻与栅极相连的一侧电压表示。
在一些实施方式中，采样所述PMOS管的源栅极的电信号；利用一电流镜将所采样电的信号转换为反馈信号；以及基于所述开关控制信号将所述反馈信号转换为驱动电信号并输出至所述PMOS管的栅极。
如图5所示，所述控制电路中的采样单元包括采样电阻R1、第一电流镜(M1、M2)和反馈电阻R2，其中，所述第一电流镜的两个三极管(M1、M2)的源极与PMOS管的源极共同接入供电线路，第一电流镜的输入端连接采样电阻R1，输出端连接反馈电阻R2并通过电阻R2接地，所述第一电流镜的输出端还用于连接控制单元。所述采样电阻R1通过第一电流镜采集PMOS管的源栅极之间的压差，并通过所述第一电流镜转换成反馈信号提供给控制单元。其中，所述第一电流镜输入端电流和输出端电流可以是M:1，其中，M为小于1、等于1或大于1中的一固定值。当PMOS管受控从断开状态转至导通状态期间时，PMOS管源栅极压差如图1所示逐渐变大，采样电阻两端的压差也对应变大，经第一电流镜的镜像传递，第一电流镜输出至反馈电阻R2的电流逐渐增大，对应地，反馈电阻R2端的电压逐渐变大，即自所述反馈电阻R2所输出的反馈信号变大。
在图5所示控制电路的结构中，所述PMOS管受控制电路中的控制单元12控制。所述控制单元12具体通过调整流向PMOS管的栅极的电流大小来控制PMOS管源栅极之前的压差，进而实现PMOS管的导通或断开。当控制单元12接收到导通的开关控制信号时，将所接收的反馈信号传递至PMOS管栅极所在的电流支路上，使得栅极电压基于反馈信号增大而降低。如此，PMOS管的导通过程受反馈信号逐渐增大的影响，提供至栅极的驱动电信号(电流信号)逐渐减少，并当PMOS管导通时，输出至栅极的驱动电信号的电流最小。当控制单元12接收到断开的开关控制信号时，可断开所述反馈信号的传输线路，使得反馈信号的变化无法作用于栅极所在的电流支路上，如此，PMOS管的栅极电压将恢复至PMOS管导通前的电压，即PMOS管转入断开状态。
在一些实施方式中，步骤S120还包括将所述反馈信号转换为受控电信号，所述受控电信号的变化与反馈信号相同；基于所接收的开关控制信号将所接收的受控电信号转换成驱动电信号并输出。
如图5所示，所述控制单元12包含均与PMOS管的栅极相连的第一控制电路模块121和第二控制电路模块122。其中，所述第一控制电路模块121与采样单元11和PMOS管的栅极连接，基于所接收的开关控制信号导通PMOS管。所述第二控制电路模块122与PMOS管的栅极和源极相连，基于开关控制信号断开PMOS管。
在一些实施例中，请参阅图6，其显示为所述控制电路在一种实施方式中的结构示意图。所述第一控制电路模块22基于所接收的反馈信号的变化调整输出至所述PMOS管栅极的驱动电信号，其包括电流源子模块221、第一开关电路子模块222和驱动电路子模块223。
所述电流源子模块221与所述采样单元21相连，用于输出根据所述反馈信号变化的受控电信号。在此，所述电流源子模块221中连接一恒压电源(VDD)，以向电流源子模块221中的有源器件供电。
所述电流源子模块221中包含有受控电流源(未予图示)，所述受控电流源与采样单元21的输出端相连，其输出的电信号随所述反馈信号的变化而反向变化。例如，所述受控电流源为PMOS型功率管，其源极连接所述恒压电源(VDD)、栅极连接采样单元21的输出端、漏极连接第一开关电路子模块222，当控制电路接收到表示导通的开关控制信号时，所述采样单元21输出的反馈信号的电压降低，对应的所述PMOS型功率管的栅极电压降低，漏极输出的受控电信号的电流变大，如此受控电信号与反馈信号呈反向变化关系，第一控制电路模块22中的后续电路子模块可通过将所述受控电信号进行缩放，以便反向调整输出至PMOS管栅极的驱动电信号。
在一些具体示例中，所述电流源子模块包含受控电流源和电压跟随器。为了减少电压跟随器输出失真，所述电压跟随器包含偏置电流源和功率管。请参阅图7，其显示为控制电路在一实施方式中的电路结构示意图。所述电流源子模块321包含功率管M3、偏置电流源Ibias和功率管M4，其中，功率管M3为CMOS型功率管，功率管M4为PMOS型功率管并作为受控电流源，功率管M3的漏极和功率管M4的源极共同接入恒压电源，功率管M3的栅极接收反馈信号、源极连接偏置电流源和功率管M4的栅极，功率管M4的漏极连接第一开关电路子模块。当控制电路接收到表示导通的开关控制信号时，所述采样单元31输出的反馈信号的电压降低，功率管M3将所接收的反馈信号放大并传递给功率管M4，所述功率管M4的栅极电压随之降低，漏极输出的受控电信号的电流变大，如此受控电信号与反馈信号呈反向变化关系。
所述电流源子模块是通过第一开关电路子模块和驱动电路子模块连接到PMOS管的栅极的。其中，第一开关电路子模块接收开关控制信号并与所述电流源子模块相连，当开关控制信号表示导通PMOS管时，第一开关电路子模块导通，使得随反馈信号变化的受控电信号通过驱动电路子模块传递至PMOS管栅极；当开关控制信号表示断开PMOS管时，第一开关电路子模块断开，阻断受控电信号向PMOS管栅极传输。其中，根据控制电路的设计需要及开关控制信号中表示导通的信号标识，所述第一开关电路子模块中可以包含有反向器。例如，当开关控制信号以高电平表示导通时，所述第一开关电路子模块中的开关管导通。又如，如图7所示，当开关控制信号以低电平表示导通时，所述第一开关电路子模块322中的开关管基于反向器输出的高电平导通。
为配合驱动电路子模块的电路结构，所述第一开关电路子模块中可包含两个开关管，并实现交替通断。如图7所示，所述第一开关电路子模块322包含CMOS型开关管M6、PMOS型开关管M5和反向器。当开关控制信号以低电平表示导通时，CMOS型开关管M6和PMOS型开关管M5的栅极均通过反向器与前级控制装置相连。其中，当开关控制信号表示导通时，PMOS型开关管M5导通且CMOS型开关管M6断开；当开关控制信号表示断开通时，PMOS型开关管M5断开且CMOS型开关管M6导通。其中，PMOS型开关管M5在PMOS管断开期间阻止受控电信号向驱动电路子模块输出，且CMOS型开关管M6在PMOS管断开期间短路了驱动电路子模块，使得驱动电路子模块323无电流输出。
所述驱动电路子模块与所述第一开关电路子模块相连，用于将所接收的受控电信号转换成驱动电信号并输出。在此，所述驱动电路子模块可利用电流镜将受控电信号以电流形式输出，以调整输出至PMOS管栅极的驱动电信号，并借此实现调整PMOS管源栅极电压的目的。如图7所示，所述驱动电路子模块323包括第二电流镜(M7、M8)，其中，第二电流镜的输入端连接第一开关电路子模块的输出端、输出端连接PMOS管的栅极。所述第二电流镜的输入电流和输出电流为1:N，其中，根据电路的实际设计需要和PMOS管的选择，N可为小于1、等于1或大于1中的一种数值。利用电流镜的输入和输出电流呈镜像变化，在PMOS管从断开状态转入导通状态期间，第二电流镜输出端的电流随反馈信号的电压下降而增大，如此提高了PMOS管的源栅极之间压差的增加速度。
在此，需要说明的是上述所提及的所述控制电路中所使用的CMOS型、PMOS型电子器件仅为举例，而非对本申请的限制。事实上，CMOS型和PMOS型电子器件均可根据实际设计需要而被替换。例如，CMOS型开关管和和PMOS型开关管可替换为对应的三极管(BJT)，结型场效应晶体管(JFET)，耗尽型(depletion)MOS功率管,可控硅调光器等中的任一种。
当所述控制电路接收到表示断开的开关控制信号时，执行步骤122：断开所述PMOS管。
当所述控制电路接收到表示断开的开关控制信号时，所述控制电路中的第一控制电路模块断开，PMOS管的源栅极电压受所述控制电路中的第二控制电路模块控制。第二控制电路模块连接所述PMOS管，当接收到对应断开的开关控制信号时，调整所述PMOS的源极与栅极之间的压差以使所述PMOS管转入断开状态。其中，所述第二控制电路模块可基于第一控制电路模块的断开而调整PMOS源栅极电压。例如，所述第二控制电路模块包括连接在源栅极之间的电阻，并将其作为上拉电路子模块。当第一控制电路模块断开时，电阻将PMOS源栅极电压限制在小于导通电压阈值的电压范围内。
在一些实施方式中，步骤S120还包括基于所述开关控制信号控制一上拉电路子模块上调所述PMOS管的栅极电压以使所述PMOS管转入断开状态的步骤。
在一些具体示例中，所述第二控制电路模块中的上拉电路子模块包括连接在所述PMOS管的栅极和源极之间的开关管Mpull_up。该开关管Mpull_up的源极和漏极分别对应连接PMOS管的源极和漏极，栅极接收开关控制信号。以开关控制信号中高电平表示导通指令，开关管为PMOS型开关管为例，当开关控制信号为高电平时，PMOS型开关管断开，PMOS管的源栅极电压受第一控制电路模块控制；当开关控制信号为低电平时，PMOS型开关管导通开，PMOS管的源栅极电压因PMOS型开关管导通而断开。
在又一些具体示例中，所述第二控制电路模块还包括第二开关电路子模块。开关管Mpull_up的栅极连接第二开关电路子模块的输出端。所述第二开关电路子模块受所述开关控制信号控制，当接收到对应断开的开关控制信号时导通以控制所述上拉电路子模块上调所述驱动端的电压；以及当接收到对应导通的开关控制信号时断开，如此断开了所述上拉电路子模块的上调操作。如图7所示，所述第二开关电路子模块33包括串联的电阻R4、开关管M9和电阻R3，其中，开关管M9的栅极接收开关控制信号、漏极通过电阻F4接入供电线路且与开关管Mpull_up的栅极相连、源极通过电阻R3接地。当开关控制信号表示断开时，开关管M9和Mpull_up均导通，PMOS源栅极电压几乎相等以使PMOS管断开；当开关控制信号表示导通时，开关管M9和Mpull_up均断开，PMOS源栅极电压受第一控制电路模块32控制。
需要说明的是，为了使第一控制电路模块和第二控制电路模块交替地控制PMOS管的栅极，第一控制电路模块中的第一开关电路子模块和第二控制电路模块中的第二开关电路子模块受不同的开关控制信号控制。例如，第一开关电路子模块在开关控制信号为高电平时导通时，第二开关电路子模块在开关控制信号为高电平时断开。
在一些实施方式中，为防止两个控制电路模块受某些干扰而同时触发，如控制电路中寄生电容充放电等引起的滞后干扰，所述控制方法还包括基于所接收的开关控制信号输出两路非交叠的开关控制信号的步骤(未予图示)，其中所输出的第一开关控制信号用于控制所述PMOS管转入断开状态，所输出的第二开关控制信号用于控制所述PMOS管转入导通状态。具体地，所述非交叠控制信号生成单元作为所述控制电路与前级控制装置的接入单元，接收开关控制信号，并将所接收的开关控制信号转换成两路差分的开关控制信号，即第一开关控制信号和第二开关控制信号。所述第一控制电路可基于第一开关控制信号的高电平控制PMOS管导通，且基于第一开关控制信号的低电平不予提供控制操作；对应地，所述第二控制电路基于第二开关控制信号的高电平控制PMOS管断开，且基于第二开关控制信号的低电平不予提供控制操作。
综上所述，本申请所提供的控制电路由于在PMOS管自断开状态转为导通状态期间，提供一个与PMOS源栅极电压差反向变化的驱动电信号，使得栅极电压更快速地下降，有效提高了PMOS管导通的响应速度。另外，随着PMOS管自断开状态逐渐转入导通状态时，源栅极压差逐渐增大，使得控制电路所提供的驱动电信号由大变小，还实现了控制电路在导通期间内耗最小的目标。
上述实施例仅例示性说明本申请的原理及其功效，而非用于限制本申请。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本申请的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本申请所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本申请的权利要求所涵盖。