功率放大器和功率放大器模块的制作方法

本申请要求于2020年1月20日在韩国知识产权局提交的10-2020-0007301号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

本公开涉及一种功率放大器和功率放大器模块。

背景技术：

诸如蜂窝电话等的移动通信终端可采用用于放大将发送到基站的射频(rf)信号的功率放大器模块。功率放大器模块可包括用于放大rf信号的放大器，并且可包括用于控制放大器的偏置点的偏置电路。

然而，当连接到输出端子的负载阻抗减小时，因为输出信号的电流水平可能过度增加，所以可能导致天线开关可能损坏的问题。因此，为了防止由于连接到输出端子的负载阻抗的减小而发生的对天线开关的损坏，适当地限制用于控制放大器的偏置电流并且限制用于控制偏置电路的控制电流可能是有用的。

技术实现要素：

提供本发明内容以便以简化的形式介绍在下面的具体实施方式中进一步描述的选择的构思。本发明内容不旨在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面，一种功率放大器包括：放大电路，包括放大晶体管，所述放大晶体管被配置为放大输入信号并且被配置为对输出信号进行输出；偏置电路，包括偏置晶体管，所述偏置晶体管包括被配置为将偏置电流提供到所述放大晶体管的基极中的发射极和控制电流被输入到其中的基极；以及过电流保护电路，被配置为根据所述输出信号的电流水平将所述控制电流旁路到地中。

所述过电流保护电路可被配置为：响应于所述输出信号的所述电流水平高于参考电流水平而将所述控制电流旁路。

所述过电流保护电路可包括：第一晶体管，包括所述输出信号被输入到其中的基极和连接到驱动电压端子的集电极；以及第二晶体管，包括连接到所述第一晶体管的发射极的基极、连接到所述偏置晶体管的所述基极的集电极和连接到所述地的发射极。

所述过电流保护电路还可包括：设置在所述驱动电压端子与所述第一晶体管的所述集电极之间的至少一个二极管接法的晶体管。

所述第一晶体管和所述第二晶体管可响应于所述输出信号的所述电流水平高于参考电流水平而导通。

所述第二晶体管可响应于所述输出信号的所述电流水平高于所述参考电流水平而将所述控制电流旁路到所述地中。

所述放大晶体管可包括第一放大晶体管和第二放大晶体管，所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管被配置为依次放大所述输入信号，并且所述偏置晶体管可包括第一偏置晶体管和第二偏置晶体管，所述第一偏置晶体管被配置为向所述第一放大晶体管提供第一偏置电流，所述第二偏置晶体管被配置为向所述第二放大晶体管提供第二偏置电流。

所述过电流保护电路可被配置为：根据所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管中的一个放大晶体管的输出信号的电流水平，将提供给所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管中的与所述一个放大晶体管对应的偏置晶体管的所述控制电流旁路。

在另一总体方面，一种功率放大器模块包括：控制器集成电路(ic)，被配置为产生控制电流；以及功率放大器，包括：放大电路，包括被配置为放大输入信号并被配置为对输出信号进行输出的放大晶体管；偏置电路，包括偏置晶体管，所述偏置晶体管被配置为根据所述控制电流进行操作以向所述放大晶体管提供偏置电流；以及过电流保护电路，被配置为根据所述输出信号的电流水平产生检测电压，其中，所述控制器ic被配置为响应于所述检测电压的水平高于参考电压水平而改变所述控制电流以降低所述偏置电流的水平。

所述过电流保护电路可响应于所述输出信号的电流水平高于参考电流水平而产生高于所述参考电压水平的所述检测电压。

所述过电流保护电路可包括：第一晶体管，包括所述输出信号被输入到其中的基极和连接到第一驱动电压端子的集电极；第二晶体管，包括连接到所述第一晶体管的发射极的基极、连接到第二驱动电压端子的集电极和连接到地的发射极；以及检测电阻器，设置在所述第二驱动电压端子与所述第二晶体管的所述集电极之间。

所述过电流保护电路还可包括：设置在所述第一驱动电压端子与所述第一晶体管的所述集电极之间的至少一个二极管接法的晶体管。

所述第一晶体管和所述第二晶体管可响应于所述输出信号的所述电流水平高于参考电流水平而导通。

所述检测电阻器可被配置为：响应于所述输出信号的所述电流水平高于所述参考电流水平，根据从所述第二驱动电压端子流入所述第二晶体管的所述集电极中的电流而输出所述检测电压。

所述控制器ic可被配置为：响应于所述检测电压的水平高于所述参考电压水平而降低所述控制电流的水平。

可根据所述控制电流的降低的水平来降低所述偏置电流的水平。

在另一总体方面，一种功率放大器包括：放大电路，包括放大晶体管，所述放大晶体管被配置为放大输入信号并且被配置为对输出信号进行输出；偏置电路，包括偏置晶体管，所述偏置晶体管包括被配置为将偏置电流提供到所述放大晶体管的基极中的发射极和控制电流被输入到其中的基极；以及过电流保护电路，被配置为响应于所述输出信号的所述电流水平高于参考电流水平而将所述控制电流旁路。

所述过电流保护电路可被配置为将所述控制电流旁路到地中。

所述放大晶体管可包括被配置为依次放大所述输入信号的第一放大晶体管和第二放大晶体管。

所述偏置晶体管可包括第一偏置晶体管和第二偏置晶体管，所述第一偏置晶体管被配置为向所述第一放大晶体管提供第一偏置电流，所述第二偏置晶体管被配置为向所述第二放大晶体管提供第二偏置电流。

通过以下具体实施方式、附图和权利要求书，其他特征和方面将是显而易见的。

附图说明

图1是根据第一示例的功率放大器模块的框图。

图2是更详细地示出根据第一示例的功率放大器模块的示图。

图3是根据第二示例的功率放大器模块的框图。

图4是更详细地示出根据第二示例的功率放大器模块的示图。

贯穿附图和具体实施方式，相同的附图标记指代相同的元件。附图可不按比例绘制，并且为了清楚、说明和方便，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。

具体实施方式

提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于在此阐述的顺序，而是除了必须按照特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。

在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些可行方式。

在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其他元件。

如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一个和任意两个或更多个的任意组合。

尽管在此可使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分将不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用来将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。

为了易于描述，在此可使用诸如“上方”、“上面”、“下方”和“下面”的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相对术语意在除了包含附图中描绘的方位之外还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件在“上方”或“上面”的元件于是将相对于所述另一元件在“下方”或“下面”。因此，术语“上方”根据装置的空间方位包含“上方”和“下方”两种方位。装置还可以以其他方式(例如，旋转90度或者处于其他方位)定位，并且将相应地解释在此使用的空间相对术语。

在此使用的术语仅用于描述各种示例，并且将不用于限制本公开。除非上下文另外清楚指出，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。

由于制造技术和/或公差，附图中所示出的形状可能发生变化。因此，在此描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括在制造期间发生的形状的改变。

在整个说明书中，当元件被称为“包括”或“包含”时，除非另有具体说明，否则其意味着它也可包括其他元件，而不是排除其他元件。

一个或更多个示例的一方面是提供一种功率放大器模块，所述功率放大器模块能够根据输出信号的电流水平来限制用于控制放大器的偏置电流和用于控制偏置电路的控制电流。

根据一个或更多个示例的一方面，一种功率放大器可包括：放大电路，包括放大输入信号并对输出信号进行输出的放大晶体管；偏置电路，包括偏置晶体管，所述偏置晶体管具有向所述放大晶体管的基极提供偏置电流的发射极，并且所述基极被输入控制电流；以及过电流保护电路，根据所述输出信号的电流水平将所述控制电流旁路到地。

在此，注意的是，关于示例或实施例的术语“可”的使用(例如，关于示例或实施例可包括或实现什么)意味着存在包括或实现这样的特征的至少一个示例或实施例，而全部示例和实施例不限于此。

图1是根据第一示例的功率放大器模块的框图。

参照图1的示例，在示例中，功率放大器模块10可包括功率放大器100和控制器集成电路(ic)200。

功率放大器100可根据控制电流icon放大通过输入端子in输入的输入信号rfin，以产生输出信号rfout，并且可通过输出端子out输出所产生的输出信号rfout。

例如，功率放大器100可放大输入信号rfin的功率以达到将功率发送到基站所需的水平，从而输出输出信号rfout。功率放大器100的输出端子out可连接到预定天线，并且输出信号rfout可通过天线发送到外部环境。

功率放大器100可包括放大电路(电路或其他硬件)110和偏置电路(电路或其他硬件)120，放大电路110可放大输入信号rfin，偏置电路120可根据从控制器ic200提供的控制电流icon产生偏置电流ibias，并且可将产生的偏置电流ibias提供给放大电路110。此外，功率放大器100还可包括过电流保护电路(电路或其他硬件)130，过电流保护电路130可根据放大电路110的输出电流来限制控制电流icon。

放大电路110可包括至少一个放大晶体管。当放大电路110包括多个放大晶体管时，多个放大晶体管可多级连接，以依次放大输入信号rfin，以便产生输出信号rfout。例如，可在多级连接的多个放大晶体管之间设置匹配电路，以便匹配前级中的放大晶体管和后级中的放大晶体管之间的阻抗。

根据一个或更多个示例，可在功率放大器100的输入端子in之前设置可产生基带信号的基带ic以及可将基带信号调制成输入信号rfin的射频rfic。基带ic可根据预定通信模式执行通信信息的编码和调制，并且可通过数字信号处理产生基带信号。rfic还可根据叠加在基带信号上的信息来调制载波，以便产生输入信号rfin。

图2是更详细地示出根据第一示例的功率放大器模块的示图。

参照图2的示例，功率放大器100可包括放大电路110、偏置电路120和过电流保护电路130。

参照图2的示例，可通过从预定端子接收第一驱动电压vcc和第二驱动电压vbat来驱动功率放大器100。随后，为了描述方便，供应第一驱动电压vcc和第二驱动电压vbat的端子可分别称为第一驱动电压vcc端子和第二驱动电压vbat端子。

放大电路110可根据从偏置电路120提供的偏置电流ibias1和ibias2放大通过输入端子in输入的输入信号rfin，以便产生输出信号rfout，并且可通过输出端子out输出所产生的输出信号rfout。

放大电路110可包括第一放大电路110a和第二放大电路110b。

第一放大电路110a可包括具有发射极接地模式的第一放大晶体管ptra。第一放大晶体管ptra的基极可连接到输入端子in，并且输入信号rfin可输入到第一放大晶体管ptra的基极中。在一个或更多个示例中，第一放大晶体管ptra的基极可通过预定电容器连接到输入端子in。

另外，第一放大晶体管ptra的基极可连接到第一偏置晶体管btra的发射极，并且第一偏置电流ibias1可相应地被输入。在一个或更多个示例中，第一放大晶体管ptra的基极可通过预定的第一镇流电阻器ra连接到第一偏置晶体管btra的发射极。

第一放大晶体管ptra的集电极可连接到第一驱动电压vcc端子。在一个或更多个示例中，第一放大晶体管ptra的集电极可通过预定电感器连接到第一驱动电压vcc端子。

第一放大晶体管ptra可根据第一偏置电流ibias1进行操作，以便放大通过输入端子in输入的输入信号rfin。

第二放大电路110b可包括具有发射极接地模式的第二放大晶体管ptrb。第二放大晶体管ptrb的基极可连接到第一放大晶体管ptra的集电极，以便放大第一放大晶体管ptra的输出信号。因为第一放大晶体管ptra的输出信号可对应于由第一放大晶体管ptra放大的输入信号rfin，所以输入信号rfin可依次由第一放大晶体管ptra和第二放大晶体管ptrb放大。在一个或更多个示例中，第二放大晶体管ptrb的基极可通过预定电容器连接到第一放大晶体管ptra的集电极。

另外，第二放大晶体管ptrb的基极可连接到第二偏置晶体管btrb的发射极，并且第二偏置电流ibias2可相应地被输入。在一个或更多个示例中，第二放大晶体管ptrb的基极可通过预定的第二镇流电阻器rb连接到第二偏置晶体管btrb的发射极。

第二放大晶体管ptrb的集电极可连接到输出端子out，并且可对输出信号rfout进行输出。在一个或更多个示例中，第二放大晶体管ptrb的集电极可通过预定电容器连接到输出端子out。

第二放大晶体管ptrb可根据第二偏置电流ibias2进行操作，以便放大从第一放大电路110a输出的信号，并且可通过输出端子out对输出信号rfout进行输出。

偏置电路120可包括第一偏置电路120a和第二偏置电路120b。

第一偏置电路120a可包括第一偏置电流产生电路121a和第一温度补偿电路122a。

第一偏置电流产生电路121a可根据从控制器ic200提供的控制电流icon进行操作，以便产生第一偏置电流ibias1，并且可将产生的第一偏置电流ibias1提供给第一放大电路110a。

第一偏置电流产生电路121a可包括根据控制电流icon产生第一偏置电流ibias1的第一偏置晶体管btra。

第一偏置晶体管btra的基极可连接到控制器ic200，并且控制电流icon可输入到第一偏置晶体管btra的基极中。第一偏置晶体管btra的集电极可连接到第二驱动电压vbat端子。第一偏置晶体管btra的发射极可通过预定的第一镇流电阻器ra连接到第一放大晶体管ptra的基极，以便提供第一偏置电流ibias1。

当在基极和发射极之间以恒定电压驱动第一放大晶体管ptra时，集电极的电流可随着温度上升而增大。当功耗由于集电极的电流增大而增加时，第一放大晶体管ptra的温度也可能上升。因此，可能发生集电极的电流进一步增大的热失控现象。这种热失控现象可能导致一个或更多个示例的击穿。

为了防止上述热失控现象，可在第一偏置晶体管btra的基极与地之间设置第一温度补偿电路122a。

第一温度补偿电路122a可包括至少一个二极管。例如，第一温度补偿电路122a可包括串联连接的至少两个二极管da1和da2。第一温度补偿电路122a的至少两个二极管da1和da2可根据从控制器ic200提供的控制电流icon产生温度补偿电压。

因为至少两个二极管da1和da2的温度补偿电压可随着温度上升而下降，所以第一偏置晶体管btra的基极电压可随着温度上升而下降。结果，可防止第一放大晶体管ptra的热失控现象。

至少两个二极管da1和da2中的每个可包括二极管接法的晶体管。每个二极管接法的晶体管可以以每个二极管接法的晶体管的集电极和基极彼此连接这样的方式连接。

第二偏置电路120b可包括第二偏置电流产生电路121b和第二温度补偿电路122b。

第二偏置电流产生电路121b可根据从控制器ic200提供的控制电流icon进行操作，以便产生第二偏置电流ibias2，并且可将产生的第二偏置电流ibias2提供给第二放大电路110b。

第二偏置电流产生电路121b可包括根据控制电流icon产生第二偏置电流ibias2的第二偏置晶体管btrb。

第二偏置晶体管btrb的基极可连接到控制器ic200，并且控制电流icon可被输入到第二偏置晶体管btrb的基极。第二偏置晶体管btrb的集电极可连接到第二驱动电压vbat端子。另外，第二偏置晶体管btrb的发射极可通过预定的第二镇流电阻器rb连接到第二放大晶体管ptrb的基极，以便提供第二偏置电流ibias2。

当在基极和发射极之间以恒定电压驱动第二放大晶体管ptrb时，集电极的电流可随着温度上升而增大。当功耗由于集电极的电流增大而增加时，第二放大晶体管ptrb的温度也可能上升。因此，可能发生集电极的电流进一步增大的热失控现象。同样，这种热失控现象可能导致有问题的操作。

为了防止上述热失控现象，可在第二偏置晶体管btrb的基极与地之间设置第二温度补偿电路122b。

第二温度补偿电路122b可包括至少一个二极管。例如，第二温度补偿电路122b可包括串联连接的至少两个二极管db1和db2。第二温度补偿电路122b的至少两个二极管db1和db2可根据从控制器ic200提供的控制电流icon产生温度补偿电压。

因为至少两个二极管db1和db2的温度补偿电压可随着温度上升而下降，所以第二偏置晶体管btrb的基极电压可随着温度上升而下降。结果，可防止将发生的第二放大晶体管ptrb的热失控现象。

至少两个二极管db1和db2中的每个可包括二极管接法的晶体管。每个二极管接法的晶体管可以以每个二极管接法的晶体管的集电极和基极彼此连接这样的方式连接。

当连接到输出端子out的负载阻抗减小时，输出信号rfout的电流水平可能过度增大。当输出信号rfout的电流水平过度增大时，施加到天线开关的功率可能超过天线开关的击穿电压，这可能导致天线开关可能被破坏的问题。因此，为了防止否则由于连接到输出端子out的负载阻抗的减小而发生的对天线开关的损坏，适当地限制提供给放大晶体管ptra和ptrb的偏置电流ibias1和ibias2是有帮助的。

当从第一放大晶体管ptra输出的输出信号的电流水平高于参考电流水平时，根据一个或更多个示例的功率放大器模块10的过电流保护电路130可将输入到第一偏置晶体管btra的基极中的控制电流icon旁路到地中。因此，控制电流icon可被旁路，并且第一偏置电流ibias1的水平可减小。结果，第一放大晶体管ptra的输出信号的电流水平也可减小。

参照图2的示例，过电流保护电路130可包括第一晶体管q1和第二晶体管q2，并且还可包括第一二极管接法的晶体管dq1和第二二极管接法的晶体管dq2。

第一晶体管q1的基极可连接到第一放大晶体管ptra的集电极，并且第一放大晶体管ptra的输出信号可输入到第一晶体管q1的基极。另外，第一晶体管q1的基极可通过预定电阻器rg连接到地。

第一晶体管q1的集电极可通过第一二极管接法的晶体管dq1和第二二极管接法的晶体管dq2连接到第一驱动电压vcc端子。第一晶体管q1的发射极可连接到第二晶体管q2的基极。在一个或更多个示例中，第一晶体管q1的发射极可通过预定电阻器连接到第二晶体管q2的基极。

第二晶体管q2的发射极可连接到地，并且第二晶体管q2的集电极可连接到第一偏置晶体管btra的基极。

当第一放大晶体管ptra的输出信号的电流水平高于参考电流水平时，第一晶体管q1可导通。例如，根据第一放大晶体管ptra的输出信号的电流，第一晶体管q1可通过接收在电阻器rg的两端形成的电压来进行操作。

当第一放大晶体管ptra的输出信号的电流水平高于参考电流水平时，第一晶体管q1可导通。此外，根据第一晶体管q1的导通操作，第二晶体管q2可顺序地导通。

当第二晶体管q2导通时，输入到第一偏置晶体管btra中的控制电流icon可通过第二晶体管q2的集电极被旁路到地中。

例如，输入到第一偏置晶体管btra的基极中的控制电流icon可被限制以降低第一偏置电流ibias1的水平。因此，因为第一放大晶体管ptra的放大性能可减弱，所以第一放大晶体管ptra的输出信号的电流水平也可降低。

尽管已经描述了在上述一个或更多个示例中，根据第一放大晶体管ptra的输出信号的电流水平，过电流保护电路130可将输入到第一偏置晶体管btra的基极中的控制电流icon旁路到地，但是根据一个或更多个示例，过电流保护电路130可根据第二放大晶体管ptrb的输出信号的电流水平而将提供到第二偏置晶体管btrb的基极中的控制电流icon旁路。

另外，尽管已经描述了在上述一个或更多个示例中，放大电路110可包括第一放大电路110a和第二放大电路110b，并且偏置电路120可包括第一偏置电路120a和第二偏置电路120b，以依次放大输入信号rfin，但是放大电路110可包括第一放大电路110a和第二放大电路110b中的一个，并且偏置电路120可包括第一偏置电路120a和第二偏置电路120b中的一个，以放大输入信号rfin一次。

当第一放大晶体管ptra的输出信号的电流水平高于参考电流水平时，根据第一示例的功率放大器模块10可将控制电流icon旁路到地中，以减小第一放大晶体管ptra的输出信号的电流水平。在该示例中，放大电路110、偏置电路120和过电流保护电路130可形成可以不稳定地操作的闭合电路。因此，放大电路110、偏置电路120和过电流保护电路130可配置开路，而不是闭合电路。

图3是根据第二示例的功率放大器模块的框图，并且图4是更详细地示出根据第二示例的功率放大器模块的示图。

因为根据第二示例的功率放大器模块可类似于根据第一示例的功率放大器模块，所以为了简洁，省略了冗余描述，并且提供了关注于差异的描述。

参照图3和图4的示例，以与第一示例不同的方式，过电流保护电路130还可包括连接到第二晶体管q2的集电极的检测电阻器rsen。第二晶体管q2的集电极可通过检测电阻器rsen连接到第二驱动电压vbat端子。

当第一放大晶体管ptra的输出信号的电流水平低于参考电流水平时，第二晶体管q2可截止。在第二晶体管q2的这种截止操作中，没有电流可流过检测电阻器rsen的两端，因此形成低于参考电压水平的检测电压vsen。因此，当输出信号的电流水平低于参考电流水平时，过电流保护电路130可产生低于参考电压水平的检测电压vsen。

当第一放大晶体管ptra的输出信号的电流水平高于参考电流水平时，第二晶体管q2可导通。在第二晶体管q2的导通操作中，可在检测电阻器rsen的两端通过从第二驱动电压vbat端子流入第二晶体管q2的集电极的电流形成高于参考电压水平的检测电压vsen。因此，当输出信号的电流水平高于参考电流水平时，过电流保护电路130可产生高于参考电压水平的检测电压vsen。

控制器ic200可根据检测电压vsen来改变控制电流icon。

当第二晶体管q2截止并且检测电压vsen的水平低于参考电压水平时，控制器ic200可确定第一放大晶体管btra的输出电流的水平高于参考电流水平。因此，可在不改变控制电流icon的水平的情况下产生预设的控制电流icon的水平。

当第二晶体管q2导通并且检测电压vsen的水平高于参考电压水平时，控制器ic200可确定第一放大晶体管btra的输出电流的水平高于参考电流水平。因此，可减小预设的控制电流icon的水平，从而降低第一偏置电流ibias1的水平。

例如，可减小输入到第一偏置晶体管btra的基极中的控制电流icon的水平，以便降低第一偏置电流ibias1的水平。因此，因为第一放大晶体管ptra的放大性能可减弱，所以第一放大晶体管ptra的输出信号的电流水平可相应地降低。

与第一示例相比，根据第二示例的放大电路110、偏置电路120和过电流保护电路130可构成开路而不是闭合电路，以稳定地操作。

根据本公开的实施例，可根据输出信号的电流水平来限制用于控制放大器的偏置电流和用于控制偏置电路的控制电流，以防止对天线开关的损坏。

虽然本公开包括具体示例，但是在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式和细节上的各种改变。在此描述的示例将仅被认为是描述性含义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其他示例中的类似特征或方面。如果按照不同的顺序执行描述的技术，和/或如果按照不同的方式组合所描述的系统、架构、装置或电路中的组件，和/或由其他组件或它们的等同物来替换或者添加所描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可获得合适的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物限定，并且在权利要求及其等同物的范围内的全部变型将被解释为被包括在本公开中。