功率半导体电路和参数化功率半导体电路控制装置的方法与流程

1.本发明涉及功率半导体电路和用于参数化功率半导体电路的控制装置的方法。


背景技术：

2.de 10 2015 120 166b3公开了一种用于功率半导体开关的控制装置，其监测流动通过功率半导体开关的负载电流。当流动通过功率半导体开关的负载电流在功率半导体开关的接通状态下非常高时，例如在短路的情况下，存在于功率半导体开关的第一负载电流端子与第二负载电流端子之间的功率半导体开关主电压急剧上升，这导致控制装置的监测电压的电压上升，其对应于功率半导体开关主电压。当监测电压超过电压极限值时，由控制装置的过电流检测电路产生过电流检测信号，并且该过电流检测信号影响功率半导体开关的关断。因此，功率半导体开关受到保护，免受流动通过它的过电流的影响。在故障的情况下(例如在短路的情况下)，由于功率半导体开关的部件零件和制造公差，导致流动通过功率半导体开关的特定短路电流的功率半导体开关主电压的电平是不一致的。在具有多个功率半导体开关的功率转换器的情况下，为了确保没有过电流检测电路由于功率半导体开关的部件零件或制造公差而产生错误跳闸，因此在所有过电流检测电路的情况下或对于所有功率半导体开关而言，必须将电压极限值选择为相对高，这在故障的情况下增加过电流检测电路跳闸太晚或根本不跳闸的风险。


技术实现要素：

3.本发明的目的在于提供一种具有功率半导体开关并具有控制装置的功率半导体电路，以及提供一种用于参数化功率半导体电路的控制装置的方法，其中能够实现控制装置的过电流检测电路的响应阈值与功率半导体开关的单独匹配，以检测流动通过功率半导体开关的过电流。
4.该目的通过一种功率半导体电路来实现，所述功率半导体电路具有功率半导体开关并且具有控制装置，所述功率半导体开关具有第一负载电流端子、第二负载电流端子以及栅极，所述控制装置导电地连接到第一负载电流端子、第二负载电流端子以及栅极，其中控制装置具有驱动装置和过电流检测电路，其中驱动装置被设计成在栅极处产生用于驱动功率半导体开关的驱动电压，其中过电流检测电路具有电压极限值确定模式和监测模式，其中过电流检测电路被设计成：在电压极限值确定模式中，当功率半导体开关接通时，确定监测电压的最大电压值，其对应于存在于第一负载电流端子与第二负载电流端子之间的功率半导体开关主电压，并且将其储存作为电压极限值，并且在监测模式中，当功率半导体开关接通时，确定监测电压，并且当监测电压超过功率半导体开关接通时的电压极限值时，产生过电流检测信号。
5.功率半导体电路的有利改进类似于方法的有利改进，反之亦然。
6.已经证明有利的是，驱动装置被设计成，在存在过电流检测信号的情况下，产生用于关断功率半导体开关的驱动电压。因此，可靠地保护功率半导体开关免受过电流。
7.此外，已经证明有利的是，通过电压极限值确定命令，可以将过电流检测电路设定为电压极限值确定模式。因此，可以容易地将过电流检测电路从外部设定为电压极限值确定模式。
8.在这种情形下，已经证明有利的是，电压极限值确定命令以电压极限值确定信号的形式或以输入参数的形式存在。因此，可以特别容易地将过电流检测电路从外部设定为电压极限值确定模式。
9.此外，已经证明有利的是，过电流检测电路被设计成，在电压极限值确定命令丢失的情况下，存储电压极限值。借助于电压极限值确定命令，可以特别容易地启动电压极限值的存储。
10.在这种情形下，已经证明有利的是，过电流检测电路被设计成，一旦电压极限值确定命令丢失并且电压极限值已经被存储，则过电流检测电路不能被设定回到电压极限值确定模式。因此，仅可以将过电流检测电路设定为电压极限值确定模式一次。结果，可靠地防止了这样的情况：在功率半导体电路的操作期间发生的emc干扰会导致将过电流检测电路不期望地设定为电压极限值确定模式。
11.此外，已经证明有利的是，控制装置被设计成，当过电流检测电路处于电压极限值确定模式时，驱动装置产生用于接通功率半导体开关的驱动电压。因此，可以进行特别简单的控制装置的参数化或电压极限值的确定。
12.该目的还通过用于参数化根据本发明的功率半导体电路的控制装置的方法来实现，该方法具有以下方法步骤：
13.a)将过电流检测电路设定为电压极限值确定模式并接通功率半导体开关；
14.b)产生在第一负载电流端子与第二负载电流端子之间流动的电流，其中电流的电流强度具有一值，高于该值，则过电流检测电路在监测模式中应当产生过电流检测信号；
15.c)在控制装置中确定并存储电压极限值。
16.已经证明有利的是，在另一方法步骤d)中，将过电流检测电路设置为监测模式。
17.在这种情形下，已经证明有利的是，方法步骤d)与方法步骤c)中的将电压极限值存储在控制装置中同时发生。结果，以及时的方式将过电流检测电路设定为监测模式。
18.此外，已经证明有利的是，功率转换器装置具有根据本发明的第一功率半导体电路、第二功率半导体电路、第三功率半导体电路、第四功率半导体电路、第五功率半导体电路和第六功率半导体电路，其中功率半导体电路的功率半导体开关电连接到彼此以形成三相桥接电路，其中第一功率半导体开关、第二功率半导体开关和第三功率半导体开关的第一负载电流端子导电地连接到正电位端子，并且第四功率半导体开关、第五功率半导体开关和第六功率半导体开关的第二负载电流端子导电地连接到负电位端子，其中功率半导体电路的控制装置在由ic壳体容纳的集成电路中共同实施，其中第一控制装置导电地连接到第一功率半导体开关的栅极并且具有第一二极管，所述第一二极管的电气地面向第一功率半导体开关的二极管端子导电地连接到集成电路的第一端子，第二控制装置导电地连接到第二功率半导体开关的栅极并且具有第二二极管，所述第二二极管的电气地面向第二功率半导体开关的二极管端子导电地连接到集成电路的第一端子，第三控制装置导电地连接到第三功率半导体开关的栅极并且具有第三二极管，所述第三二极管的电气地面向第三功率半导体开关的二极管端子导电地连接到集成电路的第一端子，其中集成电路的第一端子导
电地连接到第一功率半导体开关、第二功率半导体开关和第三功率半导体开关的第一负载电流端子，第四控制装置导电地连接到第四功率半导体开关的栅极并且具有第四二极管，所述第四二极管的电气地面向第四功率半导体开关的二极管端子导电地连接到集成电路的第二端子，其中集成电路的第二端子导电地连接到第四功率半导体开关的第一负载电流端子，第五控制装置导电地连接到第五功率半导体开关的栅极并且具有第五二极管，所述第五二极管的电气地面向第五功率半导体开关的二极管端子导电地连接到集成电路的第三端子，其中集成电路的第三端子导电地连接到第五功率半导体开关的第一负载电流端子，第六控制装置导电地连接到第六功率半导体开关的栅极并且具有第六二极管，所述第六二极管的电气地面向第六功率半导体开关的二极管端子导电地连接到集成电路的第四端子，其中集成电路的第四端子导电地连接到第六功率半导体开关的第一负载电流端子。在这种情况下，功率转换器装置以特别节省空间的方式设计，
19.已经证明有利的是，相应的控制装置具有相应的栅极串联电阻器，相应的控制装置的相应的剩余部分经由该栅极串联电阻器导电地连接到相应的功率半导体开关的栅极。因此，栅极串联电阻器是集成电路的一部分，结果是对栅极串联电阻器的空间要求非常小。
20.此外，已经证明有利的是，集成电路的端子以从ic壳体突出的导电引脚或凸块的形式存在。结果，提供了一种特别节省空间的功率转换器装置。
21.应当提及的是，在本发明的含义内，电气第二变量对应于电气第一变量的表述意味着，在忽略可能存在的第二变量相对于第一变量可具有的偏移的同时，至少在第一变量的特定值范围内，第二变量至少近似地与第一变量成比例。
22.此外，应当提及的是，在本发明的含义内，集成电路将被理解为意味着设计成单片集成在单个容纳芯片中的电路和借助于电连接到彼此并布置在公共ic壳体中的多个芯片实施的电路两者。集成电路可以采用asic的形式存在。
附图说明
23.下文将参考下面的附图解释本发明的示例性实施例，其中：
24.图1示出了根据本发明的功率半导体电路，其具有功率半导体开关并具有控制装置；以及
25.图2示出了具有根据本发明的功率半导体电路的功率转换器装置。
具体实施方式
26.图1示出根据本发明的具有功率半导体开关t和控制装置2的功率半导体电路1，所述功率半导体开关t具有第一负载电流端子c和第二负载电流端子e以及栅极g，所述控制装置2导电地连接到第一负载电流端子c和第二负载电流端子e以及栅极g。在示例性实施例中，第二负载电流端子e形成控制装置2的电气参考电位bp。
27.功率半导体开关t优选地是晶体管的形式，诸如像igbt(绝缘-栅极双极晶体管)或mosfet(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)。在示例性实施例中，功率半导体开关t为igbt的形式，其中第一负载电流端子c为igbt的集电极的形式，第二负载电流端子e为igbt的发射极的形式，并且栅极g为igbt的栅极的形式。
28.控制装置2具有驱动装置3和过电流检测电路4。驱动装置3被设计成在栅极g处产
生驱动电压ua，用于驱动功率半导体开关t。
29.为此目的，基于优选地由上级控制器(未示出)产生的控制信号a，驱动装置3在功率半导体开关t的栅极g处产生驱动电压ua。在示例性实施例中，驱动装置3产生用于接通功率半导体开关t的15v的驱动电压ua和用于关断功率半导体开关t的-8v的驱动电压ua。功率半导体开关t依据驱动电压ua的电压值接通和关断。
30.过电流检测电路4具有电压极限值确定模式和监测模式。过电流检测电路4被设计成，在电压极限值确定模式中，当功率半导体开关t接通时，确定与存在于第一负载电流端子c和第二负载电流端子e之间的功率半导体开关主电压uce相对应的监测电压um的最大电压值，并将其储存作为电压极限值ugw，并且在监测模式中，当功率半导体开关t接通时，确定监测电压um，并且如果监测电压um超过功率半导体开关t接通时的电压极限值ugw，则输出过电流检测信号fs。在电压极限值确定模式中，例如在由制造商交付功率半导体电路之前，确定适于相关功率半导体开关t的单独有效电压极限值ugw并将其存储在控制装置2中，更确切地，存储在过电流检测电路4中。在监测模式中，流动通过功率半导体开关t的电流i由过电流检测电路4监测，并且当该电流超过由电压极限值ugw固定的特定电流强度时，由所述过电流检测电路产生过电流检测信号fs。借助于电压极限值确定模式，使得电压极限值ugw(即，过电流检测电路4的响应阈值)与相关的功率半导体开关t的单独匹配，以可以检测流动通过功率半导体开关t的过电流。
31.驱动装置3优选地被设计成，在存在过电流检测信号fs的情况下，产生用于关断功率半导体开关t的驱动电压ua，因此当流动通过功率半导体开关t的电流i非常高时，例如在短路的情况下，功率半导体开关t被关断。
32.过电流检测电路4优选地通过电压极限值确定命令sb设定为电压极限值确定模式。例如在示例性实施例中那样，电压极限值确定命令sb可以以电压极限值确定信号的形式存在。电压极限值确定信号可以例如由用于参数化控制装置2的外部参数化装置产生。可替代地，电压极限值确定命令sb也可以例如以输入参数的形式存在，该输入参数例如借助于连接到控制装置2的计算机来由用户输入。
33.过电流检测电路4优选地在电压极限值确定命令sb丢失的情况下存储电压极限值ugw。只要过电流检测电路4被设定为电压极限值确定模式，即，在示例性实施例中，在从发出电压极限值确定命令sb直到电压极限值确定命令sb丢失的时间段内，过电流检测电路4就确定电压极限值ugw。在电压极限值确定命令sb丢失的情况下，过电流检测电路4被再次设定回到监测模式。当过电流检测电路4未被设定为电压极限值确定模式时，它就处于监测模式中。过电流检测电路优选地设计为，一旦电压极限值确定命令sb丢失并且电压极限值ugw已经被存储，则过电流检测电路4就不能被设定回到电压极限值确定模式。因此，过电流检测电路4可以优选地仅被设定为电压极限值确定模式一次。因此，可靠地防止了在功率半导体电路的操作期间发生的emc干扰会导致过电流检测电路4不期望地设定为电压极限值确定模式的情况。
34.为了实现控制装置2的特别简单的参数化，更确切地，特别简单地确定电压极限值ugw，控制装置2可以设计为，当过电流检测电路4处于电压极限值确定模式中时，驱动装置3产生用于接通功率半导体开关t的驱动电压ua。在这种情况下，控制装置2独立于控制信号a产生用于接通功率半导体开关t的驱动电压ua。为此目的，驱动装置3可以接收电压极限值
确定命令sb作为输入变量，其在图1中由虚线示出。因此，可以省去产生用于参数化控制装置2或用于确定电压极限值ugw的控制信号a。
35.在示例性实施例中，过电流检测电路4具有二极管d、峰值保持元件5、比较器6、具有用于存储电压极限值ugw的存储器7'的电压源装置7、阻断元件8、第一转换器s1、第二转换器s2和工作电阻器rb。二极管d用于在功率半导体开关t关断时将过电流检测电路4从第一负载电流端子c解耦，因此功率半导体开关主电压uce可以具有高的电压值。二极管d的阴极导电地连接到第一负载电流端子c。二极管d的阳极经由工作电阻器rb导电地连接到产生电源电压uv的电源电压源。为了清楚起见，图1中未示出电源电压源。当功率半导体开关t接通时，在二极管d的阳极处存在的监测电压um对应于在第一负载电流端子c和第二负载电流端子e之间存在的功率半导体开关主电压uce。忽略在跨二极管d两端的正向方向上的压降，当功率半导体开关2接通时，监测电压um与功率半导体开关主电压uce成比例。峰值保持元件5确定存在于其输入端k处的监测电压um的最大电压值，并且在短期内以具有与最大电压值对应的电平的相应电压的形式在其输出端z处输出最大电压值。在这种情况下，最大电压值例如通过峰值保持元件5的电容器类似地在峰值保持元件5中短时间缓存。
36.假定存在电压极限值确定信号sb，则第一转换器s1和第二转换器s2被切换到开关位置b，否则处于开关位置a中。比较器6将其第一输入端e1处存在的电压与其第二输入端e2处存在的电压进行比较，当其输入端e1处存在的电压大于其第二输入端e2处存在的电压时，在其输出端输出响应信号sg。电压源装置7在接收到电压极限值确定信号sb时在其输出端处产生极限值电压ug，并且调整极限值电压ug的电压值直到，在极限值电压ug的电压值轻微变化的情况下，由比较器6产生电压极限值确定信号sb并且不再产生来回波动。然后，极限值电压ug的电压值对应于由峰值保持元件5确定的监测电压um的最大电压值。在电压极限值确定信号sb丢失的情况下，电压源装置7在电压源装置7的存储器7'中永久地存储以此方式确定的极限值电压ug的电压值作为电压极限值ugw，并且从那时起产生其电压值对应于电压极限值ugw的极限值电压ug。因此，电压极限值ugw，即过电流检测电路4的响应阈值，可以单独地与相关的功率半导体开关t相匹配。应当提及的是，由电压源装置7对电压极限值ugw的确定可以根据sar(逐次逼近寄存器)原理与比较器6一起进行。
37.当电压极限值确定信号sb不存在时，过电流检测电路4则处于监测模式中，并且第一转换器s1和第二转换器s2切换到开关位置a。当监测电压um的电压值超过电压极限值ugw时，比较器6产生响应信号sg，该响应信号sg经由第二开关s2由阻断元件8接收。当功率半导体开关t接通时，阻断元件8将响应信号sg作为过电流检测信号fs传递到驱动装置3。当功率半导体开关t关断时，响应信号sg被阻断元件8阻断，即不传递到驱动装置3，以便防止过电流检测电路4的错误跳闸。为此目的，阻断元件8接收控制信号a作为另一输入变量。当阻断元件8接收到用于接通功率半导体开关t的控制信号a时，一旦延迟时间段已经过去，则功率半导体开关t就被阻断元件8视为接通。
38.在下文中，描述了一种用于参数化功率半导体电路1的控制装置的方法。
39.在第一方法步骤a)中，过电流检测电路4被设定到电压极限值确定模式，并且功率半导体开关t被接通。为此目的，优选地通过外部参数化装置将电压极限值确定命令sb发送到过电流检测电路4，并且将用于接通功率半导体开关t的控制信号a发送到驱动装置3。为了实现控制装置2的特别简单的参数化，更确切地，为了实现电压极限值ugw的特别简单的
确定，控制装置2可以设计为，当过电流检测电路4处于电压极限值确定模式时，驱动装置3产生用于接通功率半导体开关t的驱动电压ua。在这种情况下，控制装置2独立于控制信号a产生用于接通功率半导体开关t的驱动电压ua。
40.在另一方法步骤b)中，产生在第一负载电流端子c和第二负载电流端子e之间流动的电流，即从第一负载电流端子c流动到第二负载电流端子e或从第二负载电流端子e流动到第一负载电流端子c的电流i，其中电流i的电流强度具有一值，高于该值，则过电流检测电路4在监测模式中应当产生过电流检测信号fs。电流i优选地具有脉冲形状特性，特别是矩形脉冲形状特性。为此目的，优选地，外部电流源9连接到第一负载电流端子c或第二负载电流端子e，该外部电流源产生流动通过功率半导体开关t的电流i。电流i产生存在于第一负载电流端子c和第二负载电流端子e之间的功率半导体开关主电压uce。此外，形成对应于功率半导体开关主电压uce的监测电压um。过电流检测电路4，更确切地，峰值保持元件5，确定监测电压um的最大电压值。
41.在另一方法步骤c)中，确定电压极限值ugw并将其存储在控制装置2中，特别是在过电流检测电路4中。由于存在电压极限值确定信号sb，第一转换器s1和第二转换器s2被切换到开关位置b。比较器6将存在于其第一输入端e1处的电压与存在于其第二输入端e2处的电压进行比较，并且当存在于其输入端e1处的电压高于存在于其第二输入端e2处的电压时，在其输出端处输出响应信号sg。电压源装置7在接收到电压极限值确定信号sb时，在其输出端处产生极限值电压ug，并调整极限值电压ug的电压值直到，在极限值电压ug的电压值轻微变化的情况下，由比较器6产生电压极限值确定信号sb并且不再产生来回波动。然后，极限值电压ug的电压值对应于由峰值保持元件5确定的监测电压um的最大电压值。然后，电压极限值确定信号sb不再被传送到过电流检测电路4，因此电压源装置7将以如此的方式确定的极限值电压ug的电压值永久地存储到电压源装置7的存储器7’中作为电压极限值ugw，并且从那时起产生其电压值对应于电压极限值ugw的极限值电压ug，并将其作为输入变量提供给比较器6的第二输入端e2。此外，由于电压极限值确定信号sb的丢失，过电流检测电路4被设定为监测模式。应当提及的是，控制装置2中的电压极限值ugw的存储不一定需要通过电压极限值确定信号sb的丢失来触发，而是还可以通过优选地另外的外部信号来触发，因此一旦电压极限值ugw已经被存储，由于电压极限值确定信号sb的丢失，将过电流检测电路4设定到监测模式也可以仅在另外的方法步骤d)中进行。
42.图2示出具有根据本发明的第一功率半导体电路、第二功率半导体电路、第三功率半导体电路、第四功率半导体电路、第五功率半导体电路和第六功率半导体电路的功率转换器装置31的特别有利的改进。
43.功率半导体电路的功率半导体开关t1、t2、t3、t4、t5和t6电连接到彼此以形成三相桥接电路10，其中第一功率半导体开关t1、第二功率半导体开关t2和第三功率半导体开关t3的第一负载电流端子c导电地连接到三相桥接电路10的正电位端子dc+，第四功率半导体开关t4、第五功率半导体开关t5和第六功率半导体开关t6的第二负载电流端子e导电地连接到三相桥接电路10的负电位端子dc-。三相桥接电路10还具有第一ac电位端子ac1、第二ac电位端子ac2和第三ac电位端子ac3。第一ac电位端子ac1导电地连接到第一功率半导体开关t1的第二负载电流端子e。第二ac电位端子ac2导电地连接到第二功率半导体开关t2的第二负载电流端子e。第三ac电位端子ac3导电地连接到第三功率半导体开关t3的第二负
载电流端子e。
44.功率半导体电路的控制装置21、22、23、24、25和26在由ic壳体容纳的集成电路9中共同实施。在示例性实施例中，集成电路9的端子a1、a2、a3、a4、a5、a6、a7、a8、a9、a10和a11以从ic壳体突出的导电引脚或凸块的形式存在。控制装置21、22、23、24、25、26分别对应于图1中所示的控制装置2。第一控制装置21导电地连接到第一功率半导体开关21的栅极g并且具有第一二极管d1，第一二极管d1的电气地面向第一功率半导体开关t1的二极管端子导电地连接到集成电路9的第一端子a1。第二控制装置22导电地连接到第二功率半导体开关t2的栅极g并且具有第二二极管d2，第二二极管d2的电气地面向第二功率半导体开关t2的二极管端子导电地连接到集成电路9的第一端子a1。第三控制装置23导电地连接到第三功率半导体开关t3的栅极g并且具有第三二极管d3，第三二极管d3的电气地面向第三功率半导体开关t3的二极管端子导电地连接到集成电路9的第一端子a1。集成电路9的第一端子a1导电地连接到第一功率半导体开关t1的第一负载电流端子c、第二功率半导体开关t2的第一负载电流端子c和第三功率半导体开关t3的第一负载电流端子c。由于第一二极管d1、第二二极管d2和第三二极管d3是控制装置21、22和23的一部分并且因此体现在集成电路9中，因此集成电路9仅需要单个端子a1，用于将第一二极管d1、第二二极管d2和第三二极管d3电连接到正电位端子dc+，因此ic壳体具有小的空间要求。
45.第四控制装置24导电地连接到第四功率半导体开关t4的栅极g并且具有第四二极管d4，第四二极管d4的电气地面向第四功率半导体开关t4的二极管端子导电地连接到集成电路9的第二端子a2。集成电路9的第二端子a2导电地连接到第四功率半导体开关t4的第一负载电流端子c。第五控制装置25导电地连接到第五功率半导体开关t5的栅极g并且具有第五二极管d5，第五二极管d5的电气地面向第五功率半导体开关t5的二极管端子导电地连接到集成电路9的第三端子a3。集成电路9的第三端子a3导电地连接到第五功率半导体开关t5的第一负载电流端子c。第六控制装置26导电地连接到第六功率半导体开关t6的栅极g并且具有第六二极管d6，第六二极管d6的电气地面向第六功率半导体开关t6的二极管端子导电地连接到集成电路9的第四端子a4，集成电路9的第四端子a4导电地连接到第六功率半导体开关t6的第一负载电流端子c。因此，二极管d1、d2、d3、d4、d5和d6是集成电路9的一部分，结果是对二极管d1、d2、d3、d4、d5和d6的空间要求非常小。
46.相应的控制装置21、22、23、24、25或26优选地具有相应的栅极串联电阻器r1、r2、r3、r4、r5或r6，相应的控制装置21、22、23、24、25或26的相应的剩余部分21'、22'、23'、24'、25'或26'经由相应的栅极串联电阻器r1、r2、r3、r4、r5或r6导电地连接到相应的功率半导体开关t1、t2、t3、t4、t5或t6的栅极g。因此，栅极串联电阻器r1、r2、r3、r4、r5和r6是集成电路9的一部分，结果是对栅极串联电阻器r1、r2、r3、r4、r5和r6的空间要求非常小。
47.集成电路9优选地具有初级侧32和次级侧33，其与初级侧dc隔离或以高电阻隔离。控制装置21、22、23、24、25和26优选地布置在次级侧33上。次级侧33导电地连接到功率半导体开关t1、t2、t3、t4、t5和t6。初级侧32优选地具有信号匹配电路30，该信号匹配电路30将由其接收并与控制装置21、22、23、24、25和26相关联的控制信号a和电压极限值确定命令sb的信号水平相匹配，并且将分别与其相关联的电压极限值确定命令sb和分别与其相关联的控制信号a发送到相应的控制装置21、22、23、24、25或26。
48.应当提及的是，相应的控制装置21、22、23、24、25或26还可以在内部具有初级侧和
次级侧，次级侧从初级侧dc隔离或以高电阻隔离。在这种情况下，初级侧优选地具有信号匹配电路，该信号匹配电路将由其接收的电压极限值确定命令sb的信号电平与控制信号a相匹配，并将其发送到次级侧，次级侧导电地连接到相应的功率半导体开关t1、t2、t3、t4、t5或t6。