一种封装基板线路的制备方法与流程

1.本发明涉及了pcb板技术领域，具体的是一种封装基板线路的制备方法。


背景技术：

2.随着电路板线路持续朝向更细小的线路精度发展，电路板上形成的线路更细，线路之间的间隙更窄，因而后续于线路层上进行线路增层时，介电层不易填满线路间的间隙，易有气泡残留于其中，严重影响所形成的电路板的可靠度。且由于细线路的线宽更细，其底部与介电层结合的面积更小，存在结合性较差的问题。且由于导电层作为电镀时的电流传导路径，流经导电层不同部位的电流密度不同，导致导电层上电镀金属以形成的线路层的厚度不均匀，影响线路层表面的平整性，进而影响电性质量。


技术实现要素：

3.为了克服现有技术中的缺陷，本发明实施例提供了一种封装基板线路的制备方法，其用于解决以上问题中的至少一种。
4.本技术实施例公开了一种封装基板线路的制备方法，该制备方法通过增加了于所述第一介电层中以化学沉积方式形成多层化镀金属以构成多层化镀金属线路层，增加多层化镀金属线路层与第一介电层的接着面积，相较于现有技术中只对所述第二介电层中通过化学沉积方式形成多层化镀金属，使得第二介电层与线路结构的结合力更好；且避免介电层不易填充于线路的间隙中而于电路板中残留气泡的缺失。此外，本技术采用化学沉积方式形成线路结构，相较于现有技术能使线路结构厚度的均匀性更好以便于形成更细的线路。
5.其中，一种封装基板线路的制备方法，包括以下步骤：
6.提供一电路板，所述电路板的表面设有导电铜层；
7.于所述导电铜层表面形成第一介电层，且在所述第一介电层中开设第一开口，以显露所述导电铜层的部分表面；
8.于所述第一开口中以化学沉积方式形成导电线路；
9.移除所述第一介电层及其覆盖的所述导电铜层，以形成覆盖于所述电路板表面的线路；
10.于所述电路板表面形成第二介电层；
11.于所述第二介电层表面形成第三介电层，且在所述第三介电层中间隔开设有第二开口及第三开口；
12.于所述第二开口及所述第三开口中形成化镀金属线路层。
13.进一步的，在步骤“移除所述第一介电层及其覆盖的所述导电铜层，以形成覆盖于所述电路板表面的线路”中，通过化学清洗的方式移除所述第一介电层及其覆盖的所述导电铜层。
14.进一步的，在步骤“于所述电路板表面形成第二介电层”后，包括以下步骤：
15.于所述第二介电层中开设第四开口，以显露所述线路的部分表面；
16.于所述第四开口中以化学沉积的方式形成导电盲孔。
17.进一步的，在步骤“于所述电路板表面形成第二介电层”后，包括以下步骤：
18.于所述第二介电层中开设第四开口，以显露所述线路的部分表面；
19.于所述第二介电层及所述线路露出的部分表面上形成第三介电层。
20.进一步的，在步骤“于所述电路板表面形成第二介电层”后，包括以下步骤：
21.于所述第二介电层表面形成第三介电层。
22.在步骤“于所述第二介电层表面形成第三介电层，且在所述第三介电层中间隔开设有第二开口及第三开口”后，还包括以下步骤：
23.于所述第二开口中的第二介电层中形成第四开口以露出所述线路层；
24.于所述第四开口中形成导电盲孔。
25.进一步的，所述导电线路的材质为铜(cu)\镍(ni)\铜(cu)之三层金属、铜(cu)\镍(ni)\ 金(au)\铜(cu)之四层金属、及铜(cu)\镍(ni)\钯(pd)\金(au)\铜(cu)之五层金属的其中之一，所述导电盲孔的材质为铜(cu)\镍(ni)\铜(cu)之三层金属、铜(cu)\镍(ni)\ 金(au)\铜(cu)之四层金属、及铜(cu)\镍(ni)\钯(pd)\金(au)\铜(cu)之五层金属的其中之一。
26.进一步的，所述第一开口、所述第二开口及所述第三开口均可通过镭射钻孔或曝光显影的方式形成。
27.进一步的，所述第一介电层、所述第二介电层及所述第三介电层的材质均可为感光或非感光性材质。
28.进一步的，所述化镀金属线路层通过化学沉积的方式形成，所述化镀金属线路层的材质为铜(cu)\镍(ni)\铜(cu)之三层金属、铜(cu)/镍(ni)\金(au)\铜(cu)之四层金属、及铜(cu)\镍(ni)\钯(pd)\金(au)\铜(cu)之五层金属的其中之一。
29.本发明的有益效果如下：
30.该制备方法通过增加了于所述第一介电层中以化学沉积方式形成多层化镀金属以构成多层化镀金属线路层，增加多层化镀金属线路层与第一介电层的接着面积，相较于现有技术中只对所述第二介电层中通过化学沉积方式形成多层化镀金属，使得第二介电层与线路结构的结合力更好；且避免介电层不易填充于线路的间隙中而于电路板中残留气泡的缺失。此外，本技术采用化学沉积方式形成线路结构，相较于现有技术能使线路结构厚度的均匀性更好以便于形成更细的线路。
31.为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
32.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
33.图1a至图1h是本发明实施例1的制备工序图；
34.图2a至图2d是本发明实施例2的部分制备工序图；
35.图3a至图3d是本发明实施例3的部分制备工序图。
36.以上附图的附图标记：10、电路板；11、导电铜层；12、第一介电层；120、第一开口； 13、导电线路；14、线路；15、第二介电层；150、第四开口；16、导电盲孔；17、第三介电层；170、第二开口；171、第三开口；18、化镀金属线路层。
具体实施方式
37.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
38.需要说明的是，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或隐含地包括一个或者更多个该特征。
39.本技术所述的封装基板线路的制备方法，该制备方法通过增加了于所述第一介电层中以化学沉积方式形成多层化镀金属以构成多层化镀金属线路层，增加多层化镀金属线路层与第一介电层的接着面积，相较于现有技术中只对所述第二介电层中通过化学沉积方式形成多层化镀金属，使得第二介电层与线路结构的结合力更好；且避免介电层不易填充于线路的间隙中而于电路板中残留气泡的缺失。此外，本技术采用化学沉积方式形成线路结构，相较于现有技术能使线路结构厚度的均匀性更好以便于形成更细的线路。
40.下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。
41.本实施例所述封装基板线路的制备方法，包括以下步骤：
42.提供一电路板，所述电路板的表面设有导电铜层；
43.于所述导电铜层表面形成第一介电层，且在所述第一介电层中开设第一开口，以显露所述导电铜层的部分表面；
44.于所述第一开口中以化学沉积方式形成导电线路；
45.移除所述第一介电层及其覆盖的所述导电铜层，以形成覆盖于所述电路板表面的线路；
46.于所述电路板表面形成第二介电层；
47.于所述第二介电层表面形成第三介电层，且在所述第三介电层中间隔开设有第二开口及第三开口；
48.于所述第二开口及所述第三开口中形成化镀金属线路层。
49.实施例1：
50.结合图1a至图1h，所述封装基板线路的制备方法，包括以下步骤：
51.首先，工作人员提供一电路板。所述电路板的表面设有导电铜层。
52.其次，于所述导电铜层表面形成第一介电层。所述第一介电层材质可为感光或非感光性材质，具体可为abf(ajinomotobuild-up film)、环氧树脂(epoxy resin)、聚乙酰胺 (polyimide)、氰酯(cyanate ester)、玻璃纤维、双顺丁烯二酸酰亚胺/三氮阱 (bismaleimide triazine,bt)或混合环氧树脂与玻璃纤维的fr5材质。且在所述第一介电
层中开设第一开口，以显露所述导电铜层的部分表面。所述第一开口通过镭射钻孔或曝光显影的方式形成。
53.其次，于所述第一开口中以化学沉积方式形成导电线路。所述导电线路的材质为铜(cu)\ 镍(ni)\铜(cu)之三层金属、铜(cu)\镍(ni)\金(au)\铜(cu)之四层金属、及铜(cu)\镍 (ni)\钯(pd)\金(au)\铜(cu)之五层金属的其中之一。
54.其次，以化学清洗的方式移除所述第一介电层及其覆盖的所述导电铜层，仅保留所述导电线路及与其接触的部分所述导电铜层，进而形成覆盖于所述电路板表面的线路。
55.其次，于所述电路板表面形成第二介电层。且于所述第二介电层中开设第四开口，以显露所述线路的部分表面。所述第四开口通过雷射钻孔或曝光显影的方式形成。再于所述第四开口中以化学沉积的方式形成导电盲孔。
56.然后，于所述第二介电层表面形成第三介电层。且在所述第三介电层中间隔开设有第二开口及第三开口。其中，所述第二开口对应所述第一开口以露出所述导电盲孔的上表面。所述第二开口和所述第三开口通过雷射钻孔或曝光显影的方式形成。
57.最后，于所述第二开口及所述第三开口中形成化镀金属线路层，使所述多层化镀金属线路层电性连接所述导电盲孔，进而电性连接所述电路板的线路层，从而使所述多层化镀金属线路层由所述导电盲孔电性连接所述附加电路板的线路层。
58.实施例2：
59.结合图1a至图1d，图2a至图2d，所述封装基板线路的制备方法，包括以下步骤：
60.首先，工作人员提供一电路板。所述电路板的表面设有导电铜层。
61.其次，于所述导电铜层表面形成第一介电层。所述第一介电层材质可为感光或非感光性材质，具体可为abf(ajinomotobuild-up film)、环氧树脂(epoxy resin)、聚乙酰胺 (polyimide)、氰酯(cyanate ester)、玻璃纤维、双顺丁烯二酸酰亚胺/三氮阱 (bismaleimide triazine,bt)或混合环氧树脂与玻璃纤维的fr5材质。且在所述第一介电层中开设第一开口，以显露所述导电铜层的部分表面。所述第一开口通过雷射钻孔或曝光显影的方式形成。
62.其次，于所述第一开口中以化学沉积方式形成导电线路。所述导电线路的材质为铜(cu)\ 镍(ni)\铜(cu)之三层金属、铜(cu)\镍(ni)\金(au)\铜(cu)之四层金属、及铜(cu)\镍 (ni)\钯(pd)\金(au)\铜(cu)之五层金属的其中之一。
63.其次，以化学清洗的方式移除所述第一介电层及其覆盖的所述导电铜层，仅保留所述导电线路及与其接触的部分所述导电铜层，进而形成覆盖于所述电路板表面的线路。
64.其次，于所述电路板表面形成第二介电层。再于所述第二介电层中开设第四开口，以显露所述线路的部分表面。所述第四开口通过镭射钻孔或曝光显影的方式形成。再于所述第二介电层及所述线路露出的部分表面上形成第三介电层。
65.然后，于所述第二介电层表面形成第三介电层。且在所述第三介电层中间隔开设有第二开口及第三开口。其中，所述第二开口对应所述第四开口以露出所述导电盲孔的上表面。所述第二开口和所述第三开口通过镭射钻孔或曝光显影的方式形成。
66.最后，于所述第二开口及所述第三开口中形成化镀金属线路层。且于所述第四开口中形成导电盲孔，以电性连接所述线路层，从而使所述多层化镀金属线路层由所述导电盲孔电性连接所述附加电路板的线路层。
67.实施例3：
68.结合图1a至图1d，图3a至图3d，所述封装基板线路的制备方法，包括以下步骤：
69.首先，工作人员提供一电路板。所述电路板的表面设有导电铜层。
70.其次，于所述导电铜层表面形成第一介电层。所述第一介电层材质可为感光或非感光性材质，具体可为abf(ajinomotobuild-up film)、环氧树脂(epoxy resin)、聚乙酰胺 (polyimide)、氰酯(cyanate ester)、玻璃纤维、双顺丁烯二酸酰亚胺/三氮阱 (bismaleimide triazine,bt)或混合环氧树脂与玻璃纤维的fr5材质。且在所述第一介电层中开设第一开口，以显露所述导电铜层的部分表面。所述第一开口通过镭射钻孔或曝光显影的方式形成。
71.其次，于所述第一开口中以化学沉积方式形成导电线路。所述导电线路的材质为铜(cu)\ 镍(ni)\铜(cu)之三层金属、铜(cu)\镍(ni)\金(au)\铜(cu)之四层金属、及铜(cu)\镍 (ni)\钯(pd)\金(au)\铜(cu)之五层金属的其中之一。
72.其次，以化学清洗的方式移除所述第一介电层及其覆盖的所述导电铜层，仅保留所述导电线路及与其接触的部分所述导电铜层，进而形成覆盖于所述电路板表面的线路。
73.其次，于所述电路板表面形成第二介电层。再于所述第二介电层表面形成第三介电层。且在所述第三介电层中间隔开设有第二开口及第三开口。其中，于所述第二开口中的第二介电层中形成第四开口以露出所述线路层。所述第二开口、所述第三开口及所述第四开口通过镭射钻孔或曝光显影的方式形成。
74.最后，以化学沉积的方式于所述第四开口中形成导电盲孔，以电性连接所述线路层。且于所述第二开口及所述第三开口中形成化镀金属线路层，以使所述多层化镀金属线路层由所述导电盲孔电性连接所述附加电路板的线路层。
75.具体的，在本实施例中，所述导电线路的材质为铜(cu)\镍(ni)\铜(cu)之三层金属、铜(cu)\镍(ni)\金(au)\铜(cu)之四层金属、及铜(cu)\镍(ni)\钯(pd)\金(au)\铜(cu) 之五层金属的其中之一。
76.在一个优选的实施方式中，所述导电盲孔的材质为铜(cu)\镍(ni)\铜(cu)之三层金属、铜(cu)\镍(ni)\金(au)\铜(cu)之四层金属、及铜(cu)\镍(ni)\钯(pd)\金(au)\ 铜(cu)之五层金属的其中之一。
77.具体的，在本实施例中，所述第一开口、所述第二开口及所述第三开口均通过镭射钻孔或曝光显影的方式形成。
78.具体的，在本实施例中，所述第一介电层、所述第二介电层及所述第三介电层的材质均可为感光或非感光性材质。
79.具体的，在本实施例中，所述化镀金属线路层通过化学沉积的方式形成，所述化镀金属线路层的材质为铜(cu)\镍(ni)\铜(cu)之三层金属、铜(cu)/镍(ni)\金(au)\铜(cu)之四层金属、及铜(cu)\镍(ni)\钯(pd)\金(au)\铜(cu)之五层金属的其中之一。
80.该制备方法通过增加了于所述第一介电层中以化学沉积方式形成多层化镀金属以构成多层化镀金属线路层，增加多层化镀金属线路层与第一介电层的接着面积，相较于现有技术中只对所述第二介电层中通过化学沉积方式形成多层化镀金属，使得第二介电层与线路结构的结合力更好；且避免介电层不易填充于线路的间隙中而于电路板中残留气泡的缺失。此外，本技术采用化学沉积方式形成线路结构，相较于现有技术能使线路结构厚度
的均匀性更好以便于形成更细的线路。
81.本发明中应用了具体实施例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。