应用于透明电磁屏蔽的混合随机结构金属网栅生成方法

1.本技术涉及透明导电与电磁屏蔽网栅结构设计技术领域，特别是涉及应用于透明电磁屏蔽的混合随机结构金属网栅生成方法。


背景技术：

2.当今社会中各种电子设备对于光电性能的要求日益增多，尤其在透明电磁屏蔽领域，对光学透明情况下诸如机舱、光学传感器、保密光学观察窗、各种透明触摸屏和精密光学镜头等的电磁屏蔽性能都提出了一定的要求。特别是某些精密光学镜头和传感器，不但对光学透明度和电磁屏蔽性能有较高的要求，同时要求具备良好的成像质量，因此需要高次衍射能量尽可能低。目前大部分透明屏蔽材料以ito为主，但近年来随着加工工艺的提升和相关理论技术的发展，金属网栅显示了强大的优越性而有望取代ito。
3.金属网栅是在二维方位面上进行金属网栅线的联通排布且同时具有高透光率和一定水平的电磁屏蔽性能，其在结构上一般呈诸如方格型、正六边形、圆环形以及砖墙型等规则周期性图案排布。对于金属网栅这种非连续透明导电薄膜而言，由于其规则的二维网栅周期图案使得光学高次衍射能量沿着网栅方向集中分布而形成莫尔条纹，这大大降低了光学成像质量。而在一些精密光学传感器和光学镜头中对于成像要求质量很高，这需要采取措施降低或者消除高次衍射能量的影响。既然由于网栅的规则形状周期性排布带来了光学高次衍射能量集中分布引起的莫尔条纹从而降低了成像质量，因此可以通过改变或者破坏网栅的周期性结构排布以抑制莫尔条纹的产生。
4.在消除金属网栅的莫尔条纹方面不少学者进行了深入的研究，有采用多种圆环嵌套排布或多周期结构来降低高次衍射能量分布，但在整体上依然是周期性结构排布，因此未能从根本上实现莫尔条纹的抑制。也有部分科研人员通过生成随机四边形/随机六边形图形结构破坏周期性排布来降低高次衍射能量集中分布从而在消除莫尔条纹方面取得了不错的效果，但是这种随机四边形/随机六边形排布结构是通过在规则图形的基础上仅对顶点进行随机可控偏移获得随机分布图案，因此其随机性仍然有待改进。


技术实现要素：

5.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提升金属网栅图案的随机性分布从而抑制莫尔干涉条纹产生的应用于透明电磁屏蔽的混合随机结构金属网栅生成方法。
6.一种应用于透明电磁屏蔽的混合随机结构金属网栅生成方法，所述方法包括：
7.在预设尺寸的矩形平面中生成多个边数相等的正多边形周期性排布的网栅结构；
8.根据所述网栅结构中各正多边形的各顶点为圆心分别生成半径相等的圆环，且各圆环均不重叠或交错，并将处于圆环内部的正多边形的边消除；
9.分别对各所述圆环的圆心位置进行随机偏移，同时还对各所述圆环的半径进行随机变化以生成圆环-多边形混合随机金属网栅结构。
10.在其中一实施例中，所述正多边形为正六边形。
11.在其中一实施例中，生成多个边数相等的正多边形周期性排布的网栅结构包括：
12.获取矩形平面水平方向尺寸、垂直方向尺寸以及正六边形的预设边长；
13.根据所述正六边形的预设边长分别与所述矩形平面水平方向尺寸以及垂直方向尺寸进行计算，得到所述网栅结构在预设尺寸的矩形平面中水平方向以及垂直方向的顶点数量；
14.根据所述水平方向以及垂直方向的顶点数量进行计算，得到各所述正六边形的各顶点的位置坐标；
15.按照各顶点的位置坐标，将各个相邻的顶点进行连接以生成多个边数相等的正六边形周期性排布的网栅结构。
16.在其中一实施例中，根据所述正六边形的预设边长以及所述矩形平面水平方向尺寸进行计算，得到预设尺寸的矩形平面中水平方向的顶点数量，采用以下公式：
17.i＝abs(size_l/(1.5l))+1
18.根据所述正六边形的预设边长以及所述矩形平面垂直方向尺寸进行计算，得到预设尺寸的矩形平面中垂直方向的顶点数量，采用以下公式：
[0019][0020]
在以上两个公式中，size_l为矩形平面水平方向尺寸，size_v为矩形平面垂直方向尺寸，l为正六边形的预设边长，i为水平方向的顶点数量，j为垂直方向的顶点数量，abs()表示取其绝对值。
[0021]
在其中一实施例中，根据所述水平方向以及垂直方向的顶点数量进行计算，得到各所述正六边形的各顶点的位置坐标包括：各所述顶点位置为二维矩阵j
×
i 分布，则各所述顶点所在位置表示为(p_l
ji
,p_v
ji
)，其中p_l
ji
表示顶点水平方向的坐标，p_v
ji
表示顶点垂直方向的坐标；
[0022]
当计算的第i个顶点为奇数而对应的j为偶数时，则采用公式： p_l
ji
＝1.5l
×
(i-1)-l/4；当对应的j为奇数，则采用公式： p_l
ji
＝1.5l
×
(i-1)+l/4；
[0023]
当计算的第i个顶点为偶数而对应的j为偶数时，则采用公式： p_l
ji
＝1.5l
×
(i-1)+l/4；当对应的j为奇数，则采用公式： p_l
ji
＝1.5l
×
(i-1)-l/4；
[0024]
而在计算顶点垂直方向的坐标时，则采用公式：
[0025]
在其中一实施例中，根据所述网栅结构中各正多边形的各顶点为圆心分别生成半径相等的圆环时，此时生成圆环的半径应小于或等于正六边形边长的一半。
[0026]
在其中一实施例中，所述对各所述圆环的圆心位置进行随机偏移包括对圆心位置在水平方向和垂直方向进行随机偏移，采用以下公式：
[0027]
sp_l
j,i
＝p_l
j,i
+0.75
×
l
×
(2
×
rand(1)-1)
×
factor1/2
[0028][0029]
在上式中，sp_l
ji
为水平方向随机偏移后的圆心位置，sp_v
ji
为垂直方向随机偏移后的圆心位置，p_l
ji
为偏移前水平方向圆心位置，p_v
ji
为偏移前垂直方向的圆心位置，
rand(1)为均匀随机生成任意数值的函数，factor1为圆心偏移系数，通过调整所述偏移系数的大小以随机调节圆心偏移的幅度大小。
[0030]
在其中一实施例中，所述对各所述圆环的半径进行随机变化采用以下公式：
[0031]
r0_rand
ji
＝r0
ji
×
factor2+r0
ji
×
(1-factor2)
×
rand(1)
[0032]
在上式中，r0_rand
ji
为任意圆环半径大小随机调整后的半径大小，rand(1) 为均匀随机生成任意数值的函数，factor2为半径缩放因子，通过调整所述缩放因子的大小来调整随机圆环半径大小的范围。
[0033]
在其中一实施例中，根据所述rand(1)函数均匀随机生成的任意数值在0-1之间；
[0034]
所述圆心偏移系数factor1以及半径缩放因子factor2的取值均在0-1之间。
[0035]
本技术还提供了一种用于透明电磁屏蔽的金属网栅结构设计装置，所述装置包括：
[0036]
规则网栅结构生成模块，用于在预设尺寸的矩形平面中生成多个边数相等的正多边形周期性排布的网栅结构；
[0037]
圆环-多边形网栅结构生成模块，用于根据所述网栅结构中各正多边形的各顶点为圆心分别生成半径相等的圆环，且各圆环均不重叠或交错，并将处于圆环内部的正多边形的边消除；
[0038]
圆环-多边形混合随机网栅结构生成模块，用于分别对各所述圆环的圆心位置进行随机偏移，同时还对各所述圆环的半径进行随机变化以生成圆环-多边形混合随机金属网栅结构。
[0039]
一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：
[0040]
在预设尺寸的矩形平面中生成多个边数相等的正多边形周期性排布的网栅结构；
[0041]
根据所述网栅结构中各正多边形的各顶点为圆心分别生成半径相等的圆环，且各圆环均不重叠或交错，并将处于圆环内部的正多边形的边消除；
[0042]
分别对各所述圆环的圆心位置进行随机偏移，同时还对各所述圆环的半径进行随机变化以生成圆环-多边形混合随机金属网栅结构。
[0043]
一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
[0044]
在预设尺寸的矩形平面中生成多个边数相等的正多边形周期性排布的网栅结构；
[0045]
根据所述网栅结构中各正多边形的各顶点为圆心分别生成半径相等的圆环，且各圆环均不重叠或交错，并将处于圆环内部的正多边形的边消除；
[0046]
分别对各所述圆环的圆心位置进行随机偏移，同时还对各所述圆环的半径进行随机变化以生成圆环-多边形混合随机金属网栅结构。
[0047]
上述应用于透明电磁屏蔽的混合随机结构金属网栅生成方法，通过先在预设的矩形平面内生成周期性排列的多个正多边形的网栅结构，再以各正多边形的顶点为圆心生成圆环，最后对各圆环的圆心位置均进行随机的偏移同时还对各圆环的半径大小进行随机的变化最后生成圆环-多边形混合随机金属网栅结构。在整个生成过程中，叠加了两次随机变量，因此最后得到的网栅结构图像的随机性得到了极大的增强，这样可以更好的消除莫尔条纹以提高成像质量。
附图说明
[0048]
图1为一个实施例中金属网栅结构设计方法的流程示意图；
[0049]
图2为一个实施例中生成的正六边形网格图案示意图；
[0050]
图3为实施例1中的全圆环结构的网格图案示意图；
[0051]
图4为实施例1中的规则圆环混合六边形结构的网栅图案示意图；
[0052]
图5为实施例2中的随机圆环混合规则六边形结构网格图案示意图；
[0053]
图6为实施例3中的随机圆环混合随机六边形结构网格图案示意图；
[0054]
图7为一个实施例中金属网栅结构设计装置的结构框图；
[0055]
图8为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
[0056]
为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0057]
由于应用于透明电磁屏蔽领域的金属网栅，其金属网栅线的联通排布结构会影响光学成像质量。因为当金属网栅的二维结构为方格型、正六边形、圆环形以及砖墙型等规则周期性图案排布时，对于金属网栅这种非连续透明导电薄膜而言，其规则的二维网栅周期图案会使得光学高次衍射能量沿着网栅方向集中分布而形成莫尔条纹，从而大大降低了光学成像质量。
[0058]
针对上述问题，如图1所示，本技术中提供了一种应用于透明电磁屏蔽的混合随机结构金属网栅生成方法，包括以下步骤：
[0059]
步骤s100，在预设尺寸的矩形平面中生成多个边数相等的正多边形周期性排布的网栅结构；
[0060]
步骤s110，根据网栅结构中各正多边形的各顶点为圆心分别生成半径相等的圆环，且各圆环均不重叠或交错，并将处于圆环内部的正多边形的边消除；
[0061]
步骤s120，分别对各圆环的圆心位置进行随机偏移，同时还对各圆环的半径进行随机变化以生成圆环-多边形混合随机金属网栅结构。
[0062]
在本技术中，通过上述步骤可生成随意布局的圆环-多边形混合网栅结构，并且通过本技术中的方法可以大大提升网栅图案的随机性分布，从而抑制莫尔条纹的产生以提高光学传感器及光学镜头的成像质量。
[0063]
在步骤100中，先在预设大小的矩形平面中生成多个边数相等的正多边形周期排布的网栅结构。其中，正多变形可以是正三角形、正四角形或者正六边形，在本文中，以正六边形为例进行说明。
[0064]
进一步的，生成多个边数相等的正多边形周期性排布的网栅结构包括：获取矩形平面水平方向尺寸、垂直方向尺寸以及正六边形的预设边长，根据正六边形的预设边长分别与矩形平面水平方向尺寸以及垂直方向尺寸进行计算，得到网栅结构在预设尺寸的矩形平面中水平方向以及垂直方向的顶点数量，根据水平方向以及垂直方向的顶点数量进行计算，得到各正六边形的各顶点的位置坐标，按照各顶点的位置坐标，将各个相邻的顶点进行连接以生成多个边数相等的正六边形周期性排布的网栅结构。
[0065]
在本实施例中，通过计算得到矩形平面水平方向和垂直方向上各正六边形顶点的数量，其中根据正六边形的预设边长以及所述矩形平面水平方向尺寸进行计算，得到预设尺寸的矩形平面中水平方向的顶点数量，采用以下公式：
[0066]
i＝abs(size_l/(1.5l))+1
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)
[0067]
根据正六边形的预设边长以及矩形平面垂直方向尺寸进行计算，得到预设尺寸的矩形平面中垂直方向的顶点数量，采用以下公式：
[0068][0069]
在公式(1)和公式(2)中，size_l为矩形平面水平方向尺寸，size_v为矩形平面垂直方向尺寸，l为正六边形的预设边长，i为水平方向的顶点数量，j为垂直方向的顶点数量，abs()表示取其绝对值。
[0070]
在计算得到各正六边形网络结构在预设矩形平面内水平和垂直方向的顶点数之后，根据各顶点的位置是以二维矩阵j
×
i分布则可根据平方向以及垂直方向的顶点数量进行计算，得到各正六边形的各顶点的位置坐标。
[0071]
将各顶点所在位置坐标表示为(p_l
ji
,p_v
ji
)，其中p_l
ji
表示顶点水平方向的坐标，p_v
ji
表示顶点垂直方向的坐标。
[0072]
当计算的第i个顶点为奇数而对应的j为偶数时，则采用公式： p_l
ji
＝1.5l
×
(i-1)-l/4；当对应的j为奇数，则采用公式： p_l
ji
＝1.5l
×
(i-1)+l/4；
[0073]
当计算的第i个顶点为偶数而对应的j为偶数时，则采用公式： p_l
ji
＝1.5l
×
(i-1)+l/4；当对应的j为奇数，则采用公式： p_l
ji
＝1.5l
×
(i-1)-l/4；
[0074]
例如，需要计算水平方向第一个顶点，同时垂直方向也是第一个顶点的水平方向位置坐标时，则采用公式p_l
ji
＝1.5l
×
(i-1)+l/4；而当计算水平方向第二个顶点，而垂直方向第四个顶点的水平方向位置坐标时，则采用公式 p_l
ji
＝1.5l
×
(i-1)+l/4。
[0075]
而在计算对应垂直方向位置坐标则采用公式该公式只与垂直方向的顶点位置相关。
[0076]
通过以上公式可以依次计算出每个顶点的坐标位置，再将相邻的顶点进行连线就可以得到周期排布的如蜂窝状的正六边形规则网栅结构，如图2所示。
[0077]
在步骤s100中，还可预先对正六边形的边宽进行设置。
[0078]
在步骤s110中，根据步骤s100中生成的网栅结构中各正六边形的各顶点为圆心分别生成半径相等的圆环，而各圆环的半径应小于或等于正六边形边长的一半。
[0079]
具体的，在生成圆环以后，再将圆环内六边形的顶点和线条都去掉，这样形成了六边形连接的圆环图案结构。该圆环叠加六边形组合结构中，所有圆环均不重叠或交错，因此要求所有圆环的半径不大于与之相邻的三条边最小边长的一半，即：r0≤min(l_1,l_2,l_3)/2其中l_1、l_2和l_3分别是该圆环所在圆心的六边形顶点的三条相邻的六边形边长。对于规则的正六边形，则有： l_1＝l_2＝l_3＝l。
[0080]
在步骤s120中，对各圆环的圆心位置进行随机偏移，圆心位置也就是正六边形的顶点位置，在对其进行偏移时包括分别在水平方向和垂直方向进行随机偏移，采用以下公式：
[0081]
sp_l
j,i
＝p_l
j,i
+0.75
×
l
×
(2
×
rand(1)-1)
×
factor1/2
ꢀꢀꢀꢀ
(3)
[0082][0083]
在公式(3)和公式(4)中，sp_l
ji
为水平方向随机偏移后的圆心位置，sp_v
ji
为垂直方向随机偏移后的圆心位置，p_l
ji
为偏移前水平方向圆心(也就是原六边形顶点)位置，p_v
ji
为偏移前垂直方向的圆心(也就是原六边形顶点)位置， rand(1)为均匀随机生成任意数值的函数，factor1为圆心偏移系数，通过调整偏移系数的大小以随机调节圆心偏移的幅度大小。
[0084]
在将每个圆环的圆心进行位置偏移后，得到偏移后的圆心位置，然后对各圆环的半径大小进行随机变化，采用以下公式：
[0085]
r0_rand
ji
＝r0
ji
×
factor2+r0
ji
×
(1-factor2)
×
rand(1)
ꢀꢀꢀꢀ
(5)
[0086]
在公式(5)中，r0_rand
ji
为任意圆环半径大小随机调整后的半径大小，r0
ji
为各圆环的初始半径，rand(1)为均匀随机生成任意数值的函数，factor2为半径缩放因子，通过调整缩放因子的大小来调整随机圆环半径大小的范围。
[0087]
而每个圆环的初始半径r0
ji
均满足0＜r0
ji
≤min(l_1
ji
，l_2
ji
，l_3
ji
)/2，其中 l_1
ji
、l_2
ji
和l_3
ji
分别为六边形顶点随机偏移后连接顶点的三个边长的长度。
[0088]
在本实施例中，根据rand(1)函数均匀随机生成的任意数值在0-1之间，而圆心偏移系数factor1以及半径缩放因子factor2的取值均在0-1之间。在对各圆环的圆心位置进行偏移及半径大小进行变化调整时，通过控制圆心偏移系数以及半径缩放因子来控制相应的网栅结构的随机程度，具有极大的灵活性。
[0089]
接下来，利用实施例结合附图对本方法做进一步的说明：
[0090]
实施例1，在生成如图2所示的规则六边形网栅结构之后，在六边形结构的基础上每个顶点位置叠加圆环结构，形成了圆环-六边形混合网栅结构。再进行如下系数设置：
[0091]
令偏移因子factor1＝0，同时r0
ji
＝max(r0)，半径缩放因子factor2＝1。
[0092]
这样就得到了如图3所示全圆环规则网栅结构图案。
[0093]
另外，令factor1＝0，同时r0
ji
＝0.8
×
max(r0)，半径缩放因子factor2＝1。
[0094]
这样得到了如图4所示的圆环-六边形混合规则网栅结构图案。
[0095]
实施例2：
[0096]
在生成图2所示的规则六边形网栅结构之后，在六边形结构每个顶点位置叠加圆环结构，形成了圆环-六边形混合网栅结构。然后再进行如下系数设置：
[0097]
令偏移因子factor1＝0，同时r0
ji
＝max(r0)，半径缩放因子factor2＝0.8。
[0098]
这样得到了如图5所示的随机圆环混合规则六边形结构网格图案。
[0099]
实施例3：
[0100]
在生成图2所示的规则六边形网栅结构之后，在六边形结构每个顶点位置叠加圆环结构，形成了圆环-六边形混合网栅结构。然后再进行如下系数设置：
[0101]
令偏移因子factor1＝0.9，同时r0
ji
＝min(l_1
ji
，l_2
ji
，l_3
ji
)/2，半径缩放因子 factor2＝0.6。
[0102]
这样得到了如图6所示的随机圆环混合随机六边形结构网格图案。
[0103]
以上3个实施例的描述，是基于该圆环-六边形混合结构随机图案生成的几个生成特例，说明了该发明中生成方案的有效性。还说明可以通过发明中其中系数参数的控制可以随意生成相应的混合网络图案结构，具有极大灵活性。上面提到的圆环-六边形混合随机结构仅仅只是圆环-多边形混合随机结构网栅其中一个应用方面，同样也可应用在圆环-四边形混合随机网栅结构等其他圆环-多边形混合随机网栅结构中，其核心原理一致。
[0104]
上述应用于透明电磁屏蔽的混合随机结构金属网栅生成方法中，通过上述的方法步骤，可以用随机半径大小圆环混合叠加随机顶点位置偏移的六边形图案网格，并通过相应的圆心偏移系数和半径缩放因子大小的调整控制，生成所需的混合结构的随机网栅图案。相对之前随机交叠圆环网栅图案和随机四边形/ 六边形网栅图案，首次提出随机圆环和随机多边形混合叠加的随机网栅图案。在本利用方法生成金属网栅结构时，叠加了两次随机变量，因此其图案随机性得到大大增强，并且通过控制偏移系数和半径缩放因子来控制相应的网栅图案的随机程度，具有极大的灵活性。
[0105]
应该理解的是，虽然图1的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
[0106]
在一个实施例中，如图7所示，提供了一种用于透明电磁屏蔽的金属网栅结构设计装置，包括：规则网栅结构生成模块200、圆环-多边形网栅结构生成模块210和圆环-多边形混合随机网栅结构生成模块220，其中：
[0107]
规则网栅结构生成模块200，用于在预设尺寸的矩形平面中生成多个边数相等的正多边形周期性排布的网栅结构；
[0108]
圆环-多边形网栅结构生成模块210，用于根据所述网栅结构中各正多边形的各顶点为圆心分别生成半径相等的圆环，且各圆环均不重叠或交错，并将处于圆环内部的正多边形的边消除；
[0109]
圆环-多边形混合随机网栅结构生成模块220，用于分别对各所述圆环的圆心位置进行随机偏移，同时还对各所述圆环的半径进行随机变化以生成圆环-多边形混合随机金属网栅结构。
[0110]
关于应用于透明电磁屏蔽的混合随机结构金属网栅生成装置的具体限定可以参见上文中对于应用于透明电磁屏蔽的混合随机结构金属网栅生成方法的限定，在此不再赘述。上述应用于透明电磁屏蔽的混合随机结构金属网栅生成装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
[0111]
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图8所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、网络接口、显示屏和输入装置。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程
序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种应用于透明电磁屏蔽的混合随机结构金属网栅生成方法。该计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
[0112]
本领域技术人员可以理解，图8中示出的结构，仅仅是与本技术方案相关的部分结构的框图，并不构成对本技术方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
[0113]
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：
[0114]
在预设尺寸的矩形平面中生成多个边数相等的正多边形周期性排布的网栅结构；
[0115]
根据所述网栅结构中各正多边形的各顶点为圆心分别生成半径相等的圆环，且各圆环均不重叠或交错，并将处于圆环内部的正多边形的边消除；
[0116]
分别对各所述圆环的圆心位置进行随机偏移，同时还对各所述圆环的半径进行随机变化以生成圆环-多边形混合随机金属网栅结构。
[0117]
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
[0118]
在预设尺寸的矩形平面中生成多个边数相等的正多边形周期性排布的网栅结构；
[0119]
根据所述网栅结构中各正多边形的各顶点为圆心分别生成半径相等的圆环，且各圆环均不重叠或交错，并将处于圆环内部的正多边形的边消除；
[0120]
分别对各所述圆环的圆心位置进行随机偏移，同时还对各所述圆环的半径进行随机变化以生成圆环-多边形混合随机金属网栅结构。
[0121]
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本技术所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程 rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(ram)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限， ram以多种形式可得，诸如静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步 dram(sdram)、双数据率sdram(ddrsdram)、增强型sdram (esdram)、同步链路(synchlink)dram(sldram)、存储器总线(rambus) 直接ram(rdram)、直接存储器总线动态ram(drdram)、以及存储器总线动态ram(rdram)等。
[0122]
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0123]
以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护
范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。