技术特征：
1.一种射频开关子单元，其特征在于，所述射频开关子单元包括：第一开关管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第一电容；其中所述第一电阻的一端与所述第一开关管的体端连接，所述第一电阻的另一端与所述第二晶体管的源极端连接，所述第二电阻的一端与所述第一开关管的源极端连接，所述第二电阻的另一端与所述第一开关管的漏极端连接，所述第一电容的一端与所述第一开关管的源极端连接，所述第一电容的另一端与所述第一开关管的漏极端连接，以使所述第二电阻与所述第一电容并联，所述第一开关管的栅极端与所述第二晶体管的栅极端连接，所述第二晶体管的漏极端与所述第二晶体管的栅极端连接，所述第三电阻的一端与所述第一开关管的栅极端和所述第二晶体管的栅极端的连接端连接；所述第一开关管的源极端与输入端或输出端连接，所述第一开关管的漏极端与输出端或输入端连接。2.根据权利要求1所述的射频开关子单元，其特征在于，所述第一开关管为体接触器件bc nfet。3.根据权利要求1所述的射频开关子单元，其特征在于，所述第二晶体管为pfet。4.根据权利要求3所述的射频开关子单元，其特征在于，所述第二晶体管为浮体器件fb pfet。5.一种射频开关，其特征在于，包括n条电路，所述n条电路的任意一条电路由若干个如权利要求1-4任意一项所述的射频开关子单元连接组成，其中，每个所述射频开关电路的一端分别与公共端连接，每个所述射频开关电路的另一端与接收端或发射端连接，其中，n为大于或等于2的正整数。6.根据权利要求5所述的射频开关，其特征在于，所述射频开关电路包括串联支路和并联支路；所述串联支路的一端与公共端连接，所述串联支路的另一端与发射端或接收端连接；所述并联支路的一端与接收端或发射端连接，所述并联支路的另一端接地；所述串联支路和所述并联支路均由若干个如权利要求1-4任意一项所述的射频开关子单元的连接组成。7.根据权利要求6所述的射频开关，其特征在于，所述串联支路包括m个如权利要求1-4任意一项所述的射频开关子单元，其中，m为大于或等于1的正整数；第一个所述射频开关子单元的第一开关管的源极端与接收端连接，第一个所述射频开关子单元的第一开关管的漏极端与第二个所述射频开关子单元的第一开关管的源极端连接，第二个所述射频开关子单元的第一开关管的漏极端与第m个所述射频开关子单元的第一开关管的源极端连接，第m个所述射频开关子单元的第一开关管的漏极端与公共端连接。8.根据权利要求7所述的射频开关，其特征在于，所述串联支路包括第四电阻；所述第四电阻的一端分别与每一个所述射频开关子单元的第三电阻连接，所述第四电阻的另一端与控制电平端连接。9.根据权利要求6所述的射频开关，其特征在于，所述并联支路包括k个如权利要求1-4任意一项所述的射频开关子单元，其中，k为大于或等于1的正整数；第一个所述射频开关子单元的第一开关管的源极端与接收端或发射端连接，第一个所述射频开关子单元的第一开关管的漏极端与第二个所述射频开关子单元的第一开关管的
源极端连接，第二个所述射频开关子单元的第一开关管的漏极端与第k个所述射频开关子单元的第一开关管的源极端连接，第k个所述射频开关子单元的第一开关管的漏极端与接地端连接。10.根据权利要求9所述的射频开关，其特征在于，所述并联支路还包括第五电阻；所述第五电阻的一端分别与每一个所述射频开关子单元的第三电阻连接，所述第五电阻的另一端与控制电平端连接。
技术总结
本实用新型公开了一种射频开关子单元及射频开关，所述射频开关子单元包括：第一开关管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第一电容。本实用新型在第一开关管M1的基体端与第二晶体管M2之间串接一个电阻RB，可以保证小信号的流通与处理不受影响，在此基础上，也可以避免因通路电流增大而降低功率处理能力，从而可以实现稳定输出功率的效果，同时在第一开关管M1上并联一个电容C1，对于同一支路，可以将电压均衡分配到各级联的开关管上，从而进一步增加功率处理能力。从而进一步增加功率处理能力。从而进一步增加功率处理能力。
技术研发人员：龚全熙 周勇 唐东杰 金冬
受保护的技术使用者：深圳市时代速信科技有限公司
技术研发日：2021.04.30
技术公布日：2022/5/25