技术特征：
1.一种载带截面结构，其特征在于，包括：pi膜(1)；多条线路，多条所述线路按照设计的电路结构平铺于所述pi膜(1)上，所述线路包括：种子层(2)，所述种子层(2)与所述pi膜(1)相连；连接层(3)，所述连接层(3)设于所述种子层(2)的上方，所述连接层(3)的上表面具有凹凸结构，所述连接层(3)的内部具有孔洞结构；铜层(4)，所述铜层(4)设于所述连接层(3)的上方，所述铜层(4)的一部分进入所述凹凸结构和所述孔洞结构内。2.根据权利要求1所述的载带截面结构，其特征在于，所述线路还包括：锡层(5)，一部分所述锡层(5)涂覆于所述种子层(2)和所述连接层(3)的侧面，另一部分所述锡层(5)涂覆于所述铜层(4)的外表面。3.根据权利要求2所述的载带截面结构，其特征在于，所述线路还包括：抗氧化油漆层(6)，所述抗氧化油漆层(6)涂覆于所述锡层(5)和所述pi膜(1)的外表面。4.根据权利要求1所述的载带截面结构，其特征在于，所述种子层(2)包括：底层和上层，所述底层由钨、镍、铜、钒、钼、锡、锌、钴、铁、钛、铬或其合金中的一种所制成，所述底层的下表面与所述pi膜(1)相连，所述上层由铜、金、银或其合金中的一种所制成，所述上层的下表面与所述底层的上表面相连，所述上层的上表面与所述连接层(3)相连。5.根据权利要求1所述的载带截面结构，其特征在于，所述连接层(3)为含有铝的金属混合物，所述连接层(3)的厚度为50-150纳米。6.根据权利要求1所述的载带截面结构，其特征在于，所述铜层(4)的厚度为8-12微米。7.根据权利要求4所述的载带截面结构，其特征在于，所述底层厚度为10-30纳米。8.根据权利要求4所述的载带截面结构，其特征在于，所述上层的厚度为50-100纳米。9.根据权利要求5所述的载带截面结构，其特征在于，所述连接层(3)有镍和铝混合制成，所述凹凸结构和所述孔洞结构由镍形成。
技术总结
本实用新型公开了一种载带截面结构，包括：PI膜；多条线路，多条线路按照设计的电路结构平铺于PI膜上，线路包括：种子层，种子层与PI膜相连；连接层，连接层设于种子层的上方，连接层的上表面具有凹凸结构，连接层的内部具有孔洞结构；铜层，铜层设于连接层的上方，铜层的一部分进入凹凸结构和孔洞结构内。本实用新型通过在种子层的上表面设置连接层，并在连接层的上表面设置凹凸结构，在连接层的内部设置孔洞结构，利用凹凸结构和孔洞结构可以提高与光刻胶的连接程度，同时，在光刻胶去除后，能够提升连接层与铜层的连接强度，从而提升载带的成品率。率。率。
技术研发人员：蔡水河 陈正能
受保护的技术使用者：常州欣盛半导体技术股份有限公司
技术研发日：2021.10.12
技术公布日：2022/3/4