谐振器封装结构的制作方法

1.本发明涉及一种封装结构，且特别涉及一种谐振器封装结构。


背景技术：

2.石英元件具有稳定的压电特性，能够提供精准且宽广的参考频率、时脉控制、定时功能与过滤噪声等功能，此外，石英元件也能做为振动及压力等传感器，以及重要的光学元件；因此，对于电子产品而言，石英元件扮演着举足轻重的地位。
3.图1a为现有技术的石英振动器的结构剖视图，图1b为现有技术的石英振动器的结构分解图。请参阅图1a与图1b，石英振动器1包括一陶瓷基座10、一石英晶体片11、一顶盖12、黏胶13、第一导电接垫14、第二导电接垫15、第一电极层16与第二电极层17。石英晶体片11通过黏胶13与第一导电接垫14置于陶瓷基座10的凹槽中，第一电极层16与第二电极层17分别设于石英晶体片11的顶面与底面，陶瓷基座10具有导电通孔100，第一导电接垫14通过导电通孔100电性连接第二导电接垫15，顶盖12遮蔽石英晶体片11、黏胶13、第一导电接垫14、第一电极层16与第二电极层17。由于石英晶体片11为完整的矩形晶体片，故其主振动部的振动容易传递至外部，导致石英振动器1的振动频率不稳定。
4.因此，本发明在针对上述的困扰，提出一种谐振器封装结构，以解决现有技术所产生的问题。


技术实现要素：

5.本发明提供一种谐振器封装结构，其降低谐振阻抗，以优化振动特性。
6.在本发明的一实施例中，提供一种谐振器封装结构，其包括一基座、一谐振晶体片与一顶盖。谐振晶体片包括一谐振区、至少一个优化区、一边框区与两个连接区。谐振区呈一矩形。优化区具有互相平行的一第一侧与一第二侧及两个互相平行的第三侧，第一侧垂直第三侧，优化区的第一侧连接谐振区的一侧。优化区具有至少一个圆角(fillet)，圆角连接于第二侧与其对应的第三侧之间。优化区的底面的高度高于谐振区的底面的高度，优化区的顶面的高度低于谐振区的顶面的高度，优化区的第一侧与第二侧之间的长度除以谐振区的厚度等于a，0《a《5，圆角的曲率半径除以谐振区的厚度等于b，0《b《4。边框区设于基座上，其中边框区环绕谐振区与优化区。连接区连接于边框区与优化区之间，并与圆角相离。顶盖设于边框区上，以遮蔽优化区、连接区与谐振区。
7.在本发明的一实施例中，谐振器封装结构还包括一第一电极层与一第二电极层。第一电极层设于连接区、优化区与谐振区的底面，第一电极层电性连接谐振区。第二电极层设于连接区、优化区与谐振区的顶面，第二电极层电性连接谐振区，其中第一电极层与第二电极层分别对应两个连接区。
8.在本发明的一实施例中，提供一种谐振器封装结构，其包括一基座、一谐振晶体片与一顶盖。谐振晶体片包括一谐振区、至少一个优化区、一边框区与两个连接区。谐振区呈一矩形。优化区具有互相平行的一第一侧与一第二侧及两个互相平行的第三侧，第一侧垂
直第三侧，优化区的第一侧连接谐振区的一侧。优化区的底面的高度高于谐振区的底面的高度，优化区的顶面的高度低于谐振区的顶面的高度，优化区的第一侧与第二侧之间的长度除以谐振区的厚度等于a，0《a《5。边框区设于基座上，其中边框区环绕谐振区与优化区。连接区连接于边框区与优化区之间。顶盖设于边框区上，以遮蔽优化区、连接区与谐振区。
9.在本发明的一实施例中，谐振器封装结构还包括一第一电极层与一第二电极层。第一电极层设于连接区、优化区与谐振区的底面，第一电极层电性连接谐振区。第二电极层设于连接区、优化区与谐振区的顶面，第二电极层电性连接谐振区，其中第一电极层与第二电极层分别对应两个连接区。
10.在本发明的一实施例中，优化区具有彼此相对的两个角落，每一角落连接于第二侧与其对应的第三侧之间，优化区的所有角落包括两个直角，两个连接区分别连接两个直角。
11.在本发明的一实施例中，提供一种谐振器封装结构，其包括一基座、一谐振晶体片与一顶盖。谐振晶体片包括一谐振区、至少一个优化区、一边框区与两个连接区。谐振区呈一矩形。优化区具有互相平行的一第一侧与一第二侧及两个互相平行的第三侧，第一侧垂直第三侧，优化区的第一侧连接谐振区的一侧。优化区具有至少一个圆角(fillet)，圆角连接于第二侧与其对应的第三侧之间。圆角的曲率半径除以谐振区的厚度等于b，0《b《4。边框区设于基座上，其中边框区环绕谐振区与优化区。连接区连接于边框区与优化区之间，并与圆角相离。顶盖设于边框区上，以遮蔽优化区、连接区与谐振区。
12.在本发明的一实施例中，谐振器封装结构还包括一第一电极层与一第二电极层。第一电极层设于连接区、优化区与谐振区的底面，第一电极层电性连接谐振区。第二电极层设于连接区、优化区与谐振区的顶面，第二电极层电性连接谐振区，其中第一电极层与第二电极层分别对应两个连接区。
13.在本发明的一实施例中，一种谐振器封装结构包括一基座、至少一个黏胶、一谐振晶体片与一顶盖。基座的顶部具有一凹槽，黏胶设于凹槽中。谐振晶体片包括一谐振区与至少一个优化区。谐振区呈一矩形，优化区设于黏胶上，优化区具有互相平行的一第一侧与一第二侧及两个互相平行的第三侧，第一侧垂直第三侧。优化区的第一侧连接谐振区的一侧。优化区具有至少一个圆角(fillet)，圆角连接于第二侧与其对应的第三侧之间。优化区的底面的高度高于谐振区的底面的高度，优化区的顶面的高度低于谐振区的顶面的高度，优化区的第一侧与第二侧之间的长度除以谐振区的厚度等于a，0《a《5，圆角的曲率半径除以谐振区的厚度等于b，0《b《4。顶盖设于基座的顶部，以遮蔽两个黏胶与谐振晶体片。
14.在本发明的一实施例中，谐振器封装结构还包括一第一电极层与一第二电极层。第一电极层设于谐振区与优化区的底面，第二电极层设于谐振区与优化区的顶面，其中第一电极层与第二电极层电性连接黏胶。
15.在本发明的一实施例中，一种谐振器封装结构包括一基座、至少一个黏胶、一谐振晶体片与一顶盖。基座的顶部具有一凹槽，黏胶设于凹槽中。谐振晶体片包括一谐振区与至少一个优化区。谐振区呈一矩形，优化区设于黏胶上，优化区具有互相平行的一第一侧与一第二侧及两个互相平行的第三侧，第一侧垂直第三侧。优化区的第一侧连接谐振区的一侧。优化区的底面的高度高于谐振区的底面的高度，优化区的顶面的高度低于谐振区的顶面的高度，优化区的第一侧与第二侧之间的长度除以谐振区的厚度等于a，0《a《5。顶盖设于基座
的顶部，以遮蔽两个黏胶与谐振晶体片。
16.在本发明的一实施例中，谐振器封装结构还包括一第一电极层与一第二电极层。第一电极层设于谐振区与优化区的底面，第二电极层设于谐振区与优化区的顶面，其中第一电极层与第二电极层电性连接黏胶。
17.在本发明的一实施例中，一种谐振器封装结构包括一基座、至少一个黏胶、一谐振晶体片与一顶盖。基座的顶部具有一凹槽，黏胶设于凹槽中。谐振晶体片包括一谐振区与至少一个优化区。谐振区呈一矩形，优化区设于黏胶上，优化区具有互相平行的一第一侧与一第二侧及两个互相平行的第三侧，第一侧垂直第三侧。优化区的第一侧连接谐振区的一侧。优化区具有至少一个圆角(fillet)，圆角连接于第二侧与其对应的第三侧之间。圆角的曲率半径除以谐振区的厚度等于b，0《b《4。顶盖设于基座的顶部，以遮蔽两个黏胶与谐振晶体片。
18.在本发明的一实施例中，在本发明的一实施例中，谐振器封装结构还包括一第一电极层与一第二电极层。第一电极层设于谐振区与优化区的底面，第二电极层设于谐振区与优化区的顶面，其中第一电极层与第二电极层电性连接黏胶。。
19.基于上述，谐振器封装结构根据优化区的宽度、圆角的曲率半径与谐振区的厚度的部分或全部条件，以达到较佳的边界效应与能量闭锁效应，进而降低振动能量的损失与谐振阻抗，同时优化振动特性。
附图说明
20.图1a为现有技术的石英振动器的结构剖视图。
21.图1b为现有技术的石英振动器的结构分解图。
22.图2a为本发明的谐振器封装结构的第一实施例的结构剖视图。
23.图2b为本发明的谐振器封装结构的第一实施例的结构分解图。
24.图2c为本发明的谐振器封装结构的第一实施例的谐振晶体片及其上的第一电极层的底视图。
25.图2d为本发明的谐振器封装结构的第一实施例的谐振晶体片及其上的第二电极层的顶视图。
26.图2e为本发明的谐振器封装结构的第一实施例的谐振区与优化区的结构剖视图。
27.图3a为本发明的谐振器封装结构的第二实施例的谐振晶体片及其上的第一电极层的底视图。
28.图3b为本发明的谐振器封装结构的第二实施例的谐振晶体片及其上的第二电极层的顶视图。
29.图4a为本发明的谐振器封装结构的第三实施例的谐振晶体片及其上的第一电极层的底视图。
30.图4b为本发明的谐振器封装结构的第三实施例的谐振晶体片及其上的第二电极层的顶视图。
31.图5a为本发明的谐振器封装结构的第四实施例的谐振晶体片及其上的第一电极层的底视图。
32.图5b为本发明的谐振器封装结构的第四实施例的谐振晶体片及其上的第二电极
层的顶视图。
33.图6a为本发明的谐振器封装结构的第五实施例的谐振晶体片及其上的第一电极层的底视图。
34.图6b为本发明的谐振器封装结构的第五实施例的谐振晶体片及其上的第二电极层的顶视图。
35.图7a为本发明的谐振器封装结构的第六实施例的结构立体图。
36.图7b为本发明的谐振器封装结构的第六实施例的结构分解图。
37.图7c为本发明的谐振器封装结构的第六实施例的结构剖视图。
38.图7d为本发明的谐振器封装结构的第六实施例的谐振晶体片的顶视图。
39.图7e为本发明的谐振器封装结构的第六实施例的谐振晶体片的剖视图。
40.附图标记说明：1-石英振动器；10-陶瓷基座；100-导电通孔；11-石英晶体片；12-顶盖；13-黏胶；14-第一导电接垫；15-第二导电接垫；16-第一电极层；17-第二电极层；2-谐振器封装结构；20-基座；22-谐振晶体片；220-谐振区；221-优化区；222-边框区；223-连接区；24-顶盖；25-第一电极层；26-第二电极层；27-导电接垫；3-谐振器封装结构；30-基座；300-凹槽；301-导电通孔；31-黏胶；32-谐振晶体片；320-谐振区；321-优化区；33-顶盖；34-第一电极层；35-第二电极层；36-第一导电接垫；37-第二导电接垫；x、x
’‑
长度；r、r
’‑
曲率半径；y、y
’‑
厚度。
具体实施方式
41.本发明的实施例将通过下文配合相关图式进一步加以解说。尽可能的，于图式与说明书中，相同标号代表相同或相似构件。于图式中，基于简化与方便标示，形状与厚度可能经过夸大表示。可以理解的是，未特别显示于图式中或描述于说明书中的元件，为所属技术领域中具有通常技术者所知的形态。本领域的通常技术者可依据本发明的内容而进行多种的改变与修改。
42.当一个元件被称为“在
…
上”时，它可泛指所述元件直接在其他元件上，也可以是有其他元件存在于两者之中。相反地，当一个元件被称为“直接在”另一元件，它是不能有其他元件存在于两者的中间。如本文所用，词汇“及/或”包括了列出的关联项目中的一个或多个的任何组合。
43.于下文中关于“一个实施例”或“一实施例”的描述指关于至少一实施例内所相关连的一特定元件、结构或特征。因此，于下文中多处所出现的“一个实施例”或“一实施例”的多个描述并非针对同一实施例。再者，于一个或多个实施例中的特定构件、结构与特征可依照一适当方式而结合。
44.本发明特别以下述例子加以描述，这些例子仅用以举例说明而已，因为对于熟习此技艺者而言，在不脱离本发明内容的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明内容的保护范围当视的权利要求书所界定者为准。在通篇说明书与权利要求书中，除非内容清楚指定，否则“一”以及“所述”的意义包括这一类叙述包括“一或至少一”所述元件或成分。此外，如本发明所用，除非从特定上下文明显可见将复数个排除在外，否则单数冠词亦包括复数个元件或成分的叙述。而且，应用在此描述中与全部权利要求书中时，除非内容清楚指定，否则“在其中”的意思可包括“在其中”与“在其上”。在通篇说明书与权利要求书
所使用的用词(terms)，除有特别注明，通常具有每个用词使用在此领域中、在此发明的内容中与特殊内容中的平常意义。某些用以描述本发明的用词将于下或在此说明书的别处讨论，以提供从业人员(practitioner)在有关本发明的描述上额外的引导。在通篇说明书的任何地方的例子，包括在此所讨论的任何用词的例子的使用，仅用以举例说明，当然不限制本发明或任何例示用词的范围与意义。同样地，本发明并不限于此说明书中所提出的各种实施例。
45.此外，若使用“电(性)耦接”或“电(性)连接”一词在此为包括任何直接及间接的电气连接手段。举例而言，若文中描述一第一装置电性耦接于一第二装置，则代表所述第一装置可直接连接于所述第二装置，或通过其他装置或连接手段间接地连接至所述第二装置。另外，若描述关于电信号的传输、提供，熟习此技艺者应所述可了解电信号的传递过程中可能伴随衰减或其他非理想性的变化，但电信号传输或提供的来源与接收端若无特别叙明，实质上应视为同一信号。举例而言，若由电子电路的端点a传输(或提供)电信号s给电子电路的端点b，其中可能经过一晶体管开关的源汲极两端及/或可能的杂散电容而产生电压降，但此设计的目的若非刻意使用传输(或提供)时产生的衰减或其他非理想性的变化而达到某些特定的技术效果，电信号s在电子电路的端点a与端点b应可视为实质上为同一信号。
46.可了解如在此所使用的用词“包括(comprising)”、“包括(including)”、“具有(having)”、“含有(containing)”、“包括(involving)”等等，为开放性的(open-ended)，即意指包括但不限于。另外，本发明的任一实施例或权利要求不须达成本发明所公开的全部目的或优点或特点。此外，摘要部分和标题仅是用来辅助专利文件搜寻的用，并非用来限制发明的范围。
47.以下将介绍一种谐振器封装结构，其根据优化区的宽度、圆角的曲率半径与谐振区的厚度，以达到较佳的边界效应与能量闭锁效应，进而降低振动能量的损失与谐振阻抗，同时优化振动特性。
48.图2a为本发明的谐振器封装结构的第一实施例的结构剖视图，图2b为本发明的谐振器封装结构的第一实施例的结构分解图，图2c为本发明的谐振器封装结构的第一实施例的谐振晶体片及其上的第一电极层的底视图，图2d为本发明的谐振器封装结构的第一实施例的谐振晶体片及其上的第二电极层的顶视图，图2e为本发明的谐振器封装结构的第一实施例的谐振区与优化区的结构剖视图。请参阅图2a、图2b、图2c、图2d与图2e，以下介绍本发明的谐振器封装结构2的第一实施例。谐振器封装结构2包括一基座20、一谐振晶体片22与一顶盖24。谐振晶体片22包括一谐振区220、至少一个优化区221、一边框区222与两个连接区223。在此以两个优化区221为例。在本发明的某些实施例中，谐振区220、边框区222、两个连接区223与两个优化区221可为一体成型。谐振区220、边框区222、两个连接区223与两个优化区221可为石英材质，但本发明并不以此为限。谐振区220呈一矩形，每一优化区221具有互相平行的一第一侧与一第二侧及两个互相平行的第三侧，第一侧垂直第三侧。谐振区220位于两个优化区221之间，两个优化区221的第一侧分别连接谐振区220的互相平行的两侧。第一实施例需满足第一条件与第二条件的至少一者。在第一条件中，优化区221具有至少一个圆角(fillet)。举例来说，每一优化区221具有彼此相对的两个圆角，每一圆角连接于第二侧与其对应的第三侧之间。在第二条件中，每一优化区221的底面的高度高于谐振区220的底面的高度，每一优化区221的顶面的高度低于谐振区220的顶面的高度，每一优化区
221的第一侧与第二侧之间的长度x除以谐振区220的厚度y等于a，0《a《5。若满足第一条件时，每一圆角的曲率半径r除以谐振区220的厚度y等于b，0《b《4。谐振器封装结构2根据优化区221的宽度、圆角的曲率半径r与谐振区220的厚度y，以达到较佳的边界效应与能量闭锁效应，进而降低振动能量的损失与谐振阻抗，同时优化振动特性，其中谐振阻抗即等效串联电阻(esr)。若a大于5或b大于4，都会造成谐振阻抗的遽增。优化区221与谐振区220之间的高度差可以阻断谐振声波的传递路径，以防止能量自谐振区220散出。优化区221不能呈圆形或椭圆形。若优化区221呈圆形或椭圆形，谐振副(spurious)波将会耦合，造成谐振阻抗遽增。边框区222设于基座20上，其中边框区222环绕谐振区220与所有优化区221。两个连接区223分别连接两个优化区221的第二侧，且每一连接区223连接于边框区222与优化区221的第二侧之间，并与圆角相离。顶盖24设于边框区222上，以遮蔽两个优化区221、两个连接区223与谐振区220。
49.为了电性连接外部元件，谐振器封装结构2还可包括一第一电极层25、一第二电极层26与复数个导电接垫27。第一电极层25设于连接区223、优化区221与谐振区220的底面，第一电极层25电性连接谐振区220。第二电极层26设于连接区223、优化区221与谐振区220的顶面，第二电极层26电性连接谐振区220，其中第一电极层25与第二电极层26可分别对应两个连接区223，亦可對應同一连接区223。导电接垫27设于基座20的底面，并电性连接外部元件。
50.图3a为本发明的谐振器封装结构的第二实施例的谐振晶体片及其上的第一电极层的底视图。图3b为本发明的谐振器封装结构的第二实施例的谐振晶体片及其上的第二电极层的顶视图。请参阅图2b、图3a与图3b，以下介绍本发明的谐振器封装结构的第二实施例。第二实施例与第一实施例差别在于谐振晶体片22的形状。谐振晶体片22包括一谐振区220、两个优化区221、一边框区222与两个连接区223。谐振区220呈一矩形，每一优化区221具有互相平行的一第一侧与一第二侧及两个互相平行的第三侧，第一侧垂直第三侧。谐振区220位于两个优化区221之间，两个优化区221的第一侧分别连接谐振区220的互相平行的两侧。第二实施例需满足第一条件与第二条件的至少一者。在第一条件中，每一优化区221具有彼此相对的两个角落，每一角落连接于第二侧与其对应的第三侧之间。两个优化区221的角落包括两个圆角(fillet)与两个直角。在第二实施例中，两个圆角位于第一直线上，两个直角位于第二直线上，第一直线平行第二直线。换句话说，其中一个优化区221的角落为圆角，另一个优化区221的角落为直角。在第二条件中，每一优化区221的底面的高度高于谐振区220的底面的高度，每一优化区221的顶面的高度低于谐振区220的顶面的高度，每一优化区221的第一侧与第二侧之间的长度x除以谐振区220的厚度y等于a，0《a《5。若满足第一条件时，每一圆角的曲率半径r除以谐振区220的厚度y等于b，0《b《4。谐振器封装结构2根据优化区221的宽度、圆角的曲率半径r与谐振区220的厚度y，以达到较佳的边界效应与能量闭锁效应，进而降低振动能量的损失与谐振阻抗，同时优化振动特性。若a大于5或b大于4，都会造成谐振阻抗的遽增。优化区221与谐振区220之间的高度差可以阻断谐振声波的传递路径，以防止能量自谐振区220散出。边框区222设于基座20上，其中边框区222环绕谐振区220与所有优化区221。两个连接区223分别连接两个直角，且每一连接区223连接于边框区222与直角之间。由于边框区222的内边缘呈一矩形，故在第二实施例中，以连接区223连接边框区222的短内边缘为例。
51.图4a为本发明的谐振器封装结构的第三实施例的谐振晶体片及其上的第一电极层的底视图。图4b为本发明的谐振器封装结构的第三实施例的谐振晶体片及其上的第二电极层的顶视图。请参阅图2b、图4a与图4b，以下介绍本发明的谐振器封装结构的第三实施例。第三实施例与第二实施例差别在于连接区223的位置。在第三实施例中，以连接区223连接边框区222的长内边缘为例，其余特征已于第二实施例介绍过，于此不再赘述。
52.图5a为本发明的谐振器封装结构的第四实施例的谐振晶体片及其上的第一电极层的底视图。图5b为本发明的谐振器封装结构的第四实施例的谐振晶体片及其上的第二电极层的顶视图。请参阅图2b、图5a与图5b，以下介绍本发明的谐振器封装结构的第四实施例。第四实施例与第一实施例差别在于谐振晶体片22的形状。谐振晶体片22包括一谐振区220、两个优化区221、一边框区222与两个连接区223。谐振区220呈一矩形，每一优化区221具有互相平行的一第一侧与一第二侧及两个互相平行的第三侧，第一侧垂直第三侧。谐振区220位于两个优化区221之间，两个优化区221的第一侧分别连接谐振区220的互相平行的两侧。每一优化区221具有彼此相对的两个角落，每一角落连接于第二侧与其对应的第三侧之间。两个优化区221的角落包括两个直角。第四实施例满足第一条件与第二条件的至少一者。在第一条件中，两个优化区221的角落还包括两个圆角(fillet)。在第四实施例中，两个圆角位于第一直线上，两个直角位于第二直线上，第一直线与第二直线交错。换句话说，其中一个优化区221的角落包括圆角与直角，另一个优化区221的角落亦包括圆角与直角。在第二条件中，每一优化区221的底面的高度高于谐振区220的底面的高度，每一优化区221的顶面的高度低于谐振区220的顶面的高度，每一优化区221的第一侧与第二侧之间的长度x除以谐振区220的厚度y等于a，0《a《5。若满足第一条件时，每一圆角的曲率半径r除以谐振区220的厚度y等于b，0《b《4。谐振器封装结构2根据优化区221的宽度、圆角的曲率半径r与谐振区220的厚度y，以达到较佳的边界效应与能量闭锁效应，进而降低振动能量的损失与谐振阻抗，同时优化振动特性。若a大于5或b大于4，都会造成谐振阻抗的遽增。优化区221与谐振区220之间的高度差可以阻断谐振声波的传递路径，以防止能量自谐振区220散出。边框区222设于基座20上，其中边框区222环绕谐振区220与所有优化区221。两个连接区223分别连接两个直角，且每一连接区223连接于边框区222与直角之间。由于边框区222的内边缘呈一矩形，故在第四实施例中，以连接区223连接边框区222的短内边缘为例。
53.图6a为本发明的谐振器封装结构的第五实施例的谐振晶体片及其上的第一电极层的底视图。图6b为本发明的谐振器封装结构的第五实施例的谐振晶体片及其上的第二电极层的顶视图。请参阅图2b、图6a与图6b，以下介绍本发明的谐振器封装结构的第五实施例。第五实施例与第四实施例差别在于连接区223的位置。在第五实施例中，以连接区223连接边框区222的长内边缘为例，其余特征已于第四实施例介绍过，于此不再赘述。
54.图7a为本发明的谐振器封装结构的第六实施例的结构立体图。图7b为本发明的谐振器封装结构的第六实施例的结构分解图。图7c为本发明的谐振器封装结构的第六实施例的结构剖视图。图7d为本发明的谐振器封装结构的第六实施例的谐振晶体片的顶视图。图7e为本发明的谐振器封装结构的第六实施例的谐振晶体片的剖视图。请参阅图7a、图7b、图7c、图7d与图7e，以下介绍本发明的谐振器封装结构3的第六实施例。谐振器封装结构3包括一基座30、至少一个黏胶31、一谐振晶体片32与一顶盖33。在此以两个黏胶31为例。基座30的顶部具有一凹槽300，两个黏胶31设于凹槽300中。谐振晶体片32包括一谐振区320与至少
一个优化区321。在此以两个优化区321为例。在本发明的某些实施例中，谐振区320与两个优化区321可为一体成型。谐振区320与优化区321可为石英材质，但本发明并不以此为限。谐振区320呈一矩形，两个优化区321分别设于两个黏胶31上。每一优化区321具有互相平行的一第一侧与一第二侧及两个互相平行的第三侧，第一侧垂直第三侧。谐振区320位于两个优化区321之间，两个优化区321的第一侧分别连接谐振区320的互相平行的两侧。第六实施例满足第一条件与第二条件的至少一者。在第一条件中，优化区321具有至少一个圆角(fillet)。举例来说，每一优化区321具有彼此相对的两个圆角，每一圆角连接于第二侧与其对应的第三侧之间。在第二条件中，每一优化区321的底面的高度高于谐振区320的底面的高度，每一优化区321的顶面的高度低于谐振区320的顶面的高度，每一优化区321的第一侧与第二侧之间的长度x’除以谐振区320的厚度y’等于a，0《a《5。若满足第一条件时，每一圆角的曲率半径r’除以谐振区320的厚度y’等于b，0《b《4。顶盖33设于基座30的顶部，以遮蔽两个黏胶31与谐振晶体片32。谐振器封装结构3根据优化区321的宽度、圆角的曲率半径r’与谐振区320的厚度y’，以达到较佳的边界效应与能量闭锁效应，进而降低振动能量的损失与谐振阻抗，同时优化振动特性。若a大于5或b大于4，都会造成谐振阻抗的遽增。优化区321与谐振区320之间的高度差可以阻断谐振声波的传递路径，以防止能量自谐振区320散出。优化区321不能呈圆形或椭圆形。若优化区321呈圆形或椭圆形，谐振副(spurious)波将会耦合，造成谐振阻抗遽增。
55.为了电性连接外部元件，两个黏胶31可以导电胶为例，且谐振器封装结构3还可包括一第一电极层34、一第二电极层35、两个第一导电接垫36与复数个第二导电接垫37。第一电极层34设于谐振区320与优化区321的底面，第二电极层35设于谐振区320与优化区321的顶面。第一电极层34与第二电极层35分别对应两个优化区321，并分别电性连接两个黏胶31。第一导电接垫36设于凹槽300中，两个黏胶31分别通过两个第一导电接垫36设于基座30上，基座30的底部具有贯穿自身的两个导电通孔301，两个导电通孔301分别电性连接两个第一导电接垫36。所有第二导电接垫37设于基座30的底面，所有第二导电接垫37电性连接两个导电通孔301与外部元件。
56.根据上述实施例，谐振器封装结构根据优化区的宽度、圆角的曲率半径与谐振区的厚度，以达到较佳的边界效应与能量闭锁效应，进而降低振动能量的损失与谐振阻抗，同时优化振动特性。
57.以上所述仅为本发明一优选实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，故举凡依本发明权利要求所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的范围内。