驱动电路、电池管理系统及电子设备的制作方法

1.本发明涉及电子设备领域，特别涉及一种驱动电路、电池管理系统及电子设备。


背景技术：

2.市场上有很多储能产品、低速电动汽车、电动自行车、电动摩托车、电动特种车等，都用到锂电池，基本都是十几串到二十几串。电池管理系统受空间限制，大多采用了mos管来做开关，没有用继电器，因为继电器的成本比mos管的成本高很多，体积也大。
3.而现有的驱动电路在驱动带有重负载的mos管断开和闭合时，容易使得mos管烧坏，使得用mos管做开关具有一定的局限性。


技术实现要素：

4.本发明的主要目的是提出一种驱动电路、电池管理系统及电子设备，旨在解决驱动电路在驱动带有重负载的mos管断开和闭合时，容易使得mos管烧坏的问题。
5.为实现上述目的，本发明提出的一种驱动电路，用于驱动多个mos管，所述驱动电路的输出端与多个所述mos管的受控端互连，所述驱动电路包括：
6.开关电路，所述开关电路用于接收外部控制信号，并根据所述外部控制信号开启/关闭；
7.下拉电路，所述下拉电路的输入端与所述开关电路连接，所述下拉电路用于在所述开关电路开启/关闭时，将所述下拉电路输入端的电压拉低，并输出对应的下拉信号；
8.推挽电路，所述推挽电路的输入端与所述开关电路的输出端和所述下拉电路的输出端连接，所述推挽电路用于在所述开关电路开启/关闭时，根据所述下拉信号输出对应的驱动信号至多个所述mos管，以驱动多个所述mos管工作。
9.可选地，所述开关电路包括第一npn三极管、第一pnp三极管及第二电阻，所述第一npn三极管的基极与所述驱动输入端连接，所述第一npn三极管的集电极与所述第二电阻的第一端互连，所述第一npn三极管的发射极接地，所述第二电阻的第二端与所述第一pnp三极管的基极连接，所述第一pnp三极管的发射极与第一直流电源连接，所述第一pnp三极管的集电极与所述开关电路的输出端连接。
10.可选地，所述下拉电路包括第二pnp三极管及第三电阻，所述第二pnp三极管的基极与所述第三电阻的第一端互连，所述第二pnp三极管的发射极与所述开关电路的输出端连接，所述第二pnp三极管的集电极和所述第三电阻的第二端接地。
11.可选地，所述推挽电路包括第二npn三极管和第三pnp三极管，所述第二npn三极管的基极与所述开关电路的输出端连接，所述第二npn三极管的集电极与第一直流电源连接，所述第二npn三极管的发射极与所述驱动输出端连接，所述第三pnp三极管的基极与所述开关电路的输出端连接，所述第三pnp三极管的发射极与所述驱动输出端连接，所述第三pnp三极管的集电极接地。
12.可选地，所述驱动电路还包括限流电路，所述限流电路与所述开关电路的输入端
连接，所述限流电路用于限制所述驱动电路中的电流大小。
13.可选地，所述限流电路包括第一电阻，所述第一电阻的第一端与所述限流电路的输入端连接，所述第一电阻的第二端与所述开关电路的输入端连接。
14.本发明还提出一种电池管理系统，所述电池管理系统包括多个mos管及如上所述的驱动电路，所述驱动电路的输出端与多个所述mos管的受控端互连，多个所述mos管并联设置。
15.本发明还提出一种电子设备，所述电子设备包括如上所述的电池管理系统。
16.本发明通过设置开关电路、下拉电路、推挽电路，开关电路在接收到外部控制信号时，会处于开启/关闭的状态，下拉电路在开关电路处于开启/关闭的状态时将输入端的电压不同程度地拉低，并输出下拉信号至推挽电路，推挽电路则在开关电路处于开启/关闭的状态时，根据下拉电路输出的下拉信号输出对应的驱动信号，以快速驱动mos管导通或断开，防止mos管长时间处于未完全导通或未完全断开的状态而导致mos管烧坏。本发明解决了驱动电路在驱动带有重负载的mos管断开和闭合时，容易使得mos管烧坏的问题。
附图说明
17.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
18.图1为本发明驱动电路一实施例的功能模块示意图；
19.图2为本发明驱动电路一实施例的电路结构示意图；
20.图3为本发明驱动电路另一实施例的功能模块示意图；
21.图4为本发明电池管理系统一实施例的功能模块示意图；
22.图5为本发明电子设备一实施例的功能模块示意图；
23.图6为一示例性技术的电路结构示意图；
24.图7为另一示例性技术的电路结构示意图；
25.图8为驱动电路一示例性技术的电路结构示意图；
26.图9为驱动电路另一示例性技术的电路结构示意图。
27.附图标号说明：
28.[0029][0030]
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0031]
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0032]
需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0033]
另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
[0034]
本发明提出一种驱动电路。
[0035]
目前市场上电池管理系统中mos管并联的方法，如图6，b1－bk为电池，rs为功率型采样电阻，rl是负载，qd1-qdn为放电mos管，qc1-qcn为充电mos管，b-为电池管理系统板上总负的接口，通过线束与电池b1的负端相连。p-为电池管理系统板上负载负端的接口，通过线束与负载负端相连。充电mos或放电mos是并联关系，mos内部的gs之间的电容也是呈现并联关系。当有很多充电mos或放电mos进行并联时，这个并联后的容值就不可忽略了。
[0036]
图7是多路充电mos管和放电mos管并联时，把mos管gs两端的寄生电容移到外部与gs并联的等效连接电路。
[0037]
因为电路是要过很大的电流才会将多路mos管进行并联，所以单颗mos管也是会选择过流能力很大的，但是过电流能力越大的mos管，内部寄生电容的容值也越大，很多都在十几纳法。电容并联的容值是累加的，图7中放电mos管的总容值cd计算如公式1，充电mos管的总容值cc计算如公式2。
[0038]
cd＝cd1+cd2+cdn
……………………
公式1。
[0039]
cc＝cc1+cc2+ccn
……………………
公式2。
[0040]
驱动mos管的本质就是对mos管的gs间的寄生电容进行充电和放电。在小电流时，驱动电路都很好设计，但是电流比较大时，比如一百安、两百安甚至更大时，对mos管的驱动电路就要求非高了。如果没有设计好，就很容易出现烧mos管的情况。因为在大电流工作时，要对mos管进行断开操作，mos管并不是同一时刻断开的，总会出现前前后后的断开，驱动电路设计的不好时，时间间隔各不一样，有可能会相差毫秒极。并且总会有一个mos管是最后
断开，原来分摊在各个mos管上的负载，就全加在最后一个断开的mos管上了，驱动电路设计的不好，电容的放电时间又慢，这样mos管就很容易烧掉。
[0041]
图8是目前市场上大多数的驱动电路之一。其中vcc是驱动电源，q6和q8是pnp型三极管，q7和q9是npn型三极管，r4是拉地电阻。drv_d是单片机或其它专用芯片输出的放电mos管驱动信号，drv_dmos是经过推挽电路后驱动放电mos管的电压。cd是图7中放电mos管的总容值。当drv_d输出高电平时，q7导通，q6也导通，q8和q9的基极得到vcc电源电压的驱动电平，drv_dmos输出得到vcc-0.7v的驱动电压来驱动mos管导通工作。当drv_d输出低电平时，q7截止，q6也截止，q9的基极被电阻r4拉到地而截止,q8的基极电平被电阻r4拉到地，等效电容cd上的电压通过q8进行泄放。在mos管过的电流很小时，这个驱动电路可以驱动断开mos管。但是在mos管过的电流很大时，这个驱动电路就不能驱动断开mos管了。因为在这个驱动电路中，如果电阻r4的阻值太小，容易发热烧掉。如果电阻r4的阻值太大，三极管q8不能工作在完全导通状态，等效电容cd上的电压泄放太慢，mos管过的很大电流，在mos管进入半导通时，mos管的ds两端会有很大的电压，这时mos管就会承受很大的功率，造成mos管发热烧掉。所以这种驱动电路不能驱动带大负载的mos管工作。mos管在带载导通驱动时,同样会因为电阻r5限流的原因，导致pnp三极管q6还没有完全导通时，就开始在给cd充电驱动mos管。造成cd充电缓慢，同样mos管在进入半导通时，mos管的ds两端会有很大的电压，因此时mos管已经处于加载状态，有很大的负载，这时mos管也是承受很大的功率，造成mos管发热烧掉。同理说明这种驱动电路不能驱动带大负载的mos管工作。
[0042]
图9是目前市场上的另外一种驱动电路。这种驱动电路是在图8驱动电路上做的改善，增加了一个pnp三极管q10。此驱动电路稍微改善了在断开mos管时的速度，但是整个驱动电路的效果没有太大改善。当drv_d输出低电平时，npn三极管q7截止，pnp三极管q6也截止，npn三极管q9的基极被电阻r4拉到地而截止,pnp三极管q10的基极电平被电阻r4拉到地，pnp三极管q10对pnp三极管q8的基极电流进行放大，放大pnp三极管q8的发射极电流。等效电容cd上的电压通过pnp三极管q8进行泄放。此电路会局部加快等效电容cd在电压泄放。但此驱动电路在pnp三极管q6截止时，由于r4下拉消耗的电流太小，a点网络的电平下拉的比较慢，使得npn三极管q9截止速度比较慢，导致mos管的等效电容cd的电压泄放的比较慢，最终还是会导致mos管在带重载时由于断开时间较长，承受很大功率而烧坏mos管。同样，当drv_d输出高电平时，npn三极管q7导通，pnp三极管q6也导通，但是在pnp三极管q6导通的过程中，pnp三极管q6很小的发射极电流就会使得a网络达到vcc电源电压，使得npn三极管q9的基极电流在很小的时候就开始被q9放大，但是被q9放大后的发射极电流也很小，使得mos管的等效电容cd上的电压上升速度很慢，导致mos管在带重载时由于闭合时间较长，承受很大功率而烧坏mos管。因为图9驱动电路没有避免mos管在带重载闭合与断开时烧mos管的问题。所以此驱动电路同样不能驱动带重负载的mos管工作。
[0043]
参照图1，在本发明一实施例中，该驱动电路100，用于驱动多个mos管，所述驱动电路100的输出端与多个所述mos管的受控端互连，所述驱动电路100包括：
[0044]
开关电路10，所述开关电路10用于接收外部控制信号，并根据所述外部控制信号开启/关闭；
[0045]
下拉电路20，所述下拉电路20的输入端与所述开关电路10连接，所述下拉电路20用于在所述开关电路10开启/关闭时，将所述下拉电路20输入端的电压拉低，并输出对应的
下拉信号；
[0046]
推挽电路30，所述推挽电路30的输入端与所述开关电路10的输出端和所述下拉电路20的输出端连接，所述推挽电路30用于在所述开关电路10开启/关闭时，根据所述下拉信号输出对应的驱动信号至多个所述mos管，以驱动多个所述mos管工作。
[0047]
本实施例中，驱动电路100中开关电路10的受控端可以接收单片机或其它专用芯片输出的外部控制信号，开关电路10的输入端还与第一直流电源v1连接，当开关电路10接收到的外部控制信号为高电平的电信号时，开关电路10会处于开启状态，开关电路10在开启状态下，第一直流电源v1会通过开关电路10输出至下拉电路20和推挽电路30，下拉电路20在开关电路10处于开启状态时，会将第一直流电源v1的电压拉低，但只会拉低很小的值，所以第一直流电源v1输出至推挽电路30的电压变化很小，此时推挽电路30则会输出高电平的驱动信号至多个并联的mos管，以使多个mos管导通；当开关电路10接收到的外部控制信号为低电平的电信号时，开关电路10会处于断开状态，开关电路10在断开状态下，第一直流电源v1不会输出至下拉电路20和推挽电路30，此时下拉电路20会将下拉电路20输入端，也是推挽电路30输入端的电压快速拉低，使得推挽电路30输出低电平的驱动信号至多个并联的mos管，以使mos管断开。
[0048]
可以理解的是，推挽电路30可以使得驱动信号由低电平转变为高电平和由高电平转变为低电平的时间变短，从而使得mos管更快地导通和断开；因为多个mos管并联设置，会有一个mos管是最后断开，原来分摊在各个mos管上的负载，就全加在最后一个断开的mos管上，所以mos管在没有完全导通时mos管的ds两端会有很大的电压，这时mos管就会承受很大的功率，造成mos管发热烧掉；而mos管断开时间较长的话，也会承受较大功率而导致烧坏mos管；所以使驱动信号由低电平转变为高电平和由高电平转变为低电平的时间变短，从而使得mos管更快地导通和断开，可以有效防止mos管在工作过程中出现烧坏的情况。该驱动电路100还能实现短路保护，短路保护的原理与驱动电路100控制mos管断开的原理相同。
[0049]
本发明通过设置开关电路10、下拉电路20、推挽电路30，开关电路10在接收到外部控制信号时，会处于开启/关闭的状态，下拉电路20在开关电路10处于开启/关闭的状态时将输入端的电压不同程度地拉低，并输出下拉信号至推挽电路30，推挽电路30则在开关电路10处于开启/关闭的状态时，根据下拉电路20输出的下拉信号输出对应的驱动信号，以快速驱动mos管导通或断开，防止mos管长时间处于未完全导通或未完全断开的状态而导致mos管烧坏。本发明解决了驱动电路100在驱动带有重负载的mos管断开和闭合时，容易使得mos管烧坏的问题。
[0050]
参照图2及图3，在一实施例中，所述开关电路10包括第一npn三极管q1、第一pnp三极管q2及第二电阻r2，所述第一npn三极管q1的基极与所述驱动输入端连接，所述第一npn三极管q1的集电极与所述第二电阻r2的第一端互连，所述第一npn三极管q1的发射极接地，所述第二电阻r2的第二端与所述第一pnp三极管q2的基极连接，所述第一pnp三极管q2的发射极与第一直流电源v1连接，所述第一pnp三极管q2的集电极与所述开关电路10的输出端连接。
[0051]
本实施例中，第二电阻r2可以起到限流电阻的作用，以防止电流过大损坏第一npn三极管q1和第一pnp三极管q2；开关电路10接收到高电平的外部控制信号时，第一npn三极管q1导通，第一pnp三极管q2基极的电平被拉至地，所以第一pnp三极管q2导通，此时开关电
路10处于开启状态，第一直流电源v1能通过开关电路10输出至下拉电路20和推挽电路30；开关电路10接收到低电平的外部控制信号时，第一npn三极管q1导通断开，所以第一pnp三极管q2也断开，此时开关电路10处于关闭状态，第一直流电源v1不能通过开关电路10输出至下拉电路20和推挽电路30。本实施例通过开关电路10可以在接收到的外部控制信号的电平不同的情况下开启/关闭，使下拉电路20和推挽电路30能/不能接收到第一直流电源v1。
[0052]
参照图2，在一实施例中，所述下拉电路20包括第二pnp三极管q3及第三电阻r3，所述第二pnp三极管q3的基极与所述第三电阻r3的第一端互连，所述第二pnp三极管q3的发射极与所述开关电路10的输出端连接，所述第二pnp三极管q3的集电极和所述第三电阻r3的第二端接地。
[0053]
本实施例中，第二pnp三极管q3的基极通过第三电阻r3接地，所以第二pnp三极管q3一直处于导通状态；当开关电路10开启时，第一直流电源v1能通过开关电路10输出至下拉电路20，第二pnp三极管q3的基极电流太小，尽管第二pnp三极管q3的发射极电流在第二pnp三极管q3的发射极电流的基础上放大了几十倍，但是第二pnp三极管q3的发射极电流很小，所以第二pnp三极管q3消耗的功率较小，第二pnp三极管q3的发射极对地的电压还是能保持在第一直流电源v1电源电压；当开关电路10关闭时，第二pnp三极管q3的发射极一直有电流，所以会快速将下拉电路20的输入端和推挽电路30的输入端的电压快速泄放到地。
[0054]
可以理解的是，为了加速断开过程，第三电阻r3要取一个合适的值，第二pnp三极管q3基极的电流ib＝(vcc-vd)/r；vcc为第一直流电源v1的电压值，r为第三电阻r3的阻值，vd为第二pnp三极管q3发射极和基极之间的二极管的导通电压；第二pnp三极管q3集电极的电流ic＝β*ib，β为第二pnp三极管q3的放大倍数；第二pnp三极管q3的实际功率w＝vcc*ic；第二pnp三极管q3本身能承受的功率pc与实际功率w要满足关系：pc*15％《w《pc*40％；由此可以得出第三电阻r3阻值的取值范围。
[0055]
参照图2，在一实施例中，所述推挽电路30包括第二npn三极管q4和第三pnp三极管q5，所述第二npn三极管q4的基极与所述开关电路10的输出端连接，所述第二npn三极管q4的集电极与第一直流电源v1连接，所述第二npn三极管q4的发射极与所述驱动输出端连接，所述第三pnp三极管q5的基极与所述开关电路10的输出端连接，所述第三pnp三极管q5的发射极与所述驱动输出端连接，所述第三pnp三极管q5的集电极接地。
[0056]
本实施例中，当开关电路10开启时，第一直流电源v1能通过开关电路10输出至推挽电路30，而下拉电路20此时下拉的电压低，所以推挽电路30接收到的电压可看做第一直流电源v1电压，第二npn三极管q4的基极接收到高电平，第二npn三极管q4导通，第三pnp三极管q5的基极接收到高电平，第三pnp三极管q5断开，推挽电路30输出高电平的驱动信号至多个并联的mos管，使mos管导通；当开关电路10关闭时，第一直流电源v1不能通过开关电路10输出至推挽电路30，下拉电路20此时会将电压迅速拉低，所以推挽电路30接收到的电压为低电平的电压，第二npn三极管q4的基极接收到低电平，第二npn三极管q4断开，第三pnp三极管q5的基极接收到低电平，第三pnp三极管q5导通，推挽电路30输出低电平的驱动信号至多个并联的mos管，使mos管断开。本实施例通过推挽电路30能够使驱动信号由低电平转变为高电平和由高电平转变为低电平的时间变短。
[0057]
参照图2，在一实施例中，所述驱动电路100还包括限流电路40，所述限流电路40与所述开关电路10的输入端连接，所述限流电路40用于限制所述驱动电路100中的电流大小。
[0058]
所述限流电路40包括第一电阻r1，所述第一电阻r1的第一端与所述限流电路40的输入端连接，所述第一电阻r1的第二端与所述开关电路10的输入端连接。
[0059]
本实施例中，驱动电路100中还包括了限流电路40，限流电路40可以由第一电阻r1构成，第一电阻r1的阻值可根据若单片机或其它专用芯片输出至驱动电路100的电压来设置，若单片机或其它专用芯片输出至驱动电路100的电压较大，比如10v，则第一电阻r1的阻值也要设置高，以防止电流过大损坏电路中的元件，若单片机或其它专用芯片输出至驱动电路100的电压较大，比如3v，则第一电阻r1的阻值需要设置低，以免电流过小影响正常工作。本实施例通过限流电路40可以限制电流大小，使驱动电路100能够正常工作。
[0060]
为了更好的阐述本发明的发明构思，以下结合上述实施例进行说明：
[0061]
参照图2，在mos管带重载导通时：单片机或其它专用芯片输出的外部控制信号为高电平时，第一npn三极管q1导通，第一pnp三极管q2也导通，第二npn三极管q4也导通，使得推挽电路30输出近似vcc电源电压的高电平，来给mos管的等效电容充电，实现mos管导通。此时驱动电路100中开关电路10输出端的电平为第一直流电源v1电压电平，第二pnp三极管q3的基极电流太小，尽管第二pnp三极管q3的发射极电流在第三pnp三极管q5的基极电流的基础上放大了几十倍，但是第二pnp三极管q3的发射极电流还是比较小，第二pnp三极管q3消耗的功率还是比较小，第二pnp三极管q3的发射极对地的电压还是能保持在第一直流电源v1电压。同时因为第二pnp三极管q3的发射极电流也是第三pnp三极管q5的基极电流，第三pnp三极管q5的发射极电流在第三pnp三极管q5的基极电流的基础上又放大了几十倍，这样，在第二npn三极管q4没有完全导通前，第二npn三极管q4的发射极电流都被第三pnp三极管q5拉到地上。只有在第二npn三极管q4完全导通后，第二npn三极管q4的发射极电流足够强时，能够快速给mos管的等效电容进行充电，使mos管快速闭合。此过程中第三pnp三极管q5会吸收部分第二npn三极管q4的电流到地，但是第三pnp三极管q5没有完全导通，第三pnp三极管q5所消耗的功率也是比较小的。同理，在第一pnp三极管q2导通的过程中，也会消耗第一pnp三极管q2的集电极电流，在第一pnp三极管q2完全导通后，第一pnp三极管q2的集电极电流足够强时，能快速驱动第二npn三极管q4导通，也能够加快给mos管的等效电容进行充电，使mos管快速闭合。mos管也就能够实现带重载快速闭合。
[0062]
在mos管带重载断开时：单片机或其它专用芯片输出的外部控制信号为低电平时，第一npn三极管q1截止，第一pnp三极管q2也截止，此时驱动电路100中下拉电路20的输入端为高阻抗状态，由于第二pnp三极管q3的基极被第三电阻r3下拉，第二pnp三极管q3的发射极一直有电流，会快速将下拉电路20的输入端的电压快速泄放到地，使得第二npn三极管q4能够快速截止。由于第三pnp三极管q5的发射极电流经过第二pnp三极管q3和第三pnp三极管q5两极放大，mos管的等效电容的电压就能更加快速的泄放到地。mos管也就能够实现带重载快速断开。
[0063]
第二pnp三极管q3的基极没有接第一pnp三极管q2的集电极，而是第二pnp三极管q3的发射极接第一pnp三极管q2的集电极。第三电阻r3的阻值不能太大也不能太小，如果第三电阻r3的阻值太小，第二pnp三极管q3会处于饱和导通而烧坏；如果第三电阻r3的阻值太大，第二pnp三极管q3的电流放大倍数太小，对第三pnp三极管q5的电流放大倍数也小。就不能快速泄放等效电容的电压。所以第三电阻r3要取得合适的阻值，使得第三pnp三极管q5可以进入对地完全导通的状态，这样等效电容的电压就能快速泄放，第三电阻r3的阻值范围
已在上述实施例中说明。如此，使得本发明的驱动电路100能够实现mos管带重载断开。
[0064]
本发明还提出一种电池管理系统200。
[0065]
参照图4，在一实施例中，该电池管理系统200包括多个mos管及如上所述的驱动电路100，所述驱动电路100的输出端与多个所述mos管的受控端互连，多个所述mos管并联设置。该驱动电路100的具体结构参照上述实施例，由于本电池管理系统200采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。可以理解的是，包括该驱动电路100及多个mos管的不仅限于电池管理系统200，需要带重负载的mos管都可以采用本发明的驱动电路100来驱动。
[0066]
本发明还提出一种电子设备。
[0067]
参照图5，在一实施例中，该电子设备包括如上述的电池管理系统200。该电池管理系统200的具体结构参照上述实施例，由于本电子设备采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
[0068]
以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的技术构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。