加电信号发生电路和包括其的半导体器件的制作方法
【专利说明】加电信号发生电路和包括其的半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2014年4月28日提交的申请号为10-2014-0050785的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
[0003]本发明的各种实施例涉及一种加电信号发生电路和包括其的半导体器件。
【背景技术】
[0004]通常，在半导体器件中，加电信号发生电路产生使半导体器件初始化的加电信号。在操作期间，半导体器件经由电压焊盘从外部接收电源电压(VDD)。经由电压焊盘供应的电源电压(VDD)的电平从预定电压(例如，接地电压)升高至具有预定斜率的目标电平。
[0005]半导体器件的内部电路通过利用电源电压(VDD)来执行各种操作。当电源电压(VDD)在它稳定之前用于操作时，可能发生诸如闭锁现象之类的问题。因而，不能够保证半导体器件的可靠性。另外，如果内部电路在内部电路的操作开始时尚未初始化，则由于在内部电路中产生的信号具有不确定的值，所以很可能产生半导体器件的操作错误。
[0006]因此，为了改善半导体器件的可靠性，并且防止半导体器件的初始化操作中发生错误，半导体器件检测从外部输入的电源电压(VDD)的电平，并且当电源电压(VDD)的电平升高到比预定电平高且因而稳定时，允许把电源电压(VDD)供应至内部电路。此外，半导体器件在内部电路的操作开始之前将内部电路初始化。
[0007]当电源电压(VDD)的电平达到预定电平时激活加电信号，也就是说，加电信号被去激活直到电源电压(VDD)的电平达到预定电平为止。因而，可以防止电源电压(VDD)在它不稳定时被供应至内部电路，以保护内部电路，并且内部电路可以在半导体器件的操作开始之前被初始化，以防止半导体器件发生故障。
[0008]由于在半导体器件中使用了各种类型的外部电源电压，所以需要如下的加电信号:即使当相应的电源电压的电平升高的速度不同时，或者相应的电源电压的电平升高的次序变化时，也使内部电路稳定地初始化，同时允许电源电压稳定地供应至半导体器件的内部电路。
【发明内容】
[0009]本发明的各种实施例针对一种加电信号发生电路和包括所述加电信号发生电路的半导体器件，所述加电信号发生电路可以产生加电信号，使得当半导体器件利用两个或更多个电源电压进行操作时，稳定地执行内部电路的初始化和功率的供应，而与相应的电源电压的电平升高的次序无关。
[0010]在本发明的一个实施例中，一种加电信号发生电路可以包括:预加电信号发生块，其适于通过利用具有第一目标电平的第一电源电压来操作，并且产生当第一电源电压变得比第一电平高和具有比第一目标电平高的第二目标电平的第二电源电压变得比第二电平高时激活的预加电信号；电平移位块，其适于当预加电信号不处于激活状态时下拉驱动第一节点，而当预加电信号处于激活状态时用第二电源电压上拉驱动第一节点；以及附加驱动块，其适于当第二电源电压比第二电平低时下拉驱动第一节点；以及加电信号驱动块，其适于通过利用第二电源电压来操作，并且通过基于第一节点的电压电平驱动第二节点来经由第二节点产生加电信号。
[0011]在本发明的一个实施例中，一种加电信号发生电路可以包括:预加电信号发生块，其适于通过利用具有第一目标电平的第一电源电压来操作，并且产生当第一电源电压变得比第一电平高和具有比第一目标电平高的第二目标电平的第二电源电压变得比第二电平高时激活的预加电信号；电平移位块，其适于当预加电信号不处于激活状态时下拉驱动第一节点，而当预加电信号处于激活状态时用第二电源电压上拉驱动第一节点；附加驱动块，其适于当第二电源电压比第二电平低时下拉驱动第一节点；以及加电信号驱动块，其适于通过利用第二电源电压来操作，并且通过基于第一节点的电压电平驱动第二节点来经由第二节点产生加电信号，其中，当第一节点的电压是高电平时，加电信号驱动块用比接地电压低的负电压来驱动第二节点。
[0012]在本发明的一个实施例中，一种半导体器件可以包括:第一功率焊盘，其适于接收具有第一目标电平的第一电源电压；第二功率焊盘，其适于接收具有比第一目标电平高的第二目标电平的第二电源电压；第一加电信号发生块，其适于通过利用经由第一功率焊盘接收的第一电源电压来操作，并且产生当第一电源电压变得比第一电平高且经由第二功率焊盘接收的第二电源电压变得比第二电平高时激活的第一加电信号；第二加电信号发生块，其适于通过将第一加电信号的电平移位来产生第二加电信号，并且当第二电源电压比第二电平低时将第二加电信号去激活；以及内部电路，其适于通过利用第一电源电压和第二电源电压来操作，并且基于第一加电信号和第二加电信号来初始化。
【附图说明】
[0013]图1是图示包括加电信号发生电路的半导体器件的图。
[0014]图2是图示图1中所示的第一预加电信号发生块的详细图。
[0015]图3是用于描述图1中所示的加电信号发生电路的操作的图。
[0016]图4是图示根据本发明的一个实施例的加电信号发生电路的图。
[0017]图5是图4中所示的加电信号发生电路的波形图。
[0018]图6是图示根据本发明的一个实施例的加电信号发生电路的图。
[0019]图7是图示根据本发明的一个实施例的半导体器件的图。
【具体实施方式】
[0020]以下将参照附图更详细地描述本发明的各种实施例。然而，本发明可以用不同的方式实施，而不应解释为限制于本文所阐述的实施例。确切地说，提供了这些实施例使得本公开将透彻且完整，并将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。在本公开中，相同的附图标记在本发明的各种附图和实施例中表示相似的部分。
[0021]在附图中，为了便于图示，与实际的物理厚度、宽度和长度相比，对部件的厚度、宽度和长度做了夸大处理。在以下描述中，可以省略已知相关的功能和组成的详细描述以避免不必要地模糊本发明的主题。此外，“连接/耦接”表示一个部件与另一个部件直接耦接或经由另一个部件间接耦接。在本说明书中，只要未在句子中具体提及，单数形式可以包括复数形式。此外，在说明书中使用的“包括/包含”或“包括有/包含有”表示存在或增加一个或多个部件、步骤、操作以及元素。
[0022]图1是图示包括加电信号发生电路110的半导体器件的图。
[0023]如图1中所示，半导体器件可以包括:加电信号发生电路110、内部电路120以及电压焊盘PADl和PAD2。加电信号发生电路110可以包括:第一预加电信号发生块111、第二预加电信号发生块112以及信号组合块113。
[0024]第一预加电信号发生块111利用第一电源电压VDD来操作。第一预加电信号发生块111检测第一电源电压VDD的电平，并且产生当第一电源电压VDD变得比第一电平高时激活的第一预加电信号PRE_PWRUPB1。从外部输入的第一电源电压VDD的电平可以自接地电压VSS以预定斜率升高，并且可以经过第一电平达到第一目标电平。第一电平可以表示允许第一电源电压VDD稳定地供应至内部电路120的最低电平。此外，第一目标电平可以表示第一电源电压VDD应当最终达到的电平。对于DDR4DRAM，第一目标电平可以是1.2V，但是可以根据设计来改变。第一预加电信号PRE_PWRUPB1被激活至低电平，也就是说，第一预加电信号PRE_PWRUPB1具有接地电压VSS的激活电平。当第一预加电信号PRE_PWRUPB1未被激活时，产生第一预加电信号PRE_PWRUPB1的节点可以由第一电源电压VDD驱动。
[0025]第二预加电信号发生块112利用第二电源电压VPP来操作。第二预加电信号发生块112检测第二电源电压VPP的电平，并且产生当第二电源电压VPP的电平变得比第二电平高时激活的第二预加电信号PRE_PWRUPB2。从外部输入的第二电源电压VPP的电平可以自接地电压VSS以预定斜率升高，并且可以经过第二电平达到第二目标电平。第二电平可以表示允许第二电源电压VPP稳定地供应至内部电路(未示出)的最低电平。此外，第二目标电平可以表示第二电源电压VPP应当最终达到的电平。对于DDR4DRAM，第二目标电平可以是2.5V，但是可以根据设计来改变。第二预加电信号PRE_PWRUPB2被激活至低电平，也就是说，第二预加电信号PRE_PWRUPB2具有接地电压VSS的激活电平。当第二预加电信号PRE_PWRUPB2未被激活时，产生第二预加电信号PRE_PWRUPB2的节点可以由第二电源电压VPP驱动。
[0026]信号组合块113利用第一电源电压VDD来操作，并且产生当第一预加电信号PRE_PffRUPBl和第二预加电信号PRE_PWRUPB2激活时激活的加电信号PWRUPB。信号组合块113可以包括多个驱动器INVl至INV4以及与非(NAND)门NAND。驱动器INVl至INV4中的每个可以是反相器。接收第二预加电信号PRE_PWRUPB2的反相器INV2可以使用第二电源电压VPP，而其余的逻辑INV1、INV3、INV4以及NAND可以使用第一电源电压VDD。加电信号PffRUPB被激活至低电平，也就是说，加电信号PWRUPB具有接地电