一种兼容pecl/ttl/cmos电平的输出电路的制作方法

文档序号:9455566阅读:531来源:国知局
一种兼容pecl/ttl/cmos电平的输出电路的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种输出电路,尤其涉及一种兼容PECL/TTL/CMOS电平的输出电路。
【背景技术】
[0002] PECL(positive emitter coupled logic)、TTL(transistor-transistor logic)、 CM0S(complementary metal oxide semiconductor)是三种常见的逻辑电平标准,常用于 3. 3或5V供电的电子器件的通信接口中。其逻辑电平定义如下:
[0004] 表1.逻辑电平标准
[0005] 传统的PECL电平输出驱动电路需要采用NPN bipolar器件来实现,TTL/CM0S可以 采用CMOS器件来实现。同时对于许多集成电路产品,由于不同的应用场合需要,要求同时 提供PECL/TTL/CMOS三种不同的输出逻辑电平接口。传统方法需要使用3个管脚(PIN 1/ 0)来实现,这样的代价将是占用有限的管脚资源,造成芯片成本增加,同时也对于芯片产品 的应用PCB布板造成不方便。

【发明内容】

[0006] 本发明所要解决的主要技术问题是提供一种输出电路,能够兼容PECL/TTL/CMOS 电平的输出,使用者可以根据需要自由选择需要的逻辑电平标准。
[0007] 为了解决上述的技术问题,本发明提供了一种兼容PECL/TTL/CMOS电平的输出电 路,包括:
[0008] -路输入信号INPUT和两路选择信号SEL0/SEL1,其通过一逻辑控制模块分 别输出控制电平Nl、P2、P3至NMOS管Np PMOS管P2以及PMOS管P 3的栅极;其中, Λ? - SELOt-IrUNT、P2 - SELO^SEL1INPUT、P3 = SELO ;
[0009] 当第一选择信号SELO为低电平时;若INPUT为高电平,输出电平为PECL高电平; 若INPUT为低电平,输出电平为PECL低电平;
[0010] 当第一选择信号SELO为高电平、第二选择信号SELl为低电平时;若INPUT为高电 平,输出电平为TTL高电平;若INPUT为低电平,输出电平为TTL低电平;
[0011] 当第一选择信号SEL0、第二选择信号SELl均为高电平时;若INPUT为高电平,输 出电平为CMOS高电平;若INPUT为低电平,输出电平为CMOS低电平。
[0012] 在一较佳实施例中:所述输入信号INPUT为CMOS电平,即高电平为Vee,低电平为 0〇
[0013] 在一较佳实施例中:所述NMOS管N1的源极接地,漏极与PMOS管P 2的漏极、PMOS 管P3的漏极连接形成输出端。
[0014] 在一较佳实施例中:还包括一 REF生成模块,其输入端与输入信号INPUT连接,输 出端连接一反馈回路;所述反馈回路的输出电平等于所述REF生成模块的输出参考电平。
[0015] 在一较佳实施例中:所述反馈回路包括OP-AMP运放以及PMOS管Pid
[0016] 在一较佳实施例中:所述OP-AMP运放的负极输入端与REF生成模块的输出端连 接、输出端与PMOS管P 1的栅极连接、正极输入端与PMOS管P i的漏极连接。
[0017] 在一较佳实施例中:所述REF生成模块包括PMOS管P4,其栅极与输入电平INPUT 连接;漏极通过电流源Il接地,源极为输出端;另有一电流源IO连接于PMOS管P4的源极 与地之间,以及上拉电阻R连接于PMOS管匕的源极与V 之间。
[0018] 在一较佳实施例中:所述REF生成模块的输出电平Vref的计算公式为:
5
[0019] 在一较佳实施例中:所述电阻R和电流源10、11设计满足如下计算式:R*(I0+I1) =I. 7V, R*I0 = IV。
[0020] 相较于现有技术,本发明具有以下有益效果:
[0021] 本发明提供了一种兼容PECL/TTL/CM0S电平的输出电路可应用在集成电路芯片 产品中,利用芯片内部的编程控制位,实现在通过单个输出管脚(I/O PIN)上复用输出 PECL/TTL/CM0S三种不同的逻辑接口电平,提高了芯片产品应用的适用性及便利性。
【附图说明】
[0022] 图1为本发明优选实施例的电路图;
[0023] 图2为本发明优选实施例中REF生成模块的电路图。
【具体实施方式】
[0024] 下文结合附图和具体实施例对本发明做进一步说明。
[0025] 参考图1,一种兼容PECL/TTL/CM0S电平的输出电路,包括:
[0026] 一路输入信号INPUT和两路选择信号SEL0/SEL1 ;所述输入信号INPUT为CMOS电 平,即高电平为Vee,低电平为0。输入信号INPUT和两路选择信号SEL0/SEL1通过一逻辑控 制模块分别输出控制电平NI、P2、P3至NMOS管NpPMOS管P 2以及PMOS管P 3的栅极;其中,
;因此输出信号INPUT、选择信 号SELO、SELl以及控制电平Nl、P2、P3的逻辑关系真值表如下:
[0028] 表 2
[0029] 所述NMOS管N1的源极接地,漏极与PMOS管P 2的漏极、PMOS管P 3的漏极连接形成 输出端。
[0030] 以及一 REF生成模块,其输入端与输入信号INPUT连接,输出端连接一反馈回路; 所述反馈回路的输出电平等于所述REF生成模块的输出参考电平。
[0031] 所述反馈回路包括OP-AMP运放以及PMOS管P1。所述OP-AMP运放的负极输入端 与REF生成模块的输出端连接、输出端与PMOS管P 1的栅极连接、正极输入端与PMOS管P 1 的漏极连接。
[0032] 所述REF生成模块包括PMOS管P4,其栅极与输入电平INPUT连接;漏极通过电流 源Il接地,源极为输出端;另有一电流源IO连接于PMOS管匕的源极与地之间,以及上拉 电阻R连接于PMOS管? 4的源极与V 之间。所述REF生成模块的输出电平V REF的计算公式 为:
[0034] 下面具体分析每种状态下,所述输出电路的输出电平逻辑:
[0035] 1)参考表2,当SELO为0时,当SELO为0时,无论SELO为0或1,控制电平NI、P2、 P3均为0、1、0。因此匪03管&关断、关断、导通。因此,此时输出的 电平为反馈回路的输出参考电平。又如前所述,反馈回来的输出参考电平等于REF生成模 块的输出电平V ref。其计算值为:
[0037] 因此,当INPUT为高电平时,PMOS管P4关断,Vref= Vc「R*I0,因此设计电阻R和电 流源IO满足R*I〇 = IV,即可使得Vref= V『1,从而满足PECL高电平的输出条件。
[0038] 同理,当INPUT为低电平时,PMOS管P4导通,V REF= V (10+11),因此设计电阻 R和电流源IO满足R* (10+11) = 1.7V,即可使得Vref= Vcc-L 7,从而满足PECL低电平的 输出条件。
[0039] 2)当第一选择信号SELO为1、第二选择信号SELl为0时;控制电平P2、P3均为1, 因此PMOS管PjP PMOS管P 3总是处于关断状态,因此,此时输出的电平呈开漏的状态。当 INPUT为高电平时,控制电平Nl为0, NMOS管N1关断,输出为高电平,满足TTL高电平的输 出条件。
[0040] 同理,当INPUT为低电平时,控制电平Nl为1,NMOS管N1导通,输出为低电平,满 足TTL低电平的输出条件。
[0041] 3)当第一选择信号SELO为1、第二选择信号SELl为1时;控制电平P3、总为高电 平,因此PMOS管P 3总是处于关断状态。当INPUT为高电平时,控制电平Nl为0, P2为0, NMOS管N1关断,PMOS管P 2导通;输出为高电平,满足CMOS高电平的输出条件。
[0042] 同理,当INPUT为低电平时,控制电平Nl为1,P2为1,NMOS管N1导通,PMOS管P 2 关断;输出为低电平,满足CMOS低电平的输出条件。
[0043] 以上所述,仅为本发明较佳的【具体实施方式】,但本发明的保护范围并不局限于此, 任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换, 都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围 为准。
【主权项】
1. 一种兼容PE化/TTL/CMOS电平的输出电路,其特征在于包括: 一路输入信号INPUT和两路选择信号SEL0/S化1,其通过一逻辑控制模块分别 输出控制电平N1、P2、P3至NMOS管Ni、PMOS管PzW及PMOS管P3的栅极;其中, 八'I二'猫0 * 7拓兩户、拓三-淀Z-庐淀ZT;-而 当第一选择信号SELO为低电平时;若INPUT为高电平,输出电平为PECL高电平;若INPUT为低电平,输出电平为PE化低电平; 当第一选择信号SELO为高电平、第二选择信号SELl为低电平时;若INPUT为高电平, 输出电平为TTL高电平;若INPUT为低电平,输出电平为TTL低电平; 当第一选择信号SEL0、第二选择信号SELl均为高电平时;若INPUT为高电平,输出电 平为CMOS高电平;若INPUT为低电平,输出电平为CMOS低电平。2. 根据权利要求1所述的一种兼容PECL/TTL/CM0S电平的输出电路,其特征在于:所 述输入信号INPUT为CMOS电平,即高电平为Vtt,低电平为0。3. 根据权利要求2所述的一种兼容PECL/TTL/CM0S电平的输出电路,其特征在于:所 述NMOS管Ni的源极接地,漏极与PMOS管P2的漏极、PMOS管P3的漏极连接形成输出端。4. 根据权利要求3所述的一种兼容阳CL/TTL/CM0S电平的输出电路,其特征在于:还 包括一REF生成模块,其输入端与输入信号INPUT连接,输出端连接一反馈回路;所述反馈 回路的输出电平等于所述REF生成模块的输出参考电平。5. 根据权利要求4所述的一种兼容PECL/TTL/CM0S电平的输出电路,其特征在于:所 述反馈回路包括OP-AMP运放W及PMOS管Pi。6. 根据权利要求5所述的一种兼容PECL/TTL/CM0S电平的输出电路,其特征在于:所 述OP-AMP运放的负极输入端与REF生成模块的输出端连接、输出端与PMOS管Pi的栅极连 接、正极输入端与PMOS管Pi的漏极连接。7. 根据权利要求6所述的一种兼容PECL/TTL/CM0S电平的输出电路,其特征在于:所 述REF生成模块包括PMOS管P4,其栅极与输入电平INPUT连接;漏极通过电流源Il接地, 源极为输出端;另有一电流源IO连接于PMOS管P4的源极与地之间,W及上拉电阻R连接 于PMOS管P4的源极与VCC之间。8. 根据权利要求7所述的一种兼容PECL/TTL/CM0S电平的输出电路,其特征在于:所 述REF生成模块的输出电平VKEF的计算公式为:= ? -惠*(/0+.窥玩示*巧 。9. 根据权利要求8所述的一种兼容PECL/TTL/CM0S电平的输出电路,其特征在于:所 述电阻R和电流源10、Il设计满足如下计算式:R*(I0+I1) = 1. 7V,R*I0 =IV。
【专利摘要】本发明提供了一种兼容PECL/TTL/CMOS电平的输出电路,包括:一路输入信号INPUT和两路选择信号SEL0/SEL1,其通过一逻辑控制模块分别输出控制电平N1、P2、P3至NMOS管N1、PMOS管P2以及PMOS管P3的栅极;其中,P3=SEL0;通过逻辑控制模块使得控制电平控制NMOS管N1、PMOS管P2以及PMOS管P3的导通或关断,使得输出电平分别满足PECL/TTL/CMOS的逻辑输出标准。
【IPC分类】H03K19/0185
【公开号】CN105207663
【申请号】CN201510621940
【发明人】林少衡
【申请人】厦门优迅高速芯片有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年9月25日
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