高频模块的制作方法

专利名称：高频模块的制作方法
技术领域：
本发明涉及进行将发送信号和接收信号分离的处理的高频模块。
技术背景近年来，可对应多频带(multiband)便携电话机正在实用化。众所 周知，作为能够以时分多址连接方式对应多个频带的便携电话机中的前 端模块，利用开关电路进行发送信号和接收信号的切换。这样的前端模 块例如被称为天线开关模块或者高频开关模块。在本申请中，将包含这 样的前端模块且进行高频信号的处理的电路和用于将该电路一体化的 基板的复合体，称为高频模块。作为高频模块中的基板，例如使用包含 层叠的多个电介质层的层叠基板。在使用了层叠基板的前端模块中，有时几个电路要素使用层叠基板 内的导体层构成，作为 一个以上的其它电路要素的 一个以上的元件搭载 在层叠基板的上表面。作为搭载在层叠基板的上表面上的元件，例如， 存在使用弹性表面波(SAW)元件构成并使接收信号通过的SAW滤波 器。另外，在这样的前端模块中，用于与外部电路连接的多个外部端子 有时配置在层叠基板的底面。在特开2004-364051号公报中公开了如下 高频模块在层叠基板的上表面搭载SAW滤波器，并且在层叠基板的 底面配置多个外部端子。另外，例如最近特开2003-142981号公报、特开2003-338724号公 报记载那样，在前端模块中，作为使接收信号通过的SAW滤波器，提 出使用具有输出平衡信号的两个输出端子的SAW滤波器。在前端模块中，在层叠基板的上表面搭载SAW滤波器、在层叠基 板的底面配置多个外部端子的情况下，需要连接SAW滤波器和外部端 子的信号路径。在特开2004-364051号公报的图5以及图6中，记载有 这样的信号路径，即，作为连接搭载在层叠基板的上表面上的SAW滤 波器和配置在层叠基板的底面的外部端子的信号路径，使用设置在层叠 基板内的通孔以及导体层、和设置在层叠基板侧面的侧面端子电极构 成。但是，在这样的结构的信号路径中，信号路径的一部分配置成在层叠基板上迂回，因此信号路径变长，其结果，存在信号路径的插入损失 变大这样的问题。另外，在该信号路径中，由于信号路径的一部分配置 在层叠基板的侧面，因此存在容易受到来自模块外部的电路的干扰这样 的问题。
但是，在前端模块中，在层叠基板的上表面搭载具有输出平衡信号
的两个输出端子的SAW滤波器、且连接在两个输出端子的两个外部端
子配置在层叠基板的底面的情况下，为了连接两个输出端子和两个外部
端子，需要两条信号路径。此处，连接在SAW滤波器的两个输出端子 的两个外部端子之间的距离不限于与SAW滤波器的两个输出端子之间 的距离相等，不同的情况较多。这样，在连接在两个输出端子的两个外 部端子之间的距离与SAW滤波器的两个输出端子之间的距离不同的情 况下，存在两条信号路径的长度因此而不同的可能性。并且，像这样两 条信号路径的长度不同时，平衡信号的平衡度有可能恶化。

发明内容
本发明的目的在于提供一种能够降低接收信号的路径的插入损失 的高频模块，该高频模块其在层叠基板的上表面搭载输出平衡信号状态 的接收信号的元件，在层叠基板的底面配置接收信号端子。
本发明的高频模块，具有
天线端子，与天线相连接；
第 一 以及第二接收信号端子，输出平衡信号状态的接收信号； 发送信号端子，输入发送信号；
分离电路，配置在所述第一接收信号端子、第二接收信号端子以及 发送信号端子和所述天线端子之间，分离所述接收信号和发送信号；
平衡信号输出元件，设置在所述分离电路和所述第 一 以及第二接收 信号端子之间，输出平衡信号状态的接收信号；以及
层叠基板，用于使所述各要素一体化。
层叠基板包括层叠的多个电介质层，具有配置在所述电介质层的层 叠方向的两侧的底面以及上表面、和连结底面和上表面的多个侧面。平 衡信号输出元件具有输出平衡信号状态的接收信号的第一以及第二输 出端子，搭载在层叠基板的上表面。层叠基板的底面具有多个边，该多 个边包括最接近第一以及第二接收信号端子的边。在从层叠基板的上方观察时，平衡信号输出元件的第一以及第二输出端子以如下方式配置
与层叠基板底面的多个边中最接近第一以及第二接收信号端子的边最接近。
本发明的高频模块还具有第一信号路径，连接第一输出端子和第 一接收信号端子；第二信号路径，连接第二输出端子和第二接收信号端 子。第 一以及第二信号路径分别使用设置在层叠基板内的一个以上的通 孔而构成，且不露出在层叠基板的侧面。
在本发明的高频模块中，根据上述结构，能够缩短第一以及第二信 号路径的长度，该第一以及笫二信号路径连接配置在层叠基板的上面的 平衡信号输出元件的第 一以及第二输出端子、和配置在层叠基板的底面 的第一以及第二接收信号端子。
在发明的高频模块中，平衡信号输出元件可以是使用弹性波元件构 成的滤波器。
另外，在本发明的高频模块中，可以是第一以及第二信号路径都包 括两个通孔，该两个通孔以中心轴相互错开的方式配置；位置调整用 导体层，配置在层叠基板内，且串联连接所述两个通孔，并且，第一信 号路径的长度和第二信号路径的长度相等。此时，第一接收信号端子和 第二接收信号端子之间的距离可以与第一输出端子和第二输出端子之 间的距离不同。
另外，在本发明的高频模块中，层叠基板包括除了构成第一以及第 二信号路径的通孔以外的通孔，构成第 一以及第二信号路径的通孔的直 径大于其它通孔的直径。
另外，本发明的高频模块，可以具有多个组的构成要素，该多个组 的构成要素对应于频带相互不同的多对的接收信号以及发送信号，所述 多个组各自可以具有所述第一、第二接收信号端子、所述发送信号端子、 所述平衡信号输出元件、所述第一以及第二信号路径。此时，分离电路 配置在所述多个组的第一、第二接收信号端子以及发送信号端子和所述 天线端子之间，按各对分离所述多对的接收信号以及发送信号，并且按 每一对分离接收信号和发送信号。
另外，多个组的第 一 以及第二接收信号端子可以沿着所述层叠基板 的底面的多个边中最接近所述第一以及第二接收信号端子的边而排成 一列。此时，多个组的笫一以及第二接收信号端子也可以按照频带由高到低的顺序排列。另外，优选在层叠基板的底面，在多个组的笫一以及 第二接收信号端子的列的延长线上未配置有其它端子。另外，在层叠基 板的内部，在通过所述多个组的第一以及第二接收信号端子的列且垂直 于层叠基板的底面的剖面上，未配置有除了构成多个组的第一以及第二 信号路径的导体层以外的导体层。在本发明的高频模块中，能够使第 一 以及第二信号路径的长度变 短，该第一以及第二信号路径连接配置在层叠基板的上面的平衡信号输 出元件的第一以及第二输出端子和配置在层叠基板的底面的第一以及 第二接收信号端子。由此，根据本发明，能够降低接收信号的路径的插 入损失。本发明的其它目的、特征以及益处通过以下的说明会十分清楚。


图1是表示本发明的一实施方式的高频模块的电路结构的方框图。 图2是表示本发明的 一 实施方式的高频模块的电路结构的电路图。图3是本发明的一实施方式的高频模块的平面图。 图4是表示本发明的 一 实施方式的高频模块的外观的立体图。 图5是表示图3所示的层叠基板中的第一层电介质层的上表面的平 面图。图6是表示图3所示的层叠基板中的第二层电介质层的上表面的平 面图。图7是表示图3所示的层叠基板中的第3层电介质层的上表面的平面图。图8是表示图3所示的层叠基板中的第4层电介质层的上表面的平 面图。图9是表示图3所示的层叠基板中的第5层电介质层的上表面的平 面图。图IO是表示图3所示的层叠基板中的第6层电介质层的上表面的 平面图。图11是表示图3所示的层叠基板中的第7层电介质层的上表面的 平面图。图12是表示图3所示的层叠基板中的第8层电介质层的上表面的平面图。图13是表示图3所示的层叠基板中的第9层电介质层的上表面的 平面图。图14是表示图3所示的层叠基板中的第一 0层电介质层的上表面 的平面图。图15是表示图3所示的层叠基板中的笫一 1层电介质层的上表面 的平面图。图16是表示图3所示的层叠基板中的第一 2层电介质层的上表面 的平面图。图17是表示图3所示的层叠基板中的第一 3层电介质层的上表面 的平面图。图18是表示图3所示的层叠基板中的第一 4层电介质层的上表面 的平面图。图19是表示图3所示的层叠基板中的第一 5层电介质层的上表面 的平面图。图20是表示图3所示的层叠基板中的第一 6层电介质层的上表面 的平面图。图21是表示图3所示的层叠基板中的第一 6层电介质层的上面及 其之下的导体层的平面图。图22是表示本发明的一实施方式中的第一以及第二信号路径的状 态的第一例的剖面图。图23是表示本发明的一实施方式中的第一以及第二信号路径的状 态的第二例的剖面图。图24是表示本发明的一实施方式中的第一以及第二信号路径的状 态的第3例的剖面图。图25是表示在第一仿真(simulation)中使用的模型的结构的剖面图。图26是表示在第一仿真中使用的模型的结构的立体图。 图27是表示第一仿真的结果的特性图。 图28是表示在第二仿真中使用的模型的结构的剖面图。 图29是具体实施方式
以下，参照附图来详细说明本发明的实施方式。本发明的一实施方 式的高频模块是作为可对应四个频带的便携电话机中的前端模块而使用的模块。具体而言，本实施方式中的高频模块处理如下信号AGSM (American Global System for Mobile Communications )方式的发送4言号 以及接收信号、EGSM ( Extended Global System for Mobile Communications)方式的发送信号以及4妻收信号、DCS ( Digital Cellular System )方式的发送信号以及接收信号、PCS ( Personal Communications Service)方式的发送信号以及接收信号。AGSM方式的发送信号的频带为824MHz 849MHz。 AGSM方式的接 收信号的频带为869MHz 894MHz。 EGSM方式的发送信号的频带为 880MHz 915MHz。 EGSM方式的接收信号的频带为925MHz 960MHz。 DCS方式的发送信号的频带为1710MHz 1785MHz。 DCS方式的接收信 号的频带为1805MHz l 880MHz 。 PCS方式的发送信号的频带为 1850MHz 1910MHz。 PCS方式的接收信号的频带为1930MHz 1990MHz。图1是表示本实施方式的高频模块的电路结构的方框图。本实施方 式的高频^t块l具有天线端子ANT、两个AGSM接收信号端子Rxll、 Rxl2、两个EGSM接收信号端子Rx21、 Rx22、两个DCS接收信号端子 Rx31、 Rx32、两个PCS接收信号端子Rx41、 Rx42、发送信号端子Txl、 Tx2、控制端子Vcl、 Vc2。天线端子ANT连接到天线101。 AGSM接收信号端子Rxl 1、 Rxl2 输出平衡信号状态的AGSM方式的接收信号。EGSM接收信号端子 Rx21、 Rx22输出平衡信号状态的EGSM方式的接收信号。DCS接收信 号端子Rx31、 Rx32输出平衡信号状态的DCS方式的接收信号。PCS接 收信号端子Rx41、 Rx42输出平衡信号状态的PCS方式的接收信号。端 子Rxll、 Rx21、 Rx31、 Rx41对应于本发明中的第一接收信号端子，端 子Rxl2、 Rx22、 Rx32、 Rx42对应于本发明的第二接收信号端子。对发送信号端子Txl输入AGSM方式的发送信号和EGSM方式的 发送信号。对发送信号端子Tx2输入DCS方式的发送信号和PCS方式 的发送信号。对控制端子Vcl输入第一控制信号。对控制端子Vc2输入 第二控制信号。端子ANT、 Rxll、 Rxl2、 Rx21、 Rx22、 Rx31、 Rx32、 Rx41、 Rx42、 Txl、 Tx2、 Vcl、 Vc2连接到外部电路。高频才莫块l还具有双工器(diplexer) 10;两个开关电路20、 50; 两个低通滤波器(以下也记为LPF)30、 60;两个相位电路40、 70; AGSM 接收用SAW滤波器111; EGSM接收用SAW滤波器113; DCS接收用 滤波器115; PCS接收用SAW滤波器117。双工器10连接到天线端子 ANT以及开关电路20、 50。开关电路20具有三个端口 P1 P3。端口 Pl连接到双工器10。端口 P2连接到LPF30。端口 P3连接到相位电路40。另外，开关电路20连 接到控制端子Vcl。并且，开关电路20根据来自控制端子Vcl的第一 控制信号的状态，选择性地将端口 P2或端口 P3连接到端口 Pl。开关电路50具有三个端口 P4 P6。端口 P4连接到双工器10。端口 P5连接到LPF60。端口 P6连接到相位电路70。另外，开关电路50连 接到控制端子Vc2。并且，开关电路50根据来自控制端子Vc2的控制 信号的状态，选择性地将端口 P5或者端口 P6连接到端口 P4。LPF30插入到开关电路20的端口 P2和发送信号端子Txl之间。 LPF30除去AGSM方式的发送信号以及EGSM方式的发送信号中所包含 的高次谐波成分。LPF60插入到开关电路50的端口 P5和发送信号端子Tx2之间。 LPF60除去DCS方式的发送信号以及PCS方式的发送信号中所包含的 高次谐波成分。相位电路40连接到开关电路20的端口 P3、 AGSM接收用SAW滤 波器111和EGSM接收用SAW滤波器113。相位电路40调整端口 P3 和SAW滤波器111之间的信号路径、以及端口 P3和SAW滤波器113 之间的信号路径各自中的阻抗特性，以使来自端口 P3的AGSM方式的 接收信号发送到SAW滤波器111、来自端口 P3的EGSM方式的接收信 号发送到SAW滤波器113。相位电路70连接到开关电路50的端口 P6、 DCS接收用SAW滤波 器115和PCS接收用SAW滤波器117。相位电路70调整端口 P6和SAW 滤波器115之间的信号路径、以及端口 P6和SAW滤波器117之间的信 号路径各自中的阻抗特性，以使来自端口 P6的DCS方式的接收信号发 送到SAW滤波器115、来自端口 P6的PCS方式的接收信号发送到SAW滤波器117。SAW滤波器lll、 113、 115、 117都是使用作为弹性波元件的弹性 表面波(SAW)元件而构成的带通滤波器。另外，也可以设置使用作为 弹性波元件的体声波(bulk acoustic wave )元件而构成的滤波器来代替 SAW滤波器lll、 113、 115、 117。弹性表面波元件利用在压电体的表 面传播的声波(弹性表面波)，与此相对，体声波元件利用在压电体内 部传播的声波(体声波)。SAW滤波器lll、 113、 115、 117都具有输入不平衡信号的一个输 入端和输出平;^信号的两个输出端。SAW滤波器111的输入端连接到 相位电路40, SAW滤波器111的两个输出端连"l妻到4^收信号端子Rxl 1 、 Rxl2。 SAW滤波器113的输入端连接到相位电路40, SAW滤波器113 的两个输出端连接到接收信号端子Rx21、 Rx22。 SAW滤波器115的输 入端连接到相位电路70, SAW滤波器115的两个输出端连接到接收信 号端子Rx31 、 Rx32。 SAW滤波器117的输入端连接到相位电路70 ， SAW 滤波器117的两个输出端连接到接收信号端子Rx41、 Rx42。SAW滤波器111使AGSM方式的接收信号通过，并遮断AGSM方 式的接收信号的频带外的频率的信号。SAW滤波器113使EGSM方式 的接收信号通过，遮断EGSM方式的接收信号的频带外的频率的信号。 SAW滤波器115使DCS方式的接收信号通过，并遮断DCS方式的接收 信号的频带外的频率的信号。SAW滤波器117使PCS方式的接收信号 通过，并遮断PCS方式的接收信号的频带外的频率的信号。另外，SAW 滤波器111、 113、 115、 117都具有将输入到输入端的不平衡信号变换 成平衡信号并从输出端输出的功能。接着，参照图2详细说明图1所示的高频模块1的电路结构。图2 是表示高频模块1的电路结构的电路图。双工器10具有电感器ll、 15;电容器12、 13、 14、 16。电感器 11以及电容器12、 13各一端连接到天线端子ANT。电感器11以及电 容器12的各自另一端连接到开关电路20的端口 Pl。电容器14的一端 连接到电容器13的另一端。电容器14的另一端连接到开关电路50的 端口P4。电感器15的一端连接到电容器13的另一端。电感器15的另 一端经由电容器16接地。电感器11以及电容器12构成使AGSM方式的信号以及EGSM方式的信号通过、并遮断DCS方式的信号以及PCS方式的信号的低通滤 波器。电容器13、 14、 16以及电感器15构成使DCS方式的信号以及 PCS方式的信号通过、并遮断AGSM方式的信号以及EGSM方式的信 号的带通滤波器。开关电路20具有端口 P1 P3;电感器21、 25;电容器22 24; 电阻器R1; 二极管D1、 D2。电感器21以及电容器24各自一端以及二 极管Dl的阳极连接到端口 Pl。电容器24的另一端接地。二极管D1的 阴极以及电感器25的一端连接到端口 P2。电感器25的另一端接地。电 感器21的另 一端以及二极管D2的阴极连接到端口 P3 。 二极管D2的阳 极连接到电阻器21的一端，并且，经由电容器22接地。电阻器R1的 另一端连接到控制端子Vcl,并且，经由电容器23接地。LPF30具有电感器31、电容器32 34。电感器31以及电容器33、 34的各一端连接到发送信号端子Txl。电感器31以及电容器33的各自 另一端以及电容器32的一端连接到开关电路20的端口 P2。电容器32、 34的各自另一端接地。相位电路40具有电容器41、 42、 44、 45、和电感器43、 46。电容 器41、 42的各一端连接到开关电路20的端口 P3。电感器43的一端连 接到电容器42的另一端。电感器43的另一端以及电容器44的一端连 接到SAW滤波器111的输入端。电容器44的另一端接地。电容器45 的一端连接到电容器42的另一端。电容器45的另一端以及电感器46 的一端连接到SAW滤波器113的输入端。电感器46的另一端接地。在本实施方式中，SAW滤波器lll、 113包含在将它们复合后的一 个部件即双SAW滤波器(dual SAW filter) 121中。双SAW滤波器121 具有六个端子P11 P16以及未图示的四个接地用端子。端子Pll连接到 SAW滤波器111的输入端。端子P12、 P13连接到SAW滤波器111的 两个输出端。另外，端子P12、 P13连接到接收信号端子Rxll、 Rxl2。 端子P14连接到SAW滤波器113的输入端。端子P15、P16连接到SAW 滤波器113的两个输出端。另外，端子P15、 P16连接到接收信号端子 Rx21、 Rx22。相位电路40中的电感器43的另一端以及电容器44的一 端经由Pll连接到SAW滤波器111的输入端。相位电路40中的电容器 45的另一端以及电感器46的一端经由端子P14连接到SAW滤波器113 的输入端。开关电路50具有端口 P4 P6、电感器51、 55、 57、电容器52 54、 56、电阻器R2、 二极管D3、 D4。电感器51以及电容器54、 56的各一 端和二极管D3的阳极连接到端口 P4。电容器54的另一端接地。二极 管D4的阴极以及电感器55的一端连接到端口 P5。电感器55的另一端 接地。电感器51的另一端以及二极管D4的阴极连接到端口 P6。 二极 管D4的阳极连接到电阻器R2的一端，并且，经由电容器52接地。电 阻器R2的另一端连接到控制端子Vc2，并且，经由电容器53接地。电 感器57的一端连接到电容器56的另一端。电感器57的另一端连接到 端口 P5。LPF60具有电感器61、 65、和电容器62 64、 66、 67。电感器65 以及电容器66、 67的各一端连接到发送信号端子Tx2。电感器61以及 电容器62、 63的各一端连接到开关电路50的端口 P5。电感器61、 65 以及电容器63、 66的各自另一端相互连接，并且，经由电容器64接地。 电容器62、 67的各自另一端接地。相位电路70具有电容器71、 72、 74、 75和电感器73、 76。电容器 71、 72的各一端连接到开关电路50的端口 P6。电感器73的一端连接 到电容器72的另一端。电感器73的另一端以及电容器74的一端连接 到SAW滤波器115的输入端。电容器74的另一端接地。电容器75的 一端连接到电容器72的另一端。电容器75的另一端以及电感器76的 一端连接到SAW滤波器117的输入端。电感器76的另一端接地。在本实施方式中，SAW滤波器115、 117包含在将它们复合后的一 个部件即双SAW滤波器122中。双SAW滤波器122具有六个端子 P21 P26以及未图示的四个接地用端子。端子P21连接到SAW滤波器 115的输入端。端子P22、 P23连接到SAW滤波器115的两个输出端。 另外，端子P22、 P23连接到接收信号端子Rx31、 Rx32。端子P24连接 到SAW滤波器117的输入端。端子P25、 P26连接到SAW滤波器117 的两个输出端。另外，端子P25、 P26连接到接收信号端子Rx41、 Rx42。 相位电路70中的电感器73的另一端以及电容器74的一端经由端子P21 连接到SAW滤波器115的输入端。相位电路70中的电容器75的另一 端以及电感器76的 一端经由端子P24连接到SAW滤波器117的输入端。双SAW滤波器121从端子P12、 P13输出平4軒信号状态的AGSM 方式的接收信号，并且，从端子P15、 P16输出平tH言号状态的EGSM方式的接收信号。双SAW滤波器122从端子P22、 P23输出平衡信号状 态的DCS方式的接收信号，并且，从端子P25、 P26输出平衡信号状态 的PCS方式的接收信号。双SAW滤波器121、 122与本发明中的平衡信 号输出元件相对应。端子P12、 P15、 P22、 P25与本发明中的第一输出 端子相对应，端子P13、 P16、 P23、 P26与本发明中的第二输出端子相 对应。在高频模块1中，输入到天线端子ANT的AGSM方式的接收信号 通过双工器10、开关电路20、相位电路40以及SAW滤波器111,发送 到接收信号端子Rxll、 Rxl2。输入到天线端子ANT的EGSM方式的接 收信号通过双工器10、开关电路20、相位电路40以及SAW滤波器113, 发送到接收信号端子Rx21、 Rx22。输入到天线端子ANT的DCS方式 的接收信号通过双工器10、开关电路50、相位电路70以及SAW滤波 器115，发送到接收信号端子Rx31、 Rx32。输入到天线端子ANT的PCS 方式的接收信号通过双工器10、开关电路50、相位电路70以及SAW 滤波器117,发送到接收信号端子Rx41、 Rx42。输入到发送信号端子 Txl的AGSM方式的发送信号或者EGSM方式的发送信号通过LPF30、 开关电路20以及双工器10，发送到天线端子ANT。输入到发送信号端 子Tx2的DCS方式的发送信号或者PCS方式的发送信号通过LPF60、 开关电路50以及双工器10,发送到天线端子ANT。双工器10以及开关电^各20、 50将AGSM方式或者EGSM方式的 接收信号、AGSM方式或者EGSM方式的发送信号、DCS方式或者PCS 方式的接收信号、DCS方式或者PCS方式的发送信号分离。双工器10 以及开关电路20、 50与本发明中的分离电路相对应。接着，参照图3以及图4，说明高频模块l的结构。图3是高频模 块1的平面图。图4是表示高频^^块1的外观的立体图。如图3以及图 4所示，高频模块1具备用于将高频模块1的上述各个要素一体化的层 叠基板200。叠层基板200具有交替地层叠的多个电介质层和多个导体 层。另外，层叠基板200具有配置在层叠方向的两侧的底面200a以及 上表面200b、连结底面200a和上表面200b的四个侧面，呈长方体形状。高频模块1中的电路使用层叠基板200的内部或者表面上的导体 层、搭载在层叠基板200的上表面200b上的元件构成。这里，作为一 例，假设图2中的双SAW滤波器121、 122、 二极管D1 D4、电阻器Rl、 R2以及电感器25、 46、 55、 57,搭载在层叠基板200的上表面200b。 层叠基板200例如为低温同时烧结陶瓷多层基板。在层叠基板200的底面200a配置有端子ANT、Rxl 1 、Rxl2、Rx21 、 Rx22、 Rx31、 Rx32、 Rx41、 Rx42、 Txl、 Tx2、 Vcl、 Vc2、和后述的多 个接地端子。接着，参照图5至图21,说明层叠基板200结构的一例。图5至图 20分别表示从上起的第一层至第一 6层(最下层)的电介质层的上表面。 图21以从上方观察的状态表示从上起的第一 6层的电介质层以及其下 的导体层。在图5至图20中，圆圈表示通孔。在图5所示的第一层电介质层201的上表面形成十个导体层 401 410,连接双SAW滤波器121的各端子P11 P16以及未图示的四个 接地用端子；十个导体层501 510,连接双SAW滤波器122的各端子 P21-P26以及未图示的四个接地用端子。在电介质层201的上表面，还 形成导体层221 225、 301、 411 417、 511 519。双SAW滤波器121的端子P11、 P12、 P13、 P14、 P15、 P16分别 连接到导体层404、 409、 410、 401、 407、 408。在导体层402、 403、 405、 406上连接着SAW滤波器121的未图示的四个接地用端子。双SAW滤波器122的端子P21、 P22、 P23、 P24、 P25、 P26分别 连接到导体层504、 509、 510、 501、 507、 508。在导体层502、 503、 505、 506上连接着双SAW滤波器122的未图示的四个接地用端子。二极管Dl的阳极连接到导体层301， 二极管Dl的阴极连接到导体 层411。 二极管D2的阳极连接到导体层415, 二极管D2的阴极连接到 导体层416。 二极管D3的阳极连接到导体层513, 二极管D3的阴极连 接到导体层514。 二极管D4的阳极连接到导体层515, 二极管D4的阴 极连接到导体层516。电阻器Rl的一端连接到导体层413,电阻器R1 的另一端连接到导体层414。电阻器R2的一端连接到导体层511，电阻 器R2的另一端连接到导体层512。电感器25的一端连接到导体层223,电感器25的另一端连接到导 体层412。电感器46的一端连接到导体层225,电感器46的另一端连 接到导体层417。电感器55的一端连接到导体层224,电感器55的另 一端连接到导体层519。电感器57的一端连接到导体层517,电感器57 的另一端连接到导体层518。在电介质层201上形成有分别与导体层407、 408、 409、 410、 507、 508、 509、 510连接的通孔h11、 h12、 h13、 h14、 h15、 h16、 h17、 h18。 另外，在电介质层201上，除了赋予符号的通孔以外，还如图5所示那 样，形成有多个通孔。在图6所示的第二层电介质层202的上表面，形成有电容器用导体 层303、 430、位置调整用导体层a21 a28以及导体层227~231、 304、 426 429、 526 528。导体层528具有电感器构成单元528a和电容器构 成单元528b。导体层303构成图2中的电容器14、 56的各自一部分。在导体层 303上，经由形成于电介质层201的通孔，连接图5所示的导体层513。 导体层430构成图2中的电容器45的一部分。在导体层430上，经由 形成于电介质层201的通孔，连接图5所示的导体层401、 417。导体层 528的电容器构成部528b构成图2中的电容器75的一部分。在导体层 528上，经由形成于电介质层201的通孔，连接图5所示的导体层501。 导体层528的电感器构成部528a构成图2中的电感器76的一部分。在导体层227上，经由形成于电介质层201的通孔，连接图5所示 的导体层222、 223。在导体层228上，经由形成于电介质层201的通孔， 连接图5所示的导体层222、 224。在导体层229上，经由形成于电介质 层201的通孔，连接图5所示的导体层502、 503、 506。在导体层230 上，经由形成于电介质层201的通孔，连接图5所示的导体层222、 225、 402、 403、 405、 406。在导体层231上，经由形成于电介质层201的通 孔，连接图5所示的导体层221、 505。图5所示的导体层301经由形成于电介质层201的通孔与导体层 304连接。图5所示的导体层411、 412经由形成于电介质层201的通孔 与导体层426连接。图5所示的导体层414、 415经由形成于电介质层 201的通孔与导体层427连接。图5所示的导体层413经由形成于电介 质层201的通孔与导体层428连接。图5所示的导体层416经由形成于 电介质层201的通孔与导体层429连接。图5所示的导体层512、 515经由形成于电介质层201的通孔与导 体层526连接。图5所示的导体层514、 518、 519经由形成于电介质层 201的通孔与导体层527连接。体层a21 a28连接。在电介质层202上，形成有分别连接到导体层a21 a28的通孔 h21 h28。另外，在电介质层202上，除了赋予符号的通孔以外，还如 图6所示那样形成有多个通孔。在图7所示的第3层电介质层203的上表面，形成有电容器用导体 层438、 537、 539、导体层235、 306以及电感器用导体层307、 436、 437、 536、 538、 540。导体层306具有电感器构成部306a和电容器构 成部306b。在导体层235上，经由形成于电介质层202的通孔，连接图 6所示的导体层230。导体层306的电容器构成部306b与图6所示的导体层303的一部 分一起构成图2中的电容器14，并且，构成图2中的电容器13的一部 分。导体层438构成图2中的电容器45的一部分。导体层537构成图2 中的电容器56的一部分。在导体层537上，经由形成于电介质层201、 202的通孔，连接图5所示的导体层517。导体层539构成图2中的电 容器75的一部分。导体层306的电感器构成部306a构成图2中的电感器15的一部分。 在导体层307上，经由形成于电介质层202的通孔，连接图6所示的导 体层304。导体层307构成图2中的电感器11的一部分。在导体层436 上，经由形成于电介质层202的通孔，连接图6所示的导体层426。导 体层436构成图2中的电感器31的一部分。在导体层437上，经由形 成于电介质层202的通孔，连接图6所示的导体层429。导体层437构 成图2中的电感器21的一部分。在导体层536上，经由形成于电介质层201、 202的通孔，连接图5 所示的导体层516。导体层536构成图2中的电感器51的一部分。在导 体层538上，经由形成于电介质层202的通孔，连接图6所示的导体层 527。导体层538构成图2中的电感器61的一部分。在导体层540上， 经由形成于电介质层202的通孔，连接图6所示的导体层528。导体层 540构成图2中的电感器76的一部分。在电介质层203上，形成有分别连接到通孔h21 h28的通孔 h31 h38。另外，在电介质层203上，除了赋予符号的通孔以外，还如 图7所示那样形成有多个通孔。在图8所示的第4层电介质层204的上表面，形成有电容器用导体层310、 442、 543、 546以及电感器用导体层309、 311、 440、 441、 443、 542、 544、 547、 548。导体层310与图7所示的导体层306的电容器构 成部306b —起构成图2中的电容器13。导体层442构成图2中的电容 器45的一部分。在导体层442上，经由形成于电介质层202、 203的通 孔，连接图6所示的导体层430。导体层543构成图2中的电容器56的 一部分。在导体层543上，经由形成于电介质层202、 203的通孔，连 接图6所示的导体层303。导体层546构成图2中的电容器75的一部分。 在导体层546上，经由形成于电介质层202、 203的通孔，连接图6所 示的导体层528。在导体层309上，经由形成于电介质层203的通孔，连接图7所示 的导体层306。导体层309构成图2中的电感器15的一部分。在导体层 311上，经由形成于电介质层203的通孔，连接图7所示的导体层307。 导体层311构成图2中的电感器11的一部分。在导体层440上，经由 形成于电介质层203的通孔，连接图7所示的导体层436。导体层440 构成图2中的电感器31的一部分。在导体层441上，经由形成于电介 质层203的通孔，连接图7所示的导体层437。导体层441构成图2中 的电感器21的一部分。在导体层443上，经由形成于电介质层201 203 的通孔，连接图5所示的导体层404。导体层443构成图2中的电感器 43的一部分。在导体层542上，经由形成于电介质层203的通孔，连接图7所示 的导体层536。导体层542构成图2中的电感器51的一部分。在导体层 544上，经由形成于电介质层203的通孔，连接图7所示的导体层538。 导体层544构成图2中的电感器61的一部分。在导体层547上，经由 形成于电介质层201 203的通孔，连接图5所示的导体层504。导体层 547构成图2中的电感器73的一部分。在导体层548上，经由形成于电 介质层203的通孔，连接图7所示的导体层540。导体层548构成图2 中的电感器76的一部分。在电介质层204上形成有分别与通孔h31 h3 8连接的通孔h41 h48 。 另外，在电介质层204上，除了赋予符号的通孔以外，还如图8所示那样形成有多个通孔。在图9所示的第5层的电介质205的上表面，形成有电容器用导体 层447、 551、 554、电感器用导体层313、 314、 445、 446、 448、 550、552、 555、 556以及位置调整用导体层a53、 a54、 a55、 a56。导体层447 与导体层430、 438、 442 —起，构成图2中的电容器45。在导体层447 上，经由形成于电介质层203、 204的通孔，连接图7所示的导体层438。 导体层551构成图2中的电容器56的一部分。在导体层551上，经由 形成于电介质层203、 204的通孔，连接图7所示的导体层537。导体层 554与导体层528的电容器构成部528b以及导体层539、 546 —起，构 成图2中的电容器75。在导体层554上，经由形成于电介质层203、 204 的通孔，连接图7所示的导体层539。在导体层313上，经由形成于电介质层204的通孔，连接图8所示 的导体层309。导体层313构成图2中的电感器15的一部分。在导体层 314上，经由形成于电介质层204的通孔，连接图8所示的导体层311。 导体层314构成图2中的电感器11的一部分。在导体层445上，经由 形成于电介质层204的通孔，连接图8所示的导体层440。导体层445 构成图2中的电感器31的一部分。在导体层446上，经由形成于电介 质层204的通孔，连接图8所示的导体层441。导体层446构成图2中 的电感器21的一部分。在导体层448上，经由形成于电介质层204的 通孔，连接图8所示的导体层443。导体层448构成图2中的电感器43 的一部分。在导体层550上，经由形成于电介质层204的通孔，连接图8所示 的导体层542。导体层550构成图2中的电感器51的一部分。在导体层 552上，经由形成于电介质层204的通孔，连接图8所示的导体层544。 导体层552构成图2中的电感器61、 65的各一部分。图2中的电感器 61由导体层552的一部分以及导体层538、 544构成。在导体层555上， 经由形成于电介质层204的通孔，连接图8所示的导体层547。导体层 555构成图2中的电感器73的一部分。在导体层556上，经由形成于电 介质层204的通孔，连接图8所示的导体层548。导体层556构成图2 中的电感器76的一部分。在导体层a53、 a54、 a55、 a56上分别连接通 孔h43、 h44、 h45、 h46。在电介质层205上，形成有分别与通孔h41、 h42、 h47、 h48连接 的通孔h51、 h52、 h57、 h58、和分别与导体层a53、 a54、 a55、 a56连 接的通孔h53、 h54、 h55、 h56。另外，在电介质层205上，除了赋予符 号的通孔以外，还如图9所示那样形成有多个通孔。在图10所示的第6层电介质层206的上表面，形成有电容器用导 体层456、 559、以及电感器用导体层316、 317、 454、 455、 457、 558、 560、 562、 563。导体层456构成图2中的电容器42的一部分。在导体 层456上，经由形成于电介质层205的通孔，连接图9所示的导体层447。 导体层559构成图2中的电容器56的一部分。在导体层559上，经由 形成于电介质层204、 205的通孔，连接图8所示的导体层543。在导体层316上，经由形成于电介质层205的通孔，连接图9所示 的导体层313。图2中的电感器15由导体层306的电感器构成部306a 以及导体层309、 313、 316构成。在导体层317上，经由形成于电介质 层205的通孔，连接着图9所示的导体层314。导体层317构成图2中 的电感器ll的一部分。在导体层454上，经由形成于电介质层205的 通孔，连接图9所示的导体层445。导体层454构成图2中的电感器31 的一部分。在导体层455上，经由形成于电介质层205的通孔，连接图 9所示的导体层446。导体层455构成图2中的电感器21的一部分。在 导体层457上，经由形成于电介质层205的通孔，连接图9所示的导体 层448。导体层457构成图2中的电感器43的一部分。在导体层558上，经由形成于电介质层205的通孔，连接图9所示 的导体层550。导体层558构成图2中的电感器51的一部分。在导体层 560上，经由形成于电介质层205的通孔，连接图9所示的导体层552。 图2中的电感器65由导体层552的一部分和导体层560构成。在导体 层562上，经由形成于电介质层205的通孔，连接图9所示的导体层555。 导体层562构成图2中的电感器73的一部分。在导体层563上，经由 形成于电介质层205的通孔，连接图9所示的导体层556。导体层563 构成图2中的电感器76的一部分。在电介质层206上，形成有分别与通孔h51 h58连接的通孔 h61 h68。另外，在电介质层206上，除了赋予符号的通孔以外，还如 图10所示那样形成有多个通孔。在图11所示的第7层电介质层207的上表面，形成有电容器用导 体层461、 566、电感器用导体层320、 459、 460、 462、 565、 568、 569、 导体层319以及位置调整用导体层a71、 a72、 a77、 a78。导体层461构 成图2中的电容器42的一部分。在导体层461上，经由形成于电介质 层202~206的通孔，连接图9所示的导体层429。导体层566构成图2中的电容器的一部分。在导体层566上，经由形成于电介质层205、 206 的通孔，连接图9所示的导体层551。在导体层319上，经由形成于电介质层206的通孔，连接图10所 示的导体层316。在导体层320上，经由形成于电介质层206的通孔， 连接图10所示的导体层317。图2中的电感器11由导体层307、 311、 314、 317、 320构成。在导体层459上，经由形成于电介质层206的通孔，连接图10所 示的导体层454。图2中的电感器31由导体层436、 440、 445、 454、 459构成。在导体层460上，经由形成于电介质层206的通孔，连接图 10所示的导体层455。导体层460构成图2中的电感器21的一部分。 在导体层462上，经由形成于电介质层206的通孔，连接图IO所示的 导体层457。导体层462构成图2中的电感器43的一部分。在导体层565上，经由形成于电介质层206的通孔，连接图10所 示的导体层558。另外，在导体层565上，经由形成于电介质层202 206 的通孔，连接图6所示的导体层303。图2中的电感器51由导体层536、 542、 550、 558、 565构成。在导体层568上，经由形成于电介质层206 的通孔，连接图IO所示的导体层562。图2中的电感器73由导体层547、 555、 562、 568构成。在导体层569上，经由形成于电介质层206的通 孔，连接着图10所示的导体层563。导体层569构成图2中的电感器 76的一部分。在导体层a71、 a72、 a77、 a78上,分别连接通孔h61、 h62、 h67、 h68。在电介质层207上，形成有分别与导体层a71、 a72、 a77、 a78 连接的通孔h71、 h72、 h77、 h78;分别与通孔h63、 h641、 h65、 h66连 接的通孔h73、 h74、 h75、 h76。另外，在电介质层207上，除了赋予符 号的通孔以外，还如图11所示那样形成有多个通孔。在图12所示的第8层的电介质层208的上表面，形成有电容器用 导体层571、 572、 575、电感器用导体层464、 574以及导体层465、 573、 466。导体层465具有电感器构成部465a和电容器构成部465b。导体层 571与导体层303的其它一部分以及导体层537、 543、 551、 559、 566 一起，构成图2中的电容器56。在导体层571上，经由形成于电介质层 206、 207的通孔，连接图10所示的导体层559。导体层572构成图2 中的电容器72的一部分。在导体层572上，经由形成于电介质层203 207的通孔，连接图7所示的导体层536。导体层465的电容器构成部465b构成图2中的电容器42的一部分。 在导体层465上，经由形成于电介质层207的通孔，连接图11所示的 导体层462。另外，在导体层465上，经由形成于电介质层206、 207的 通孔，连接图10所示的导体层456。图2中的电感器43由导体层443、 448、 457、 462以及导体层465的电感器构成部465a构成。在导体层464上，经由形成于电介质层207的通孔，连接图11所 示的导体层460。导体层464构成图2中的电感器21的一部分。在导体 层574上，经由形成于电介质层207的通孔，连接图ll所示的导体层 569。导体层574构成图2中的电感器76的一部分。在导体层466上，经由形成于电介质层207的通孔，连接图11所 示的导体层459。在导体层573上，经由形成于电介质层207的通孔， 连接图11所示的导体层568。在导体层575上，经由形成于电介质层 206、 207的通孔，连接图10所示的导体层560。在电介质层208上形成有分别与通孔h71 h78连接的通孔h81 h88 。 另外，在电介质层208上，除了赋予符号的通孔以外，还如图12所示那样形成有多个通孔。在图13所示的第9层的电介质层209上，形成有电容器用导体层 322、 472、 473、 580、 582、电感器用导体层471、 583以及位置调整用 导体层a93、 a94、 a95、 a96。导体层322构成图2中的电容器12的一 部分。在导体层322上，经由形成于电介质层207、 208的通孔，连接 图11所示的导体层320。另外，在导体层322上，经由形成于电介质层 204 208的通孔，连接图8所示的导体层310。导体层472构成图2中 的电容器42的一部分。在导体层472上，经由形成于电介质层207、 208 的通孔，连接图11所示的导体层461。导体层473构成图2中电容器 33的一部分。在导体层473上，经由形成于电介质层208的通孔，连接 图12所示的导体层466。导体层580构成图2中的电容器63、 66的各一部分。在导体层580 上，经由形成于电介质层205-208的通孔，连接图9所示的导体层552。 导体层582构成图2中的电容器72的一部分。在导体层582上，经由 形成于电介质层208的通孔，连接图12所示的导体层573。另外，在导 体层582上，经由形成于电介质层205 208的通孔，连接图9所示的导体层554。在导体层471上，经由形成于电介质层208的通孔，连接图12所 示的导体层464。图2中的电感器21由导体层437、 441、 446、 455、 460、 464、 471构成。在导体层583上，经由形成于电介质层208的通 孔，连接图12所示的导体层574。图2中的电感器76由导体层528的 电感器构成部528a以及导体层540、 548、 556、 563、 569、 574、 583 构成。在导体层a93、 a94、 a95、 a96上，分别连接通孔h83、 h84、 h85、 h86。在电介质层209上，形成有分别与通孔h81、 h82、 h87、 h88连 接的通孔h91、 h92、 h97、 h98;分别与导体层a93、 a94、 a95、 a96连 接的通孔h93、 h94、 h95、 h96。另外，在电介质层209上，除了赋予符 号的通孔以外，还如图13所示那样形成有多个通孔。在图14所示第一0层电介质层210上，形成有电容器用导体层324、 474、 475、 585。导体层324与图13所示的导体层322 —起，构成图2 中的电容器12。在导体层324上，经由形成于电介质层209的通孔，连 接图13所示的导体层471。另外，在导体层324上，经由形成于电介质 层202 209的通孔，连接图6所示的导体层304。导体层474构成图2中的电容器33的一部分。在导体层474上， 经由形成于电介质层203~209的通孔，连接图7所示的导体层436。导 体层475构成图2中的电容器42的一部分。在导体层475上，经由形 成于电介质层208、 209的通孔，连接图12所示的导体层465。导体层 585构成图2中的电容器71的一部分。另外，导体层585与导体层572、 582 —起，构成图2中的电容器72。在导体层585上，经由形成于电介 质层208、 209的通孔，连接图12所示的导体层572。在电介质层210上，形成有分别与通孔h91 h98连接的通孔 hl01 hl08。另外，在电介质层210上，除了赋予符号的通孔以外，还 如图14所示那样形成有多个通孔。在图15所示的第一 1层电介质层211上，形成有电容器用导体层 477-479、 587、 588。导体层477构成图2中的电容器24的一部分。在 导体层477上，经由形成于电介质层210的通孔，连接图14所示的导 体层324。导体层478与图13所示的导体层473以及图14所示的导体 层474 —起，构成图2中的电容器33，并且构成图2中的电容器32的一部分。在导体层478上，经由形成于电介质层210的通孔，连接图14 所示的导体层474。导体层479构成图2中的电容器41的一部分。另外， 导体层479与导体层456、 461、 472、 475以及导体层465的电容器构 成部465b—起，构成图2中的电容器42。在导体层479上，经由形成 于电介质层209、 210的通孔，连接图13所示的导体层472。导体层587构成图2中的电容器54的一部分。在导体层587上， 经由形成于电介质层208-210的通孔，连接图12所示的导体层571。导 体层588构成图2中的电容器62的一部分。另外，导体层588与导体 层580 —起构成图2中的电容器66。在导体层588上，经由形成于电介 质层203-210的通孔，连接图7所示的导体层538。在电介质层211上，形成有分别与通孔hl01 hl08连接的通孔 hlll hl18。另外，在电介质层211上，除了赋予符号的通孔以外，还 如图15所示那样形成有多个通孔。在图16所示的第一2层电介质层212上，形成有接地用导体层238。 在导体层238上，经由形成于电介质层201-211的通孔，连接图5所示 的导体层221。另外，在导体层238上，经由形成于电介质层202 211 的通孔，连接图6所示的导体层227、 229 231。另外，在导体层238上， 经由形成于电介质层203~211的通孔，连接图7所示的导体层235。另 外，在导体层238上，经由形成于电介质层209 211的通孔，连接图13 所示的导体层583。导体层238与图14所示的导体层585 —起构成图2 中的电容器71。另外，导体层238与图15所示的导体层479、 587、 588 的每一个一起构成图2中的电容器41、 54、 62。在电介质层212上，形成有分别与通孔hlll hl18连接的通孔 hl21 hl28。另外，在电介质层212上，除了赋予符号的通孔以外，还 如图16所示那样形成有多个通孔。在图17所示的第一 3层电介质层213上，形成有电容器用导体层 481~485、 590 592。导体层481构成图2中的电容器24的一部分。在 导体层481上，经由形成于电介质层211、 212的通孔，连接图15所示 的导体层477。导体层482构成图2中的电容器32的一部分。在导体层 482上，经由形成于电介质层211、 212的通孔，连接图15所示的导体 层478。导体层483构成图2中的电容器22的一部分。在导体层483上， 经由形成于电介质层202 212的通孔，连接图6所示的导体层427。导体层484构成图2中的电容器23的一部分。在导体层484上，经由形 成于电介质层202 212的通孔，连接图6所示的导体层428。导体层485 构成图2中的电容器44的一部分。在导体层485上，经由形成于电介 质层204-212的通孔，连接图8所示的导体层443。导体层590构成图2中的电容器52的一部分。在导体层590上， 经由形成于电介质层202 212的通孔，连接图6所示的导体层526。导 体层591构成图2中的电容器64的一部分。在导体层591上，经由形 成于电介质层209~212的通孔，连接图13所示的导体层580。导体层 592构成图2中的电容器74的一部分。在导体层592上，经由形成于电 介质层204 212的通孔，连接图8所示的导体层547。在电介质层213上，形成有分别与通孔hl21 hl28连接的通孔 hl31 hl38。另外，在电介质层213上，除了赋予符号的通孔以外，还 如图17所示那样形成有多个通孔。在图18所示的第一4层电介质层214上，形成有接地用导体层240。 在导体层240上，经由形成于电介质层212、 213的通孔，连接图16所 示的导体层238。图2中的电容器24由导体层477、 238、 481、 240构 成。图2中的电容器32由导体层478、 238、 482、 240构成。图2中的 电容器44由导体层238、 485、 240构成。图2中的电容器52由导体层 238、 590、 240构成。图2中的电容器62由导体层238、 588、 240构成。 图2中的电容器74由导体层238、 592、 240构成。在电介质层214上，形成有分别与通孔hl31 hl38连接的通孔 hl41 hl48。另外，在电介质层214上，除了赋予符号的通孔以外，还 如图18所示那样形成有多个通孔。在图19所示的第一 5层电介质层215上，形成有电容器用导体层 326、 487、 489、 594、 595。导体层326构成图2中的电容器16的一部 分。在导体层326上，经由形成于电介质层207-214的通孔，连接图11 所示的导体层319。导体层487构成图2中的电容器34的一部分。在导体层487上， 经由形成于电介质层209 214的通孔，连接图13所示的导体层473。导 体层488构成图2中的电容器23的一部分。在导体层488上，经由形 成于电介质层213、 214的通孔，连接图17所示的导体层484。导体层 489构成图2中的电容器22的一部分。在导体层489上，经由形成于电介质层213、 214的通孔，连接图17所示的导体层483。导体层594构 成图2中的电容器53的一部分。在导体层594上，经由形成于电介质 层201 214的通孔，连接图5所示的导体层511。导体层595构成图2 中的电容器67的一部分。在导体层595上，经由形成于电介质层208 214 的通孔，连接图12所示的导体层575。在电介质层215上，形成有分别与通孔hl41 hl48连接的通孔 hl51 hl58。另外，在电介质层215上，除了赋予符号的通孔以外，还 如图19所示那样形成有多个通孔。在图20所示的第一 6层的电介质层216上，形成有接地用导体层 244。在导体层244上，经由形成于电介质层214、 215的通孔，连接图 18所示的导体层240。图2中的电容器16由导体层240、 326、 244构成。图2中的电容 器22由导体层238、 483、 240、 489、 244构成。图2中的电容器23由 导体层238、 484、 240、 488、 244构成。图2中的电容器34由导体层 240、 487、 244构成。图2中的电容器53由导体层240、 594、 244构成。 图2中的电容器67由导体层240、 595、 244构成。在电介质层216上，形成有分别与通孔hl51 hl58连接的通孔 hl61 hl68。另外，在电介质层216上，除了赋予符号的通孔以外，还 如图20所示那样形成有多个通孔。如图21所示，在电介质层216的下面、即层叠基板200的底面200a， 形成有构成所述各端子ANT、 Rxll、 Rxl2、 Rx21、 Rx22、 Rx31、 Rx32、 Rx41、 Rx42、 Txl、 Tx2、 Vcl、 Vc2的导体层、构成九个接地端子G卜G9 的导体层、以及接地用导体层246~249。接地端子G1 G9接地。层叠基板200的底面200a具有四个边。对于上迷多个端子来说， 在底面200a,排列配置在四个边附近。所有的接收信号端子Rxll、Rx12、 Rx21、 Rx22、 Rx31、 Rx32、 Rx41、 Rx42配置在四个边中的一个边200al 的附近。在天线端子ANT上，经由形成于电介质层209~216的通孔，连接 图13所示的导体层322。在发送信号端子Txl上，经由形成于电介质层 215、 216的通孔，连接图19所示的导体层487。在发送信号端子Tx2 上，经由形成于电介质层215、216的通孔，连接图19所示的导体层595。 在控制端子Vcl上，经由形成于电介质层213~216的通孔，连接图17所示的导体层484。在控制端子Vc2上，经由形成于电介质层215、 216 的通孔，连接图19所示的导体层594。在接地端子G1 G9以及导体层 246 249上，经由形成于电介质层216的通孔，连接图20所示的导体层 244。在AGSM接收信号端子Rxll上，经由通孔hl3、导体层a23、通 孔h23、 h33、 h43、导体层a53、通孔h53、 h63、 h73、 h83、导体层a93、 通孔h93、 h103、 h113、 h123、 h133、 h143、 h153、 h163构成的信号路 径(以下记为信号路径SPll。)，连接图5所示的导体层409。在导体 层409上，连接双SAW滤波器121的端子P12。因此，信号路径SPll 连接端子P12和AGSM接收信号端子Rxll。信号路径SP11与本发明中 的第一信号路径相对应。在AGSM接收信号端子Rxl2上，经由通孔hl4、导体层a24、通 孔h24、 h34、 h44、导体层a54、通孔h54、 h64、 h74、 h843、导体层a94、 通孔h94、 h104、 h114、 h124、 h134、 h144、 h154、 hl64构成的信号路 径(以下记为信号路径SP12。)，连接图5所示的导体层410。在导体 层410上，连接双SAW滤波器121的端子P13。因此，信号路径SP12 连接端子P13和AGSM接收信号端子Rxl2。信号路径SP12与本发明中 的第二信号路径相对应。在EGSM接收信号端子Rx21上，经由通孔hll、导体层a21、通孔 h21、 h31、 h41、 h51、 h61、导体层a71、通孔h71、 h81、 h91、 h101、 hlll、 h121、 h131、 h141、 h151、 h161构成的信号路径(以下记为信号 路径SP21。)，连接图5所示的导体层407。在导体层407上，连接双 SAW滤波器121的端子P15。因此，信号路径SP21连接端子P15和EGSM 接收信号端子Rx21 。信号路径SP21与本发明中的第 一信号路径相对应。在EGSM接收信号端子Rx22上，经由通孔hl2、导体层a22、通孔 h22、 h32、 h42、 h52、 h62、导体层a72、通孔h72、 h82、 h92、 h102、 h112、 h122、 h132、 h142、 h152、 h162构成的信号路径(以下记为信号 路径SP22。)，连接图5所示的导体层408。在导体层408上，连接双 SAW滤波器121的端子P16。因此，信号路径SP22连接端子P16和EGSM 接收信号端子Rx22。信号路径SP22与本发明中的第二信号路径相对应。在DCS接收信号端子Rx31上，经由通孔hl7、导体层a27、通孔 h27、 h37、 h47、 h57、 h67、导体层a77、通孔h77、 h87、 h97、 h107、h117、 h127、 h137、 h147、 h157、 hl67构成的信号路径(以下记为信号 路径SP31。)，连接图5所示的导体层509。在导体层509上，连接双 SAW滤波器122的端子P22。因此，信号路径SP31连接端子P22和DCS 接收信号端子Rx31 。信号路径SP31与本发明中的第 一信号路径相对应。在DCS接收信号端子Rx32上，经由通孔hl8、导体层a28、通孔 h28、 h38、 h48、 h58、 h68、导体层a78、通孔h78、 h88、 h98、 hl08、 h118、 h128、 h138、 h148、 h158、 h168构成的信号^各径(以下记为信号 路径SP32。)，连接图5所示的导体层510。在导体层510上，连接双 SAW滤波器122的端子P23。因此，信号路径SP32连接端子P23和DCS 接收信号端子Rx32。信号路径SP32与本发明中的第二信号路径相对应。在PCS接收信号端子Rx41上，经由通孔h15、导体层a25、通孔 h25、 h35、 h45、导体层a55、通孔h55、 h65、 h75、 h85、导体层a95、 通孔h95、 h105、 h115、 h125、 h135、 h145、 h155、 h165构成的信号路 径(以下记为信号路径SP41。)，连接图5所示的导体层507。在导体 层507上，连接双SAW滤波器122的端子P25。因此，信号^^各径SP41 连接端子P25和PCS接收信号端子Rx41 。信号路径SP41与本发明中的 第一信号路径相对应。在PCS接收信号端子Rx42上，经由通孔h16、导体层a26、通孔 h26、 h36、 h46、导体层a56、通孔h56、 h66、 h76、 h86、导体层a96、 通孔h96、 h106、 h116、 h126、 h136、 h146、 h156、 h166构成的信号路 径(以下记为信号路径SP42。)，连接图5所示的导体层508。在导体 层508上，连接双SAW滤波器122的端子P26。因此，信号路径SP42 连接端子P26和PCS接收信号端子Rx42。信号路径SP42与本发明中的 第二信号路径相对应。接着，说明本实施方式中的高频模块1的特征。在以下的说明中， 为了使说明简单，将接收信号端子Rxll、 Rx21、 Rx31、 Rx41表示为第 一接收信号端子Rxl,将接收信号端子Rx12、 Rx22、 Rx32、 Rx42表示 为第二接收信号端子RX2，将发送信号端子Txl、 Tx2表示为发送信号 端子Tx。另夕卜，将由双工器10以及开关电路20、 50构成的电路表示为 分离电路，将双SAW滤波器121、 122表示为平衡信号输出元件120。 另外，将端子P12、 P15、 P22、 P25表示为第一输出端子Tl，将端子P13、 P16、 P23、 P26表示为第二输出端子T2。另夕卜，将信号路径SPll、 SP21、SP31、 SP41表示为第一信号路径SP1,将信号路径SP12、 SP22、 SP!32、 SP42表示为第二信号路径SP2。本实施方式中的高频模块1具有天线端子ANT,其连接到天线 101;第一以及第二接收信号端子Rxl、 Rx2，其输出平衡信号状态的接 收信号；发送信号端子Tx,其被输入发送信号；分离电路，其配置在第 一接收信号端子Rxl、第二接收信号端子Rx2以及发送信号端子Tx和 天线端子ANT之间，分离接收信号和发送信号；平衡信号输出元件120, 其设置在分离电路和第一以及第二接收信号端子Rxl、 Rx2之间，且输 出平衡信号状态的接收信号；层叠基板200,其用于使上述各要素一体 化。层叠基板200包含层叠的多个电介质层，且具有配置在所述电介质 层的层叠方向的两侧的底面200a以及上表面200b、和连结底面200a和 上表面200b的多个侧面。平衡信号输出元件120具有输出平衡信号状 态的接收信号的第一以及第二输出端子Tl、 T2,并搭载在层叠基板200 的上表面200b。如图21所示，层叠基板200的底面200a具有包含最接 近第一以及第二接收信号端子Rxl、 Rx2的边200al的多个边。从图5 以及图21可知，在从层叠基板200的上方观察时，平衡信号输出元件 120的第一输出端子T1 (P12、 P15、 P22、 P25)以及第二输出端子T2 (P13、 P16、 P23、 P26)以如下方式配置与层叠基板200的底面200a 的多个边中最接近于第一以及第二接收信号端子Rxl、 Rx2的边200al 最接近。高频模块1还具有连接第一输出端子T1和第二接收信号端子Rxl 的第一信号路径SP1、和连接第二输出端子T2和第二接收信号端子Rx2 的第二信号路径SP2。第一以及第二信号路径SP1、 SP2分别使用设置 在层叠基板200内的一个以上的通孔而构成，未露出在层叠基板200的 侧面。另外，在本实施方式中，第一以及第二信号路径SP1、 SP2都包 含以中心轴相互错开的方式配置的两个通孔；和配置在层叠基板200 内、且串联连接所述两个通孔的位置调整用导体层。位置调整用导体层 具体而言是指，图6所示的导体层a21 a28、图9所示的导体层a53 a56、 图11所示的导体层a71、a72、a77、a78以及图13所示的导体层a93 a96。 位置调整用导体层连接以中心轴相互错开的方式配置的两个通孔，由 此，能够调整这些通孔的位置。另外，在本实施方式中，第一信号路径SP1的长度和第二信号路径SP2的长度相等。这里，在图22至图24中，示出信号路径SP1、 SP2的状态的第一 至第3例。图22至图24都是示意性地示出信号路径SP1、 SP2的剖面 图。在第一至第3例中，都从层叠基板200的上方来观察时，笫一接收 信号端子Rxl和第二接收信号端子Rx2分别被配置在不与第一输出端子 Tl和第二输出端子T2重叠的位置。另外，在第一至第3例中，第一接 收信号端子Rxl和第二接收信号端子Rx2之间的距离与第一输出端子 Tl和第二输出端子T2之间的距离不同。在图22所示的第一例以及图23所示的第二例中，信号路径SP1由 分别由串联连接的多个通孔构成的通孔列Hll、 H12、和串联连接通孔 Hll、 H12的位置调整用导体层All构成。通孔列Hll的一端连接到第 一输出端子Tl,通孔列Hll的另一端连接到位置调整用导体层All的 上表面。通孔列H12的一端连接到位置调整用导体层All的下表面，通 孔列H12的另一端连接到第一接收信号端子Rxl。通孔列Hll、 H12以 中心轴相互错开的方式配置。同样地，信号路径SP2由分别由串联连接的多个通孔构成的通孔列 H21、 H22、和串联连接通孔H21、 H22的位置调整用导体层A21构成。 通孔列H21的一端连接到第二输出端子T2,通孔列H21的另一端连接 到位置调整用导体层A21的上表面。通孔列H22的一端连接到位置调整 用导体层A21的下表面，通孔列H22的另一端连接到第二接收信号端子 Rx2。通孔列H21、 H22以中心轴相互4普开的方式配置。在第一以及第二例中，通孔列H11、H12的总计长度、与通孔列H21、 H22的总计长度相等。另外，在位置调整用导体层All中将与通孔列 Hll的连接场所和与通孔列H12的连接场所进行连接的部分的长度、与 在位置调整用导体层A21中将与通孔列H21的连接场所和与通孔列H22 的连接场所进行连接的部分的长度相等。因此，第一信号路径SP1的长 度和第二信号路径SP2的长度相等。在图24所示的第3例中，信号路径SP1由分别由串联连接的多个 通孔构成的通孔列Hll、 H12、 H13、串联连接通孔列Hll、 H12的位置 调整用导体层AU、以及串联连接通孔列H12、 H13的位置调整用导体 层A12构成。通孔列Hll的一端连接到第一输出端子Tl,通孔列Hll 的另一端连接到位置调整用导体层All的上表面。通孔列H12的一端连接到位置调整用导体层All的下表面，通孔列H12的另一端连接到位置 调整用导体层A12的上表面。通孔列H13的一端连接到位置调整用导体 层A12的下表面，通孔列H13的另 一端连接到第 一接收信号端子Rxl 。 通孔列Hll、 H12、 H13以中心轴相互4普开的方式配置。同样地，信号路径SP2由分别由串联连接的多个通孔构成的通孔列 H21、 H22、 H23、串联连接通孔列H21、 H22的位置调整用导体层A21 、 以及串联连接通孔列H22、 H23的位置调整用导体层A22构成。通孔列 H21的一端连接到第二输出端子T2,通孔列H21的另一端连接到位置 调整用导体层A21的上表面。通孔列H22的一端连接到位置调整用导体 层A21的下表面，通孔列H22的另一端连接到位置调整用导体层A22 的上表面。通孔列H23的一端连接到位置调整用导体层A22的下表面， 通孔列H23的另一端连接到第二接收信号端子Rx2。在第3例中，通孔列Hll、 H12、 H13的总计长度、与通孔列H21、 H22、 H23的总计长度相等。另外，在位置调整用导体层All中将与通 孔列Hll的连接场所和与通孔列H12的连接场所进行连接的部分的长 度、与在位置调整用导体层A21中将与通孔列H21的连接场所和与通孔 列H22的连接场所进行连接的部分的长度相等。另外，在位置调整用导 体层A12中将与通孔列H12的连接场所和与通孔列H13的连接场所进 行连接的部分的长度、与在位置调整用导体层A22中将与通孔列H22 的连接场所和与通孔列H23的连接场所进行连接的部分的长度相等。因 此，第一信号路径SP1的长度和第二信号路径SP2的长度相等。根据本实施方式中的高频模块1，能够尽量缩短笫一以及第二信号 路径SP1、 SP2的长度，该第一以及第二信号路径SP1、 SP2连接配置在 层叠基板200的上表面200b的平衡信号输出元件120的笫一以及第二 输出端子T1、 T2、和配置在层叠基板200的底面200a的第一以及第二 接收信号端子Rxl、 Rx2。由此，根据本实施方式，能够降低接收信号 的路径的插入损耗，并且，能够使高频模块l小型化。另外，根据本实 施方式，由于第一以及第二信号路径SP1、 SP2未露出在层叠基板200 的侧面，因此，第一以及第二信号路径SP1、 SP2难以受到来自模块1 的外部的电路的干扰。但是，在从层叠基板200的上方来看时，如果能够将第一接收信号 端子Rxl和第二接收信号端子Rx2分别配置在与第一输出端子Tl和第二输出端子T2重叠的位置，则能够利用各自一个通孔列来构成第一以及第二信号路径SP1、 SP2,由此，能够使第一以及第二信号路径SP1、 SP2的长度最短。但是，实际上，不一定能够这样配置，在从层叠基板 200的上方来看时，不得不将第一接收信号端子Rxl和第二接收信号端 子Rx2分别配置在与第一输出端子Tl和第二输出端子T2不重叠的位 置，或者笫一接收信号端子Rxl和第二接收信号端子Rx2之间的距离与 第一输出端子Tl和第二输出端子T2之间的距离不同。这些特别是在将 多个平衡信号输出元件120搭载在层叠基板200的上表面200b的情况 下会明显发生。此时，若第一以及第二信号路径SP1、 SP2的长度不同， 则平衡信号的平衡度有可能恶化。在本实施方式中，第一以及第二信号路径SP1、 SP2都包含以中心 轴相互错开的方式配置的两个通孔、串联连接这两个通孔的位置调整用 导体层，并且，第一信号路径SP1的长度和第二信号路径SP2的长度相 等。由此，根据本实施方式，在从层叠基板200的上方看时，即使在第 一接收信号端子Rxl和第二接收信号端子Rx2分别配置在与第一输出端 子Tl和第二输出端子T2不重叠的位置的情况下、或第一接收信号端子 Rxl和第二接收信号端子Rx2之间的距离与第一输出端子Tl和第二输 出端子T2之间的距离不同的情况下，也能够使第一信号路径SP1的长 度和第二信号路径SP2的长度相等。如上述那样，使第一信号路径SP1的长度和第二信号路径SP2的长 度相等，由此，能够使从接收信号端子Rxl、 Rx2输出的平衡信号的平 衡度变大。以下，对于表示该情况的第一仿真结果，参照图25至图27 进行说明。图25是表示在第一仿真中使用的模型的结构的剖面图。图 26是表示在第一仿真中使用的模型的结构的立体图。在该模型中，与图 23所示的例子同样地，信号路径SP1由通孔列Hll、 H12和位置调整用 导体层A11构成，信号路径SP2由通孔列H21、 H22和位置调整用导体 层A21构成。这里，将输出端子T1、 T2间的距离设为"A",将接收信 号端子Rxl、 Rx2间的距离设为"B",将构成通孔列Hll、 H12、 H21、 H22的通孔的直径设为"C"。另夕卜，将通孔列Hll、 H21的长度设为"D", 将通孔列H12、 H22的长度设为"E"。另外，位置调整用导体层All、 A21的上表面的形状假设都为在一个方向较长的矩形形状，将位置调整 用导体层All的长边方向的长度设为"F",将位置调整用导体层A21的32长边方向的长度设为"G"。距离"A"和距离"B"不同。在第一仿真中，使长度"F，固定为0.25mm,使长度"G"为0.25mm、 0.45mm、 0.65mm、 0.85mm4种，从而求各自情况下的接收信号端子Rxl 、 Rx2的输出信号的振幅差的频率特性。另外，在长度"F"为0.25mm时， 在位置调整用导体层All中将与通孔列Hll的连接场所和与通孔列H12 的连接场所进行连接的部分的长度为0.15mm。另外，在长度"G"为 0.25mm、 0.45mm、 0.65mm、 0.85mm时，在位置调整用导体层A21中 将与通孔列H21的连接场所和与通孔列H22的连接场所进行连接的部 分的长度分别为0.15mm、 0.35mm、 0.55mm、 0.75mm。图27表示第一仿真结果。在图27中，以符号81、 82、 83、 84所 示的曲线分别表示长度"G"为0.25mm、 0.45mm、 0.65mm、 0.85mm时的 振幅差的频率特性。从图27可知，长度"F"、 "G"的差越小，振幅差越 小、即平衡度越大。在本实施方式中，构成第一以及第二信号路径SP1、 SP2的通孔的 直径可以大于层叠基板200所包含的其它通孔的直径。由此，能够减小 笫一以及第二信号路径SP1、 SP2的插入损失。以下，对于表示该情况 的第二仿真的结果，参照图28至图30进行说明。图28是表示在第二 仿真中使用的模型的结构的剖面图。图29是表示在第二仿真中使用的 模型的结构的立体图。在该模型中，信号路径SP1、 SP2仅由分别由串 联连接的多个通孔构成的通孔列构成。这里，将输出端子T1、 T2间的 距离设为"A",接收信号端子Rxl、 Rx2间的距离设为"B",将构成信号 路径SP1、 SP2的各通孔的直径设为"C",将信号路径SP1、 SP2的长度 设为"H"。在第二仿真中，将距离"A"、 "B"以及长度"H"固定，将通孔的直径"C" 作为0.05mm、 O.lOmm、 0.15mm、 0.20mm这4种，求出各情况下的信 号路径SP1、 SP2的插入损失的频率特性。图30表示第二仿真的结果。 在图30中，由符号91、 92、 93、 94表示的曲线分别表示直径"C"为 0.05mm、 O.lOmm、 0.15mm、 0.20mm时的插入损失的频率特性。从图 30可知，直径"C"越大，插入损失越小。另外，本实施方式中的高频模块1具有与频带互不相同的多对的 接收信号以及发送信号对应的多个组的第一、第二接收信号端子Rxl、 Rx2以及发送信号端子Tx;与多个组的第一以及第二接收信号端子Rxl、Rx2对应的多个平衡信号输出元件120 (121、 122);与多个组的笫一 以及第二接收信号端子Rxl 、 Rx2对应的多个组的第 一以及第二信号路 径SP1、 SP2。换而言之，本实施方式中的高频模块1具有与频带不同的多对的接 收信号以及发送信号对应的多个组的结构要素，所述多个组的每一个具 有第一、第二接收信号端子Rxl、 Rx2、发送信号端子Tx、平衡信号 输出元件120、第一以及第二信号路径SP1、 SP2。分离电路(IO、 20、 50)被配置在所述多个组的第一、第二接收信号端子Rxl、 Rx2以及发 送信号端子Tx和天线端子ANT之间，并且按各对分离多对的接收信号 以及发送信号，并且，按每一对分离接收信号和发送信号。在本实施方式中，如图21所示，多个组的第一以及第二接收信号 端子Rxl (Rxll、 Rx21、 Rx31、 Rx41 ) 、 Rx2 (Rxl2、 Rx22、 Rx32、 Rx42)沿着层叠基板200的底面200a的多个边中最接近于第一以及第 二接收信号端子Rxl、 Rx2的边200al排成一列。另外，多个组的第一 以及第二接收信号端子Rxl、 Rx2沿着边200al按照频带从高到低的顺 序排列。具体而言，多个组的第一以及笫二接收信号端子Rxl、 Rx2从 图21中的左侧起，按照如下顺序排列PCS接收信号端子Rx41、 Rx42、 DCS接收信号端子Rx31、 Rx32、 EGSM接收信号端子Rx21 、 Rx22、 AGSM接收信号端子Rxll、 Rxl2。另外，在本实施方式中，在层叠基板200的底面200a,在多个组的 第一以及第二接收信号端子Rxl、Rx2的列的延长线上不配置其它端子。 另外，如图5至图21所示，在层叠基板200的内部，在通过多个组的 第一以及第二接收信号端子Rxl、 Rx2的列且垂直于层叠基板200的底 面200a的剖面上，不配置除了构成多个组的第一以及第二信号路径 SP1、 SP2的导体层以外的导体层。通过这些特征，根据本实施方式， 能够防止信号路径SP1、 SP2和构成信号路径SP1、 SP2的导体层以外的 导体层之间产生寄生电容，并且能够防止信号路径SP1、 SP2受到除了 通过那里的接收信号以外的信号的干扰。另外，通过上述特征，根据本 实施方式，能够使构成信号路径SP1、 SP2的通孔的直径变大。另外，本发明不限于上述实施方式，可以进行各种变更。例如，在 本发明中，信号路径SP1、 SP2如图28所示那样，可以分别仅由一个通 孔列构成。另外，本发明不限于作为便携电话机中的前端模块使用的高频模 块，也能适用于进行分离发送信号和接收信号的处理的所有高频模块。基于以上说明可知，可实施本发明的各种方式和变形例。因此，在 技术方案范围的均等的范围内，即使以上述最佳方式以外的方式来实施 本发明也是可能的。
权利要求
1.一种高频模块，具有天线端子，与天线连接；第一以及第二接收信号端子，输出平衡信号状态的接收信号；发送信号端子，输入发送信号；分离电路，配置在所述第一接收信号端子、第二接收信号端子以及发送信号端子和所述天线端子之间，分离所述接收信号和发送信号；平衡信号输出元件，设置在所述分离电路和所述第一以及第二接收信号端子之间，输出平衡信号状态的接收信号；层叠基板，用于使所述各要素一体化，其特征在于，所述层叠基板包括层叠的多个电介质层，具有配置在所述电介质层的层叠方向的两侧的底面以及上表面、和连结所述底面和上表面的多个侧面，所述平衡信号输出元件具有输出平衡信号状态的接收信号的第一以及第二输出端子，搭载在所述层叠基板的上表面，所述层叠基板的底面具有多个边，该多个边包括最接近所述第一以及第二接收信号端子的边，在从所述层叠基板的上方观察时，所述平衡信号输出元件的第一以及第二输出端子以如下方式配置与所述层叠基板底面的多个边中最接近所述第一以及第二接收信号端子的边最接近，并且，具有第一信号路径，连接所述第一输出端子和第一接收信号端子；第二信号路径，连接所述第二输出端子和第二接收信号端子，所述第一以及第二信号路径分别使用设置在所述层叠基板内的一个以上的通孔构成，并且不在所述层叠基板的侧面露出。
2. 如权利要求l的高频模块，其特征在于， 所述平衡信号输出元件是使用弹性波元件构成的滤波器。
3. 如权利要求l的高频模块，其特征在于，所述第一以及笫二信号路径都包括两个通孔，该两个通孔以中心 轴相互错开的方式配置；位置调整用导体层，配置在所述层叠基板内， 且串联连接所述两个通孔，所述第 一信号路径的长度和第二信号路径的长度相等。
4. 如权利要求3的高频模块，其特征在于所述笫一接收信号端子和第二接收信号端子之间的距离与所述第 一输出端子和第二输出端子之间的距离不同。
5. 如权利要求l的高频模块，其特征在于所述层叠基板包括构成所述第 一以及第二信号路径的通孔以外的 通孔，构成所述第一以及第二信号路径的通孔的直径大于其它通孔的直径。
6. 如权利要求l的高频模块，其特征在于具有与频带相互不同的多对接收信号以及发送信号对应的多个组 的结构要素，所述多个组分别具有所述第一、第二接收信号端子、所述 发送信号端子、所述平衡信号输出元件、所述第一以及第二信号路径，所述分离电路配置在所述多个组的第一、第二接收信号端子以及发 送信号端子和所述天线端子之间，按各对分离所述多对接收信号以及发 送信号，并且，按每一对分离接收信号和发送信号。
7. 如权利要求6的高频模块，其特征在于所述多个组的第 一以及第二接收信号端子沿着所述层叠基板底面 的多个边中最接近所述第 一以及第二接收信号端子的边排成一列。
8. 如权利要求7的高频模块，其特征在于所述多个组的第 一 以及第二接收信号端子按照频带由高到低的顺 序排列。
9. 如权利要求7的高频模块，其特征在于在所述层叠基板的底面，在所述多个组的笫一以及第二接收信号端 子的列的延长线上未配置其它端子。
10. 如权利要求7的高频模块，其特征在于在所述层叠基板的内部，在通过所述多个组的第 一 以及第二接收信 号端子的列且垂直于所述层叠基板的底面的剖面上，未配置构成所述多 个组的第 一 以及笫二信号路径的导体层以外的导体层。
全文摘要
高频模块具有层叠基板和输出平衡信号状态的接收信号的元件。元件具有第一以及第二输出端子，并装载在层叠基板的上面。在层叠基板的底面配置有第一以及第二接收信号端子。高频模块具有连接第一输出端子与第一接收信号端子的第一信号路径和连接第二输出端子与第二接收信号端子的第二信号路径。第一以及第二信号路径分别使用设置在层叠基板内的一个以上的通孔而构成，并不露出在层叠基板的侧面。
文档编号H04B1/44GK101277124SQ20081008747
公开日2008年10月1日 申请日期2008年3月28日 优先权日2007年3月28日
发明者岩田匡史 申请人:Tdk株式会社