光模块的制作方法

本发明涉及光通信技术领域，尤其涉及一种光模块。

背景技术：

随着人们对通信带宽需求的增长，光纤接入(Fiber-to-the-x，FTTx)技术得到了快速发展，以无源光网络(Passive Optical Network，PON)技术为主的光纤接入技术得到了广泛应用。

无源光网络通常包括一个安装于中心控制站的光线路终端，以及配套安装在各个用户场所的光网络单元(Optical Network Unit，ONU)，ONU上设置有用于发射光信号的突发发射电路。图1为现有技术中突发发射电路的示意图。如图1所示，现有的PON ONU中，突发发射电路包含驱动芯片以及分布式反馈激光器(Distributed Feedback Laser，DFB)，驱动芯片所接收到的偏置(Bias)电流为SINK模式，即，Bias电流由图1中的B点灌入A点，激光器导通发光；当Bias管脚为高电平时，激光器断路则不发光。

而在基于波分复用(Wavelength Division Multiplexing，WDM)的无源光网络中，突发发射电路中的激光器需使用带分布式布拉格反射(Distributed Bragg Reflector，DBR)的可调谐激光器，DBR激光器通过控制输入电流的大小变化选择出不同波长的光，因此为了使流经DBR激光器的电流大小稳定，该种DBR激光器的负端以及DBR负端连在一起接地，为DBR激光器提供稳定的低电平，从而可以根据需求准确选择不同波长的光，该种DBR激光器也是SINK模式，需要有电流从DBR激光器的LD+灌入。因此，无法通过SINK模式的激光发射器驱动芯片来控制SINK模式的DBR激光器是否发光。

技术实现要素：

本发明提供一种光模块，以实现通过SINK模式的激光发射器驱动芯片控制激光发射器的发光。

本发明的第一个方面提供一种光模块，包括：激光发射器驱动芯片、激光发射器、分布式布拉格反射DBR光栅、第一PNP型三极管、第二PNP型三极管及电源；

所述第一PNP型三极管的发射极与所述第二PNP型三极管的发射极均与所述电源相连，所述第一PNP型三极管的集电极、所述第一PNP型三极管的基极和所述第二PNP型三极管的基极均与所述偏置管脚相连，所述第二PNP型三极管的集电极与所述激光发射器的正端相连，所述激光发射器的负端和所述DBR光栅的负端接地；

所述偏置管脚为低电平，所述第一PNP型三极管和所述第二PNP型三极管导通，所述激光发射器导通发光；所述偏置管脚为高电平，所述第一PNP型三极管和所述第二PNP型三极管截止，所述激光发射器断路不发光。

本发明的另一个方面提供一种光模块，包括：激光发射器驱动芯片、激光发射器、分布式布拉格反射DBR光栅、第一NPN型三极管、第二NPN型三极管及电源；

所述第一NPN型三极管的集电极与所述第二NPN型三极管的集电极均与所述电源相连，所述第一NPN型三极管的发射极、所述第一NPN型三极管的基极和所述第二NPN型三极管的基极均与所述偏置管脚相连，所述第二NPN型三极管的发射极与所述激光发射器的正端相连，所述激光发射器的负端和所述DBR光栅的负端接地；

所述控制电路用于控制所述激光发射器驱动芯片的偏置管脚的电平；所述偏置管脚为低电平，所述第一NPN型三极管和所述第二NPN型三极管导通，所述激光发射器导通发光；所述偏置管脚为高电平，所述第一NPN型三极管和所述第二NPN型三极管截止，所述激光发射器断路不发光。

本发明提供光模块，第一PNP型三极管和第二PNP型三极管与电源相连，其发射极始终为高电平，当激光发射器驱动芯片的偏置管脚置为高电平时，第一PNP型三极管和第二PNP型三极管与偏置管脚相连的基极也均为高电平，此时第一PNP型三极管和第二PNP型三极管均截止，没有电流从电源流入偏置管脚和激光发射器的正端，此时激光发射器不发光；当激光发射器 驱动芯片的偏置管脚置为低电平时，第一PNP型三极管和第二PNP型三极管相连的基极也均为低电平，第一PNP型三极管和第二PNP型三极管均导通，电流从电源经由第一PNP型三极管流入偏置管脚，经由第二PNP型三极管流入激光发射器的正端，激光发射器发光。在激光发射器驱动芯片和激光发射器均为SINK模式的情况下，能够通过电源和两个PNP型三极管实现同时控制偏置管脚和激光发射器的正端是否有电流流入，从而实现通过SINK模式的激光发射器驱动芯片控制激光发射器的发光。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中突发发射电路的示意图；

图2为本发明实施例一提供的光模块的示意图；

图3为本发明实施例二提供的光模块的示意图；

图4为本发明实施例三提供的光模块的示意图；

图5为本发明实施例四提供的光模块的示意图；

图6为本发明实施例五提供的光模块的示意图；

图7为本发明实施例六提供的光模块的示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

此处首先对本发明实施例的应用环境进行介绍。本发明实施例所涉及的激光发射器驱动芯片的偏置电流为SINK模式，即，该激光发射器驱动芯片的偏置管脚需要有电流灌入才可以驱动激光器的导通与否；而在基于WDM 的无源光网络中，使用的是DBR激光器，在选择不同波长的光时，通常是通过控制输入DBR激光器中的DBR光栅的电流的大小变化进行选择的，因此为了使流经DBR光栅的电流大小稳定，需要将DBR光栅的负端接地，由于制作工艺的限制，目前在制作DBR激光器时，将DBR激光器中的激光发射器的负端以及DBR光栅的负端连在一起接地，该种DBR激光器的激光发射器也是SINK模式，需要有电流从DBR激光器的激光发射器的正端灌入。当激光发射器驱动芯片和激光发射器均为SINK模式时，无法通过激光发射器驱动芯片来控制激光发射器的发光与否。本发明实施例正是为解决这一问题而提出的。

下面结合附图通过具体实施例对本发明实施例提供的光模块进行详细说明。

图2为本发明实施例一提供的光模块的示意图。如图2所示，本实施例提供的光模块具体可以包括：激光发射器驱动芯片、激光发射器、DBR光栅、第一PNP型三极管、第二PNP型三极管及电源。

上述第一PNP型三极管的发射极与上述第二PNP型三极管的发射极均与上述电源相连，上述第一PNP型三极管的集电极、上述第一PNP型三极管的基极和上述第二PNP型三极管的基极均与上述偏置管脚相连，上述第二PNP型三极管的集电极与上述激光发射器的正端相连，上述激光发射器的负端和上述DBR光栅的负端接地；

上述偏置管脚为低电平，上述第一PNP型三极管和上述第二PNP型三极管导通，上述激光发射器导通发光；上述偏置管脚为高电平，上述第一PNP型三极管和上述第二PNP型三极管截止，上述激光发射器断路不发光。

需要说明的是，DBR激光器在设计时，其中的激光发射器的负端以及DBR光栅的负端连在一起接地，这样做的原因，一是由于制作工艺需要将激光发射器的负端和DBR光栅的负端连在一起，二是因为接地后可以使DBR光栅的低电平稳定，而DBR光栅的低电平稳定，就可以保证流经DBR光栅的电流大小稳定，从而可以通过控制输入电流的大小变化、根据需求准确选择出不同波长的光，这种设计导致电流必须从激光发射器的正端灌入才可以使激光发射器发光。

而对于SINK模式的激光发射器驱动芯片，其偏置管脚也需要灌入电流， 因此本实施例中，通过在激光发射器驱动芯片的偏置管脚和激光发射器的正端之间设置第一PNP型三极管和第二PNP型三极管，并将第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的发射极均与上述电源相连，使电流可以灌入偏置管脚和激光发射器的正端，从而使得通过SINK模式的激光发射器驱动芯片控制激光发射器的发光成为可能。

具体的，在上述光模块的工作过程中，激光发射器驱动芯片中的偏置管脚的电平由该光模块所在的光网络单元内的控制单元进行控制，控制单元的工作原理可参照现有技术，本实施例对此不再赘述。

由于上述第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的发射极均与电源相连，则发射极始终为高电平，当上述控制单元控制上述偏置管脚为高电平时，由于第一PNP型三极管的集电极、第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的基极与上述偏置管脚相连，因此第一PNP型三极管的集电极、第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的基极也为高电平；也就是说，第一PNP型三极管的集电极、第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的基极、发射极均为高电平，不满足PNP型三极管的导通条件，因此第一PNP型三极管和第二PNP型三极管均截止，电流回路断开，即，上述电源提供的电流无法流入上述偏置管脚和上述激光发射器的正端，此时由于没有电流流经上述激光发射器，因此上述激光发射器不发光。

当控制单元控制上述偏置管脚为低电平时，由于第一PNP型三极管的集电极、第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的基极与上述偏置管脚相连，因此第一PNP型三极管的集电极、第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的基极也为低电平；也就是说，第一PNP型三极管的集电极、第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的基极均为低电平、发射极均为高电平，发射极的电平高于基极，满足PNP型三极管的导通条件，因此第一PNP型三极管和第二PNP型三极管均导通，上述电源提供的电流通过上述第一PNP型三极管流入上述偏置管脚，通过上述第二PNP型三极管流入上述激光发射器的正端，流入上述激光发射器的正端的电流从上述激光发射器的负端流出，上述激光发射器发光。

也就是说，本实施例中，通过将上述偏置管脚的电平置为高电平或低电平，实现第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的同时导通或截止，从而控 制上述激光发射器的发光与否。

在实际应用时，本实施例的光模块所在的光网络单元在设计时，采用标准小封装技术(Small Form Factor，SFF)进行封装，可调谐波长光发射接收组件(Bi-Directional Optical Sub-Assembly，BOSA)实现14信道的上行突发发射速率为1.25Gb/s；实现16信道下行连续接收速率为1.25Gb/s，码型为伪随机码(Pseudo Random Binary Sequence，PRBS)7；上行信道波长为C波段宽谱接收；下行信道波长为C-波段，信道间隔为100GHz。

本实施例提供的光模块，第一PNP型三极管和第二PNP型三极管与电源相连，其发射极始终为高电平，当激光发射器驱动芯片的偏置管脚置为高电平时，第一PNP型三极管和第二PNP型三极管与偏置管脚相连的基极和第一PNP三极管的集电极也均为高电平，此时第一PNP型三极管和第二PNP型三极管均截止，没有电流从电源流入偏置管脚和激光发射器的正端，此时激光发射器不发光；当激光发射器驱动芯片的偏置管脚置为低电平时，第一PNP型三极管的集电极、第一PNP型三极管和第二PNP型三极管相连的基极也均为低电平，第一PNP型三极管和第二PNP型三极管均导通，电流从电源经由第一PNP型三极管流入偏置管脚，经由第二PNP型三极管流入激光发射器的正端，激光发射器发光。在激光发射器驱动芯片和激光发射器均为SINK模式的情况下，能够通过电源和两个PNP型三极管实现同时控制偏置管脚和激光发射器的正端是否有电流流入，从而实现通过SINK模式的激光发射器驱动芯片控制激光发射器的发光。

图3为本发明实施例二提供的光模块的示意图。如图3所示，在前一实施例的基础上，为了滤除噪声信号，本实施例提供的光模块中，上述第一PNP型三极管和上述第二PNP型三极管的发射极均通过第一电感与上述电源相连；和/或上述第一PNP型三极管的集电极、第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的基极均通过第二电感与上述激光发射器驱动芯片的偏置管脚相连；和/或上述第二PNP型三极管的集电极通过第三电感与上述激光发射器的正端相连。

可以理解的是，由于电感具有通低频阻高频的特性，因此可作为滤波的器件，本实施例中，将上述第一PNP型三极管和上述第二PNP型三极管的发 射极均通过上述第一电感与上述电源连接，从而可以将上述电源的电压较平稳的加到上述第一PNP型三极管和上述第二PNP型三极管上，避免上述第一PNP型三极管和上述第二PNP型三极管在导通的瞬间由于电压过大而被损坏。

将上述第一PNP型三极管的集电极、第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的基极均通过第二电感与上述激光发射器驱动芯片的偏置管脚相连，从而上述第二电感可以将电压较平稳的加到上述激光发射器驱动芯片上，可以避免上述激光发射器驱动芯片在电路导通的瞬间由于电压过大而损坏。

将上述第二PNP型三极管的集电极通过第三电感与上述激光发射器的正端相连，从而上述第三电感可以将电压较平稳的加到上述激光发射器上，可以避免上述激光发射器在电路导通的瞬间由于电压过大而被损坏。

需要说明的是，上述第一电感、第二电感和第三电感可以同时连接在电路内，也可以选择其中的至少一个连接，本实施例对此不做具体限制。

本实施例中，由于上述第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的发射极均通过上述第一电感与电源相连，则发射极始终为高电平，当上述控制单元控制上述偏置管脚为高电平时，由于第一PNP型三极管的集电极、第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的基极均通过上述第二电感与上述偏置管脚相连，因此第一PNP型三极管的集电极、第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的基极也为高电平；也就是说，第一PNP型三极管的集电极、第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的基极、发射极均为高电平，不满足PNP型三极管的导通条件，因此第一PNP型三极管和第二PNP型三极管均截止，电流回路断开，即，上述电源提供的电流无法流入上述偏置管脚和上述激光发射器的正端，此时由于没有电流流经上述激光发射器，因此上述激光发射器不发光。

当控制单元控制上述偏置管脚为低电平时，由于第一PNP型三极管的集电极、第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的基极均通过上述第二电感与上述偏置管脚相连，因此第一PNP型三极管的集电极、第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的基极也为低电平；也就是说，第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的基极均为低电平、发射极均为高电平，发射极的电平高于基极，满足PNP型三极管的导通条件，因此第一PNP型三极管和第二PNP型 三极管均导通，上述电源的电压通过上述第一电感较平稳的加到上述第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的发射极，再通过上述第二电感将电压较平稳的加到上述激光发射器驱动芯片上，通过上述第三电感将电压较平稳的加到上述激光发射器上，上述电源提供的电流通过上述第一PNP型三极管流入上述偏置管脚，并通过上述第二PNP型三极管流入上述激光发射器的正端，并流经上述激光发射器，使上述激光发射器发光。

在实际应用时，本实施例的光模块所在的光网络单元在设计时，采用SFF进行封装，BOSA实现14信道的上行突发发射速率为1.25Gb/s；实现16信道下行连续接收速率为1.25Gb/s，PRBS 7；上行信道波长为C波段宽谱接收；下行信道波长为C-波段，信道间隔为100GHz。

本实施例提供的光模块，在上述实施例的基础上，将第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的发射极通过第一电感相连，将第一PNP型三极管的集电极、第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的基极通过第二电感与偏置管脚相连，将第二PNP型三极管的集电极通过第三电感与激光发射器的正端相连，在避免了激光发射器驱动芯片和激光发射器所在的电路在导通瞬间由于电压过大而被损坏的同时，通过将偏置管脚的电平置为高电平或低电平，控制第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的同时导通或截止，来控制激光发射器的发光与否。在激光发射器驱动芯片和激光发射器均为SINK模式的情况下，能够通过电源和两个PNP型三极管实现同时控制偏置管脚和激光发射器的正端是否有电流流入，从而实现通过SINK模式的激光发射器驱动芯片控制激光发射器的发光。

图4为本发明实施例三提供的光模块的示意图。如图4所示，在前一实施例的基础上，为了优化眼图及光模块的传输性能，本实施例提供的光模块中，所述第一PNP型三极管和所述第二PNP型三极管的发射极均通过第一电阻与所述电源相连；和/或，所述第一PNP型三极管的集电极、第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的基极均通过第二电阻与所述激光发射器驱动芯片的偏置管脚相连；和/或，所述第二PNP型三极管的集电极通过第三电阻与所述激光发射器的正端相连。

其中，眼图是指在试验时，示波器上所显示的波形。本实施例中，设置 上述第一电阻、第二电阻和第三电阻，可以进一步隔离低频的噪声信号，使得光模块的传输性能更为优化。

实际应用中，如图4所示，在光模块中，可以同时在第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的发射极与电源之间、上述第一PNP型三极管的集电极、第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的基极与激光发射器驱动芯片的偏置管脚之间、以及第二PNP型三极管的集电极与激光发射器的正端之间设置上述第一电感、第二电感、第三电感、第一电阻、第二电阻和第三电阻，且上述第一电阻、第二电阻和第三电阻分别并联在上述第一电感、第二电感和第三电感的两端。

需要说明的是，也可以在第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的发射极与电源之间同时设置并联的第一电感和第一电阻；和/或，在第一PNP型三极管的集电极、第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的基极与激光发射器驱动芯片的偏置管脚之间同时设置并联的第二电感和第二电阻；和/或，第二PNP型三极管的集电极与激光发射器的正端之间同时设置并联的第三电感和第三电阻。本实施例对此不做具体限制。

本实施例中，通过SINK模式的激光发射器驱动芯片控制激光发射器的发光的过程，与参照上述图2和图3所示实施例中的描述，此处不再赘述。

本实施例的技术方案，通过第一PNP型三极管和所述第二PNP型三极管的发射极均通过第一电阻与所述电源相连；和/或，第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的基极均通过第二电阻与所述激光发射器驱动芯片的偏置管脚相连；和/或，所述第二PNP型三极管的集电极通过第三电阻与所述激光发射器的正端相连，进一步滤除了低频噪声信号，并可以在激光发射器驱动芯片和激光发射器均为SINK模式的情况下，通过电源和两个PNP型三极管实现同时控制偏置管脚和激光发射器的正端是否有电流流入，从而实现通过SINK模式的激光发射器驱动芯片控制激光发射器的发光。

图5为本发明实施例四提供的光模块的示意图。如图5所示，本实施例提供的光模块具体可以包括：激光发射器驱动芯片、激光发射器、DBR光栅、第一NPN型三极管、第二NPN型三极管及电源；

上述第一NPN型三极管的集电极与上述第二NPN型三极管的集电极均 与上述电源相连，上述第一NPN型三极管的发射极、所述第一NPN型三极管的基极和上述第二NPN型三极管的基极均与上述偏置管脚相连，上述第二NPN型三极管的发射极与上述激光发射器的正端相连，上述激光发射器的负端和上述DBR光栅的负端接地；

上述控制电路用于控制上述激光发射器驱动芯片的偏置管脚的电平；上述偏置管脚为低电平，上述第一NPN型三极管和上述第二NPN型三极管导通，上述激光发射器导通发光；上述偏置管脚为高电平，上述第一NPN型三极管和上述第二NPN型三极管截止，上述激光发射器断路不发光。

需要说明的是，图4实施例与图2实施例的区别在于，本实施例以NPN型三极管为例进行说明。

现有技术中，DBR激光器在设计时，其中的激光发射器的负端以及DBR光栅的负端连在一起接地，这样做的原因，一是由于制作工艺需要将激光发射器的负端和DBR光栅的负端连在一起，二是因为接地后可以使DBR光栅的低电平稳定，而DBR光栅的低电平稳定，就可以保证流经DBR光栅的电流大小稳定，从而可以通过控制输入电流的大小变化、根据需求准确选择出不同波长的光，这种设计导致电流必须从激光发射器的正端灌入才可以使激光发射器发光。

而对于SINK模式的激光发射器驱动芯片，其偏置管脚也需要灌入电流，因此本实施例中，通过在激光发射器驱动芯片的偏置管脚和激光发射器的正端之间设置第一NPN型三极管和第二NPN型三极管，并将第一NPN型三极管和第二NPN型三极管的发射极均与上述电源相连，使电流可以灌入偏置管脚和激光发射器的正端，从而使得通过SINK模式的激光发射器驱动芯片控制激光发射器的发光成为可能。

具体的，在上述光模块的工作过程中，激光发射器驱动芯片中的偏置管脚的电平由该光模块所在的光网络单元内的控制单元进行控制，控制单元的工作原理可参照现有技术，本实施例对此不再赘述。

由于上述第一NPN型三极管和第二NPN型三极管的集电极均与电源相连，则集电极始终为高电平，当上述控制单元控制上述偏置管脚为高电平时，由于第一NPN型三极管的发射极、第一PNP型三极管和第二NPN型三极管的基极与上述偏置管脚相连，因此第一NPN型三极管的发射极、第一PNP 型三极管和第二NPN型三极管的基极也为高电平；也就是说，第一NPN型三极管的发射极、第一PNP型三极管和第二NPN型三极管的基极、集电极均为高电平，不满足NPN型三极管的导通条件，因此第一NPN型三极管和第二NPN型三极管均截止，电流回路断开，即，上述电源提供的电流无法流入上述偏置管脚和上述激光发射器的正端，此时由于没有电流流经上述激光发射器，因此上述激光发射器不发光。

当控制单元控制上述偏置管脚为低电平时，由于第一NPN型三极管的发射极、第一PNP型三极管和第二NPN型三极管的基极与上述偏置管脚相连，因此第一NPN型三极管的发射极、第一PNP型三极管和第二NPN型三极管的基极也为低电平；也就是说，第一NPN型三极管的发射极、第一PNP型三极管和第二NPN型三极管的基极均为低电平、集电极均为高电平，集电极的电平高于基极，满足NPN型三极管的导通条件，因此第一NPN型三极管和第二NPN型三极管均导通，上述电源提供的电流通过上述第一NPN型三极管流入上述偏置管脚，通过上述第二NPN型三极管流入上述激光发射器的正端，流入上述激光发射器的正端的电流从上述激光发射器的负端流出，上述激光发射器发光。

也就是说，本实施例中，通过将上述偏置管脚的电平置为高电平或低电平，实现对第一NPN型三极管和第二NPN型三极管的同时导通或截止的控制，从而控制上述激光发射器的发光与否。

在实际应用时，本实施例的光模块所在的光网络单元在设计时，采用SFF进行封装，BOSA实现14信道的上行突发发射速率为1.25Gb/s；实现16信道下行连续接收速率为1.25Gb/s，PRBS 7；上行信道波长为C波段宽谱接收；下行信道波长为C-波段，信道间隔为100GHz。

本实施例提供的光模块，第一NPN型三极管和第二NPN型三极管的集电极均与电源相连，其集电极始终为高电平，当激光发射器驱动芯片的偏置管脚置为高电平时，第一NPN型三极管和第二NPN型三极管与偏置管脚相连的基极和第一PNP型三极管的发射极也均为高电平，此时第一NPN型三极管和第二NPN型三极管均截止，没有电流从电源流入偏置管脚和激光发射器的正端，此时激光发射器不发光；当激光发射器驱动芯片的偏置管脚置为低电平时，第一NPN型三极管的发射极、第一PNP型三极管和第二NPN型 三极管相连的基极也均为低电平，第一NPN型三极管和第二NPN型三极管均导通，电流从电源经由第一NPN型三极管流入偏置管脚，经由第二NPN型三极管流入激光发射器的正端，激光发射器发光。在激光发射器驱动芯片和激光发射器均为SINK模式的情况下，能够通过电源和两个NPN型三极管实现同时控制偏置管脚和激光发射器的正端是否有电流流入，从而实现通过SINK模式的激光发射器驱动芯片控制激光发射器的发光。

图6为本发明实施例五提供的光模块的示意图。如图6所示，在前一实施例的基础上，为了滤除噪声信号，本实施例提供的光模块中，上述第一NPN型三极管和上述第二NPN型三极管的集电极均通过第一电感与上述电源相连；和/或上述第一NPN型三极管的发射极、第一PNP型三极管和第二NPN型三极管的基极均通过第二电感与上述激光发射器驱动芯片的偏置管脚相连；和/或上述第二NPN型三极管的发射极通过第三电感与上述激光发射器的正端相连。

可以理解的是，由于电感具有通低频阻高频的特性，因此可作为滤波的器件，本实施例中，将上述第一NPN型三极管和上述第二NPN型三极管的集电极均通过上述第一电感与上述电源连接，从而可以将上述电源的电压较平稳的加到上述第一NPN型三极管和上述第二NPN型三极管上，避免上述第一NPN型三极管和上述第二NPN型三极管在导通的瞬间由于电压过大而被损坏。

将上述第一NPN型三极管的发射极、第一PNP型三极管和第二NPN型三极管的基极均通过第二电感与上述激光发射器驱动芯片的偏置管脚相连，从而上述第二电感可以将电压较平稳的加到上述激光发射器驱动芯片上，可以避免上述激光发射器驱动芯片在电路导通的瞬间由于电压过大而损坏。

将上述第二NPN型三极管的发射极通过第三电感与上述激光发射器的正端相连，从而上述第三电感可以将电压较平稳的加到上述激光发射器上，可以避免上述激光发射器在电路导通的瞬间由于电压过大而被损坏。

需要说明的是，上述第一电感、第二电感和第三电感可以同时连接在电路内，也可以选择其中的至少一个连接，本实施例对此不做具体限制。

本实施例中，由于上述第一NPN型三极管和第二NPN型三极管的集电 极均通过上述第一电感与电源相连，则集电极始终为高电平，当上述控制单元控制上述偏置管脚为高电平时，由于第一NPN型三极管的发射极、第一PNP型三极管和第二NPN型三极管的基极均通过上述第二电感与上述偏置管脚相连，因此第一NPN型三极管的发射极、第一PNP型三极管和第二NPN型三极管的基极也为高电平；也就是说，第一NPN型三极管的发射极、第一PNP型三极管和第二NPN型三极管的基极、集电极均为高电平，不满足NPN型三极管的导通条件，因此第一NPN型三极管和第二NPN型三极管均截止，电流回路断开，即，上述电源提供的电流无法流入上述偏置管脚和上述激光发射器的正端，此时由于没有电流流经上述激光发射器，因此上述激光发射器不发光。

当控制单元控制上述偏置管脚为低电平时，由于第一NPN型三极管的发射极、第一PNP型三极管和第二NPN型三极管的基极均通过上述第二电感与上述偏置管脚相连，因此第一NPN型三极管的发射极、第一PNP型三极管和第二NPN型三极管的基极也为低电平；也就是说，第一NPN型三极管和第二NPN型三极管的基极均为低电平、集电极均为高电平，集电极的电平高于基极，满足NPN型三极管的导通条件，因此第一NPN型三极管和第二NPN型三极管均导通，上述电源的电压通过上述第一电感较平稳的加到上述第一NPN型三极管和第二NPN型三极管的集电极，再通过上述第二电感将电压较平稳的加到上述激光发射器驱动芯片上，通过上述第三电感将电压较平稳的加到上述激光发射器上，上述电源提供的电流通过上述第一NPN型三极管流入上述偏置管脚，并通过上述第二NPN型三极管流入上述激光发射器的正端，并流经上述激光发射器，使上述激光发射器发光。

在实际应用时，本实施例的光模块所在的光网络单元在设计时，采用SFF进行封装，BOSA实现14信道的上行突发发射速率为1.25Gb/s；实现16信道下行连续接收速率为1.25Gb/s，PRBS 7；上行信道波长为C波段宽谱接收；下行信道波长为C-波段，信道间隔为100GHz。

本实施例提供的光模块，在上述实施例的基础上，将第一NPN型三极管和第二NPN型三极管的集电极通过第一电感相连，将第一NPN型三极管的发射极、第一PNP型三极管和第二NPN型三极管的基极通过第二电感与偏置管脚相连，将第二NPN型三极管的发射极通过第三电感与激光发射器的正 端相连，在避免了激光发射器驱动芯片和激光发射器所在的电路在导通瞬间由于电压过大而被损坏的同时，通过将偏置管脚的电平置为高电平或低电平，控制第一NPN型三极管和第二NPN型三极管的同时导通或截止，来控制激光发射器的发光与否。在激光发射器驱动芯片和激光发射器均为SINK模式的情况下，能够通过电源和两个NPN型三极管实现同时控制偏置管脚和激光发射器的正端是否有电流流入，从而实现通过SINK模式的激光发射器驱动芯片控制激光发射器的发光。

图7为本发明实施例六提供的光模块的示意图。如图7所示，在前一实施例的基础上，为了优化眼图及光模块的传输性能，本实施例提供的光模块中，所述第一NPN型三极管和所述第二NPN型三极管的集电极均通过第一电阻与所述电源相连；和/或，所述第一NPN型三极管的发射极、第一NPN型三极管和第二NPN型三极管的基极均通过第二电阻与所述激光发射器驱动芯片的偏置管脚相连；和/或，所述第二NPN型三极管的发射极通过第三电阻与所述激光发射器的正端相连。

其中，眼图是指在试验时，示波器上所显示的波形。本实施例中，设置上述第一电阻、第二电阻和第三电阻，可以进一步隔离低频的噪声信号，使得光模块的传输性能更为优化。

实际应用中，如图7所示，在光模块中，可以同时在第一NPN型三极管和第二NPN型三极管的集电极与电源之间、上述第一NPN型三极管的发射极、第一NPN型三极管和第二NPN型三极管的基极与激光发射器驱动芯片的偏置管脚之间、以及第二NPN型三极管的发射极与激光发射器的正端之间设置上述第一电感、第二电感、第三电感、第一电阻、第二电阻和第三电阻，且上述第一电阻、第二电阻和第三电阻分别并联在上述第一电感、第二电感和第三电感的两端分别并联上述第一电阻、第二电阻和第三电阻，可以进一步隔离低频的噪声信号，使得光模块的传输性能更为优化。

需要说明的是，也可以在第一NPN型三极管和第二NPN型三极管的集电极与电源之间同时设置并联的第一电感和第一电阻；和/或，在第一NPN型三极管的集电极、第一NPN型三极管和第二NPN型三极管的基极与激光发射器驱动芯片的偏置管脚之间同时设置并联的第二电感和第二电阻；和/ 或，第二NPN型三极管的发射极与激光发射器的正端之间同时设置并联的第三电感和第三电阻。本实施例对此不做具体限制。

本实施例中，通过SINK模式的激光发射器驱动芯片控制激光发射器的发光的过程，与参照上述图5和图6所示实施例中的描述，此处不再赘述。

本实施例的技术方案，通过第一NPN型三极管和所述第二NPN型三极管的发射极均通过第一电阻与所述电源相连；和/或，第一NPN型三极管和第二NPN型三极管的基极均通过第二电阻与所述激光发射器驱动芯片的偏置管脚相连；和/或，所述第二NPN型三极管的集电极通过第三电阻与所述激光发射器的正端相连，进一步滤除了低频噪声信号。并可以在激光发射器驱动芯片和激光发射器均为SINK模式的情况下，通过电源和两个NPN型三极管实现同时控制偏置管脚和激光发射器的正端是否有电流流入，从而实现通过SINK模式的激光发射器驱动芯片控制激光发射器的发光。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。