用于MTK手机的上电开机电路的制作方法

本实用新型涉及手机技术领域，尤其是涉及一种用于MTK手机的上电开机电路。

背景技术：

MTK手机平台上，通常开机方式有两种(此两组情况电池均安装在手机内)，一种是按开机键开机，另一种是插入充电器亮屏开机，但是，传统开机方式尚无法满足例如手机内部没有电池而接入外部电源时如何自动开机的问题，本申请旨在解决上述情况下需要上电开机的需求。

技术实现要素：

本实用新型的目的就是为了解决上述问题，提供一种用于MTK手机的上电开机电路。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施方式提供了一种用于MTK手机的上电开机电路，其包括：第一场效应管Q2003，该第一场效应管Q2003的源极S接地，该第一场效应管Q2003的漏极D通过电阻R2007而接于电源VBAT_4V，且在第一场效应管Q2003的源极S与电阻R2007之间通过线路而接有电阻R2008，该电阻R2008另一端接有开机信号接口PWEKEY，该开机信号接口PWEKEY连接于手机电源管理芯片，第一场效应管Q2003的栅极G通过电阻R2004而接于电源VBAT_4V,且在第一场效应管Q2003的栅极G与源极S间接有电阻R2006，第一场效应管Q2003的栅极G与电阻R2004间接有第二场效应管Q2002，该第二场效应管Q2002的源极S接地，第二场效应管Q2002的栅极G通过电阻R2005而接于芯片MT6735。

与现有技术相比，本实用新型提供的一种用于MTK手机的上电开机电路结构简单，其利用一个开机默认低电平的GPIO控制第二场效应管Q2002的NMOS管，从而实现上电开机的需求。

进一步，第一场效应管Q2003、第二场效应管Q2002为WNM2030。

进一步，电阻R2008的阻值为1K。

进一步，电阻R2007的阻值为1M。

进一步，电阻R2004的阻值为100K。

进一步，电阻R2005的阻值为10K。

进一步，电阻R2006的阻值为150K。

进一步，电源VBAT_4V为4V电源。

该电路以两个普通NMOS管配置相应的外围电路则能够满足用户对于上电开机的功能需要。

附图说明

图1为用于MTK手机的上电开机电路原理图。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例，进一步阐述本实用新型。

本实用新型的实施方式提供了一种用于MTK手机的上电开机电路(以下简称“该电路”)，参见图1，其包括：由WNM2030构成的第一场效应管Q2003，该第一场效应管Q2003的源极S接地，该第一场效应管Q2003的漏极D通过电阻R2007而接于电源VBAT_4V，且在第一场效应管Q2003的源极S与电阻R2007之间通过线路而接有电阻R2008，该电阻R2008另一端接有开机信号接口PWEKEY，该开机信号接口PWEKEY连接于手机电源管理芯片，第一场效应管Q2003的栅极G通过电阻R2004而接于电源VBAT_4V,且在第一场效应管Q2003的栅极G与源极S间接有电阻R2006，第一场效应管Q2003的栅极G与电阻R2004间接有第二场效应管Q2002，其型号同样选择WNM2030，该第二场效应管Q2002的源极S接地，第二场效应管Q2002的栅极G通过电阻R2005而接于芯片MT6735。

该电路利用一个开机默认低电平的GPIO控制第二场效应管Q2002的NMOS管，从而实现上电开机的需求。

本实施方式中，各电阻的阻值具体参数如下：

电阻R2008的阻值为1K。

电阻R2007的阻值为1M。

电阻R2004的阻值为100K。

电阻R2005的阻值为10K。

电阻R2006的阻值为150K。

电源VBAT_4V为4V电源。

本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本实用新型的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本实用新型的精神和范围。