应用于显示系统的驱动电路与驱动方法及显示系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种应用于显示系统的驱动电路，尤其涉及一种具有保护电路以抑制寄生电感所引起的高压突波的驱动电路、驱动方法以及相关的显示系统。
【背景技术】
[0002]请参考图1，图1为现有显示系统100的示意图。如图1所示，显示系统100包含有多个发光二极管(Light-Emitting D1de, LED) D1'D N、多个端点&?N N、多个晶体管M1-MnW及多个电流源1:?In，其中晶体管吣?^是分别由多个脉宽调变(Pulse WidthModulat1n)信号Venl?V enN来控制其开启/关闭。通过脉宽调变信号V enl?V enN，晶体管Mi?M ,会不断地在开启/关闭之间切换，而使得发光二极管D ^ D N会不断地在亮/暗的状态之间切换，并通过发光二极管D1' D N的亮/暗状态的时间比(也就是说，脉宽调变信号Venl?的占空比(duty cycle))，来决定出发光二极管D^Dn的平均亮度。
[0003]请参考图2，图2为当脉宽调变信号Venl从高电平切换至低电平时，端点N1电压与发光二极管D1上的电流的理想波形图。如图2所示，当脉宽调变信号V enl处于高电平时(图2所示为3V)，晶体管M1会导通以使得发光二极管D i具有电流而发光，而此时端点N i的电平为OV ;接着，当脉宽调变信号Venl从3V降至OV时，由于晶体管M i无法导通，故发光二极管D1的电流也会降低至OA (也就是说此时发光二极管D if会发光)，而此时端点N i的电平则等于发光二极管D1的供应电压V _(图2所示为5V)。
[0004]然而，由于当脉宽调变信号Venl从高电平降至低电平以关闭晶体管M对，端点N1与二极管Dii间会存在寄生电感，因此，端点N i会出现很高的电压突波，而损坏电路。图3所示为当脉宽调变信号Vot1从高电平切换至低电平时，端点N1电压与发光二极管D1上的电流的实际波形图。如图3所示，脉宽调变信号Venl从3V降至OV时，端点&的电平会突然跳升至接近25V，如此一来，便会损害到端点N1的外围电路，而影响到电路的寿命。此外，随着脉宽调变信号Vot1频率的增加，上述电压突波的现象会更严重。
【发明内容】
[0005]因此，本发明的目的之一在于公开一种具有保护电路以抑制寄生电感所引起的高压突波的驱动电路、驱动方法以及相关的显示系统，以解决上述的问题。
[0006]根据本发明一实施例，一种应用于显不系统的驱动电路包含有一端点、一电流控制电路、一保护电路以及一时序控制器，其中所述端点用来连接一发光组件；所述电流控制电路耦接于所述端点，且用来根据一脉宽调变信号以选择性地提供一电流至所述发光组件；所述保护电路耦接于所述端点，且用来根据一控制信号以选择性地开启以抑制所述端点上的电压，以使得所述端点上的电压维持在一默认电压值，其中当所述端点上的电压维持在所述默认电压值时，所述发光组件不会有电流流过；以及所述时序控制器用来产生所述脉宽调变信号与所述控制信号。
[0007]根据本发明另一实施例，一种应用于显示系统的驱动方法包含有:提供一驱动电路，其中所述驱动电路包含有用来连接一发光组件的一端点、耦接于所述端点的一电流控制电路以及耦接于所述端点的一保护电路；产生一脉宽调变信号至所述电流控制电路以以选择性地提供一电流至所述发光组件；产生一控制信号至所述保护电路以选择性地开启所述保护电路以抑制所述端点上的电压，以使得所述端点上的电压维持在一默认电压值，其中当所述端点上的电压维持在所述默认电压值时，所述发光组件不会有电流流过。
[0008]根据本发明另一实施例，一种显不系统包含有一发光组件以及一驱动电路，其中所述驱动电路包含有一端点、一电流控制电路、一保护电路以及一时序控制器，其中所述端点用来连接一发光组件；所述电流控制电路耦接于所述端点，且用来根据一脉宽调变信号以选择性地提供一电流至所述发光组件；所述保护电路耦接于所述端点，且用来根据一控制信号以选择性地开启以抑制所述端点上的电压，以使得所述端点上的电压维持在一默认电压值，其中当所述端点上的电压维持在所述默认电压值时，所述发光组件不会有电流流过；以及所述时序控制器用来产生所述脉宽调变信号与所述控制信号。
【附图说明】
[0009]图1为现有显不系统的不意图。
[0010]图2为当图1所示的脉宽调变信号Vot1从高电平切换至低电平时，端点N1电压与发光二极管D1上的电流的理想波形图。
[0011]图3为当图1所示的当脉宽调变信号Vot1从高电平切换至低电平时，端点N1电压与发光二极管D1上的电流的实际波形图。
[0012]图4为根据本发明一实施例的显示系统的示意图。
[0013]图5为根据本发明一实施例的输入图4所示的输入信号Vs1、脉宽调变信号Venl以及控制信号V?的示意图。
[0014]图6为图4所示的脉宽调变信号Venl从高电平切换至低电平时，端点N冲压与发光二极管D1上的电流的实际波形图。
[0015]图7为根据本发明一实施例应用于一显示系统的驱动方法的流程图。
[0016]其中，附图标记说明如下:
[0017]100、400显示系统
[0018]410驱动电路
[0019]420电流控制电路
[0020]430保护电路
[0021]440时序控制器
[0022]700 ?704步骤
[0023]Df D N发光二极管
[0024]1广I N电流源
[0025]Mf M N、Mci?M CN 晶体管
[0026]N!?Nn端点
【具体实施方式】
[0027]在说明书中使用了某些词汇来指称特定的组件。所属领域中具有通常知识者应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个组件。本说明书并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及权利要求中所提及的「包含」为一开放式的用语，故应解释成「包含但不限定于」。此外，「耦接」一词在此包含任何直接及间接的电气连接手段，因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表所述第一装置可直接电气连接于所述第二装置，或者通过其他装置或连接手段间接地电气连接至所述第二装置。
[0028]请参考图4，图4为根据本发明一实施例的显示系统400的示意图。如图4所示，显不系统400包含有多个发光组件(在本实施例中，发光组件为发光二极管Di?Dn)与一驱动电路410，其中发光二极管队?D N分别连接至驱动电路410的端点N Nn。驱动电路410包含有一电流控制电路420、一保护电路430以及一时序控制器440，其中电流控制电路420包含有多个晶体管M1' MnW及多个电流源I I N，保护电路430则包含有多个晶体管Mei?M εΝ，其中多个晶体管Mei?M εΝ的源极连接至发光二极管D:?D N的一供应电压VLEDo此外，在本实施例中，驱动电路410为一独立的芯片。
[0029]在显示系统400的操作上，首先，时序控制器440会由驱动电路410的其他组件接收输入信号Vsi?V SN，并根据输入信号Vsi?V SN来产生脉宽调变信号V OTl?V ^与控制信号\λ?V ?，其中脉宽调变信号Venl?V enN是分别用来控制电流控制电路420中晶体管M
Mn的开启/关闭，并通过开启/关闭的时间比(也就是说，脉宽调变信号Vot1?Votn的占空比(duty cycle))，来决定出发光二极管Di?D N的平均亮度；而控制信号V α?VetiHlj是分别用来控制保护电路430中晶体管Ma?MCN的开启/关闭，以选择性地抑制端点N的电压。
[0030]详细来说，请参考图5，图5为根据本发明一实施例的输入信号Vs1、脉宽调变信号Vot1以及控制信号Va的示意图。其中在图5中以第一组输入信号Vs1、脉宽调变信号Vot1以及控制信号V?来作为说明，但图5的信号也可应用于其他组的输入信号(VS2? VSN)、脉宽调变信号(Vot2?V enN)以及控制信号(VC2?V J。在图5的实施例中，时序控制器440将输入信号Vsi作延迟操作以产生脉宽调变信号Vot1，其中脉宽调变信号Vot1与输入信号Vsi之间具有延迟量Td，且时序控制器440对输入信号Vsi进行反向操作以产生控制信号V α，如此一来，在脉宽调变信号Vot1由高电平降为低电平之前(也就是说，脉宽调变信号V -准备开始关闭晶体管M1以不提供电流给发光二极管D i之前)，控制信号V ?会先将保护电路430中的晶体管^开启，以使得当脉宽调变信号Vot1由高电平降为低电平时端点叱发生如图3所示的高压突波时，保护电路430中的晶体管Ma可以迅速地释放端点N撕电荷，以抑制端点N1的电压在供应电压V_，因此可以避免现有技术中高压突波造成电路损坏的问题。
[0031]另外，在脉宽调变信号Vot1由低电平升高为高电平之前(也就是说，脉宽调变信号Vot1准备开始开启晶体管M i以提供电流给发光二极管D i之前)，控制信号V α会先将晶体管Ma关闭，以避免保护电路430形成另外一个电流路径而影响到流经发光二极管D i的电流值。
[0032]请参考图6，图6所示为当脉宽调变信号Vot1从高电平切换至低电平时，端点&电压与发光二极管D1上的电流的实际波形图。如图6所示，脉宽调变信号Venl从3V降至OV时，端点N1的电平最高仅至接近6V，因此，相较于图3所示的约25V的高压突波，图4所示的显示系统400确实可以改善传统电路中高压突波的问题，而避免电路受到损坏。
[0033]另外，申请人指出，上述有关于保护电路430中的电路架构仅为范例说明，而并非作为本发明的限制。举例来说，保护电路430中的晶体管Ma?MeN的端点可以连接至另外一个默认电压值，而不一定要连接到供应电压\ED，只要所述默认电压值可以使得端点&?乂在电流控制电路420中的晶体管1?ΜΝ关闭时可以不受高压突波的影响，且使得发光二极管D1?D N不会有电流流过，所述默认电压值可以根据设计者的需求来设计。举例来说，上述的默认电压值可以位于(\ED_M*Vf)与(\ED+M*Vr)之间，，其中M为每一个发光二极管串中发光二极管的数量(图4的实施例中M = I)、Vf为发光二极管Di?D (^的一正向偏压、且Vr为发光二极管D1' D 4勺一逆向偏压。此外，保护电路430也不一定要使用晶体管M α?Mcn来实作，只要保护电路430可以在电流控制电路420中的晶体管M:?Mn关闭时提供一个电荷释放路径，以使得端点&a