宽带电力线载波信号多级可调衰减器的电路的制作方法

本发明涉及一种宽带电力线载波信号多级可调衰减器的电路，属于电力领域。

背景技术：

电力线载波信号可调衰减器是对电力线载波通信设备进行测试的重要设备，基于电力线载波信号可调衰减器可以检测载波通信装置的发射强度、发射效率、接收灵敏度等性能参数，检验抗噪声、抗干扰的能力，也可在组网测试中用于实现可控的网络中继关系，现有的电力线载波信号电路的衰减值有待提高。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种宽带电力线载波信号多级可调衰减器的电路，能够实现多级可调的衰减调控。

本发明实施例采用如下技术方案：

一种宽带电力线载波信号多级可调衰减器的电路，所述电路连接于交流端口P1和交流端口P2之间，所述交流端口P1包含连接点a1、连接点b1，所述交流端口P2包含连接点a2、连接点b2，所述电路包括：电力低通滤波模块、载波信号多级衰减通路模块；

所述电力低通滤波模块包括：从所述交流端口P1的连接点a1端连接至所述交流端口P2的连接点a2端的a线路，所述a线路安装有依次串入的m个电感L_L1、L_L2、…、L_Lm，其中m为大于或者等于3的整数；

所述电力低通滤波模块包括：从所述交流端口P1的连接点b1端连接至所述交流端口P2的连接点b2端的b线路，所述b线路安装有与所述m个电感L_L1、L_L2、…、L_Lm一一对应串入的m个电感L_N1、L_N2、…、L_Nm；

所述电力低通滤波模块包括：在所述a线路上的电感L_Li的电能输入端、所述b线路上对应的电感L_Ni的电能输入端之间均并联由电容C_Li与电阻R_Li串联构成的RC电路，其中，i＝1、2、…、m，其中m为大于或者等于3的整数，所述交流端口P2的连接点a2端、连接点b2端之间连接由电容C_L(m+1)与电阻R_L(m+1)串联构成的RC电路，以及电阻RC₁；

所述载波信号多级衰减通路模块包括：从所述交流端口P1的连接点a1端至所述交流端口P2的连接点a2端的c线路，所述c线路上安装依次串联的电容C_H1、电阻R_H1、电阻R_H2、电容C_H2；

所述载波信号多级衰减通路模块包括：从所述交流端口P1的连接点b1端至所述交流端口P2的连接点b2端的d线路，所述d线路上安装依次串联的电容C_H3、电阻R_H3、电阻R_H4、电容C_H4；

所述载波信号多级衰减通路模块包括：可变电阻，所述可变电阻的一端连接于电阻R_H1与电阻R_H2之间，所述可变电阻的另一端连接于电阻R_H3与电阻R_H4之间。

可选的，所述电容C_H1和所述电容C_H2后分别对应接入耦合变压器T_H1的原边两端中的各一端，耦合变压器T_H1的副边c1和d1两端之间依次并联第1级衰减通路、第2级衰减通路、至第n级衰减通路后的两个接线点，分别对应接入耦合变压器T_H2的副边c2端、d2端，耦合变压器T_H2的原边两端中的各一端分别对应接入串联电容C_H3和C_H4后连接交流端口P2的a2端和b2端；

所述的每个衰减通路，均包括两个双刀双掷开关W_Hja和W_Hjb，所述的每个衰减通路还包括由电阻R_Hja、R_Hjc、R_Hjb、R_Hjd顺序首尾相接构成的第j级串联电路环，其中j＝1、2、…、n，相应衰减通路中：电阻R_Hjc并联在双刀双掷开关W_Hja的第一、第二投切端之间，双刀双掷开关W_Hja的第三、第四投切端短路，双刀双掷开关W_Hja的第一公共端串接双刀双掷开关W_H(j-1)a的第二公共端，双刀双掷开关W_Hja的第二公共端串接双刀双掷开关W_H(j+1)a的第一公共端，另外，双刀双掷开关W_H1a的第一公共端串接耦合变压器T_H1的副边c1，双刀双掷开关W_Hna的第二公共端串接耦合变压器T_H2的副边c2；电阻R_Hjd并联在双刀双掷开关W_Hjb的第三、第四投切端之间，双刀双掷开关W_Hjb的第一、第二投切端短路，双刀双掷开关W_Hjb的第一公共端串接双刀双掷开关W_H(j-1)b的第二公共端，双刀双掷开关W_Hjb的第二公共端串接双刀双掷开关W_H(j+1)b的第一公共端，双刀双掷开关W_H1b的第一公共端串接耦合变压器T_H1的副边d1，双刀双掷开关W_Hnb的第二公共端串接耦合变压器T_H2的副边d2。

可选的，所述电力低通滤波模块的交流端口P1的b1端至交流端口P2的b2端依次串入的电感L_Ni分别用短路线短接，从而构成非对称回路。

可选的，所述载波信号多级衰减通路模块，耦合变压器T_H1和T_H2具有相同变比。

可选的，所述载波信号多级衰减通路模块，从交流端口P1的a1端和b1端分别串联电容C_H1和C_H2后接入c1和d1两端，c1和d1两端依次并联第1级衰减通路、第2级衰减通路、至第n级衰减通路后，接入c2和d2两端并分别串联电容C_H3和C_H4后，接入交流端口P2的a2端和b2端。

可选的，所述载波信号多级衰减通路模块中第k级衰减通路，其中1≤k≤n，电阻R_Hka和R_Hkb的阻值相同，电阻R_Hkc和R_Hkd的阻值相同。

可选的，所述载波信号多级衰减通路模块中第p级衰减通路具有不对称结构，其中1≤p≤n，第p级衰减通路包括由电阻R_Hpa、R_Hpc、R_Hpb顺序首尾连接构成的串联电路环，第p级衰减通路还包括一双刀双掷开关W_Hpa，电阻R_Hpc并联在双刀双掷开关W_Hpa的第一、第二投切端之间，双刀双掷开关W_Hpa的第三、第四投切端之间短路，双刀双掷开关W_Hpa的第一公共端串接双刀双掷开关W_H(p-1)a的第二公共端，双刀双掷开关W_Hpa的第二公共端串接双刀双掷开关W_H(p+1)a的第一公共端，双刀双掷开关W_H1a的第一公共端连接耦合变压器T_H1的副边c1，双刀双掷开关W_Hna的第二公共端连接耦合变压器T_H2的副边c2，电阻R_Hpa与电阻R_Hpb的连接点接入耦合变压器T_H1的副边d1与耦合变压器T_H2的副边d2之间的连线通路上。

可选的，所述载波信号多级衰减通路模块中第r级衰减通路具有不对称结构，其中1≤r≤n，第r级衰减通路包括由电阻R_Hra、R_Hrb、R_Hrd顺序首尾连接构成的串联电路环，第r级衰减通路还包括一双刀双掷开关W_Hrb，电阻R_Hrd并联在双刀双掷开关W_Hrb的第三、第四投切端之间，双刀双掷开关W_Hrb的第一、第二投切端之间短路；双刀双掷开关W_Hrb的第一公共端串接双刀双掷开关W_H(r-1)b的第二公共端，双刀双掷开关W_Hrb的第二公共端串接双刀双掷开关W_H(r+1)b的第一公共端，双刀双掷开关W_H1b的第一公共端连接耦合变压器T_H1的副边d1，双刀双掷开关W_Hnb的第二公共端连接耦合变压器T_H2的副边d2；电阻R_Hra与电阻R_Hrb的连接点接入耦合变压器T_H1的副边c1与耦合变压器T_H2的副边c2之间的连线通路上。

可选的，所述载波信号多级衰减通路模块中第s级衰减通路为固定衰减通路，其中1≤s≤n，第s级衰减通路包括由电阻R_Hsa、R_Hsc、R_Hsb、R_Hsd顺序首尾连接构成的串联电路，在2≤s≤n-1时，电阻R_Hsc的第一端连接电阻R_H(s-1)c的第二端，电阻R_Hsc的第二端连接电阻R_H(s+1)c的第一端，电阻R_H1c的第一端连接耦合变压器T_H1的副边c1，电阻R_Hnc的第二端连接耦合变压器T_H2的副边c2；在2≤s≤n-1时，电阻R_Hsd的第一端连接电阻R_H(s-1)d的第二端，电阻R_Hsd的第二端连接电阻R_H(s+1)d的第一端，电阻R_H1d的第一端连接耦合变压器T_H1的副边d1，电阻R_Hnd的第二端连接耦合变压器T_H2的副边d2。

可选的，所述载波信号多级衰减通路模块中第t级衰减通路，其中1≤t≤n：电阻R_Hta和R_Htb的阻值相同，电阻R_Hta、R_Htb、R_Htc和R_Htd满足：

R_L＝R_Hia//(R_Hic+R_Hid+R_Hib//R_L)

其中,电阻值R_L为衰减器的匹配阻抗设计值。

本发明实施例的电路，该电路在保障传输一定功率的低频交流电能的同时，实现对高频的宽带电力线载波信号进行多级可调的衰减调控，衰减定量调控更简便。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

图1是本发明实施例的宽带电力线载波信号多级可调衰减器的电路结构图之一。

图2是本发明实施例的宽带电力线载波信号多级可调衰减器的电路结构图之二。

图3是本发明实施例的宽带电力线载波信号多级可调衰减器的电路结构图之三。

图4是本发明实施例的宽带电力线载波信号多级可调衰减器在不同可调衰减级数状态下的衰减率随频率的变化曲线。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。

实施例1

如图1、图2、图3所示，本发明实施例提供一种宽带电力线载波信号多级可调衰减器的电路，所述电路连接于交流端口P1和交流端口P2之间，所述交流端口P1包含连接点a1、连接点b1，所述交流端口P2包含连接点a2、连接点b2，所述电路包括：电力低通滤波模块、载波信号多级衰减通路模块；

所述电力低通滤波模块包括：从所述交流端口P1的连接点a1端连接至所述交流端口P2的连接点a2端的a线路，所述a线路安装有依次串入的m个电感L_L1、L_L2、…、L_Lm，其中m为大于或者等于3的整数；

所述电力低通滤波模块包括：从所述交流端口P1的连接点b1端连接至所述交流端口P2的连接点b2端的b线路，所述b线路安装有与所述m个电感L_L1、L_L2、…、L_Lm一一对应串入的m个电感L_N1、L_N2、…、L_Nm；

所述电力低通滤波模块包括：在所述a线路上的电感L_Li的电能输入端、所述b线路上对应的电感L_Ni的电能输入端之间均并联由电容C_Li与电阻R_Li串联构成的RC电路，其中，i＝1、2、…、m，其中m为大于或者等于3的整数，所述交流端口P2的连接点a2端、连接点b2端之间连接由电容C_L(m+1)与电阻R_L(m+1)串联构成的RC电路，以及电阻RC₁；

所述载波信号多级衰减通路模块包括：从所述交流端口P1的连接点a1端至所述交流端口P2的连接点a2端的c线路，所述c线路上安装依次串联的电容C_H1、电阻R_H1、电阻R_H2、电容C_H2；

所述载波信号多级衰减通路模块包括：从所述交流端口P1的连接点b1端至所述交流端口P2的连接点b2端的d线路，所述d线路上安装依次串联的电容C_H3、电阻R_H3、电阻R_H4、电容C_H4；

所述载波信号多级衰减通路模块包括：可变电阻，所述可变电阻的一端连接于电阻R_H1与电阻R_H2之间，所述可变电阻的另一端连接于电阻R_H3与电阻R_H4之间。

可选的，所述电容C_H1和所述电容C_H2后分别对应接入耦合变压器T_H1的原边两端中的各一端，耦合变压器T_H1的副边c1和d1两端之间依次并联第1级衰减通路、第2级衰减通路、至第n级衰减通路后的两个接线点，分别对应接入耦合变压器T_H2的副边c2端、d2端，耦合变压器T_H2的原边两端中的各一端分别对应接入串联电容C_H3和C_H4后连接交流端口P2的a2端和b2端；

所述的每个衰减通路，均包括两个双刀双掷开关W_Hja和W_Hjb，所述的每个衰减通路还包括由电阻R_Hja、R_Hjc、R_Hjb、R_Hjd顺序首尾相接构成的第j级串联电路环，其中j＝1、2、…、n，相应衰减通路中：电阻R_Hjc并联在双刀双掷开关W_Hja的第一、第二投切端之间，双刀双掷开关W_Hja的第三、第四投切端短路，双刀双掷开关W_Hja的第一公共端串接双刀双掷开关W_H(j-1)a的第二公共端，双刀双掷开关W_Hja的第二公共端串接双刀双掷开关W_H(j+1)a的第一公共端，另外，双刀双掷开关W_H1a的第一公共端串接耦合变压器T_H1的副边c1，双刀双掷开关W_Hna的第二公共端串接耦合变压器T_H2的副边c2；电阻R_Hjd并联在双刀双掷开关W_Hjb的第三、第四投切端之间，双刀双掷开关W_Hjb的第一、第二投切端短路，双刀双掷开关W_Hjb的第一公共端串接双刀双掷开关W_H(j-1)b的第二公共端，双刀双掷开关W_Hjb的第二公共端串接双刀双掷开关W_H(j+1)b的第一公共端，双刀双掷开关W_H1b的第一公共端串接耦合变压器T_H1的副边d1，双刀双掷开关W_Hnb的第二公共端串接耦合变压器T_H2的副边d2。

可选的，所述电力低通滤波模块的交流端口P1的b1端至交流端口P2的b2端依次串入的电感L_Ni分别用短路线短接，从而构成非对称回路。

可选的，所述载波信号多级衰减通路模块，耦合变压器T_H1和T_H2具有相同变比。

可选的，所述载波信号多级衰减通路模块，从交流端口P1的a1端和b1端分别串联电容C_H1和C_H2后接入c1和d1两端，c1和d1两端依次并联第1级衰减通路、第2级衰减通路、至第n级衰减通路后，接入c2和d2两端并分别串联电容C_H3和C_H4后，接入交流端口P2的a2端和b2端。

可选的，所述载波信号多级衰减通路模块中第k级衰减通路，其中1≤k≤n，电阻R_Hka和R_Hkb的阻值相同，电阻R_Hkc和R_Hkd的阻值相同。

可选的，所述载波信号多级衰减通路模块中第p级衰减通路具有不对称结构，其中1≤p≤n，第p级衰减通路包括由电阻R_Hpa、R_Hpc、R_Hpb顺序首尾连接构成的串联电路环，第p级衰减通路还包括一双刀双掷开关W_Hpa，电阻R_Hpc并联在双刀双掷开关W_Hpa的第一、第二投切端之间，双刀双掷开关W_Hpa的第三、第四投切端之间短路，双刀双掷开关W_Hpa的第一公共端串接双刀双掷开关W_H(p-1)a的第二公共端，双刀双掷开关W_Hpa的第二公共端串接双刀双掷开关W_H(p+1)a的第一公共端，双刀双掷开关W_H1a的第一公共端连接耦合变压器T_H1的副边c1，双刀双掷开关W_Hna的第二公共端连接耦合变压器T_H2的副边c2，电阻R_Hpa与电阻R_Hpb的连接点接入耦合变压器T_H1的副边d1与耦合变压器T_H2的副边d2之间的连线通路上。

可选的，所述载波信号多级衰减通路模块中第r级衰减通路具有不对称结构，其中1≤r≤n，第r级衰减通路包括由电阻R_Hra、R_Hrb、R_Hrd顺序首尾连接构成的串联电路环，第r级衰减通路还包括一双刀双掷开关W_Hrb，电阻R_Hrd并联在双刀双掷开关W_Hrb的第三、第四投切端之间，双刀双掷开关W_Hrb的第一、第二投切端之间短路；双刀双掷开关W_Hrb的第一公共端串接双刀双掷开关W_H(r-1)b的第二公共端，双刀双掷开关W_Hrb的第二公共端串接双刀双掷开关W_H(r+1)b的第一公共端，双刀双掷开关W_H1b的第一公共端连接耦合变压器T_H1的副边d1，双刀双掷开关W_Hnb的第二公共端连接耦合变压器T_H2的副边d2；电阻R_Hra与电阻R_Hrb的连接点接入耦合变压器T_H1的副边c1与耦合变压器T_H2的副边c2之间的连线通路上。

可选的，所述载波信号多级衰减通路模块中第s级衰减通路为固定衰减通路，其中1≤s≤n，第s级衰减通路包括由电阻R_Hsa、R_Hsc、R_Hsb、R_Hsd顺序首尾连接构成的串联电路，在2≤s≤n-1时，电阻R_Hsc的第一端连接电阻R_H(s-1)c的第二端，电阻R_Hsc的第二端连接电阻R_H(s+1)c的第一端，电阻R_H1c的第一端连接耦合变压器T_H1的副边c1，电阻R_Hnc的第二端连接耦合变压器T_H2的副边c2；在2≤s≤n-1时，电阻R_Hsd的第一端连接电阻R_H(s-1)d的第二端，电阻R_Hsd的第二端连接电阻R_H(s+1)d的第一端，电阻R_H1d的第一端连接耦合变压器T_H1的副边d1，电阻R_Hnd的第二端连接耦合变压器T_H2的副边d2。

可选的，所述载波信号多级衰减通路模块中第t级衰减通路，其中1≤t≤n：电阻R_Hta和R_Htb的阻值相同，电阻R_Hta、R_Htb、R_Htc和R_Htd满足：

R_L＝R_Hia//(R_Hic+R_Hid+R_Hib//R_L)

其中，电阻值R_L为衰减器的匹配阻抗设计值。

图2是本发明实施例的宽带电力线载波信号多级可调衰减器的电路结构图，图2中电力低通滤波部分可以理解为电力低通滤波模块，载波信号多级衰减通路部分可以理解为载波信号多级衰减通路模块。

本发明的宽带电力线载波信号多级可调衰减器的电路工作原理是：通过电力低通滤波部分实现低频的交流电能从一个端口到另一个端口的正常输送，同时尽可能完全阻断宽带电力线载波信号从一个端口到达另一个端口；进一步基于载波信号多级衰减通路部分允许宽带电力线载波信号从一个端口到另一个端口的传输，但其衰减率通过多级衰减组合实现调控。电力低通滤波部分采用典型的多级LC滤波电路，电感L_Li和L_Ni的电感值较小，在交流工频下其阻抗很低，能够保证当电源接入多级可调衰减器的一端后，在多级可调衰减器另一端能够为负载提供额定设计值以内的功率。对应宽带载波信号的高频频点，电感L_Li和L_Ni的阻抗相比并联在端口间的电容C_i和电阻R_i的阻抗大很多，从而通过多级分压，使得从一端输入的宽带载波信号被大大衰减。如果载波信号V_Hin从电力低通滤波部分电路的交流端口P1输入，且忽略负载阻抗影响，则电力低通滤波部分电路在交流端口P2输出的载波信号V_Hout相比输入的衰减率可按照下式近似计算：

衰减率D_LF的单位为dB。

本发明实施例的载波信号多级衰减通路部分在包含交流工频的低频下，电容C_H1、C_H2、C_H3和C_H4的阻抗很大，所以承担了较大的交流电压。C_H1、C_H2和C_H3、C_H4之间为多级衰减通路，衰减电阻R_Hia、R_Hib、R_Hic、R_Hid承担的交流工频电压小，电阻的功耗也相应较小。多级衰减通路如果火线零线对应支路都有串入非零电阻，则多级衰减通路两端不必采用耦合变压器。但是，如果火线或零线对应支路的串入电阻为零，则需要使用耦合变压器。衰减通路对信号功率进行准确衰减必须阻抗匹配，不然就会形成驻波或反射，所以衰减通路的输入端要与信号源的输出阻抗匹配，同时，输出端要与负载阻抗匹配。因此，输入阻抗、输出阻抗、负载阻抗和源输出阻抗都相等，假设为R_L。以单级衰减通路为例，输入阻抗：

Z_in＝R_Hia//(R_Hic+R_Hid+R_Hib//R_L)＝R_L，

设R_Hia＝R_Hib＝R₁、R_Hic＝R_Hid＝R₂，且R_L＝50，则有：

那么，单级衰减通路的衰减率N为：

联立式(1)、式(2)即可获得N、R₁、R₂的相互关系，实现对宽带电力线载波信号的多级可调衰减网络的设计。由此，本发明设计对应宽带电力线载波信号的频率范围内具有稳定的端口阻抗R_L。同时，本发明通过载波信号多级衰减通路部分的多级衰减结构降低单级衰减对高频载波信号的信号串扰问题。通过双刀双掷开关的控制，实现对应某级衰减档位的调控，从而实现对载波信号整体衰减程度的定量调控。

本发明实施例的电路，该电路在保障传输一定功率的低频交流电能的同时，实现对高频的宽带电力线载波信号进行多级可调的衰减调控，衰减定量调控更简便。

实施例2

本发明实施例的一个具体实施方式的电路结构图如图3所示，图3中电力低通滤波部分可以理解为电力低通滤波模块，载波信号多级衰减通路部分可以理解为载波信号多级衰减通路模块。交流端口P1和交流端口P2之间的电力低通滤波部分由4级LC滤波电路构成。从交流端口P1的a1端至交流端口P2的a2端依次串入4个电感L_L1、L_L2、L_L3、L_L4，以及从交流端口P1的b1端至交流端口P2的b2端依次串入4个电感L_N1、L_N2、L_N3、L_N4，这些电感的电感值相同，均为400μH。在a1和b1、电感之间的对应节点、以及a2和b2节点之间依次并联相互串联的电容C_Li和电阻R_Li，其中i＝1,2,3,4,5，且C_L1＝C_L2＝C_L3＝C_L4＝C_L5＝0.33μF，R_L1＝R_L5＝50Ω，R_L2＝R_L3＝R_L4＝2Ω。在交流端口P1的a1和b1端之间并联有电容放电电阻R_C1＝330kΩ。依据前述的理论分析和计算，从交流端口P1输入至P2输出，电力低通滤波部分对于交流工频信号为全通，对应200kHz及以上的宽带电力线通信信号的衰减率D_LF达到-90dB。

载波信号多级衰减通路部分从交流端口P1的a1端和b1端分别串联电容C_H1和C_H2后接入耦合变压器T_H1的原边两端，耦合变压器T_H1的副边c1和d1两端依次并联第1级衰减通路、第2级衰减通路、第3级衰减通路和第4级衰减通路后，接入耦合变压器T_H2的副边c2和d2两端，耦合变压器T_H2的原边两端分别串联电容C_H3和C_H4后，接入交流端口P2的a2端和b2端。其中，C_H1＝C_H2＝C_H3＝C_H4＝0.1μF，耦合变压器T_H1和T_H2的变比相同，均为1:1。第1级衰减通路为固定20dB衰减通路，由电阻R_H1a、R_H1c、R_H1b、R_H1d依次串联，电阻R_H1c和R_H1d分别分别串入载波信号多级衰减通路部分的c1至c2和d1至d2之间，其中R_H1a＝R_H1b＝61Ω，R_H1c＝R_H1d＝124Ω。第2级衰减通路为可投切的具有不对称结构的5dB衰减通路，由电阻R_H2a、R_H2b、R_H2d依次串联，电阻R_H2d并联在双刀双掷开关W_H2b各自的一个投切端，双刀双掷开关W_H2b的另一个投切端短路，双刀双掷开关W_H2b的公共端分别串入载波信号多级衰减通路部分的d1至d2之间，电阻R_H2a和R_H2b的连接点接入c1至c2之间，其中R_H2a＝R_H2b＝178Ω，R_H2d＝30Ω。第3级衰减通路为可投切的具有不对称结构的10dB衰减通路，由电阻R_H3a、R_H3c、R_H3b依次串联，电阻R_H3c并联在双刀双掷开关W_H3a各自的一个投切端，双刀双掷开关W_H3a的另一个投切端短路，双刀双掷开关W_H3a的公共端分别串入载波信号多级衰减通路部分的c1至c2之间，电阻R_H3a和R_H3b的连接点接入d1至d2之间，其中R_H3a＝R_H3b＝96Ω，、R_H3c＝71Ω。第4级衰减通路为可投切的具有对称结构的20dB衰减通路，由电阻R_H4a、R_H4c、R_H4b、R_H4d依次串联，电阻R_H4c和R_H4d分别并联在双刀双掷开关W_H4a和W_H4b各自的一个投切端，双刀双掷开关W_H4a和W_H4b各自的另一个投切端短路，双刀双掷开关W_H4a和W_H4b的公共端分别串入载波信号多级衰减通路部分的c1至c2和d1至d2之间，其中R_H4a＝R_H4b＝61Ω，R_H4c＝R_H4d＝124Ω。

对本发明宽带电力线载波信号多级可调衰减器实施例通过投切4个开关W_H2b、W_H3a、W_H4a和W_H4b实现对宽带电力线载波信号的多级可调衰减控制，高频的电力线载波信号从P1输入到P2输出、或者P2输入到P1输出，其衰减量可以在-20dB到-55dB范围内以5dB的间隔进行分档调节。具体衰减档位及其衰减量与4个开关状态的对应关系如下表所示。

本发明实施例的宽带电力线载波信号多级可调衰减器实施例电路，所获得的从交流端口P1输入至P2输出的、每个衰减档位下的衰减率随频率变化的曲线如图4所示。由曲线可见，该衰减器在1kHz以下频率范围为全通状态，在100kHz以上通过投切不同的衰减通路，实现了对高频的宽带电力线载波信号的不同衰减率的平稳调节。并且，在宽带电力线载波信号关心的1MHz至30MHz的高频段内，本发明实施例的多级可调衰减器电路衰减率曲线平坦，衰减率随频率变化不显著，适用于对不同工作频点的载波信号进行衰减测试。

以上已经描述了本发明的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术的改进，或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。