技术总结
本实用新型涉及全局快门成像像素和包括成像像素阵列的图像传感器。本实用新型提供了一种全局快门成像像素，所述全局快门成像像素可具有单个源极跟随器晶体管。所述源极跟随器晶体管可耦接到浮动扩散区和电荷存储区。为了在不于每个像素中包括第二源极跟随器晶体管的情况下从所述电荷存储区读出样本，可将所述样本转移到相邻像素的浮动扩散区。另选地，晶体管可被配置成将电荷从所述电荷存储区转移到所述相同像素的所述浮动扩散区，从而重复使用单个源极跟随器晶体管。这些类型的像素可用于相关双采样，其中重置电荷电平和积聚电荷电平两者都被采样。这些像素还可在全局快门模式下操作，在所述全局快门模式下，图像由每个像素同时捕获。
技术研发人员：T·戈伊茨;T·库尔斯
受保护的技术使用者：半导体元件工业有限责任公司
文档号码：201721061949
技术研发日：2017.08.24
技术公布日：2018.05.15