用于校准混合耦合器的中心频率的方法和设备与流程

本发明的实施方式和实施例涉及电子设备，更特别地涉及包括电磁应用领域、特别是射频领域(“射频”，缩写为rf)中的本领域技术人员知晓的混合耦合器(“混合耦合器”为英文术语)的电子设备。

常规的混合耦合器，更特别地常规的正交混合耦合器，或90°混合耦合器，通常包括：

第一输入端子，

第二输入端子，当耦合器以功率分配器模式操作时称为隔离，耦合到例如50欧姆的阻抗；或者当耦合器以功率组合器模式操作时，第二输入端子称为耦合；或者当耦合器以移相器模式操作时，第二输入端子称为直接，

第一输出端子，称为发送，以及

第二输出端子，当耦合器以功率分配器模式和以移相器模式操作时称为耦合，或当耦合器以功率组合器模式操作时称为隔离，连接到例如50欧姆的阻抗。

当混合耦合器根据功率分配器模式操作时，该耦合器旨在接收第一输入端子上的输入信号，并且在第一输出端子和第二输出端子之上例如平均分配输入信号的功率。应当注意，在第一输出端子和第二输出端子上递送的信号包括例如90度的相移。

当混合耦合器根据功率组合器模式操作时，该耦合器旨在接收第一输入端子上的第一输入信号以及称为“耦合”的第二输入端子上相对于第一输入信号具有例如90度的相移的第二输入信号，并且在第一输出端子上递送第一输入信号和第二输入信号的功率的组合。称为“隔离”的第二输出端子耦合到例如50欧姆的阻抗。应当注意，由于在两个输入信号之间的相移，第一输出端子处的功率重组是相长的，而第二输出端子处的功率重组是相消的。

当混合耦合器根据移相器模式操作时，该耦合器旨在接收第一输入端子上的输入信号。耦合器的第一输出端子和第二输出端子分别耦合到两个可变复阻抗，该可变复阻抗与耦合器的例如50欧姆的参考阻抗不同，并且涉及本领域技术人员已知的反射系数。

在耦合器的第一输入端子上接收的输入信号通过耦合器，并在第一输出端子和第二输出端子处反射。经反射的信号再次通过耦合器，并在第一输入端子和第二输入端子处组合。应当注意，在第一输入端子处的经反射信号的组合是相消的，因为它们相位相反，并且在第二输入端子处的经反射的信号的组合是相长的。因此，该耦合器被配置用于将具有等于反射系数的模量的衰减和与反射系数的角度有关的相移的输出信号递送到第二输入端子。

通常，这样的混合正交耦合器在结构上非常对称。因此，任何端子都可以用作输入。

这样的混合耦合器通常具有较窄的带宽。因此，混合耦合器中心频率的调节需要若干个适配级。

此外，混合耦合器的中心频率会受到本领域技术人员通常已知的称为“角”冲击(“角冲击”为英文术语)的影响。

该角冲击通常与制造混合耦合器的方法的变化有关。

在最坏的情况下，这种角冲击可能导致达到混合耦合器中心频率的20％，甚至更高的变化。

在这方面，当由于角冲击而导致在递送到第一输入端子的信号的频率与混合耦合器的中心频率之间存在差异时，可以观察到在两个输出端子上经递送的信号的幅度的差异。

幅度的这种差异对混合耦合器的性能有负面影响。如果将若干个混合耦合器合并到电磁系统中，则系统的整体性能可能会受到相当大的影响。

因此，需要提出一种具有低复杂度并且具有低能耗的技术解决方案，使得能够以简单的方式，优选地以自动的方式，根据参考频率来调节混合耦合器的中心频率，同时使用与所有常规技术兼容的硅上的实现方式。

根据一个方面，提出了一种用于校准根据功率分配器模式操作的混合耦合器的中心频率的方法。

混合耦合器包括两个输入、两个输出、一个电容性模块，该电容性模块耦合在输入与输出之间或在每个输入和每个输出上。电容性模块具有可调节的电容值，使得能够调节中心频率。

该方法包括：

在所述混合耦合器的第一输入上递送具有第一参考频率的第一参考信号，

(通过峰值检测器或通过任何类型的幅度检测)测量递送到耦合器的第一输出的第一信号的峰值以及测量递送到耦合器的第二输出的第二信号的峰值，

比较两个峰值并调节电容性模块的电容值，直到在容限内得到相等的峰值为止。

第一信号和第二信号例如是电压。

在这种情况下，作为非限制性示例，如果两个峰值相差至多5至10mv，则可以认为两个峰值相等。

这样的方法有利地使得可以在不计算混合耦合器的实际中心频率或实际中心频率与第一参考频率之间的差异的情况下校准混合耦合器的中心频率。

此外，这样的方法有利地允许简单的自动化校准混合耦合器。更精确地，可以例如通过算法的手段将混合耦合器的中心频率自动地调节到选定的频率，即参考频率。

由于混合耦合器也可以操作为功率组合器，因此还提出了一种针对该操作模式的校准方法。

在这方面并且根据另一方面，提出了一种用于校准根据功率组合器模式操作的混合耦合器的中心频率的方法。

混合耦合器包括两个输入，两个输出，一个电容性模块，该电容性模块耦合在输入与输出之间或在每个输入和每个输出上。电容性模块具有可调节的电容值，使得可以调节中心频率。

该方法包括：

在所述混合耦合器的第一输出上递送具有第二参考频率的第二信号，

测量递送到耦合器的第一输入的第一信号的峰值和递送到耦合器的第二输入的第二信号的峰值，

比较两个峰值并且调节电容性模块的电容值，直到在容限内得到相等的峰值。

应当注意，混合耦合器的第一输出在此用作功率组合器的输入，并且混合耦合器的第一输入和第二输入用作功率组合器的输出。

根据另一方面，提出了一种用于校准根据移相器模式操作的混合耦合器的方法，该混合耦合器包括两个输入、两个输出、耦合在输入和输出之间或在每个输入和每个输出上的电容性模块，电容性模块具有可调节的电容值，使得可以调节中心频率。该方法包括：

在所述混合耦合器的第一输入上递送具有第三参考频率的第三参考信号，

测量递送到耦合器的第一输出的第一信号的峰值和递送到耦合器的第二输入的第二信号的峰值，以及

比较两个峰值并且调节电容性模块的电容值，直到在容限内得到相等的峰值为止。

根据另一方面，提出了一种用于校准结构的方法，该结构包括：

以功率分配器模式操作的输入混合耦合器，

以功率组合器模式操作的输出混合耦合器，以及

耦合在两个耦合器之间的可断开的耦合级。

该方法包括在诸如上文限定的校准根据功率分配器模式操作的输入混合耦合器的中心频率之前和在诸如上文限定的校准根据功率组合器模式操作的输出混合耦合器的中心频率之前断开耦合级。

根据另一方面，提出了一种用于校准结构的方法，该结构包括具有相同结构并且能够根据相同或不同模式进行操作的至少两个混合耦合器，以及可能耦合在至少两个混合耦合器中的某些耦合器之间的一个或多个可断开的耦合级。

该方法包括：

如果存在一个或多个耦合级，则断开一个或多个耦合级，

诸如上文限定的对根据功率分配器模式操作的输入混合耦合器的中心频率进行第一校准，或者诸如上文限定的对根据功率组合器模式操作的输出混合耦合器的中心频率进行校准，

在第一校准结束时记录经校准的混合耦合器的电容性模块的电容值，以及

利用该电容值对其他一个或多个耦合器的一个或多个电容性模块进行调节，然后这些其他耦合器被认为已被校准。

诸如上文限定的混合耦合器可以例如是90°混合耦合器。

根据另一方面，提出了一种电子设备，该电子设备包括：

混合耦合器，其根据功率分配器模式操作，并且包括两个输入、两个输出，耦合在输入和输出之间或在每个输入和每个输出上的电容性模块，该电容性模块具有可调节的电容值，使得可以调节混合耦合器的中心频率，混合耦合器的第一输入旨在接收具有第一参考频率的第一参考信号，

测量级，其被配置用于测量递送到耦合器的第一输出的第一信号的峰值和递送到耦合器的第二输出的第二信号的峰值，以及

处理级，其被配置用于比较两个峰值并调节电容性模块的电容值，直到在容限内得到相等的峰值为止。

根据另一方面，提出了一种电子设备，该电子设备包括：

混合耦合器，其根据功率组合器模式操作，并且包括两个输入、两个输出、耦合在输入和输出之间或在每个输入和每个输出上的电容性模块，该电容性模块具有可调节的电容值，使得可以调节混合耦合器的中心频率，所述混合耦合器的第一输出旨在接收具有第二参考频率的第二参考信号，

测量级，其被配置用于测量递送到耦合器的第一输入的第一信号的峰值和递送到耦合器的第二输入的第二信号的峰值，以及

处理级，其被配置用于比较两个峰值并调节电容性模块的电容值，直到在容限内得到相等的峰值为止。

根据另一方面，提出了一种电子设备，该电子设备包括：

混合耦合器，其根据移相器模式操作，并且包括两个输入、两个输出、耦合在输入和输出之间或在每个输入和每个输出上的电容性模块，该电容性模块具有可调节的电容值，使得可以调节混合耦合器的中心频率，所述混合耦合器的第一输入旨在接收具有第三参考频率的第三参考信号，

测量级，其被配置用于测量递送到耦合器的第一输出的第一信号的峰值和递送到耦合器的第二输出的第二信号的峰值，以及

处理级，其被配置用于比较两个峰值并调节电容性模块的电容值，直到在容限内得到相等的峰值为止。

根据一个实施例，诸如上文限定的测量级包括被配置用于测量第一信号的峰值的第一峰值检测器和被配置用于测量第二信号的峰值的第二峰值检测器。

根据另一实施例，诸如上文限定的处理级包括配置用于比较两个峰值的比较装置。

作为非限制性示例，比较装置可以包括异或门。

根据又一实施例，电容性模块包括若干配置，每个配置与不同的电容值相对应。电容性模块也可以是开关电容器类型。

诸如上文限定的电子设备可以例如以集成的方式制造。

根据另一方面，提出了一种结构。该结构包括：

诸如上文限定的输入电子设备，其包括根据功率分配器模式操作的混合耦合器，

诸如上文限定的输出电子设备，其包括根据功率组合器模式操作的混合耦合器，以及

可断开的耦合级，其耦合在输入电子设备的混合耦合器与输出电子设备的混合耦合器之间，并且其被配置为在输入和输出电子设备分别被配置为通过调节对应的电容性模块的电容值来调节对应的混合耦合器的中心频率之前被断开。

根据另一方面，提出了一种结构，该结构包括：

具有相同结构并且能够根据相同或不同模式进行操作的至少两个诸如上文限定的电子设备，以及

可能的一个或多个可断开的耦合级，其耦合在所述至少两个电子设备中的某些电子设备之间，并被配置为在所述至少两个电子设备分别被配置为通过调节对应的电容性模块的电容值来调节对应的混合耦合器的中心频率之前被断开。

至少两个电子设备中的任何一个被配置用于在容限内得到由该电子设备的测量级测量的相等的峰值时，记录该电子设备的电容性模块的电容值。

其他一个或多个电子设备的一个或多个电容性模块被配置为利用该电容值而被调节。

根据又一方面，提出了一种通信设备，该通信设备合并了诸如上文限定的至少一个结构。

通过检查非限制性的实施方式和实施例的详细描述以及所附的附图，本发明的其他优点和特征将变得显而易见，在附图中：

-图1至图6是本发明的实施方式和实施例的示意性图示。

图1示出了通信设备1，诸如包括至少一个无线通信系统2的便携式蜂窝电话，在这种情况下，例如以集成方式制造的wifi(在英语中代表“wirelessfidelity”)类型的无线通信系统。

无线通信系统2包括至少一条传输路径3。每个传输路径耦合到对应的天线4。

为了简化，仅示出了一条传输路径3。

现在参考图2以便图示传输路径3的示例实施例。

在这种情况下，传输路径3包括称为平衡的结构5，该结构5包括可断开的耦合级6，该耦合级6包括在输入电子设备7和输出电子设备8之间并行耦合的第一耦合模块ec1和第二耦合模块ec2。

输入电子设备7包括第一生成装置mg1、第一混合耦合器ch1、第一测量级em1和第一处理级et1。

生成装置mg1被配置用于递送具有第一参考频率fref1的第一参考信号sref1。

第一混合耦合器ch1，在这种情况下例如是混合90°正交耦合器，包括：

第一输入端子be1，其耦合到第一生成装置mg1，并旨在接收第一参考信号sref1，

第二输入端子be2，其耦合到第一电阻性负载cr1，在这种情况下例如为50欧姆，

第一输出端子bs1，其耦合到第一耦合模块ec1，

第二输出端子bs2，其耦合到第二耦合模块ec2，以及

第一电容性模块mc1，其具有第一可调节电容值c1，并耦合在第一输入端子be1和第二输入端子be2与第一输出端子bs1和第二输出端子bs2之间。

第一测量级em1包括：

第一峰值检测器dc1，其输入dce1耦合到第一输出端子bs1，以及

第二峰值检测器bs2，其输入dce2耦合到第二输出端子bs2。

第一处理级et1耦合到第一电容性模块mc1，并且包括第一比较装置mcom1，该第一比较装置包括：

第一异或门xor1，其第一输入xor1e1耦合到第一峰值检测器dc1的输出dcs1，并且其第二输入xor1e2耦合到第二峰值检测器dc2的输出dcs2。

电子输出设备8包括第二生成装置mg2、第二混合耦合器ch2、第二测量级em2和第二处理级et2。

第二生成装置mg2被配置用于递送具有第二参考频率fref2的第二参考信号sref2。

由第一生成装置mg1和第二生成装置mg2递送的第一参考信号sref1和第二参考信号sref2可以例如相同或不同。

在这种情况下例如与第一混合耦合器ch1相同的第二混合耦合器ch2包括：

第三输入端子be3，其耦合到第二生成装置mg2，并旨在接收第二参考信号sref2，

第四输入端子be4，其耦合到第二耦合模块ec2，

第三输出端子bs3，其耦合到第二电阻性负载cr2，在这种情况下例如为50欧姆，

第四输出端子bs4，其耦合到第二信令级es2，以及

第二电容性模块mc2，其具有第二可调节电容值c2，并耦合在第三输入端子be3和第四输入端子be4与第三输出端子bs3和第四输出端子bs4之间。

应当注意，第一电容性模块mc1和第二电容性模块mc2也可以耦合到每个输入以及相对应的混合耦合器ch1，ch2的每个输入和每个输出上。

第二测量级em2包括：

第三峰值检测器dc3，其输入dce3耦合到第三输入端子be3，以及

第四峰值检测器bs4，其输入dce4耦合到第四输入端子be4。

第二处理级et2耦合到第二电容性模块mc2，并且包括第二比较装置mcom2，该第二比较装置mcom2包括：

第二异或门xor2，其第一输入xor2e1耦合到第三峰值检测器dc3的输出dcs3，并且其第二输入xor2e2耦合到第四峰值检测器dc4的输出dcs4。

在这种情况下，第一耦合模块ec1包括例如串联耦合在第一输出端子bs1与第三输入端子be3之间的第一驱动器级ea1(“驱动器级”为英语术语)和第一功率控制器cp1。

第二耦合模块ec2包括串联耦合在第二输出端子bs2与第四输入端子be4之间的第二驱动器级ea2和第二功率控制器cp2。

通过非限制性指示的方式，输入混合耦合器ch1以功率分配器模式操作，而输出混合耦合器ch2以功率组合器模式操作。

由于制造方法和上文提到的所谓拐角冲击的可能变化，输入混合耦合器ch1和输出混合耦合器ch2的中心频率fc1，fc2并不总是适配于无线通信系统2的更好的电磁性能。

在这方面，参考图3和图4以便示意性地图示用于校准输入混合耦合器ch1和输出混合耦合器ch2的中心频率fc1，fc2的方法的实施方式的示例。

举例来说，如图3所示，校准方法从对输入混合耦合器ch1的中心频率fc1进行校准的阶段开始。

在步骤etp1_3中，耦合级6的第一耦合模块ec1和第二耦合模块ec2被配置为断开，以便解耦输入混合耦合器ch1与输出混合耦合器ch2之间的连接。

应当注意，只要在所述校准阶段开始时耦合级6总是断开的，则校准方法也可以从输出混合耦合器ch2的中心频率fc2的校准阶段开始。

因此，可以在不受输出混合耦合器ch2影响的情况下进行输入混合耦合器ch1的中心频率fc1的校准。

在下一步骤etp2_3中，第一生成装置mg1被配置用于将包括第一参考频率fref1的第一参考信号sref1递送到输入混合耦合器ch1的第一输入端子be1。该第一参考频率fref1可以例如等于输入混合耦合器ch1的标称中心频率。

当在第一输入端子be1处接收到第一参考信号sref1时，输入混合耦合器ch1被配置用于将第一信号s1递送到第一输出端子bs1，并将第二信号s2递送到第二输出端子bs2。

当输入混合耦合器ch1的实际中心频率fc1等于第一参考频率fref1时，第一信号s1和第二信号s2的最大幅度，换言之峰值vc1，vc2相等。

为此，第一峰值检测器dc1和第二峰值检测器dc2被配置用于检测峰值vc1，vc2。

第一峰值检测器dc1和第二峰值检测器dc2的电路是本领域技术人员公知的，并且每个峰值检测器dc1，dc2可以例如包括跟随器放大器、二极管和电容器(未示出)。

第一处理级et1的第一异或门xor1旨在接收第一信号s1和第二信号s2的峰值vc1，vc2。

当这些峰值vc1，vc2不同时，第一异或门xor1被配置用于在其高状态下递送第一校准信号se1。实际上，该第一校准信号se1用于指示输入混合耦合器ch1的实际中心频率fc1的校准状态(etp3_3)。

为了在例如5至10mv的容限内将输入混合耦合器ch1的实际中心频率fc1和第一参考频率fref1对齐，第一处理级et1还被配置为在步骤etp4_3中调节第一电容性模块mc1的电容值c1，以这样的方式来改变输入混合耦合器ch1的实际中心频率fc1。

如果第一校准信号se1处于其高状态，则执行对电容值c1的调节etp4_3，并且当第一校准信号se1处于其低状态时，结束对电容值c1的调节(etp5_3)。在后一种情况下，输入混合耦合器ch1的实际中心频率fc1在容限内等于第一参考频率fref1。

因此，获得了一种方法，该方法使得可以通过监测第一信号s1和第二信号s2的峰值vc1，vc2之间比较的结果se1来以自动的方式校准输入混合耦合器ch1的实际中心频率fc1。

图4是输出混合耦合器ch2的实际中心频率fc2的校准阶段的示意性图示，在这种情况下，该校准阶段例如在如上所图示的输入混合耦合器ch1的中心频率fc1的校准阶段之后。

由于第一耦合模块ec1和第二耦合模块ec2在输入混合耦合器ch1的中心频率fc1的校准阶段中已经断开，因此无需重复断开第一耦合模块ec1和第二耦合模块ec2。

在步骤etp1_4中，第二生成装置mg2被配置用于将包括第二参考频率fref2的第二参考信号sref2递送到输出混合耦合器ch2的第三输出端子bs3。

应当注意，由第一生成装置mg1和第二生成装置mg2生成的第一参考信号sref1和第二参考信号sref2在保持相同参考频率的同时，可以关于相位或幅度相同或不同。

在第三输出端子bs3处接收到第二参考信号sref2时，输出混合耦合器ch2被配置用于将第三信号s3递送到第三输入端子be3，并且将第四信号s4递送到第四输入端子be4。

当输出混合耦合器ch2的实际中心频率fc2等于第二参考频率fref2时，第三信号s3和第四信号s4的最大幅度，换言之峰值vc3，vc4相等。

因此，第三峰值检测器dc3和第四峰值检测器dc4被配置用于检测所述峰值vc3，vc4。

第三峰值检测器dc3和第四峰值检测器dc4的电路可以与第一峰值检测器dc1和第二峰值检测器dc2的电路相同，并且是本领域技术人员公知的。

第二处理级et2的第二异或门xor2旨在接收第三信号s3和第四信号s4的峰值vc3，vc4。

当这些峰值vc3，vc4不同时，第二异或门xor2被配置用于在其高状态下递送第二校准信号se2。该第二校准信号se2有效地用于指示输出混合耦合器ch2的实际中心频率fc2的校准状态(etp2_4)。

为了在测量容限内将输出混合耦合器ch2的实际中心频率fc2和第二参考频率fref2对齐，第二处理级et2还被配置为在步骤etp3_4中调节第二电容性模块mc2的第二电容值c2，以这样的方式来改变输出混合耦合器ch2的实际中心频率fc2。

如果第二校准信号se2处于其高状态，则执行对电容值c2的调节etp3_4，并且当第二校准信号se2处于其低状态时，即输出混合耦合器ch2的实际中心频率fc2等于第二参考频率fref2时，结束对电容值c2的调节etp4_4。

举例来说，第一处理级et1和第二处理级et2可以以软件的形式在本领域技术人员已知的微处理器中实现。

因此，还可以通过监测第三信号s3和第四信号s4的峰值vc3，vc4之间比较的结果se2，以自动的方式校准输出混合耦合器ch2的实际中心频率fc2。

现在参考图5，以便图示传输线3的实施例的另一示例，该传输线3包括另一结构9，该另一结构9包括至少两个电子设备，在这种情况下例如为输入电子设备7，输出电子设备8和以移相器模式操作的移相器电子设备10。

电子设备10包括第三生成装置mg3、以移相器模式操作的第三混合耦合器ch3、第三测量级em3和第三处理级et3。

生成装置mg3被配置用于递送具有第三参考频率fref3的第三参考信号sref3。

第三混合耦合器ch3，在这种情况下例如是90°正交混合耦合器，包括：

第五输入端子be5，其耦合到第三生成装置mg3，并旨在接收第三参考信号sref3，

第六输入端子be6，其旨在接收相移输出信号ssd，

第五输出端子bs5，其耦合到第五测量级em5，

第六输出端子bs6，其耦合到第六测量级em6，以及

第三电容性模块mc3，其具有第三可调节电容值c3，并且耦合在第五输入端子be5和第六输入端子be6与第五输出端子bs5和第六输出端子bs6之间。

在这种情况下，第三电容性模块mc3包括若干配置，每个配置与不同的电容值相对应。在这种情况下，第三电容性模块mc3由数字信号sn3控制。数字信号sn3的值与特定配置相对应，并因此与特定电容值相对应。

第三测量级em3包括：

第五峰值检测器dc5，其输入dce5经由第一可变复阻抗icv1耦合到第五输出端子bs5，以及

第六峰值检测器bs6，其输入dce6经由第二可变复阻抗icv2耦合到第六输出端子bs6。

第三处理级et3耦合到第三电容性模块mc3，并且包括第三比较装置mcom3，该第三比较装置包括：

第三异或门xor3，其第一输入xor3e1耦合到第五峰值检测器dc5的输出dcs5，并且其第二输入xor3e2耦合到第六峰值检测器dc6的输出dcs6。

电子输入设备7和输出设备8分别包括与电子移相设备10相同的结构。换言之，除了图2中所示出的，电子输入设备7和输出设备8的电容性模块mc1、mc2还包括若干个配置，每个配置与特定的电容值相对应，并且由对应的数字信号sn1，sn2控制。

现在参考图6，以便示意性地图示用于校准混合耦合器ch1，ch2和ch3的实际中心频率fc1，fc2和fc3的方法的示例实施方式。

可断开的耦合级6耦合在混合耦合器ch1和ch2之间。

如果存在一个或多个耦合级，则校准方法从旨在断开一个或多个耦合级的可选步骤etp1_6开始。

在图5所示的结构9的情况下，必须在步骤etp1_6中断开耦合级6。

作为非限制性示例，在这种情况下，校准方法从对以移相器模式操作的第三混合耦合器ch3的中心频率进行校准开始。

在步骤etp2_6中，第三生成装置mg3被配置用于将包括第三参考频率fref3的第三参考信号sref3递送到第三混合耦合器ch3的第五输出端子bs5。

应当注意，在这种情况下，由于每个混合耦合器的结构都相同，因此第三参考频率fref3是校准混合耦合器中所有三个混合耦合器的目标频率。

当在第五输入端子be5处接收到第三参考信号sref3时，移相器混合耦合器ch3被配置用于将第五信号s5递送到第五输出端子bs5，并且将第六信号s6递送到第六输出端子bs6。

当移相器混合耦合器ch3的实际中心频率fc3等于第三参考频率fref3时，第五信号s5和第六信号s6的最大振幅，换言之，峰值vc5，vc6相等。

为此，第五峰值检测器dc5和第六峰值检测器dc6被配置用于检测所述峰值vc5，vc6。

第三处理级et3的第三异或门xor3旨在接收第五信号s5和第六信号s6的峰值vc5，vc6。

当这些峰值vc5，vc6不同时，第三异或门xor3被配置用于在其高状态下递送第三校准信号se3。该第三校准信号se3实际上用于指示移相器混合耦合器ch3的实际中心频率fc3的校准状态(etp3_6)。

为了在例如5至10mv的容限内将输入混合耦合器ch3的实际中心频率fc3和第三参考频率fref3对齐，第三处理级et3还被配置用于在步骤etp4_6中调节第三电容性模块mc3的第三电容值c3，以这样的方式来改变移相器混合耦合器ch3的实际中心频率fc3。这例如通过调节数字信号sn3以便改变电容性模块mc3的配置来完成。

如果第三校准信号se3处于其高状态，则执行对电容值c3的调节etp4_6，并且当第三校准信号se3处于其低状态时，结束对电容值c3的调节(etp5_6)。

在后一种情况下，移相器混合耦合器ch3的实际中心频率fc3在容限内等于第三参考频率fref3。

此外，移相器混合耦合器ch3的处理级et3被配置用于记录电容性模块mc3的当前电容值c3c或简单地记录数字信号sn3的当前值。

在步骤etp6_6中，每个未校准的电子设备的处理级et1，et2被配置用于调节对应的电容值c1，c2，直到获得经校准的混合耦合器ch3的电容性模块mc3的所记录的电容值c3c。

由于混合耦合器中的所有混合耦合器在结构上都是相同的，因此一旦它们的电容值被调节为所记录的电容值c3c，它们的中心频率fc1，fc2则被校准到目标频率fref3处。

本发明不限于以上描述的实施例，而是包括所有变型。

输入和输出电子设备可以个体地合并在不同的设备中，并且相关联的校准阶段(在图3、图4和图6所示)也可以单独实现。