图像传感器像素电路及其工作方法与流程

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种图像传感器像素电路及其工作方法。

背景技术：

图像传感器是一种将光信号转化为电信号的半导体器件。

图像传感器分为互补金属氧化物(cmos)图像传感器和电荷耦合器件(ccd)图像传感器。其中cmos图像传感器具有工艺简单、易于其它器件集成、体积小、重量轻、功耗小和成本低等优点。因此，随着图像传感技术的发展，cmos图像传感器越来越多地取代ccd图像传感器应用于各类电子产品中。目前，cmos图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、数码摄像机、医疗用摄像装置和车用摄像装置等。

然而，现有的图像传感器的性能有待提高。

技术实现要素：

本发明解决的问题是提供一种图像传感器像素电路及其工作方法，以提高图像传感器像素电路的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种图像传感器像素电路，包括：主光电二极管，所述主光电二极管具有第一正向连接端；附光电二极管；第一传输晶体管，第一传输晶体管的源级与第一正向连接端连接，第一传输晶体管的漏极连接第一浮空扩散点；第二传输晶体管，第二传输晶体管的源级与所述附光电二极管连接，第二传输晶体管的漏极连接第一浮空扩散点或第二浮空扩散点；附加晶体管，所述附加晶体管的源极连接第一浮空扩散点，所述附加晶体管的漏极连接第二浮空扩散点；第一复位晶体管，第一复位晶体管的漏极与第一电源线连接，第一复位晶体管的源级连接第二浮空扩散点；第二复位晶体管，第二复位晶体管的源级与第一正向连接端连接，第二复位晶体管的漏极与第二电源线连接；电容，所述电容与第二浮空扩散点连接；列读出线，所述列读出线适于读出第一浮空扩散点的电位信息。

可选的，所述主光电二极管的感光面积大于所述附光电二极管的感光面积。

可选的，所述附光电二极管的感光面积为所述主光电二极管的感光面积的5％～20％。

可选的，还包括：源跟随晶体管，所述源跟随晶体管的栅极与第一浮空扩散点连接，所述源跟随晶体管的漏极与第一电源线连接；选择晶体管，所述选择晶体管的漏极与所述源跟随晶体管的源极连接，所述选择晶体管的源极与所述列读出线连接。

可选的，第二电源线的电位与第一电源线的电位相同；或者，第二电源线的电位与第一电源线的电位不同。

可选的，所述电容具有相对的第一端和第二端，第一端与第二浮空扩散点连接，第二端接地。

可选的，所述主光电二极管还具有第一反向连接端，第一反向连接端接地；所述附光电二极管具有第二正向连接端和第二反向连接端，第二正向连接端连接第二传输晶体管的源级，第二反向连接端接地。

本发明还提供一种图像传感器像素电路的工作方法，包括：提供上述任意一项的图像传感器像素电路；进行主曝光时序步骤，在主曝光时序步骤中，第一复位晶体管、第二复位晶体管、第一传输晶体管和第二传输晶体管均处于断开状态，所述附加晶体管处于导通状态；进行主曝光时序步骤后，进行主读出时序步骤，在主读出时序步骤中，第二复位晶体管和第二传输晶体管均处于断开状态，主读出时序步骤包括：在附加晶体管处于断开状态下，导通所述第一传输晶体管，使主光电二极管中的电荷对第一浮空扩散点进行第一充电；进行第一充电后，在附加晶体管处于断开状态下，所述列读出线对第一浮空扩散点的电位信息进行第一信号数据采集；进行第一信号数据采集后，在附加晶体管处于导通状态下，导通第一传输晶体管，使主光电二极管中的电荷对第一浮空扩散点和第二浮空扩散点进行第二充电；进行第二充电后，在附加晶体管处于导通状态下，所述列读出线对第一浮空扩散点的电位信息进行第二信号数据采集；进行主读出时序步骤后，进行扩展曝光时序步骤，在扩展曝光时序步骤中，所述第二复位晶体管和附加晶体管均处于导通状态，第一复位晶体管、第一传输晶体管和第二传输晶体管均处于断开状态；进行扩展曝光时序步骤后，进行扩展读出时序步骤，在扩展读出时序步骤中，第二复位晶体管和附加晶体管均处于导通状态，第一传输晶体管处于断开状态，所述扩展读出时序步骤包括：导通第二传输晶体管，使所述附光电二极管中的电荷对第一浮空扩散点和第二浮空扩散点进行第三充电；进行第三充电后，所述列读出线对第一浮空扩散点的电位信息进行第三信号数据采集。

可选的，在主读出时序步骤的起始时刻至第二信号数据采集的终结时刻，所述第一复位晶体管处于断开状态。

可选的，所述主读出时序步骤还包括：在进行第一充电之前，在所述附加晶体管、第一复位晶体管和第一传输晶体管处于断开状态下，所述列读出线对第一浮空扩散点的电位信息进行第一基准数据采集；根据第一基准数据采集得到的数据与第一信号数据采集得到的数据之差，获取第一有效信号数据。

可选的，所述主读出时序步骤还包括：在进行第二信号数据采集后，进行主复位操作，在主复位操作中，第一复位晶体管和附加晶体管处于导通状态，第一传输晶体管处于断开状态；进行主复位操作后，在第一复位晶体管和第一传输晶体管处于断开状态、且附加晶体管处于导通状态下，所述列读出线对第一浮空扩散点的电位信息进行第二基准数据采集；根据第二基准数据采集得到的数据与第二信号数据采集得到的数据之差，获取第二有效信号数据。

可选的，所述扩展读出时序步骤还包括：进行第三信号数据采集后，进行扩展复位操作，在扩展复位操作中，第一复位晶体管处于导通状态，第二传输晶体管处于断开状态；进行扩展复位操作后，在第一复位晶体管处于断开状态、且第二传输晶体管处于断开状态下，所述列读出线对第一浮空扩散点的电位信息进行第三基准数据采集；根据第三基准数据采集得到的数据与第三信号数据采集得到的数据之差，获取第三有效信号数据。

可选的，还包括：在进行主读出时序步骤之后，且在进行扩展曝光时序步骤之前，进行扩展清空步骤；在扩展清空步骤中，第一复位晶体管和第二复位晶体管处于导通状态，第一传输晶体管处于断开状态，第二传输晶体管处于导通状态，附加晶体管处于导通状态，选择晶体管处于断开状态。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明技术方案提供的图像传感器像素电路的工作方法中，在进行主曝光时序步骤中，所述附加晶体管处于导通状态，因此当主光电二极管在过曝的情况下，主光电二极管中的光生电子会通过第一传输晶体管溢出至第一浮空扩散点和第二浮空扩散点。在进行主曝光时序步骤和主读出时序步骤中，第二复位晶体管处于断开状态，因此主光电二极管中的光生电子不会被传输至第二电源线。由于在进行主曝光时序步骤和主读出时序步骤中，第二传输晶体管处于断开状态，且附光电二极管的面积小于主光电二极管的面积，因此在进行主曝光时序步骤和主读出时序步骤中，附光电二极管中的光生电子不会溢出至第一浮空扩散点。在附加晶体管处于断开状态下进行第一充电，使主光电二极管中的光生电子转移至第一浮空扩散点。由于第一浮空扩散点的满阱电容较小，因此第一信号数据采集得到的数据用于表征图像在暗处的信息。在附加晶体管处于导通状态下进行第二充电，第二充电使主光电二极管中的光生电子转移至第一浮空扩散点和第二浮空扩散点，主要由第一浮空扩散点的寄生电容和所述电容存储来自主光电二极管中的光生电子。由于第一浮空扩散点和所述电容共同的满阱电容大于第一浮空扩散点的满阱电容，因此在主光电二极管曝光的情况下，第一浮空扩散点的寄生电容和所述电容有足够的电容空间存储来自主电二极管产生的光生电子，因此第二信号数据采集得到的数据可表征的图像亮度大于第一信号数据采集得到数据可表征的图像亮度。

在进行扩展曝光时序步骤中，第二复位晶体管处于导通状态，因此第二复位晶体管能够将主光电二极管中的光生电子转移至第二电源线。在进行扩展曝光时序步骤中，所述附加晶体管处于导通状态，那么当附光电二极管在过曝的情况下，附光电二极管中的光生电子会通过第二传输晶体管溢出至第一浮空扩散点和第二浮空扩散点，主要由电容和第一浮空扩散点的寄生电容存储来自附光电二极管溢出的光生电子。所述扩展读出时序步骤包括：导通第二传输晶体管，使所述附光电二极管中的电荷对第一浮空扩散点和第二浮空扩散点进行第三充电，第三充电使所述附光电二极管存储的光生电子转移至第一浮空扩散点和第二浮空扩散点。由于附光电二极管的面积小于主光电二极管，因此在附光电二极管过曝的情况下，所述附光电二极管中产生的光生电子较少，因此第一浮空扩散点的寄生电容和所述电容有足够的电容空间存储来自附光电二极管产生的光生电子。那么第三信号数据采集得到的数据可表征的图像亮度大于第二信号数据采集得到数据可表征的图像亮度，这样提高了动态范围。

附图说明

图1是一种图像传感器像素电路的示意图；

图2是本发明一实施例中图像传感器像素电路的示意图；

图3是本发明一实施例中图像传感器像素电路工作方法的流程图；

图4是本发明一实施例中图像传感器像素电路工作的时序图；

图5是本发明另一实施例中图像传感器像素电路的示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有技术形成的图像传感器像素电路的性能较差。

一种图像传感器像素电路，请参考图1，包括：光电二极管；传输晶体管，所述传输晶体管ptx的源级与所述光电二极管的正向连接端连接；第一浮空扩散点sfd，第一浮空扩散点sfd与传输晶体管ptx的漏极连接；附加晶体管pss，附加晶体管pss源极与第一浮空扩散点sfd连接；第二浮空扩散点lfd，第二浮空扩散点lfd与附加晶体管pss的漏极连接；复位晶体管prst，复位晶体管prst的漏极与电源线vdd连接，复位晶体管prst的源极与第二浮空扩散点lfd连接；电容c，电容c的一端与第二浮空扩散点lfd连接，电容c的另一端与地线连接；源跟随晶体管psf，源跟随晶体管psf的栅极与第一浮空扩散点sfd连接，所述源跟随晶体管psf的漏极与电源线vdd连接；行选择晶体管psel，所述行选择晶体管psel的漏极与所述源跟随晶体管psf的源极连接，所述行选择晶体管psel的源极与所述列读出线bl连接。

对于图1中的图像传感器像素电路，每一帧曝光的时间相同，且曝光采用长曝光时间，这样克服了频闪现象。

对于图1中的图像传感器像素电路，按照时序，首先读出暗处的信息，该数据为第一数据，具体的，光电二极管的光电子转移到第一浮空扩散点sfd上后，在第一浮空扩散点sfd产生电压变化，第一浮空扩散点sfd的电位通过行选择晶体管psel和源跟随晶体管psf被读出，获得第一数据；按照时序，读出亮处的信息，该数据为第二数据，具体的，光电二极管的光电子通过传输晶体管ptx和附加晶体管pss转移到第二浮空扩散点lfd和第一浮空扩散点sfd，主要由电容c和第一浮空扩散点sfd的寄生电容存储第二数据对应的来自光电二极管的光电子，在第一浮空扩散点sfd产生电压变化，第一浮空扩散点sfd的电位通过行选择晶体管psel和源跟随晶体管psf被读出，获得第二数据。通过对第一数据和第二数据进行融合，得到一个画面图像，该画面图像的动态范围较高。

图1中的图像传感器像素电路，当电容c的电容值与第一浮空扩散点sfd的寄生电容的比值为16～32时，所述图像传感器像素电路的动态范围能达90db至100db。

然而，在实际中，电容c与第一浮空扩散点的电容的大小比值无法取到很高的数值，原因包括：由于电容c制作在一个像素中，电容c占据的面积有限，因此电容c无法做到很大；若电容c与第一浮空扩散点的电容的大小比值很大，如达到100，那么第一数据与第二数据的过渡区域的信噪比过小，导致第二数据和第一数据融合后的图像质量下降。

综上，由于电容c与第一浮空扩散点的电容的大小比值的提高受到限制，因此图像传感器像素电路的动态范围的提高受到限制。实际应用中需要获得超过120db动态范围的图像传感器像素电路，例如：在隧道环境、全天候监控环境或车载领域中时，需要超高动态范围的图像传感器像素电路。

在此基础上，本发明提供一种图像传感器像素电路，包括：主光电二极管，主光电二极管具有第一正向连接端；附光电二极管；第一传输晶体管，第一传输晶体管的源级与第一正向连接端连接，第一传输晶体管的漏极连接第一浮空扩散点；第二传输晶体管，第二传输晶体管的源级与附光电二极管连接，第二传输晶体管的漏极连接第一浮空扩散点或第二浮空扩散点；附加晶体管，附加晶体管的源极连接第一浮空扩散点，附加晶体管的漏极连接第二浮空扩散点；第一复位晶体管，第一复位晶体管的漏极与第一电源线连接，第一复位晶体管的源级连接第二浮空扩散点；第二复位晶体管，第二复位晶体管的源级与第一正向连接端连接，第二复位晶体管的漏极与第二电源线连接；电容，电容与第二浮空扩散点连接；列读出线，列读出线适于读出第一浮空扩散点的电位信息。所述图像传感器像素电路的性能得到提高。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

本发明实施例提供一种图像传感器像素电路，请参考图2，包括：

主光电二极管200，所述主光电二极管200具有第一正向连接端；

附光电二极管210；

第一传输晶体管220，第一传输晶体管220的源级与第一正向连接端连接，第一传输晶体管220的漏极连接第一浮空扩散点fd1；

第二传输晶体管230，第二传输晶体管230的源级与所述附光电二极管210连接，第二传输晶体管230的漏极连接第一浮空扩散点fd1；

附加晶体管240，所述附加晶体管240的源极连接第一浮空扩散点fd1，所述附加晶体管240的漏极连接第二浮空扩散点fd2；

第一复位晶体管250，第一复位晶体管250的漏极与第一电源线l_vdd1连接，第一复位晶体管250的源级连接第二浮空扩散点fd2；

第二复位晶体管260，第二复位晶体管260的源级与第一正向连接端连接，第二复位晶体管260的漏极与第二电源线l_vdd2连接；

电容270，所述电容270与第二浮空扩散点fd2连接；

列读出线bl，所述列读出线bl适于读出第一浮空扩散点fd1的电位信息。

所述主光电二极管200的感光面积大于所述附光电二极管210的感光面积。在相同的曝光时间内，主光电二极管200产生的光生电子的数量远多于附光电二极管210产生的光生电子的数量。

在一个实施例中，所述附光电二极管210的感光面积为所述主光电二极管200的感光面积的5％～20％。

所述主光电二极管200还具有第一反向连接端，第一反向连接端接地。

所述附光电二极管210具有第二正向连接端和第二反向连接端，第二正向连接端连接第二传输晶体管230的源级，第二反向连接端接地。

所述电容270具有相对的第一端和第二端，第一端与第二浮空扩散点fd2连接，第二端接地。

所述图像传感器像素电路还包括：源跟随晶体管280，所述源跟随晶体管280的栅极与第一浮空扩散点fd1连接，所述源跟随晶体管280的漏极与第一电源线l_vdd1连接；选择晶体管290，所述选择晶体管290的漏极与所述源跟随晶体管280的源极连接，所述选择晶体管290的源极与所述列读出线bl连接。

本实施例中，电容270的电容值与第一浮空扩散点fd1的电容的比值的要求较低，电容270占据的面积较小，电容270很容易制作在一个像素中，其次，利于对后续第二有效信号数据和第一有效信号数据的融合，第二有效信号数据和第一有效信号数据融合后的图像质量较好。

本实施例中，电容270的大小与第一浮空扩散点fd1的寄生电容大小的比值为16～40，如16～32。

第二电源线l_vdd2的电位vdd2与第一电源线l_vdd1的电位vdd1相同；或者，第二电源线l_vdd2的电位vdd2与第一电源线l_vdd1的电位vdd1不同。

本发明还提供一种图像传感器像素电路的工作方法，请参考图3，包括以下步骤：

s01：提供上述的图像传感器像素电路(参考图2)；

s02：进行主曝光时序步骤，在主曝光时序步骤中，所述第一复位晶体管250、第二复位晶体管260、第一传输晶体管220和第二传输晶体管230均处于断开状态，所述附加晶体管240处于导通状态；

s03：进行主曝光时序步骤后，进行主读出时序步骤，在主读出时序步骤中，所述第二复位晶体管260和第二传输晶体管230均处于断开状态，主读出时序步骤包括：在附加晶体管240处于断开状态下，导通所述第一传输晶体管220，使主光电二极管200中的电荷对第一浮空扩散fd1点进行第一充电；进行第一充电后，在附加晶体管240处于断开状态下，所述列读出线bl对第一浮空扩散点fd1的电位信息进行第一信号数据采集；进行第一信号数据采集后，在附加晶体管240处于导通状态下，导通第一传输晶体管220，使主光电二极管200中的电荷对第一浮空扩散点fd1和第二浮空扩散点fd2进行第二充电；进行第二充电后，在附加晶体管240处于导通状态下，所述列读出线bl对第一浮空扩散点fd1的电位信息进行第二信号数据采集；

s04：进行主读出时序步骤后，进行扩展曝光时序步骤，在扩展曝光时序步骤中，所述第二复位晶体管260和附加晶体管240均处于导通状态，第一复位晶体管250、第一传输晶体管220和第二传输晶体管230均处于断开状态；

s05：进行扩展曝光时序步骤后，进行扩展读出时序步骤，在扩展读出时序步骤中，第二复位晶体管260和附加晶体管240均处于导通状态，第一传输晶体管220处于断开状态，所述扩展读出时序步骤包括：导通第二传输晶体管230，使所述附光电二极管210中的电荷对第一浮空扩散点fd1和第二浮空扩散点fd2进行第三充电；进行第三充电后，所述列读出线bl对第一浮空扩散点fd1的电位信息进行第三信号数据采集。

图4为图2中图像传感器像素电路的时序图，

v(rsel)是选择晶体管290的栅极的时序信号，当v(rsel)为高电平时，选择晶体管290处于导通状态，当v(rsel)为低电平时，选择晶体管290处于断开状态。

v(rst1)是第一复位晶体管250的栅极的时序信号，当v(rst1)为高电平时，第一复位晶体管250处于导通状态，当v(rst1)为低电平时，第一复位晶体管250处于断开状态。

v(rst2)是第二复位晶体管260的栅极的时序信号，当v(rst2)为高电平时，第二复位晶体管260处于导通状态，当v(rst2)为低电平时，第二复位晶体管260处于断开状态。

v(tg1)是第一传输晶体管220的栅极的时序信号，当v(tg1)为高电平时，第一传输晶体管220处于导通状态，当v(tg1)为低电平时，第一传输晶体管220处于断开状态。

v(tg2)是第二传输晶体管230的栅极的时序信号，当v(tg2)为高电平时，第二传输晶体管230处于导通状态，当v(tg2)为低电平时，第二传输晶体管230处于断开状态。

v(ss)是附加晶体管240的栅极的时序信号，当v(ss)为高电平时，附加晶体管240处于导通状态，当v(ss)为低电平时，附加晶体管240处于断开状态。

本实施例中，在进行主曝光时序步骤之前，还包括：进行主清空步骤，在主清空步骤中，所述第一复位晶体管250处于导通状态，第二复位晶体管260处于断开状态，附加晶体管240处于导通状态，第一传输晶体管220和第二传输晶体管230处于导通状态，选择晶体管290处于断开状态。所述主清空步骤使主光电二极管200中的电子和附光电二极管210中的电子清空。

在主曝光时序步骤中，所述第一复位晶体管250、第二复位晶体管260、第一传输晶体管220和第二传输晶体管230均处于断开状态，所述附加晶体管240处于导通状态，选择晶体管290处于断开状态。

进行主曝光时序步骤后，进行主读出时序步骤，在主读出时序步骤中，所述第二复位晶体管260和第二传输晶体管230均处于断开状态，选择晶体管290处于导通状态。

所述主读出时序步骤包括：在所述附加晶体管240、第一复位晶体管250和第一传输晶体管220处于断开状态下，所述列读出线bl对第一浮空扩散点fd1的电位信息进行第一基准数据采集。

在主读出时序步骤的起始时刻至第一基准数据采集的终结时刻，所述第一传输晶体管220和第一复位晶体管250一直处于断开状态。

所述主读出时序步骤还包括：第一基准数据采集之后，在附加晶体管240处于断开状态下，导通所述第一传输晶体管220，使主光电二极管200中的电荷对第一浮空扩散fd1点进行第一充电；进行第一充电后，在附加晶体管240处于断开状态下，所述列读出线bl对第一浮空扩散点fd1的电位信息进行第一信号数据采集。

在第一充电中，所述第一传输晶体管220处于导通状态，所述第一复位晶体管250处于断开状态，所述附加晶体管240处于断开状态。

在第一信号数据采集中，附加晶体管240、第一传输晶体管220和第一复位晶体管250处于断开状态。

根据第一基准数据采集得到的数据与第一信号数据采集得到的数据之差，获取第一有效信号数据。

所述主读出时序步骤还包括：进行第一信号数据采集后，在附加晶体管240处于导通状态下，导通第一传输晶体管220，使主光电二极管200中的电荷对第一浮空扩散点fd1和第二浮空扩散点fd2进行第二充电；进行第二充电后，在附加晶体管240处于导通状态下，所述列读出线bl对第一浮空扩散点fd1的电位信息进行第二信号数据采集。

在主读出时序步骤的起始时刻至第二信号数据采集的终结时刻，所述第一复位晶体管250处于断开状态。

在第二充电中，第一复位晶体管250处于断开状态，第一传输晶体管220处于导通状态，所述附加晶体管240处于导通状态。

在第二信号数据采集中，第一传输晶体管220处于断开状态，附加晶体管240处于导通状态，第一复位晶体管250处于断开状态。

所述主读出时序步骤还包括：在进行第二信号数据采集后，进行主复位操作，在主复位操作中，第一复位晶体管250和附加晶体管240处于导通状态，第一传输晶体管220处于断开状态；进行主复位操作后，在第一复位晶体管250和第一传输晶体管220处于断开状态、且附加晶体管240处于导通状态下，所述列读出线bl对第一浮空扩散点fd1的电位信息进行第二基准数据采集。

根据第二基准数据采集得到的数据与第二信号数据采集得到的数据之差，获取第二有效信号数据。

进行主读出时序步骤后，进行扩展曝光时序步骤，在扩展曝光时序步骤中，所述第二复位晶体管260和附加晶体管240均处于导通状态，第一复位晶体管250、第一传输晶体管220和第二传输晶体管230均处于断开状态，选择晶体管290处于断开状态。

本实施例中，还包括：在进行主读出时序步骤之后，且在进行扩展曝光时序步骤之前，进行扩展清空步骤，在扩展清空步骤中，第一复位晶体管250和第二复位晶体管260处于导通状态，第一传输晶体管220处于断开状态，第二传输晶体管230处于导通状态，附加晶体管240处于导通状态，选择晶体管290处于断开状态。所述扩展清空步骤使主光电二极管200中的电子和附光电二极管210中的电子清空。

进行扩展曝光时序步骤后，进行扩展读出时序步骤，在扩展读出时序步骤中，第二复位晶体管260和附加晶体管240均处于导通状态，第一传输晶体管220处于断开状态，所述选择晶体管290处于导通状态。

所述扩展读出时序步骤包括：导通第二传输晶体管230，使所述附光电二极管210中的电荷对第一浮空扩散点fd1和第二浮空扩散点fd2进行第三充电；进行第三充电后，所述列读出线bl对第一浮空扩散点fd1的电位信息进行第三信号数据采集。

在第三充电中，第二传输晶体管230处于导通状态，第一复位晶体管250处于断开状态。

在第三信号数据采集中，第二传输晶体管230处于断开状态，第一复位晶体管250处于断开状态。

所述扩展读出时序步骤还包括：进行第三信号数据采集后，进行扩展复位操作，在扩展复位操作中，第一复位晶体管250处于导通状态，第二传输晶体管230处于断开状态；进行扩展复位操作后，在第一复位晶体管250处于断开状态、且第二传输晶体管230处于断开状态下，所述列读出线bl对第一浮空扩散点fd1的电位信息进行第三基准数据采集。

根据第三基准数据采集得到的数据与第三信号数据采集得到的数据之差，获取第三有效信号数据。

在扩展读出时序步骤的起始时刻至第三信号数据采集的终结时刻，第一复位晶体管250处于断开状态。

本实施例中，主曝光时序步骤的总时间和扩展曝光时序步骤的总时间相等。在其它实施例中，扩展曝光时序步骤的总时间小于主曝光时序步骤的总时间。

本实施例中，由于在进行扩展曝光时序步骤中，第二复位晶体管260处于导通状态，因此第二复位晶体管260能够将主光电二极管200中的光生电子转移至第二电源线l_vdd2。在进行扩展曝光时序步骤中，所述附加晶体管240处于导通状态，那么当附光电二极管210在过曝的情况下，附光电二极管中210的光生电子会通过第二传输晶体管230溢出至第一浮空扩散点fd1和第二浮空扩散点fd2，主要由电容270和第一浮空扩散点fd1的寄生电容存储来自附光电二极管210溢出的光生电子。所述扩展读出时序步骤包括：导通第二传输晶体管230，使所述附光电二极管210中的电荷对第一浮空扩散点fd1和第二浮空扩散点fd2进行第三充电，第三充电使所述附光电二极管210存储的光生电子转移至第一浮空扩散点fd1和第二浮空扩散点fd2。由于附光电二极管210的面积小于主光电二极管200，因此在附光电二极管210过曝的情况下，所述附光电二极管210中产生的光生电子较少，因此第一浮空扩散点fd1的寄生电容和所述电容270有足够的电容空间存储来自附光电二极管210产生的光生电子。那么第三信号数据采集得到的数据可表征的图像亮度大于第二信号数据采集得到数据可表征的图像亮度，这样提高了动态范围。

本实施例中，第三信号数据采集得到的数据可表征的图像亮度大于第二信号数据采集得到数据可表征的图像亮度。第二信号数据采集得到的数据可表征的图像亮度大于第一信号数据采集得到的数据可表征的图像亮度。

将第三有效信号数据、第二有效信号数据和第一有效信号数据进行融合，得到一帧完整的图像。

本实施例中，主曝光时序步骤和扩展曝光时序步骤均可采用较长的曝光时间，因此能避免频闪现象。

本发明另一实施例还提供一种图像传感器像素电路，请参考图5，本实施例中图像传感器像素电路与前一实施例的图像传感器像素电路的区别在于：第二传输晶体管330的漏极连接第二浮空扩散点fd2。关于本实施例中图像传感器像素电路与前一实施例中相同的部分，不再详述。

第二传输晶体管330的源级连接附光电二极管310。

相应的，本实施例还提供一种图像传感器像素电路(参考图5)的工作方法，本实施例中工作方法参照前一实施例中的工作方法，不再详述。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。