一种通讯装置的制作方法

本实用新型涉及通讯技术领域，特别是涉及一种通讯装置。

背景技术：

随着城市化进程的快速推进，现代移动通信得到迅猛的发展，人们对移动通信网络质量和数据传输的要求也越来越高。在大型建筑物低层、地下商场、地下停车场等场合，形成了移动通信的盲区和阴影区。在会展中心、大型体育场馆等地方，由于人流密集、话务量高，不仅要解决覆盖问题，还需解决容量问题。因此，仅仅通过室外基站覆盖无法解决室内信号问题，必须通过室内覆盖系统才能解决此类问题。信号满格宝作为信号覆盖增强设备，其能够有效解决室内弱覆盖问题，适用于地下空间、底商、居民家庭、办公室、电梯井等场景，具有成本低、部署快、质量可靠以及信号稳定等优势。

在国内三大运营商开始布局4G网络时，由于技术和网络覆盖的限制，并没有直接上线VoLTE来接管语音业务，而是采用CSFB(电路域回落)方案，也有采用双待方案，让LTE(通用移动通信技术的长期演进)网络下的4G手机在通话时回落到2G/3G网络。直至目前三家运营商的4G网络已大部分普及，才开始商用VoLTE业务。但是，目前很多用户手机并不支持VoLTE功能，因此通话时必须切换到2G/3G网络。而传统的单模信号满格宝作为解决系统室内信号覆盖的方式之一，一般只进行简单的GSM(全球移动通信系统)制式覆盖，并没有进行 TDD－LTE(分时长期演进)制式覆盖，导致其无法同时兼容GSM和 TDD－LTE两种系统，从而导致其无法即保证用户的通话质量又保证用户的数据传输需求。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种通讯装置，其能同时兼容GSM和 TDD－LTE两种系统，从而使其即可保证用户的通话质量又能保证用户的数据传输需求。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种通讯装置，包括第一合路器、第二合路器、GSM模块、三个TDD－LTE模块和中央处理器，所述GSM模块的第一端口与所述第一合路器的GSM频段端口连接，所述GSM模块的第二端口与所述第二合路器的GSM频段端口连接；

其中，任一所述TDD－LTE模块包括第一射频开关、第二射频开关、第一下行射频电路、第一上行射频电路和调制解调器，所述第一合路器的TDD－LTE频段端口与所述第一射频开关的第一端口连接，所述第一射频开关的输出端与所述第一下行射频电路的输入端连接，所述第一下行射频电路的输出端与所述第二射频开关的第一输入端连接，所述第二射频开关的第一端口与所述第二合路器的TDD－LTE频段端口连接；所述第二射频开关的输出端与所述第一上行射频电路的输入端连接，所述第一上行射频电路的输出端与所述第一射频开关的第一输入端连接；所述第一射频开关的输出端与所述调制解调器的输入端连接，所述调制解调器的输出端与所述中央处理器的输入端连接，所述中央处理器输出端分别与所述第一射频开关的第二输入端和所述第二射频开关的第二输入端连接；所述调制解调器为TDD－LTE制式，三个所述TDD－LTE模块分别用于过滤不同的4G频段。

作为优选方案，所述通讯装置还包括第三合路器；

所述第一合路器的TDD－LTE频段端口与所述第一射频开关的第一端口连接具体是：所述第一合路器的TDD－LTE频段端口通过所述第三合路器与所述第一射频开关的第一端口连接。

作为优选方案，所述通讯装置还包括第四合路器；

所述第二射频开关的第一端口与所述第二合路器的TDD－LTE频段端口连接具体是：所述第二射频开关的第一端口通过所述第四合路器与所述第二合路器的TDD－LTE频段端口连接。

作为优选方案，所述第一下行射频电路包括第一声表滤波器和第一射频功放管，所述第一下行射频电路的输入端与所述第一声表滤波器的输入端连接，所述第一声表滤波器的输出端与所述第一射频功放管的输入端连接，所述第一射频功放管的输出端与所述第一下行射频电路的输出端连接；其中，三个所述TDD－LTE模块中的三个所述第一声表滤波器分别用于过滤不同的4G频段。

作为优选方案，所述第一下行射频电路还包括第一低噪声放大器；

所述第一下行射频电路的输入端与所述第一声表滤波器的输入端连接具体是：所述第一下行射频电路的输入端通过所述第一低噪声放大器与所述第一声表滤波器的输入端连接。

作为优选方案，所述第一上行射频电路包括第二声表滤波器和第二射频功放管，所述第一上行射频电路的输入端与所述第二声表滤波器的输入端连接，所述第二声表滤波器的输出端与所述第二射频功放管的输入端连接，所述第二射频功放管的输出端与所述第一上行射频电路的输出端连接；其中，三个所述TDD－LTE模块中的三个所述第二声表滤波器分别用于过滤不同的4G频段。

作为优选方案，所述第一上行射频电路还包括第二低噪声放大器；

所述第一上行射频电路的输入端与所述第二声表滤波器的输入端连接具体是：所述第一上行射频电路的输入端通过所述第二低噪声放大器与所述第二声表滤波器的输入端连接。

作为优选方案，所述GSM模块包括第一声表双工器、第二声表双工器、第二下行射频电路和第二上行射频电路，所述GSM模块的第一端口与所述第一声表双工器的第一端口连接，所述第一声表双工器的输出端与所述第二下行射频电路的输入端连接，所述第二下行射频电路的输出端与所述第二声表双工器的输入端连接，所述第二声表双工器的第一端口与所述GSM模块的第二端口连接；所述第二声表双工器的输出端与所述第二上行射频电路的输入端连接，所述第二上行射频电路的输出端与所述第一声表双工器的输入端连接。

作为优选方案，所述第二下行射频电路包括第三声表滤波器和第三射频功放管，所述第二下行射频电路的输入端与所述第三声表滤波器的输入端连接，所述第三声表滤波器的输出端与所述第三射频功放管的输入端连接，所述第三射频功放管的输出端与所述第二下行射频电路的输出端连接；其中，所述第三声表滤波器包括GSM900的下行频段，930－945Mhz。

作为优选方案，所述第二上行射频电路包括第四声表滤波器和第四射频功放管，所述第二上行射频电路的输入端与所述第四声表滤波器的输入端连接，所述第四声表滤波器的输出端与所述第四射频功放管的输入端连接，所述第四射频功放管的输出端与所述第二上行射频电路的输出端连接；其中，所述第四声表滤波器包括GSM900的上行频段，885－909Mhz。

为了解决相同的技术问题，本实用新型还提供一种信号满格宝，包括上述的通讯装置。

本实用新型提供一种通讯装置，GSM模块的第一端口与第一合路器的GSM频段端口连接，GSM模块的第二端口与第二合路器的GSM频段端口连接；任一TDD－LTE模块包括第一射频开关、第二射频开关、第一下行射频电路、第一上行射频电路和调制解调器，第一合路器的 TDD－LTE频段端口与第一射频开关的第一端口连接，第一射频开关的输出端与第一下行射频电路的输入端连接，第一下行射频电路的输出端与第二射频开关的第一输入端连接，第二射频开关的第一端口与第二合路器的TDD－LTE频段端口连接；第二射频开关的输出端与第一上行射频电路的输入端连接，第一上行射频电路的输出端与第一射频开关的第一输入端连接；第一射频开关的输出端与调制解调器的输入端连接，调制解调器的输出端与中央处理器的输入端连接，中央处理器输出端分别与第一射频开关的第二输入端和第二射频开关的第二输入端连接。由于该通讯装置同时集成了GSM模块和三个TDD－LTE模块，因此可同时兼容GSM和TDD－LTE两种系统，以实现GSM网络和TDD－LTE 网络的共存，从而使其即可保证用户的通话质量又能保证用户的数据传输需求；此外，由于该通讯装置集成了三个用于过滤不同4G频段的TDD－LTE模块，因此使得其能够涵盖三个4G频段，从而确保了其具有更广的应用范围。

附图说明

图1是本实用新型实施例中的通讯装置的结构示意图。

其中，1、GSM模块；11、第二下行射频电路；12、第二上行射频电路；2、TDD－LTE模块；21、第一下行射频电路；22、第一上行射频电路。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。

如图1所示，本实用新型优选实施例的一种通讯装置，包括第一合路器、第二合路器、GSM模块1、三个TDD－LTE模块2和中央处理器，所述GSM模块1的第一端口与所述第一合路器的GSM频段端口连接，所述GSM模块1的第二端口与所述第二合路器的GSM频段端口连接；

其中，任一所述TDD－LTE模块2包括第一射频开关、第二射频开关、第一下行射频电路21、第一上行射频电路22和调制解调器，所述第一合路器的TDD－LTE频段端口与所述第一射频开关的第一端口连接，所述第一射频开关的输出端与所述第一下行射频电路21的输入端连接，所述第一下行射频电路21的输出端与所述第二射频开关的第一输入端连接，所述第二射频开关的第一端口与所述第二合路器的TDD－LTE频段端口连接；所述第二射频开关的输出端与所述第一上行射频电路22的输入端连接，所述第一上行射频电路22的输出端与所述第一射频开关的第一输入端连接；所述第一射频开关的输出端与所述调制解调器的输入端连接，所述调制解调器的输出端与所述中央处理器的输入端连接，所述中央处理器输出端分别与所述第一射频开关的第二输入端和所述第二射频开关的第二输入端连接；所述调制解调器为TDD－LTE制式，三个所述TDD－LTE模块2分别用于过滤不同的 4G频段。

在本实用新型实施例中，由于该通讯装置同时集成了所述GSM模块1和三个所述TDD－LTE模块2，因此可同时兼容GSM和TDD－LTE两种系统，以实现GSM网络和TDD－LTE网络的共存，从而使其即可保证用户的通话质量又能保证用户的数据传输需求；此外，由于该通讯装置集成了三个用于过滤不同的4G频段的所述TDD－LTE模块2，因此使得其能够涵盖三个4G频段，从而确保了其具有更广的应用范围。

此外，在本实用新型实施例中，需要说明的是，三个所述TDD－LTE 模块2中的频段分别对应中国移动4G频段的F频段(1880－1900MHz)、 E频段(2320－2370MHz)和D频段(2575－2635MHz)。

如图1所示，为了使三个所述TDD－LTE模块2的频段与所述GSM 模块1的频段之间具有更好的隔离度，优选地，本实施例中的所述通讯装置还包括第三合路器；所述第一合路器的TDD－LTE频段端口与所述第一射频开关的第一端口连接具体是：所述第一合路器的TDD－LTE 频段端口通过所述第三合路器与所述第一射频开关的第一端口连接。通过在所述第一合路器与所述第一射频开关之间设置所述第三合路器，以增强三个所述TDD－LTE模块2的频段与所述GSM模块1的频段之间的隔离度。

如图1所示，为了进一步增强三个所述TDD－LTE模块2的频段与所述GSM模块1的频段之间的隔离度，优选地，本实施例中的所述通讯装置还包括第四合路器；所述第二射频开关的第一端口与所述第二合路器的TDD－LTE频段端口连接具体是：所述第二射频开关的第一端口通过所述第四合路器与所述第二合路器的TDD－LTE频段端口连接。通过在所述第二合路器与所述第二射频开关之间设置所述第四合路器，以增强三个所述TDD－LTE模块2的频段与所述GSM模块1的频段之间的隔离度。

如图1所示，为了对进入所述第一下行射频电路21的TDD－LTE 基站(BS，BaseStation)的三路下行信号进行射频信号放大和选频等，优选地，本实施例中的所述第一下行射频电路21包括第一声表滤波器和第一射频功放管，所述第一下行射频电路21的输入端与所述第一声表滤波器的输入端连接，所述第一声表滤波器的输出端与所述第一射频功放管的输入端连接，所述第一射频功放管的输出端与所述第一下行射频电路21的输出端连接，以通过所述第一声表滤波器对进入所述第一下行射频电路21的TDD－LTE基站的三路下行信号进行选频，并通过所述第一射频功放管对进入所述第一下行射频电路 21的TDD－LTE基站的三路下行信号进行射频信号放大。其中，三个所述TDD－LTE模块中的三个所述第一声表滤波器分别用于过滤不同的4G频段。

如图1所示，在对进入所述第一下行射频电路21的TDD－LTE基站的三路下行信号进行选频前，为了对其进行低噪声放大，本实施例中的所述第一下行射频电路21还包括第一低噪声放大器；所述第一下行射频电路21的输入端与所述第一声表滤波器的输入端连接具体是：所述第一下行射频电路21的输入端通过所述第一低噪声放大器与所述第一声表滤波器的输入端连接。

如图1所示，为了对移动终端(MS，MobileStation)发射的 TDD－LTE上行信号(如手机终端发射的TDD－LTE上行信号)进行射频信号放大和选频等，优选地，本实施例中的所述第一上行射频电路22包括第二声表滤波器和第二射频功放管，所述第一上行射频电路 22的输入端与所述第二声表滤波器的输入端连接，所述第二声表滤波器的输出端与所述第二射频功放管的输入端连接，所述第二射频功放管的输出端与所述第一上行射频电路22的输出端连接，以通过所述第二声表滤波器对移动终端发射的TDD－LTE上行信号进行选频，并通过所述第二射频功放管对移动终端发射的TDD－LTE上行信号进行射频信号放大。其中，三个所述TDD－LTE模块中的三个所述第二声表滤波器分别用于过滤不同的4G频段。

如图1所示，在对所述移动终端发射的TDD－LTE上行信号进行选频前，为了对其进行低噪声放大，本实施例中的所述第一上行射频电路22还包括第二低噪声放大器；所述第一上行射频电路22的输入端与所述第二声表滤波器的输入端连接具体是：所述第一上行射频电路 22的输入端通过所述第二低噪声放大器与所述第二声表滤波器的输入端连接。

此外，在本实用新型实施例中，需要说明的是，本实施例中的三个所述TDD－LTE模块主要通过三个所述第一声表滤波器、三个所述第二声表滤波器以及三个所述调制解调器来实现三个不同4G频段的过滤。

如图1所示，为了使所述GSM模块1能够更好地进行GSM制式覆盖，优选地，本实施例中的所述GSM模块1包括第一声表双工器、第二声表双工器、第二下行射频电路11和第二上行射频电路12，所述 GSM模块1的第一端口与所述第一声表双工器的第一端口连接，所述第一声表双工器的输出端与所述第二下行射频电路11的输入端连接，所述第二下行射频电路11的输出端与所述第二声表双工器的输入端连接，所述第二声表双工器的第一端口与所述GSM模块1的第二端口连接；所述第二声表双工器的输出端与所述第二上行射频电路12的输入端连接，所述第二上行射频电路的输出端12与所述第一声表双工器的输入端连接。

如图1所示，为了对进入所述第二下行射频电路11的GSM基站的下行信号进行射频信号放大和选频等，优选地，本实施例中的所述第二下行射频电路11包括第三声表滤波器和第三射频功放管，所述第二下行射频电路11的输入端与所述第三声表滤波器的输入端连接，所述第三声表滤波器的输出端与所述第三射频功放管的输入端连接，所述第三射频功放管的输出端与所述第二下行射频电路11的输出端连接，以通过所述第三声表滤波器对进入所述第二下行射频电路11 的GSM基站的下行信号进行选频，并通过所述第三射频功放管对进入所述第二下行射频电路11的GSM基站的下行信号进行射频信号放大。其中，所述第三声表滤波器包括GSM900的下行频段，930－945Mhz。

如图1所示，在进入所述第二下行射频电路11的GSM基站的下行信号进行选频前，为了对其进行低噪声放大，本实施例中的所述第二下行射频电路11还包括第三低噪声放大器；所述第二下行射频电路11的输入端与所述第三声表滤波器的输入端连接具体是：所述第二下行射频电路11的输入端通过所述第三低噪声放大器与所述第三声表滤波器的输入端连接。

如图1所示，为了对所述移动终端发射的GSM上行信号(如手机终端发射的GSM上行信号)进行射频信号放大和选频等，优选地，本实施例中的所述第二上行射频电路12包括第四声表滤波器和第四射频功放管，所述第二上行射频电路12的输入端与所述第四声表滤波器的输入端连接，所述第四声表滤波器的输出端与所述第四射频功放管的输入端连接，所述第四射频功放管的输出端与所述第二上行射频电路12的输出端连接，以通过所述第四声表滤波器对移动终端发射的GSM上行信号进行选频，并通过所述第四射频功放管对移动终端发射的GSM上行信号进行射频信号放大。其中，所述第四声表滤波器包括GSM900的上行频段，885－909Mhz。

如图1所示，在对所述移动终端发射的GSM上行信号进行选频前，为了对其进行低噪声放大，本实施例中的所述第二上行射频电路12 还包括第四低噪声放大器；所述第二上行射频电路12的输入端与所述第四声表滤波器的输入端连接具体是：所述第二上行射频电路12 的输入端通过所述第四低噪声放大器与所述第四声表滤波器的输入端连接。

为了解决相同的技术问题，本实用新型还提供一种信号满格宝，包括上述的通讯装置。

如图1所示，本实用新型实施例中的所述通讯装置的工作原理如下：GSM基站下行信号经BS端口进入所述第一合路器，先经过所述第一合路器的GSM频段端口进入所述第一声表双工器，再进入所述第二下行射频电路11的所述第三低噪声放大器、所述第三声表滤波器和所述第三射频功放管进行射频信号放大和选频等，然后进入所述第二声表双工器，最后进入所述第二合路器的GSM频段端口，经过MS 端口传送到所述移动终端；所述移动终端发射的GSM上行信号先经过所述MS端口进入所述第二合路器的GSM频段端口，再进入所述第二声表双工器，然后进入所述第二上行射频电路12的所述第四低噪声放大器、所述第四声表滤波器和所述第四射频功放管进行射频信号放大和选频等，再进入所述第一声表双工器，最后进入所述第一合路器，经所述BS端口传送给基站；

TDD－LTE基站的三路下行信号经所述BS端口进入所述第一合路器，先经所述第一合路器的TDD－LTE频段端口进入所述第三合路器，接着分别进入三个所述TDD－LTE模块2的所述第一射频开关，再分别进入三个所述TDD－LTE模块2的所述第一下行射频电路21的所述第一低噪声放大器、所述第一声表滤波器和所述第一射频功放管进行射频信号放大和选频等，然后分别进入三个所述TDD－LTE模块2的所述第二射频开关，最后通过所述第四合路器进入所述第二合路器的TDD－LTE频段端口，经过所述MS端口传送到移动终端；所述移动终端发射的TDD－LTE上行信号先经所述MS端口进入所述第二合路器的 TDD－LTE频段端口，接着进入所述第四合路器，再根据频段进入其中一个所述TDD－LTE模块2的所述第二射频开关，然后进入该TDD－LTE 模块2的所述第一上行射频电路22的所述第二低噪声放大器、所述第二声表滤波器和所述第二射频功放管进行射频信号放大和选频等，再进入该所述TDD－LTE模块2的所述第一射频开关，最后通过所述第三合路器进入所述第一合路器的TDD－LTE频段端口，经所述BS端口传送给基站；

一个所述调制解调器(MODEN)耦合一个所述TDD－LTE模块2的 TDD－LTE下行信号并解析同步信号传送给所述中央处理器(CPU)，所述中央处理器控制该TDD－LTE模块2的所述第一射频开关和所述第二射频开关的切换，当该TDD－LTE模块2工作在下行模式时，所述中央处理器控制该TDD－LTE模块2的所述第一射频开关和所述第二射频开关切换到对应的所述第一下行射频电路21，当该TDD－LTE模块2工作在上行模块时，所述中央处理器控制该TDD－LTE模块2的所述第一射频开关和所述第二射频开关切换到对应的所述第一上行射频电路 22；另一个所述调制解调器(MODEN)耦合另一个所述TDD－LTE模块 2的TDD－LTE下行信号并解析同步信号传送给所述中央处理器(CPU)，所述中央处理器控制该TDD－LTE模块2的所述第一射频开关和所述第二射频开关的切换，当该TDD－LTE模块2工作在下行模式时，所述中央处理器控制该TDD－LTE模块2的所述第一射频开关和所述第二射频开关切换到对应的所述第一下行射频电路21，当该TDD－LTE模块2 工作在上行模块时，所述中央处理器控制该TDD－LTE模块2的所述第一射频开关和所述第二射频开关切换到对应的所述第一上行射频电路22；再一个所述调制解调器(MODEN)耦合再一个所述TDD－LTE模块2的TDD－LTE下行信号并解析同步信号传送给所述中央处理器(CPU)，所述中央处理器控制该TDD－LTE模块2的所述第一射频开关和所述第二射频开关的切换，当该TDD－LTE模块2工作在下行模式时，所述中央处理器控制该TDD－LTE模块2的所述第一射频开关和所述第二射频开关切换到对应的所述第一下行射频电路21，当该TDD－LTE 模块2工作在上行模块时，所述中央处理器控制该TDD－LTE模块2的所述第一射频开关和所述第二射频开关切换到对应的所述第一上行射频电路22。

综上，本实用新型提供一种通讯装置及信号满格宝，GSM模块1 的第一端口与第一合路器的GSM频段端口连接，GSM模块1的第二端口与第二合路器的GSM频段端口连接；任一TDD－LTE模块2包括第一射频开关、第二射频开关、第一下行射频电路21、第一上行射频电路22和调制解调器，第一合路器的TDD－LTE频段端口与第一射频开关的第一端口连接，第一射频开关的输出端与第一下行射频电路21 的输入端连接，第一下行射频电路21的输出端与第二射频开关的第一输入端连接，第二射频开关的第一端口与第二合路器的TDD－LTE频段端口连接；第二射频开关的输出端与第一上行射频电路22的输入端连接，第一上行射频电路22的输出端与第一射频开关的第一输入端连接；第一射频开关的输出端与调制解调器的输入端连接，调制解调器的输出端与中央处理器的输入端连接，中央处理器输出端分别与第一射频开关的第二输入端和第二射频开关的第二输入端连接。由于该通讯装置同时集成了GSM模块1和三个TDD－LTE模块2，因此可同时兼容GSM和TDD－LTE两种系统，以实现GSM网络和TDD－LTE网络的共存，从而使其即可保证用户的通话质量又能保证用户的数据传输需求；此外，由于该通讯装置集成了三个用于过滤不同的4G频段的 TDD－LTE模块2，因此使得其能够涵盖三个4G频段，从而确保了其具有更广的应用范围。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本实用新型的保护范围。