一种用于网关的双SIM卡切换电路的制作方法

本实用新型涉及sim卡扩展领域，特别涉及一种用于网关的双sim卡切换电路。

背景技术：

目前很多网关设备采用通讯模组来搭建自己的网络通信，但是目前的通讯模组的接口都是基于一张sim卡设计的，也就是一个通讯模组只能插一张sim卡。但是实际使用的时候，很多场景需要数据能进行灾备，也就是说需要在一张sim卡欠费或者其他异常的时候，还能有另外一路sim卡可以进行数据交换。

技术实现要素：

有鉴于现有技术的上述缺陷，本发明的目的是提供一种能稳定工作的用于网关的双sim卡切换电路，以满足灾备的应用需求。

为实现上述目的，本实用新型提供一种用于网关的双sim卡切换电路，包括第一sim卡座、第二sim卡座、切换芯片和电平转换电路，

所述切换芯片用于无线基带芯片的sim接口与所述第一sim卡座、第二sim卡座的连接、切换，所述无线基带芯片的sim接口工作于第一电压；

电平转换电路用于切换芯片和主控芯片的接口电平转换，所述切换芯片的接口电平被配置为第一电压，所述主控芯片的接口电平被配置为第二电压；

所述电平转换电路包括一个单向电平转换电路单元和多个双向电平转换电路单元；

所述双向电平转换电路单元包括第一nmos管、第一电阻和第二电阻；所述第一nmos管的源极和所述切换芯片连接，并通过第一电阻上拉到第一电压；所述第一nmos的漏极和所述主控芯片连接，并通过第二电阻上拉到第二电压；所述第一nmos管的栅极和第一电压连接；

所述单向电平转换电路单元包括第二nmos管，第三电阻、第四电阻、第五电阻，所述第二nmos管的源极接地，所述第二nmos管的漏极和所述切换芯片连接，并通过第三电阻上拉到第一电压；所述第二nmos管的栅极通过第四电阻和主控芯片连接，并通过第五电阻接地。

进一步的，所述切换芯片的型号为txs02326a。

进一步的，所述第一电压为1.8v，所述第二电压为3.3v。

进一步的，所述双向电平转换电路单元的数量为2。

进一步的，所述第一nmos管、第二nmos管的型号为ap2318gen。

本实用新型的技术效果：

本实用新型的用于网关的双sim卡切换电路，实现无线基带芯片和两个独立的sim卡座的连接和切换，且通过电平转换匹配，保证sim卡的正常切换和稳定读写。

附图说明

图1是本实用新型实施例的双路sim卡切换电路的电路图。

具体实施方式

为进一步说明各实施例，本实用新型提供有附图。这些附图为本实用新型揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本实用新型的优点。图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。

现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。

如图1所示，本实用新型公开了一种用于网关的双sim卡切换电路，包括切换芯片u100、第一sim卡座j100、第二sim卡座j102和电平转换电路。

在本实施例中，切换芯片u100采用txs02326a，txs02326a是一个用于将一个单一sim/uicc接口拓展成为支持两个sim/uicc接口的定制器件，是具有自动检测和插槽专用双通道低压降稳压器(ldo)的双电源2:1智能身份模块(sim)卡复用器/转换器，包括一组管理接口、一组sim卡输入接口和两组sim卡输出接口，两组sim输出接口分别和第一sim卡座、第二sim卡座电连接；所述sim卡输入接口用于和通讯模组连接。切换芯片u100具有两个电源引脚：vddio和vbat。在本实施例中，vbat连接系统电源，电压为3.3v，vddio设定针对基带芯片接口的基准电压并运行在1.8v。

管理接口包括复位接口和i2c接口。其中i2c接口包括信号sck和sda，分别对应切换芯片u100的第23管脚和第24管脚，复位接口为切换芯片u100的信号rstx(第2管脚)。sim卡输入接口包括信号sim_rst(第16管脚)、sim_clk(第17管脚)和sim_data(第18管脚)。

sim卡输出接口包括：第一sim卡输出接口(包括：电源sim_vcc1、信号sim_rst1、sim_clk1和sim_data1)和第二sim卡输出接口(包括：电源sim_vcc2、信号sim_rst2、sim_clk2和sim_data2)。

在本实施例中，切换芯片u100实现无线基带芯片(通信模组)和两组独立的sim卡座连接，并由主控芯片进行切换控制。

在本实施例中，无线基带芯片的sim卡接口工作于1.8v电压下，为与之匹配，切换芯片的接口电压通过vddio被配置为1.8v；因此，切换芯片u100的管理接口的接口电压和vddio保持一致，同样被配置为1.8v。

在本实施例中，主控芯片工作于3.3v电压下，因此主控芯片端的管理接口的高电平和切换芯片端的管理接口的高电平失配，若采用直连方式，传输信号将不能正确识别，因此需要通过电平转换电路进行匹配。

i2c接口包括信号sck、sda，其中sda为双向信号，在本实施例中，信号sck、sda均配置双向电平转换电路单元。

在本实施例中，以信号sck所对应的双向电平转换电路单元为例，包括nmos管q100，电阻r118，将nmos管q100的漏极和主控芯片连接，同时通过上拉电阻(设置于主控芯片侧，未示出)上拉到3.3v，源极和切换芯片u100连接，同时通过电阻r118上拉到1.8v(vddio设定的电压)，栅极连接到1.8v。从而实现由主控芯片的3.3v到切换芯片的1.8v之间的电平转换。

为保证i2c接口的通信速度(如达到100kbps)，在本实施例中，nmos管q100、q101的栅极都是直接连接到1.8v的，以提高nmos管的开关切换速度。

在本实施例中，采用该电平转换电路具有以下效果：

实现3.3v到1.8v的双向电平转换，且主控芯片的3.3v不会通过双向电平转换电路漏电流到1.8v(vddio设定的电压)或拉低主控芯片的高电平信号，影响sim卡读写的稳定。

在本实施例中，复位信号采用单向电平转换电路，采用将主控芯片的复位输出信号dual_sim_rst#通过电阻r123、r125分压后输入到nmos管q102的栅极，nmos管q102的源极接地，漏极连接到切换芯片u100的复位输入接口rstx(第2引脚)。当主控芯片的复位输出信号dual_sim_rst#输出高电平信号时，nmos管q102导通，输出低电平信号给切换芯片u100的复位输入接口，对切换芯片u100进行复位。

在该实施例中，由于电平转换电路的两端均工作在低电压，因此nmos管q100、q101、q102需要进行选型，选择低vgs的nmos管，如ap2318gen。ap2318gen的vgs仅有0.4v，可以满足1.8v和3.3v之间的电平转换的应用。

通过以上方式，本实用新型的用于网关的双sim卡切换电路，实现无线基带芯片和两个独立的sim卡座的连接和切换，且通过电平转换匹配，保证sim卡的正常切换和稳定读写，以满足灾备的应用需求。

尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化，均为本实用新型的保护范围。